JPH0520817B2 - - Google Patents
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- JPH0520817B2 JPH0520817B2 JP58166731A JP16673183A JPH0520817B2 JP H0520817 B2 JPH0520817 B2 JP H0520817B2 JP 58166731 A JP58166731 A JP 58166731A JP 16673183 A JP16673183 A JP 16673183A JP H0520817 B2 JPH0520817 B2 JP H0520817B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
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- G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
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- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、信頼性が向上するとともに小型軽量
化を実現した光記録再生装置における光学ヘツド
に関するものである。
化を実現した光記録再生装置における光学ヘツド
に関するものである。
従来のこの種装置は、第１図に示すように、半
導体レーザ等の光源１、カツプリングレンズ２、
ビームスプリツタ３、1/4波長板４、集光レンズ
５、検出器前レンズ６、光検出器７およびポイス
コイルアクチユエータ８などより構成されるのが
通常であるが、記録再生時には走行記録媒体９の
面振れおよびトラツク偏心に追髄するため、フオ
ーカス誤差信号およびトラツク誤差信号に従つて
集光レンズ５等を駆動し、ジヤストフオーカスお
よびオントラツクを実現している。したがつて、
このような従来装置では、 (i) 個別の光学部品、機械部品の組合せであるた
め、光軸調整等に時間がかかる他、信頼性に劣
る、 (ii) 大型で重いため、高速アクセル化、マルチヘ
ツド化がむずかしい、 などの問題点が指摘されている。
導体レーザ等の光源１、カツプリングレンズ２、
ビームスプリツタ３、1/4波長板４、集光レンズ
５、検出器前レンズ６、光検出器７およびポイス
コイルアクチユエータ８などより構成されるのが
通常であるが、記録再生時には走行記録媒体９の
面振れおよびトラツク偏心に追髄するため、フオ
ーカス誤差信号およびトラツク誤差信号に従つて
集光レンズ５等を駆動し、ジヤストフオーカスお
よびオントラツクを実現している。したがつて、
このような従来装置では、 (i) 個別の光学部品、機械部品の組合せであるた
め、光軸調整等に時間がかかる他、信頼性に劣
る、 (ii) 大型で重いため、高速アクセル化、マルチヘ
ツド化がむずかしい、 などの問題点が指摘されている。
本発明は、これらの欠点を除去するため、半導
体レーザの光源、分岐形光導波路および光源と同
一の構造を有する第１、第２の光検出器を同一基
盤上に配置することにより光学ヘツドを構成する
とともに、空気浮上作用により焦点制御を行な
い、信頼性の向上および小型軽量化を実現した光
学ヘツドを提供せんとするものであつて、その要
旨とするところは、浮上ヘツドスライダに取り付
けた光学ヘツドにおいて、少なくとも３個以上の
開口端をもつ分岐形光導波路と半導体レーザ等の
光源と光検出とを同一基盤上に配置するととも
に、前記分岐形光導波路の少なくとも１つの開口
端を開放して開放開口端としてその両側に前記第
２の光検出器を設置する一方、他の少なくとも１
つの開口端に前記半導体レーザ等の光源を、少な
くとも他の１つの開口端に前記第１の光検出器を
それぞれ設置したこと、さらには前記光源の前記
開放開口端との間の分岐形光波路内に戻り光阻止
手段を設けたことを特徴とする。
体レーザの光源、分岐形光導波路および光源と同
一の構造を有する第１、第２の光検出器を同一基
盤上に配置することにより光学ヘツドを構成する
とともに、空気浮上作用により焦点制御を行な
い、信頼性の向上および小型軽量化を実現した光
学ヘツドを提供せんとするものであつて、その要
旨とするところは、浮上ヘツドスライダに取り付
けた光学ヘツドにおいて、少なくとも３個以上の
開口端をもつ分岐形光導波路と半導体レーザ等の
光源と光検出とを同一基盤上に配置するととも
に、前記分岐形光導波路の少なくとも１つの開口
端を開放して開放開口端としてその両側に前記第
