JPS61172387A - 半導体レ−ザ装置および光記録再生装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置および光記録再生装置Info
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- JPS61172387A JPS61172387A JP60012559A JP1255985A JPS61172387A JP S61172387 A JPS61172387 A JP S61172387A JP 60012559 A JP60012559 A JP 60012559A JP 1255985 A JP1255985 A JP 1255985A JP S61172387 A JPS61172387 A JP S61172387A
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- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、外部共振器により動作する半導体レーザ装置
およびその半導体レーザ装置を用いた光記録再生装置に
関するものである。
およびその半導体レーザ装置を用いた光記録再生装置に
関するものである。
［従来技術］
従来の半導体レーザは第１２図に示すように構成されて
いる。ここで、レーザ共振器１００は、レーザ活性層１
０１に垂直な結晶の臂開面１０２と１０３を用いて形成
されている。かかる臂開面１０２および１０３での反射
率は約３５％と大きいので、レーザ共振器１００の反射
率を外部から変化させることによリレーザ特性を制御す
ることは困難であった。
いる。ここで、レーザ共振器１００は、レーザ活性層１
０１に垂直な結晶の臂開面１０２と１０３を用いて形成
されている。かかる臂開面１０２および１０３での反射
率は約３５％と大きいので、レーザ共振器１００の反射
率を外部から変化させることによリレーザ特性を制御す
ることは困難であった。
このような半導体レーザからの光により記録再生を行う
装置は電子通信学会技術研究報告ｖｏ１．８４．Ｎｏ、
２０３．ＭＲ８４−３９に開示されている。その光記録
再生装置の概略を第１３図に示す。
装置は電子通信学会技術研究報告ｖｏ１．８４．Ｎｏ、
２０３．ＭＲ８４−３９に開示されている。その光記録
再生装置の概略を第１３図に示す。
第１３図において、１１１は半導体レーザ、１１２〜１
１５はレンズ、１１Ｂはフォーカスアクチュエータに設
置された集光レンズ、１１７および１１８は／＼−フミ
ラー、１１９は１／２波長板、１２０は整形プリズム、
１２１〜１２３は光検出器、１２４はレーザビーム記録
媒体、たとえばディスク、１２５はプリズムによるビー
ムスプリッタである。
１５はレンズ、１１Ｂはフォーカスアクチュエータに設
置された集光レンズ、１１７および１１８は／＼−フミ
ラー、１１９は１／２波長板、１２０は整形プリズム、
１２１〜１２３は光検出器、１２４はレーザビーム記録
媒体、たとえばディスク、１２５はプリズムによるビー
ムスプリッタである。
半導体レーザ１１１からの光は、レンズ１１２）整形プ
リズム１２０、ハーフミラ−１１７および集光レンズ１
１Ｂを介して記録媒体１２４に入射して、記録が行われ
る。その記録の形態としては、レーザ光のエネルギーに
より、穴をあけたり、結晶−非結晶状態の相変態を利用
することによって、光呼射による記録媒体の反射率を変
化させて情報を書き込む場合と、磁気バイアスを記録媒
体に加えておき、レーザ光のオン／オフにより磁化を反
転させて情報を書き込む場合とがある。
リズム１２０、ハーフミラ−１１７および集光レンズ１
１Ｂを介して記録媒体１２４に入射して、記録が行われ
る。その記録の形態としては、レーザ光のエネルギーに
より、穴をあけたり、結晶−非結晶状態の相変態を利用
することによって、光呼射による記録媒体の反射率を変
化させて情報を書き込む場合と、磁気バイアスを記録媒
体に加えておき、レーザ光のオン／オフにより磁化を反
転させて情報を書き込む場合とがある。
ここで、レーザビーム記録媒体１２４が穴あけ記録媒体
や相変態形媒体などのように、反射率変化として情報を
記録する媒体である場合には、ディスク１２４からの反
射光が光検出器１２１で検出される。
や相変態形媒体などのように、反射率変化として情報を
記録する媒体である場合には、ディスク１２４からの反
射光が光検出器１２１で検出される。
他方、レーザビーム記録媒体１２４が光磁気ディスクな
どのように磁化反転として情報を記録する媒体では、記
録部による反射光偏光面の回転をアナライザであるプリ
ズムビームスプリッタ１２５で分離し、その分離された
光を光検出器１２２および１２３の差動出力で検出する
。