２の光検出器を設置する一方、他の少なくとも１
つの開口端に前記半導体レーザ等の光源を、少な
くとも他の１つの開口端に前記第１の光検出器を
それぞれ設置したこと、さらには前記光源の前記
開放開口端との間の分岐形光波路内に戻り光阻止
手段を設けたことを特徴とする。
以下、図面に示した実施例にもとずき、本発明
に係る光学ヘツドについて説明する。
に係る光学ヘツドについて説明する。
第２図ａ，ｂは本発明に係る光学ヘツドの一実
施例に示す概略構成図および光学ヘツド部の拡大
図であつて、１は半導体レーザ等の光源、７ａお
よび７ｂは光源１と同一の構造を有する光検出
器、１０は分岐形光導波路、１０ａは、分岐形光
導波路の開口端、１０ｂは開放開口端、１１は基
盤、１２は開放開口端１０ｂから射出するレーザ
等のビーム、１３は溝付走行記録媒体、１４は保
護膜付の記録層、１５はスライダ軸受である。い
ま、半導体レーザ等の光源１より射出したビーム
１２は、基盤１１に埋め込まれている0.5μｍ〜数
μｍ角の分岐形光波路１０の開口端１０ａに入射
し、開放開口端１０ｂより射出する。そして、記
録時は高いレーザパワーを照射し、溝に沿つてデ
ータを反射率変化により記録するとともに、再生
時は低いレーザパワーを照射し、走行記録媒体１
３に記録されたピツト列の反射光強度変化を検出
する。反射光は開放開口端１０ｂより分岐形光導
波路１０内に戻り、光検出器７ｂに達する。な
お、分岐形光導波路１０内では直進方向の光伝達
率が高いため、直進方向の開口端１０ａに光検出
器７ｂを設置することが望ましい。
施例に示す概略構成図および光学ヘツド部の拡大
図であつて、１は半導体レーザ等の光源、７ａお
よび７ｂは光源１と同一の構造を有する光検出
器、１０は分岐形光導波路、１０ａは、分岐形光
導波路の開口端、１０ｂは開放開口端、１１は基
盤、１２は開放開口端１０ｂから射出するレーザ
等のビーム、１３は溝付走行記録媒体、１４は保
護膜付の記録層、１５はスライダ軸受である。い
ま、半導体レーザ等の光源１より射出したビーム
１２は、基盤１１に埋め込まれている0.5μｍ〜数
μｍ角の分岐形光波路１０の開口端１０ａに入射
し、開放開口端１０ｂより射出する。そして、記
録時は高いレーザパワーを照射し、溝に沿つてデ
ータを反射率変化により記録するとともに、再生
時は低いレーザパワーを照射し、走行記録媒体１
３に記録されたピツト列の反射光強度変化を検出
する。反射光は開放開口端１０ｂより分岐形光導
波路１０内に戻り、光検出器７ｂに達する。な
お、分岐形光導波路１０内では直進方向の光伝達
率が高いため、直進方向の開口端１０ａに光検出
器７ｂを設置することが望ましい。
トラツスク信号は、走行記録媒体１３に対面し
た分岐形光導波路１０の開放開口端１０ｂの両側
にある光検出器７ａにより検出される。したがつ
て、レーザ等のビーム１２が溝の中心からずれた
場合には、溝からの反射回折光強度分布は光軸に
対し非対称となり、光検出器７ａに入射するレー
ザパワーが異なる。この両者の差動出力によりト
ラツク信号が検出される。このようにして検出さ
れたトラツク信号に従い、例えば第２図ａに示す
スライダ軸受１５が設置されているヘツドアーム
が駆動され、トラツク制御が行われる。また、フ
オーカス制御は光学ヘツド全体を第２図ａに示す
スライダ軸受１５の端面にを設置し、空気浮上作
用を利用して行われる。スライダ軸受１５の空気
浮上作用については、磁気デイスクに用いられる
浮動ヘツドスライダ軸受と同一であるため、ここ
では説明を省略するが、走行記録媒体１３からの
浮上距離は走行記録媒体１３上の所要ビーム径よ
り設定される。したがつて、このような浮動ヘツ
ド方式では、従来装置におけるフオーカスアクチ
ユエータを用いることなくフオーカス制御が可能
となる。
た分岐形光導波路１０の開放開口端１０ｂの両側
にある光検出器７ａにより検出される。したがつ
て、レーザ等のビーム１２が溝の中心からずれた
場合には、溝からの反射回折光強度分布は光軸に
対し非対称となり、光検出器７ａに入射するレー
ザパワーが異なる。この両者の差動出力によりト
ラツク信号が検出される。このようにして検出さ
れたトラツク信号に従い、例えば第２図ａに示す
スライダ軸受１５が設置されているヘツドアーム
が駆動され、トラツク制御が行われる。また、フ
オーカス制御は光学ヘツド全体を第２図ａに示す
スライダ軸受１５の端面にを設置し、空気浮上作
用を利用して行われる。スライダ軸受１５の空気
浮上作用については、磁気デイスクに用いられる
浮動ヘツドスライダ軸受と同一であるため、ここ
では説明を省略するが、走行記録媒体１３からの
浮上距離は走行記録媒体１３上の所要ビーム径よ
り設定される。したがつて、このような浮動ヘツ
ド方式では、従来装置におけるフオーカスアクチ
ユエータを用いることなくフオーカス制御が可能
となる。
光デイスクでは、半導体レーザ等の光源１への
戻り光がレーザ共振器内で発振光と干渉してレー
ザ出力変動を生じさせる。本発明における戻り光
阻止構造例は、第３図に示されるが、第３図(a)の
例では、光導波路１０の分岐路数を増やし、走行
記録媒体１３からの反射光を各分岐路に分散させ
（分散率は各光導波路の曲率１０′に依る。）、LD
への戻り光を低減させている。なお、再生信号は
光検出器７ｂの和出力により得られる。
戻り光がレーザ共振器内で発振光と干渉してレー
ザ出力変動を生じさせる。本発明における戻り光
阻止構造例は、第３図に示されるが、第３図(a)の
例では、光導波路１０の分岐路数を増やし、走行
記録媒体１３からの反射光を各分岐路に分散させ
（分散率は各光導波路の曲率１０′に依る。）、LD
への戻り光を低減させている。なお、再生信号は
光検出器７ｂの和出力により得られる。
また、第３図ｂでは、レーザ光は1/4波長板４
の薄膜を通過後、走行記録媒体１３に照射され、
反射光は再度、1/4波長板４を通過後、分岐形光
導波路１０内に戻る。この場合、反射光はレーザ
発振光（TE偏波）と90°偏光の異なるTM偏波と
なるため、LD共振器内で発振光と干渉せずレー
ザ出力変動を押えることができる。なお、1/4波
長板４の薄膜を設置する構成では、第３図(c)に示
すように、半導体レーザ等の光源１を反射光の直
進方向の開口端に設置しても戻り光の影響は小さ
い。
の薄膜を通過後、走行記録媒体１３に照射され、
反射光は再度、1/4波長板４を通過後、分岐形光
導波路１０内に戻る。この場合、反射光はレーザ
発振光（TE偏波）と90°偏光の異なるTM偏波と
なるため、LD共振器内で発振光と干渉せずレー
ザ出力変動を押えることができる。なお、1/4波
長板４の薄膜を設置する構成では、第３図(c)に示
すように、半導体レーザ等の光源１を反射光の直
進方向の開口端に設置しても戻り光の影響は小さ
い。
さらに、第３図(d)には光検出器７ｂ側の分岐形
光導波路の屈折率n1をLD側の屈折率n2より大き
くし、LDへの戻り光を減少させる例が示される
が、走行記録媒体１３からの反射光はn1＞n2であ
るため、LD側の分岐形光導波路１０にはほとん
ど戻らない。
光導波路の屈折率n1をLD側の屈折率n2より大き
くし、LDへの戻り光を減少させる例が示される
が、走行記録媒体１３からの反射光はn1＞n2であ
るため、LD側の分岐形光導波路１０にはほとん
ど戻らない。
一方、第４図には本発明に係る光学ヘツドの製
造方法が示されるが、第４図(a)において、１６は
Ｐ−GaAs、１７はＰ−AlGaAs、１８はGaAs、
１９はｎ−AlGaAs、２０はｎ−GaAsであり、
この基盤１１上に後述する光部品が一体形成され
る。また、２１は電極であり、Au−Crあるいは
Au−Ge−Ni等で製造される。このような層を多
層エピタキシヤル成長により製造後、半導体レー
ザ等の光源１および光検出器７ａ以外を例えばブ
ロムメタノール等の用いてエツチングにより取り
去り、除去部に新たに分岐形光導波路１０を多層
エピタキシヤル成長により形成する。第４図ｂに
はこの形成後の断面図が示されるが、２２はレー
ザ光に対して透明な層、例えばAl0.1GaAs（屈折
率；3.54）であり、２３はAl0.3GaAs（屈折率
3.40）である。２４はレーザ活性層であるGaAs
１８より出たAl0.1GaAs２２を通り開放開口端１
０ｂより射出する方向である。
造方法が示されるが、第４図(a)において、１６は
Ｐ−GaAs、１７はＰ−AlGaAs、１８はGaAs、
１９はｎ−AlGaAs、２０はｎ−GaAsであり、
この基盤１１上に後述する光部品が一体形成され
る。また、２１は電極であり、Au−Crあるいは
Au−Ge−Ni等で製造される。このような層を多
層エピタキシヤル成長により製造後、半導体レー
ザ等の光源１および光検出器７ａ以外を例えばブ
ロムメタノール等の用いてエツチングにより取り
去り、除去部に新たに分岐形光導波路１０を多層
エピタキシヤル成長により形成する。第４図ｂに
はこの形成後の断面図が示されるが、２２はレー
ザ光に対して透明な層、例えばAl0.1GaAs（屈折
率；3.54）であり、２３はAl0.3GaAs（屈折率
3.40）である。２４はレーザ活性層であるGaAs
１８より出たAl0.1GaAs２２を通り開放開口端１
０ｂより射出する方向である。
本発明に係る光学ヘツドは上記製造方法により