どのように磁化反転として情報を記録する媒体では、記
録部による反射光偏光面の回転をアナライザであるプリ
ズムビームスプリッタ１２５で分離し、その分離された
光を光検出器１２２および１２３の差動出力で検出する
。
このような記録再生時には、以上の装置をレーザビーム
記録媒体１２４の面振れに追随させるために、フォーカ
ス誤差信号に従って集光レンズ１１８等を光軸方向に移
動させて合焦させている。
記録媒体１２４の面振れに追随させるために、フォーカ
ス誤差信号に従って集光レンズ１１８等を光軸方向に移
動させて合焦させている。
このような従来方式では、（ｉ） （［１別の光学部品
と機構部品とを組合せているため、光軸調整等に時間が
かかる他、信頼性に劣る。
と機構部品とを組合せているため、光軸調整等に時間が
かかる他、信頼性に劣る。
（ｉ＋）装置が大型であり、重いため、高速アクセス化
やマルチヘッド化がむずかしい。
やマルチヘッド化がむずかしい。
（目ｉ）重ね書き（オーバライド）ができす、再記録の
ときには、その都度すでに書き込まれている情報を消去
する必要があるなどの問題点があった。
ときには、その都度すでに書き込まれている情報を消去
する必要があるなどの問題点があった。
［目的］
そこで、本発明の目的は、上述の欠点を除去して、レー
ザ特性を制御することのできる半導体レーザ装置を提供
することにある。
ザ特性を制御することのできる半導体レーザ装置を提供
することにある。
本発明の他の目的は、レーザ発振が生じるか否かを制御
することのできる半導体レーザ装置を提供することにあ
る。
することのできる半導体レーザ装置を提供することにあ
る。
本発明の更に他の目的は、上述の半導体レーザ装置を用
いることにより、上述した諸間助点を解決し、簡単な構
成で、かつ小型軽量化を達成し、組立調整も容易であり
、しかも重ね書きのできる光記録再生装置を提供するこ
とにある。
いることにより、上述した諸間助点を解決し、簡単な構
成で、かつ小型軽量化を達成し、組立調整も容易であり
、しかも重ね書きのできる光記録再生装置を提供するこ
とにある。
［発明の構成コ
このような目的を達成するために、本発明半導体レーザ
装置は、半導体レーザと、半導体レーザ置された反射体
とを具えたことを特徴とする。
装置は、半導体レーザと、半導体レーザ置された反射体
とを具えたことを特徴とする。
本発明光記録再生装置は、半導体レーザと、半導体レー
ザの一方の端面に配置され、一方の端面でのレーザ光の
反射率を低減する部材と、部材と対向して記録媒体が配
置されるように半導体レーザを支持する部材とを具えた
ことを紡機とする。
ザの一方の端面に配置され、一方の端面でのレーザ光の
反射率を低減する部材と、部材と対向して記録媒体が配
置されるように半導体レーザを支持する部材とを具えた
ことを紡機とする。
［実施例］
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明半導体レーザ装置の一実施例を示し、こ
こで、ｌは半導体レーザ、２はそのレーザ活性層、３お
よび３′はその共振器端面、５は端面３′に配置した反
射防止膜である０反射防止膜５は、たとえばＧａＡｓ系
半導体レーザの場合には、たとえばＳｉＯまたは５ｉ０
２を厚さ２０００人程度にコーティングすることにより
形成し、この反射防止膜５によって端面３′での反射率
を１０−３〜ｉ１・１１７４に低減することが容易にで
きる。この反射防止膜形成の技術に関しては、理論的に
はＡＴ＆Ｔ Ｂｅ１ｌＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ、
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ、 Ｖｏｌ、８
３゜８５７頁に提案され、実験的にはＡｐｐｌｉｅｄ
０ｐｔｉｃｓ。
こで、ｌは半導体レーザ、２はそのレーザ活性層、３お
よび３′はその共振器端面、５は端面３′に配置した反
射防止膜である０反射防止膜５は、たとえばＧａＡｓ系
半導体レーザの場合には、たとえばＳｉＯまたは５ｉ０
２を厚さ２０００人程度にコーティングすることにより
形成し、この反射防止膜５によって端面３′での反射率
を１０−３〜ｉ１・１１７４に低減することが容易にで
きる。この反射防止膜形成の技術に関しては、理論的に
はＡＴ＆Ｔ Ｂｅ１ｌＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ、
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ、 Ｖｏｌ、８
３゜８５７頁に提案され、実験的にはＡｐｐｌｉｅｄ
０ｐｔｉｃｓ。
Ｖｏｌ、２０，２３８７頁に詳細に記されている。７お
よび７′はそれぞれ端面３および３′から出射するレー