一体形成することができる訳であるが、分岐形光
導波路１０を用いるため、従来装置における光軸
調整が不要となる。なお、第３図ｂ，ｃに示す1/
４波長板４の薄膜は、前記光学ヘツドを一体形成
後、光導波路１０開放開口端１０ｂに設置され
る。
一体形成することができる訳であるが、分岐形光
導波路１０を用いるため、従来装置における光軸
調整が不要となる。なお、第３図ｂ，ｃに示す1/
４波長板４の薄膜は、前記光学ヘツドを一体形成
後、光導波路１０開放開口端１０ｂに設置され
る。
第５図および第６図は半導体レーザ等の光源
１、分岐形光導波路１０および光検出器７ａ，７
ｂの個別部品の組合せによる本発明の別の実施例
を示すものであるが、第５図においては基盤１１
はLiNbO3などより成る強誘電体結晶であり、こ
の基盤１１上に光部品が固定される。分岐形光導
波路１０は強誘電体結晶にTi等を拡散し高屈折
率とすることにより形成され、再生信号およびト
ラツク信号は第２図に示した実施例と同様に検出
される。なお、LDへの戻り光阻止構造としては
第３図の構成例が本実施例についても適用でき
る。また、第６図は分岐形光導波路１０を分岐型
フアイバを用いて構成したものであり、２５はフ
アイバ１０内に設置した光アイソレータである。
したがつて、デイスクからの反射光をフアイバ１
０の開放開口端１０ｂで補足し、フアイバ分岐路
に設置した光検出器７ｂの和出力により再生信号
が得られる（光検出器７ｂは１個でも複数個でも
よい。）。また、トラツク信号はフアイバ１０の開
放開口端１０ｂの両側に設置した光検出器７ａの
差動出力により得られる。本実施例におけるLD
への戻り光阻止構造としては、例えば金属、誘電
体多層膜と常磁性ガラスよりなる光アイソレータ
２５を設置したり、1/4波長板４の薄膜をフアイ
バ１０の開放開口端１０ｂに設置する、などがあ
り、また、フオーカス制御は、第２図の実施例と
同様に、光学ヘツド全体をスライダ軸受１５に設
置し空気浮上作用を利用して行なわれる。
１、分岐形光導波路１０および光検出器７ａ，７
ｂの個別部品の組合せによる本発明の別の実施例
を示すものであるが、第５図においては基盤１１
はLiNbO3などより成る強誘電体結晶であり、こ
の基盤１１上に光部品が固定される。分岐形光導
波路１０は強誘電体結晶にTi等を拡散し高屈折
率とすることにより形成され、再生信号およびト
ラツク信号は第２図に示した実施例と同様に検出
される。なお、LDへの戻り光阻止構造としては
第３図の構成例が本実施例についても適用でき
る。また、第６図は分岐形光導波路１０を分岐型
フアイバを用いて構成したものであり、２５はフ
アイバ１０内に設置した光アイソレータである。
したがつて、デイスクからの反射光をフアイバ１
０の開放開口端１０ｂで補足し、フアイバ分岐路
に設置した光検出器７ｂの和出力により再生信号
が得られる（光検出器７ｂは１個でも複数個でも
よい。）。また、トラツク信号はフアイバ１０の開
放開口端１０ｂの両側に設置した光検出器７ａの
差動出力により得られる。本実施例におけるLD
への戻り光阻止構造としては、例えば金属、誘電
体多層膜と常磁性ガラスよりなる光アイソレータ
２５を設置したり、1/4波長板４の薄膜をフアイ
バ１０の開放開口端１０ｂに設置する、などがあ
り、また、フオーカス制御は、第２図の実施例と
同様に、光学ヘツド全体をスライダ軸受１５に設
置し空気浮上作用を利用して行なわれる。
以上、図面に示した実施例にもとずいて詳細に
説明したように、本発明に係る光学ヘツドは半導
体レーザ等の光源、分岐形光導波路および光検出
器を同一基盤面上に配置するとともに、空気浮上
作用によりフオーカス制御を行うため、組立調整
が容易となるばかりか焦点制御回路が不要とな
り、低価格、高信頼な光学ヘツドが実現できる。
また、従来装置に比べ大幅な小型軽量化が可能で
あるため、アクセス速度が向上するとともに、高
速転送、アクセス耐力の向上のためのマルチヘツ
ド化が容易となる。
説明したように、本発明に係る光学ヘツドは半導
体レーザ等の光源、分岐形光導波路および光検出
器を同一基盤面上に配置するとともに、空気浮上
作用によりフオーカス制御を行うため、組立調整
が容易となるばかりか焦点制御回路が不要とな
り、低価格、高信頼な光学ヘツドが実現できる。
また、従来装置に比べ大幅な小型軽量化が可能で
あるため、アクセス速度が向上するとともに、高
速転送、アクセス耐力の向上のためのマルチヘツ
ド化が容易となる。
また、光デイスク装置の光学ヘツドに使用した
場合、媒体に照射されるレーザビームは1μｍ程
度の微小径であるため、ビームの精密なトラツク