ザビームである。８は、例えばＡ交や（、ｒなどの金属
膜をコーティングした反射体であり、反射防止膜５と対
向して、たとえば後述する光記録再生装置の場合には、
１０ＩＬ１１程度以内に近接して配置し、これにより外
部共振器を形成する。
よび７′はそれぞれ端面３および３′から出射するレー
ザビームである。８は、例えばＡ交や（、ｒなどの金属
膜をコーティングした反射体であり、反射防止膜５と対
向して、たとえば後述する光記録再生装置の場合には、
１０ＩＬ１１程度以内に近接して配置し、これにより外
部共振器を形成する。
第２図は、第１図示の半導体レーザ装置において、反射
体８とレーザ端面３′ との間隔ｄを変えたときの半導
体レーザ１内に帰還される光の帰還量を示し、ここで、
半導体レーザ１はＧａＡｓ系半導体レーザとした０反射
防止膜５を５ｉ０２またはＳｉＯで構成し、その厚さを
入ハの厚さく約２０００人）にした０反射体８をＡｉま
たはＯｒとした６曲線Ｉはストライプ幅８ｐｍで活性層
０．２１Ｌｍの場合、曲線■はストライプ幅２．５μｍ
で活性層厚０．１５ ＪＬ ｍの場合を示す。
体８とレーザ端面３′ との間隔ｄを変えたときの半導
体レーザ１内に帰還される光の帰還量を示し、ここで、
半導体レーザ１はＧａＡｓ系半導体レーザとした０反射
防止膜５を５ｉ０２またはＳｉＯで構成し、その厚さを
入ハの厚さく約２０００人）にした０反射体８をＡｉま
たはＯｒとした６曲線Ｉはストライプ幅８ｐｍで活性層
０．２１Ｌｍの場合、曲線■はストライプ幅２．５μｍ
で活性層厚０．１５ ＪＬ ｍの場合を示す。
第２図において、間隔ｄを０．１ｐｍ以下にすることは
現在の技術の機械的精度から困難である。
現在の技術の機械的精度から困難である。
他方、間隔ｄの上限は、光帰還量の程度と使用目的に応
じて種々に決めることができる。たとえば、ｄを１１０
１Ｌ以上にすると、出力レーザビームの分解能が劣化し
、後述するように光記録再４：装置で用いる場合に媒体
上のビーム径がひろがりすぎると共に、浮動ヘッドの浮
上量からも限界がある。
じて種々に決めることができる。たとえば、ｄを１１０
１Ｌ以上にすると、出力レーザビームの分解能が劣化し
、後述するように光記録再４：装置で用いる場合に媒体
上のビーム径がひろがりすぎると共に、浮動ヘッドの浮
上量からも限界がある。
このようにして、間隔ｄを０．１〜１０ＩＬｍ内に定め
ると、半導体レーザｌ内に帰還される光量が大きいため
、共振器端面３と反射体８とにより外部共振器が形成さ
れてレーザ発振が生じる。
ると、半導体レーザｌ内に帰還される光量が大きいため
、共振器端面３と反射体８とにより外部共振器が形成さ
れてレーザ発振が生じる。
上述したような反射体８が有る場合とない場合の半導体
レーザ１の光出力−注入電流特性を第３図に示す、ここ
で、実線工は反射体８が有る場合を示し、破線■は反射
体８のない場合を示す。
レーザ１の光出力−注入電流特性を第３図に示す、ここ
で、実線工は反射体８が有る場合を示し、破線■は反射
体８のない場合を示す。
１ｔｈは発振しきい値電流を示す、第３図かられかるよ
うに、たとえば、半導体レーザ１の動作電流１０で半導
体レーザ１を駆動したとすると、反射体８が有るかない
かによってレーザ発振が生ずるか否かが決まる。そこで
、その光出力Ｐ！と２２との差により容易に反射体８の
有無を検出することができることがわかる。
うに、たとえば、半導体レーザ１の動作電流１０で半導
体レーザ１を駆動したとすると、反射体８が有るかない
かによってレーザ発振が生ずるか否かが決まる。そこで
、その光出力Ｐ！と２２との差により容易に反射体８の
有無を検出することができることがわかる。
本発明半導体レーザ装置の別の実施例を第４図に示す、
本例は１本発明を双安定半導体レーザに適用した場合で
ある。双安定半導体レーザでは、半導体レーザのストラ
イブの部分に注入する電燈をストライプの方向にオン、
オフさせることにより励起を空間的に不均一にし、その
ストライブのうち、電流を注入しない部分は、吸収が光
強度に依存し、光が強いほど吸収が少なくなる可飽和吸
収体として作用し、その可飽和吸収体の大きさに依存し
て双安定特性や微分利得特性が得られる。
本例は１本発明を双安定半導体レーザに適用した場合で
ある。双安定半導体レーザでは、半導体レーザのストラ
イブの部分に注入する電燈をストライプの方向にオン、
オフさせることにより励起を空間的に不均一にし、その
ストライブのうち、電流を注入しない部分は、吸収が光
強度に依存し、光が強いほど吸収が少なくなる可飽和吸
収体として作用し、その可飽和吸収体の大きさに依存し
て双安定特性や微分利得特性が得られる。
このような半導体レーザに関しての製法等はＩＥＥＰｒ
ｏｃ、 Ｖｏｌ、 １２９． Ｐｔ、 １．Ｎｏ４，１
４１〜１４８頁に詳細に記載されている。
ｏｃ、 Ｖｏｌ、 １２９． Ｐｔ、 １．Ｎｏ４，１
４１〜１４８頁に詳細に記載されている。
このように注入電流がストライプの方向に不均一な半導
体レーザでは、発振しきい値電流１ｔｈにおいて急激に
光出力が増大し、第４図に示すような光出力−電流特性
を示す、ここで、曲線Ｉは反射体８を設けた場合、曲線
■は反射体８のない場合を示し、いずれにおいても端面
３′は無反射とした。
体レーザでは、発振しきい値電流１ｔｈにおいて急激に
光出力が増大し、第４図に示すような光出力−電流特性
を示す、ここで、曲線Ｉは反射体８を設けた場合、曲線
■は反射体８のない場合を示し、いずれにおいても端面
３′は無反射とした。
本例では、この種半導体レーザを第１図示の半導体レー
ザ１−となし、その一方の共振器面３′に反射防止膜５
を無反射コートする。この反射防しト膜５に近接して反
射体８を配置するか否かに応じて、第４図に示すように
顕著なオン−オフ特性が得られる。
ザ１−となし、その一方の共振器面３′に反射防止膜５
を無反射コートする。この反射防しト膜５に近接して反
射体８を配置するか否かに応じて、第４図に示すように
顕著なオン−オフ特性が得られる。
なお、発振しきい値Ｉｔｈ付近でヒステリシス特性をも
つ半導体レーザの場合にも全く同様の大きなオン−オフ
比が得られること勿論である。
つ半導体レーザの場合にも全く同様の大きなオン−オフ
比が得られること勿論である。
上述したような本発明半導体レーザを用いた本発明光記
録再生装置の構成例を第５図および第８図に示す、第５
図において、１１はレーザビーム記録媒体、１２はヘッ
ドアーム、１３はへラドアーム１２の先端に取り付けら
れ、媒体ｌｌ上に空気浮上するスライダである。すなわ
ち、第６図に示すように、スライダ１３はジンバルばね
１４によってヘッドアーム１２に支持され、その一端に
、第１図示の反射防止コーティングの施された半導体レ
ーザｌおよびこの半導体レーザｌと対向して記録媒体１
１とは反射側に配置され、半導体レーザ１の後方発振光
を検出する光検出器１５、たとえばＰＩＮフォトダイオ
ードを取り付ける。１Ｂは記録媒体１１上のトラックを
示す。
録再生装置の構成例を第５図および第８図に示す、第５
図において、１１はレーザビーム記録媒体、１２はヘッ
ドアーム、１３はへラドアーム１２の先端に取り付けら
れ、媒体ｌｌ上に空気浮上するスライダである。すなわ
ち、第６図に示すように、スライダ１３はジンバルばね
１４によってヘッドアーム１２に支持され、その一端に
、第１図示の反射防止コーティングの施された半導体レ
ーザｌおよびこの半導体レーザｌと対向して記録媒体１
１とは反射側に配置され、半導体レーザ１の後方発振光
を検出する光検出器１５、たとえばＰＩＮフォトダイオ
ードを取り付ける。１Ｂは記録媒体１１上のトラックを
示す。
レーザビーム記録媒体１１は、例えばＴｅ、 Ｂｉなど
のように穴あけにより情報を記録する媒体、あるいはＴ
ｅＯｘなど相変態による反射率変化として情報を記録す
る媒体とすることができる。第６図に示すように、半導
体レーザｌでは、その共振器端面３′ と記録媒体１１
とによる外部共振器で発振したレーザビーム７′により
記録部１７が形成される。スライダ１３は、矢印で示す
ように流れる空気の空気浮上作用により媒体１１の表面
より数ｇｍ浮上する。
のように穴あけにより情報を記録する媒体、あるいはＴ
ｅＯｘなど相変態による反射率変化として情報を記録す
る媒体とすることができる。第６図に示すように、半導
体レーザｌでは、その共振器端面３′ と記録媒体１１
とによる外部共振器で発振したレーザビーム７′により
記録部１７が形成される。スライダ１３は、矢印で示す
ように流れる空気の空気浮上作用により媒体１１の表面
より数ｇｍ浮上する。
信号再生時には、半導体レーザ１の動作電流を第７図に
示すようにｔｏに設定し、反射率が高い未記録部１８（
Ｒｔ）では光帰還が多いためレーザ発振が生じ、レーザ
パワーＰＲが光検出器１５により検出される。他方、穴
あけ部などの情報記録部１７では、反射光量が少ないた
め、レーザ発振が生ぜず、光検出器１５の出力はほぼ零
となる。
示すようにｔｏに設定し、反射率が高い未記録部１８（
Ｒｔ）では光帰還が多いためレーザ発振が生じ、レーザ
パワーＰＲが光検出器１５により検出される。他方、穴
あけ部などの情報記録部１７では、反射光量が少ないた
め、レーザ発振が生ぜず、光検出器１５の出力はほぼ零
となる。
たとえば、反射率の低い基板とに反射高の晶い幅５ｐｍ
のクロム膜を５ｇｍ間隔で配置し、ｄ＝１０４ｍとして
、半導体レーザとこのクロム膜とを相対的に移動させた
場合、光検出器１５の出力をレコーダで記録すると、第
８図のようになった。
のクロム膜を５ｇｍ間隔で配置し、ｄ＝１０４ｍとして
、半導体レーザとこのクロム膜とを相対的に移動させた