追跡を行わないと、デイスクの偏心等により情報
の欠落が生ずる。本発明では、トラツクずれを開
放開口端の両側に設置された光検出器で検出し、
検出信号にもとずいて光学ヘツドを保持している
アクチユエータを制御することにより、高精度な
トラツク追跡が可能となる。
場合、媒体に照射されるレーザビームは1μｍ程
度の微小径であるため、ビームの精密なトラツク
追跡を行わないと、デイスクの偏心等により情報
の欠落が生ずる。本発明では、トラツクずれを開
放開口端の両側に設置された光検出器で検出し、
検出信号にもとずいて光学ヘツドを保持している
アクチユエータを制御することにより、高精度な
トラツク追跡が可能となる。
第１図は従来の光学ヘツドを示す概略構成図、
第２図ａは本発明に係る光学ヘツドの概略構成
図、第２図ｂはその光学ヘツド部の拡大図、第３
図ａ〜ｂは本発明における戻り光阻止構造を示す
断面図、第４図ａ，ｂは本発明に係る光学ヘツド
の製造方法を示す説明図、第５図および第６図は
本発明に係る光学ヘツドの他の実施例を示す断面
図である。 図面中、１は半導体レーザ等の光源、２はカツ
プリングレンズ、３はビームスプリツタ、４は1/
４波長板、５は集光レンズ、６は検出器前レンズ、
７，７ａ，７ｂは光検出器、８はボイスコイルア
クチユエータ、９は走行記録媒体、１０は分岐形
光導波路、１０ａは開口端、１０ｂは開放開口
端、１０′は曲率、１１は基盤、１２はレーザビ
ーム、１３は溝付走行記録媒体、１４は記録層、
１５はスライダ軸受、１６はＰ−GaAs、１７は
Ｐ−AlGaAs、１８はGaAs、１９はｎ−
AlGaAs、２０はｎ−GaAs、２１は電極、２２
はAl0.1GaAs、２３はAl0.3GaAs、２４はレーザ
ビーム射出方向である。
第２図ａは本発明に係る光学ヘツドの概略構成
図、第２図ｂはその光学ヘツド部の拡大図、第３
図ａ〜ｂは本発明における戻り光阻止構造を示す
断面図、第４図ａ，ｂは本発明に係る光学ヘツド
の製造方法を示す説明図、第５図および第６図は
本発明に係る光学ヘツドの他の実施例を示す断面
図である。 図面中、１は半導体レーザ等の光源、２はカツ
プリングレンズ、３はビームスプリツタ、４は1/
４波長板、５は集光レンズ、６は検出器前レンズ、
７，７ａ，７ｂは光検出器、８はボイスコイルア
クチユエータ、９は走行記録媒体、１０は分岐形
光導波路、１０ａは開口端、１０ｂは開放開口
端、１０′は曲率、１１は基盤、１２はレーザビ
ーム、１３は溝付走行記録媒体、１４は記録層、
１５はスライダ軸受、１６はＰ−GaAs、１７は
Ｐ−AlGaAs、１８はGaAs、１９はｎ−
AlGaAs、２０はｎ−GaAs、２１は電極、２２
はAl0.1GaAs、２３はAl0.3GaAs、２４はレーザ
ビーム射出方向である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 浮動ヘツドスライダに取り付けた光学ヘツド
において、少なくとも３個以上の開口端をもつ分
岐形光導波路と半導体レーザ等の光源とこの光源
と同一の構造を有する第１の光検出器と複数の第
２の光検出器とを同一基盤面上に配置するととも
に、前記分岐形光導波路の少なくとも１つの開口
端を開放して開放開口端とする一方、他の少なく
とも１つの開口端に前記半導体レーザ等の光源
を、少なくとも他の１つの開口端に前記第１の光
検出器をそれぞれ設置し、かつ前記開放開口端の
両側に前記複数の第２の光検出器をそれぞれ設置
したことを特徴とする光学ヘツド。 ２ 浮動ヘツドスライダに取り付けた光学ヘツド
において、少なくとも３個以上の開口端をもつ分
岐形光導波路と半導体レーザ等の光源とこの光源
と同一の構造を有する光検出器とを同一基盤面上
に配置するとともに、前記分岐形光導波路の少な
くとも１つの開口端を開放して開放開口端とする
一方、他の少なくとも１つの開口端に前記半導体
レーザ等の光源を、少なくとも他の１つの開口端
に前記光検出器をそれぞれ設置し、かつ、前記光
源からの前記分岐形光導波路の分岐点までの分岐
形光導波路の屈折率n2をそれ以外の分岐形光導波
路の屈折率n1に対してn2＜n1となるように構成し
たことを特徴とする光学ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166731A JPS6059548A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光学ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166731A JPS6059548A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光学ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059548A JPS6059548A (ja) | 1985-04-05 |