場合、光検出器１５の出力をレコーダで記録すると、第
８図のようになった。
すなわち、反射率の高いクロム膜の位置に対応して、半
導体レーザ１はレーザ発振したり、レーザ発振を停止す
ることにより、光出力が変化することがわかる。
導体レーザ１はレーザ発振したり、レーザ発振を停止す
ることにより、光出力が変化することがわかる。
記録時には、当初Ｉｏに設定した動作電流にさらに情報
に対応する交流電流を加算することにより情報記録が可
能となる。その−例を第８図および第１０図に示す。
に対応する交流電流を加算することにより情報記録が可
能となる。その−例を第８図および第１０図に示す。
第８図において、２１は半導体レーザ１の駆動用増幅器
であり、この増幅器２１には抵抗２２および２３を介し
てレーザ発振可能な直流の動作電流ＩＱを供給すると共
に、スイッチ２４および抵抗２５から抵抗２３を介して
データに対応する交流電流Ｉｄａｔａを供給することに
より、第１０図に示すように、電流ＩＯとＩ％Ｉとの間
のデータに対応して、レーザ発振出力をＰｏとＰ％＃と
の間に変化させて記録を行うことができる。２８は半導
体レーザｌの保護抵抗である。
であり、この増幅器２１には抵抗２２および２３を介し
てレーザ発振可能な直流の動作電流ＩＱを供給すると共
に、スイッチ２４および抵抗２５から抵抗２３を介して
データに対応する交流電流Ｉｄａｔａを供給することに
より、第１０図に示すように、電流ＩＯとＩ％Ｉとの間
のデータに対応して、レーザ発振出力をＰｏとＰ％＃と
の間に変化させて記録を行うことができる。２８は半導
体レーザｌの保護抵抗である。
第８図において、スイッチ２４は記録／再生モード切換
パルスＳ１により制御され、記録時にはＨ位置となり、
データに対応する交流電流■ が増ａｔａ 幅器２１に供給される。再生時には、スイッチ２４はＬ
位置となり、交流電流Ｉ はしゃ断され、光ａｔａ 出力は変調されない。
パルスＳ１により制御され、記録時にはＨ位置となり、
データに対応する交流電流■ が増ａｔａ 幅器２１に供給される。再生時には、スイッチ２４はＬ
位置となり、交流電流Ｉ はしゃ断され、光ａｔａ 出力は変調されない。
以上では、未記録部１８の反射率が高く、情報記録部１
７の反射率が低い場合について本発明光記録再生装置の
実施例を述べたが、逆の場合にも全く同様にして信号を
再生できる。
７の反射率が低い場合について本発明光記録再生装置の
実施例を述べたが、逆の場合にも全く同様にして信号を
再生できる。
あるいはまた、信号検出のために、上述の実施例では光
検出器を用いる場合について述べたが、半導体レーザｌ
が発振するか発振しないかで変化する半導体レーザ１自
体の端子電圧変化を検出するようにしてもよい。
検出器を用いる場合について述べたが、半導体レーザｌ
が発振するか発振しないかで変化する半導体レーザ１自
体の端子電圧変化を検出するようにしてもよい。
さらにまた、本発明は、上述した実施例のように、半導
体レーザ１が発振するか発振しないかの差で検出する実
施例にのみ限られるものではなく、反射体８の反射率が
低い方でもレーザ発振するように設定して、レーザ発振
状態での反射率による光出力変化を利用することもでき
る。
体レーザ１が発振するか発振しないかの差で検出する実
施例にのみ限られるものではなく、反射体８の反射率が
低い方でもレーザ発振するように設定して、レーザ発振
状態での反射率による光出力変化を利用することもでき
る。
第１１図は光磁気記録媒体など磁化反転により情報を記
録する本発明光記録再生装置の他の例の動作原理を示す
。ここで、曲線Ｉおよび■は、未記録部１日についての
ＴＥおよび７Ｍモード光出力をそれぞれ示し、曲線■お
よび■は記録部１７についてのＴＥおよび７Ｍモード光
出力をそれぞれ示すｅＩｔｈｌおよびＩｔｈ２は、それ
ぞれ、未記録部１８および記録部１７に対する発振しき
い値を示す。
録する本発明光記録再生装置の他の例の動作原理を示す
。ここで、曲線Ｉおよび■は、未記録部１日についての
ＴＥおよび７Ｍモード光出力をそれぞれ示し、曲線■お
よび■は記録部１７についてのＴＥおよび７Ｍモード光
出力をそれぞれ示すｅＩｔｈｌおよびＩｔｈ２は、それ
ぞれ、未記録部１８および記録部１７に対する発振しき
い値を示す。
第６図示の半導体レーザ１の動作電流をＩｎに設定した
場合、記録媒体１３のうち、信号未記録部１８では、レ
ーザ活性層２に平行な偏光成分を有するＴＥモード光が
発振し、レーザ出力光ＰＲが光検出器１５により検出さ
れる。信号記録部１７では磁気光学効果による反射光偏
光面の回転により、レーザ活性層２に垂直な偏光成分を
有する律モード光が未記録部１８の場合よりも増大し、
ＴＥモードレーザの発振閾値電流がＩｔｈｌから Ｉｔ
ｈ２に増大することにより、動作電流ＩＱではレーザ光
出力ｐ＝に減少する。
場合、記録媒体１３のうち、信号未記録部１８では、レ
ーザ活性層２に平行な偏光成分を有するＴＥモード光が
発振し、レーザ出力光ＰＲが光検出器１５により検出さ
れる。信号記録部１７では磁気光学効果による反射光偏
光面の回転により、レーザ活性層２に垂直な偏光成分を
有する律モード光が未記録部１８の場合よりも増大し、
ＴＥモードレーザの発振閾値電流がＩｔｈｌから Ｉｔ
ｈ２に増大することにより、動作電流ＩＱではレーザ光
出力ｐ＝に減少する。
なお、光検出器１５の全面にアナライザを設置してＴＭ
波のレベルを検出することによっても信号再生が可能で
ある。
波のレベルを検出することによっても信号再生が可能で
ある。
本発明では、反射体８として作用する記録媒体１１と近
接して半導体レーザ１を配置するので、磁界を高速度で
変化させることによって磁化の反転を行うことができる
。したがって、例えば、磁気ディスクに用いる磁気ヘッ
ド内に半導体レーザ１を配設し、そのレーザ照射により
一様な光バイアスを磁気ディスクに与えるようにし、そ
のバイアス光照射時に、磁界を高速度でオン／オフさせ
て磁化反転を誘起することによって、記録を行うことが
できる。これによれば、それ以前にすでに書き込まれて
いる内容を消去することなく、重ね書きすることができ
る。
接して半導体レーザ１を配置するので、磁界を高速度で
変化させることによって磁化の反転を行うことができる
。したがって、例えば、磁気ディスクに用いる磁気ヘッ
ド内に半導体レーザ１を配設し、そのレーザ照射により
一様な光バイアスを磁気ディスクに与えるようにし、そ
のバイアス光照射時に、磁界を高速度でオン／オフさせ
て磁化反転を誘起することによって、記録を行うことが
できる。これによれば、それ以前にすでに書き込まれて
いる内容を消去することなく、重ね書きすることができ
る。
［効果］
以上から明らかなように、本発明半導体レーザ装置では
、レーザ発振するか否かを簡単な横置で制御することが
でき、しかも本発明半導体レーザ装置は光記録媒体の表
面を共振器の一部として用いることができるので、元肥
録再／４：装置のレーザ光源として有用である。
、レーザ発振するか否かを簡単な横置で制御することが
でき、しかも本発明半導体レーザ装置は光記録媒体の表
面を共振器の一部として用いることができるので、元肥
録再／４：装置のレーザ光源として有用である。
さらにまた、本発明光記録再生装置では、レーザビーム
記録媒体を共振器端面とする半導体レーび軽量化が可能
であり、したがってアクセスを度が向上するとともに、
高速転送およびアクセス耐力向上のためのマルチヘッド
化が容易となる。しかもまた、本発明光記録再生装置は
組立調整が容易であり、信頼性が向上し、しかも装置の
低価格化を達成できるなどの利点がある。
記録媒体を共振器端面とする半導体レーび軽量化が可能
であり、したがってアクセスを度が向上するとともに、
高速転送およびアクセス耐力向上のためのマルチヘッド
化が容易となる。しかもまた、本発明光記録再生装置は
組立調整が容易であり、信頼性が向上し、しかも装置の
低価格化を達成できるなどの利点がある。
第１図は本発明半導体レーザの一実施例の構成を示す断
面図、 第２図は本発明半導体レーザの端面と反射体との間隔に
対する光帰還量の関係を示す特性図、第３図および第４
図は木発明半魂体レーザの電流−光出力特性図、 第５図は本発明光記録再生装置の一実施例を示す斜視図
、 第６図はそのスライダ部の拡大図、 第７図は本発明の動作説明用の電流−光出力特性図、 第８図は反射体の有無に対する光出力の変化を示す波形
図。 、第９図は本発明における半導体レーザ駆動回路の一例
を示す回路図、 第１０図はその電流−光出力特性図、 第１１図は本発明の動作説明用の電流−光出力特性図、 第１２図は従来の半導体レーザの構成例を示す断面図、 第１３図は従来の光記録再生装置のｍ成例を示す線図で
ある。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・レーザ活性層、 ３．３″・・・共振器端面、 ５・・・反射防止膜、 ７．７′ ・・・レーザビーム、 ８・・・反射体、 １１・・・レーザビーム記録媒体、 １２・・・ヘッドアーム、 １３・・・スライダ、 １４・・・ジンバルばね。 １５・・・光検出器、 １Ｂ・・・トラック、 １７・・・記録部、 １８・・・未記録部。 特許出願人 日木電信電話公社 代 理 人 弁理士 谷 義 −第３図 第２図 間隔ｄ（μ唄哩ン ｌ２−〜−−へ・ソト′アー４ １３−−−−スライダ ／４−−・−リーバ′ル１２＋ね 第７図 第９図 第１Ｏ図 電３Ｌ 第１２図 第１３図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭８０−１２５５１３号 ２）発明の名称 半導体レーザ装置および光記録再生装置３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 （４２２） 日本電信電話株式会社 「昭和８０年４月１日名称変更済（一括）」４、代理人 住所〒１０７ （発送日 昭和８０年５３２８日） ６・補正の対象 １）明細書第８頁第１５行〜１８行を次の通り訂正する