| JPH0520817B2 true JPH0520817B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=15836699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166731A Granted JPS6059548A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光学ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059548A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621131A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘツド |
| JP2607064B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1997-05-07 | 富士通株式会社 | 導波路型光学ヘツド |
| JPS62251707A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-11-02 | Fujitsu Ltd | 光受動部品 |
| JPH0814895B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1996-02-14 | 松下電器産業株式会社 | 光情報処理装置 |
| JP2615647B2 (ja) * | 1987-08-11 | 1997-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 光ピックアップ |
| US6181673B1 (en) * | 1996-07-30 | 2001-01-30 | Read-Rite Corporation | Slider design |
| ATE456815T1 (de) * | 2005-07-25 | 2010-02-15 | Research In Motion Ltd | Koordinierung von umgebungslichtmessung und lichtemission |
| US7352930B2 (en) | 2005-07-25 | 2008-04-01 | Research In Motion Limited | Shared light pipe for a message indicator and light sensor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4868202A (ja) * | 1971-12-17 | 1973-09-18 | ||
| JPS4888951A (ja) * | 1972-02-23 | 1973-11-21 | ||
| JPS5037402A (ja) * | 1973-08-03 | 1975-04-08 | ||
| JPS5117412A (ja) * | 1974-08-02 | 1976-02-12 | Sharp Kk |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166731A patent/JPS6059548A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4868202A (ja) * | 1971-12-17 | 1973-09-18 | ||
| JPS4888951A (ja) * | 1972-02-23 | 1973-11-21 | ||
| JPS5037402A (ja) * | 1973-08-03 | 1975-04-08 | ||
| JPS5117412A (ja) * | 1974-08-02 | 1976-02-12 | Sharp Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6059548A (ja) | 1985-04-05 |
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