。 ｒ膜形成の技術に関しては、理論的には「ニーティ ア
ンド ティ ペル ラボラトリーズ。 テクニカル ジャーナル（Ａ丁＆Ｔ Ｂｅ１ｌ Ｌａｂ
ｏｒａｔａ−ｒｉｅｓ、 Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ）Ｊ第８３巻、第８５７頁に提案され、実験的
には「７プライド オプティクス（Ａｐｐｌｉｅｄ ０
ｐｔｉｃｓ）Ｊ第２０巻、第２３８７頁に詳細に記され
ている。７およびｊ 以 上
面図、 第２図は本発明半導体レーザの端面と反射体との間隔に
対する光帰還量の関係を示す特性図、第３図および第４
図は木発明半魂体レーザの電流−光出力特性図、 第５図は本発明光記録再生装置の一実施例を示す斜視図
、 第６図はそのスライダ部の拡大図、 第７図は本発明の動作説明用の電流−光出力特性図、 第８図は反射体の有無に対する光出力の変化を示す波形
図。 、第９図は本発明における半導体レーザ駆動回路の一例
を示す回路図、 第１０図はその電流−光出力特性図、 第１１図は本発明の動作説明用の電流−光出力特性図、 第１２図は従来の半導体レーザの構成例を示す断面図、 第１３図は従来の光記録再生装置のｍ成例を示す線図で
ある。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・レーザ活性層、 ３．３″・・・共振器端面、 ５・・・反射防止膜、 ７．７′ ・・・レーザビーム、 ８・・・反射体、 １１・・・レーザビーム記録媒体、 １２・・・ヘッドアーム、 １３・・・スライダ、 １４・・・ジンバルばね。 １５・・・光検出器、 １Ｂ・・・トラック、 １７・・・記録部、 １８・・・未記録部。 特許出願人 日木電信電話公社 代 理 人 弁理士 谷 義 −第３図 第２図 間隔ｄ（μ唄哩ン ｌ２−〜−−へ・ソト′アー４ １３−−−−スライダ ／４−−・−リーバ′ル１２＋ね 第７図 第９図 第１Ｏ図 電３Ｌ 第１２図 第１３図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭８０−１２５５１３号 ２）発明の名称 半導体レーザ装置および光記録再生装置３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 （４２２） 日本電信電話株式会社 「昭和８０年４月１日名称変更済（一括）」４、代理人 住所〒１０７ （発送日 昭和８０年５３２８日） ６・補正の対象 １）明細書第８頁第１５行〜１８行を次の通り訂正する
。 ｒ膜形成の技術に関しては、理論的には「ニーティ ア
ンド ティ ペル ラボラトリーズ。 テクニカル ジャーナル（Ａ丁＆Ｔ Ｂｅ１ｌ Ｌａｂ
ｏｒａｔａ−ｒｉｅｓ、 Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ）Ｊ第８３巻、第８５７頁に提案され、実験的
には「７プライド オプティクス（Ａｐｐｌｉｅｄ ０
ｐｔｉｃｓ）Ｊ第２０巻、第２３８７頁に詳細に記され
ている。７およびｊ 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体レーザと、 該半導体レーザの一方の端面に配置され、当該一方の端
面でのレーザ光の反射率を低減する部材と、 該部材と対向して離隔配置された反射体とを具えたこと
を特徴とする半導体レーザ装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置にお
いて、前記部材は反射防止膜であることを特徴とする半
導体レーザ装置。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体レ
ーザ装置において、前記半導体レーザは、励起を空間的
に不均一にし、しきい電流値で光出力が急激に増大し、
または双安定特性を有することを特徴とする半導体レー
ザ装置。 ４）半導体レーザと、 該半導体レーザの一方の端面に配置され、当該一方の端
面でのレーザ光の反射率を低減する部材と、 該部材と対向して記録媒体が配置されるように前記半導
体レーザを支持する部材とを具えたことを特徴とする光
記録再生装置。 ５）特許請求の範囲第４項記載の光記録再生装置におい
て、記録時には、記録すべき情報に応じて前記半導体レ
ーザの駆動電流を制御することにより反射率変化として
前記記録媒体に当該情報を記録し、再生時には、前記半
導体レーザに所定の駆動電流を供給して、前記情報の記
録された部分からの反射率変化に応じて、前記半導体レ
ーザのレーザ発振のオン／オフあるいはレーザ出力の増
減により前記記録された情報を再生することを特徴とす
る光記録再生装置。 ６）特許請求の範囲第４項記載の光記録再生装置におい
て、記録時には、記録すべき情報に応じて前記半導体レ
ーザの駆動電流を制御し、および磁界を前記記録媒体に
印加することにより、情報を磁化方向の変化として前記
記録媒体に記録し、再生時には、前記半導体レーザに所
定の駆動電流を供給して、前記情報の記録された部分の
磁化方向に応じて、前記半導体レーザのレーザ発振光の
偏光面の変調により前記記録された情報を再生すること
を特徴とする光記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60012559A JPS61172387A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体レ−ザ装置および光記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60012559A JPS61172387A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体レ−ザ装置および光記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172387A true JPS61172387A (ja) | 1986-08-04 |
Family
ID=11808697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60012559A Pending JPS61172387A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体レ−ザ装置および光記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61172387A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63213389A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JP2008187175A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Samsung Electronics Co Ltd | スペックル低減レーザー及びそれを採用したレーザーディスプレイ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50112056A (ja) * | 1974-02-12 | 1975-09-03 | ||
| JPS5197914A (ja) * | 1975-02-26 | 1976-08-28 | ||
| JPS5945646A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-14 | Hitachi Ltd | 光学的情報再生装置 |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60012559A patent/JPS61172387A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50112056A (ja) * | 1974-02-12 | 1975-09-03 | ||
| JPS5197914A (ja) * | 1975-02-26 | 1976-08-28 | ||
| JPS5945646A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-14 | Hitachi Ltd | 光学的情報再生装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63213389A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH0533838B2 (ja) * | 1987-02-27 | 1993-05-20 | Sharp Kk | |
| JP2008187175A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Samsung Electronics Co Ltd | スペックル低減レーザー及びそれを採用したレーザーディスプレイ装置 |
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