JPS62102445A - 光デイスク基板の製造方法 - Google Patents
光デイスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS62102445A JPS62102445A JP24119385A JP24119385A JPS62102445A JP S62102445 A JPS62102445 A JP S62102445A JP 24119385 A JP24119385 A JP 24119385A JP 24119385 A JP24119385 A JP 24119385A JP S62102445 A JPS62102445 A JP S62102445A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- coating film
- coating
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
る。
従来、光ディスク基板等に用いる溝つき基板の製造方法
としては、ガラス等の基板上に７オトレジスト膜を塗布
した後、第弘図に示すようなレーサー露光装置を用いて
フォトレジス）［をレーザー光で選択的に露光し、現像
処理後ドライエツチング等のエツチング処理を行なう方
法が知られている。
としては、ガラス等の基板上に７オトレジスト膜を塗布
した後、第弘図に示すようなレーサー露光装置を用いて
フォトレジス）［をレーザー光で選択的に露光し、現像
処理後ドライエツチング等のエツチング処理を行なう方
法が知られている。
上記フォトレジスト法によればガラス等の基板上にミク
ロン間隔の光ディスク用案内溝を正確に作成できる利点
を有するものの、レーザー光を用いての選択露光にあた
り７枚のディスク状基板作成に数１０分もの露光操作時
間がかかり生産性が悪いという問題点があった。又レー
ザーを用いる高精度の露光装置は極めて高価であるとと
もに精度の確保に繁雑な操作が必要であるという問題点
があった。
ロン間隔の光ディスク用案内溝を正確に作成できる利点
を有するものの、レーザー光を用いての選択露光にあた
り７枚のディスク状基板作成に数１０分もの露光操作時
間がかかり生産性が悪いという問題点があった。又レー
ザーを用いる高精度の露光装置は極めて高価であるとと
もに精度の確保に繁雑な操作が必要であるという問題点
があった。
上記従来の問題点を解決するために、本発明は基板上に
有機金属化合物を含む溶液の可塑性塗布膜を形成した後
プレス型を押しあてて該塗布膜上にプレス型の峰形状に
対応する溝形状を転写し、その後該塗布膜を焼成して固
化させている。
有機金属化合物を含む溶液の可塑性塗布膜を形成した後
プレス型を押しあてて該塗布膜上にプレス型の峰形状に
対応する溝形状を転写し、その後該塗布膜を焼成して固
化させている。
本発明に用いる有機金属化合物は重縮合あるいは架橋退
化がおこることによって溶液の粘性を上昇させるような
化合物であれば使用できる。
化がおこることによって溶液の粘性を上昇させるような
化合物であれば使用できる。
例えば５ｌ（ＯＯＨ） ４． ｓｉ （００２Ｈ５）
４＋ Ｔｉ （００３Ｈ７）４１Ｔｉ （００４Ｈｇ）
４＋ Ｚｒ （００３Ｈ７） ４． Ｚｒ （００４
Ｈ９） ４１Ａｌ（００３Ｈ７） ３＋ Ａｌ（００４
Ｈｇ） ３１ Ｎａ００２Ｈ５等のＭ（ＯＲ）ｎ（Ｍは
Ｓｉ、 Ｔｌｌ Ｚｒ＋ Ｏａｔ Ａｌ＋ Ｎａ＋ Ｐ
ｂ。
４＋ Ｔｉ （００３Ｈ７）４１Ｔｉ （００４Ｈｇ）
４＋ Ｚｒ （００３Ｈ７） ４． Ｚｒ （００４
Ｈ９） ４１Ａｌ（００３Ｈ７） ３＋ Ａｌ（００４
Ｈｇ） ３１ Ｎａ００２Ｈ５等のＭ（ＯＲ）ｎ（Ｍは
Ｓｉ、 Ｔｌｌ Ｚｒ＋ Ｏａｔ Ａｌ＋ Ｎａ＋ Ｐ
ｂ。
Ｂ ｌ ａｎ ＋ Ｇ ｅ 等の金属、Ｒはメチル、エ
チル等のアルキル基、ｎは７〜μの整数〕で示される通
常ゾル−ゲル法と呼ばれる方法に用いられる金属アルコ
ラード、および−（Ｊ、 −０００Ｈ，−００ＯＲ，−
ＮＨ２゜あるいは架橋反応を行なう一般的官能基を含む
有機金属化合物等が例示できる。内でも金属アルコラー
ドが好まれて使用される。
チル等のアルキル基、ｎは７〜μの整数〕で示される通
常ゾル−ゲル法と呼ばれる方法に用いられる金属アルコ
ラード、および−（Ｊ、 −０００Ｈ，−００ＯＲ，−
ＮＨ２゜あるいは架橋反応を行なう一般的官能基を含む
有機金属化合物等が例示できる。内でも金属アルコラー
ドが好まれて使用される。
基板に形成される塗布膜は、基板を溶液に浸漬した後引
き上げる方法（通称ディッピング法）、溶液を滴下した
後回転させる方法（通称スピンコード法）およびスプレ
ー法等の通常用いられている被膜作成方法により作成さ
れる。塗布膜の膜厚は均一なものが好まれ、膜厚すぎる
と最終的番こ得られる被膜にクラック、はくり等が生じ
やすくなるため０．／〜ＩＯｐｍ厚 のものが好ましい
。
き上げる方法（通称ディッピング法）、溶液を滴下した
後回転させる方法（通称スピンコード法）およびスプレ
ー法等の通常用いられている被膜作成方法により作成さ
れる。塗布膜の膜厚は均一なものが好まれ、膜厚すぎる
と最終的番こ得られる被膜にクラック、はくり等が生じ
やすくなるため０．／〜ＩＯｐｍ厚 のものが好ましい
。
峰形状を有するプレス型の篩部の高さは、最終的に要求
されるディスクの溝の深さによって決められる。波長に
３０ｎｔｎのレーザー光を用いた光ディスクとして要求
される溝の深さは約７０ｎｍであるので、焼成処理によ
る塗布膜の膜厚の収縮分を見こんだ深さである０、１〜
０．３μｍの峰高さが好ま（４’） れる。
されるディスクの溝の深さによって決められる。波長に
３０ｎｔｎのレーザー光を用いた光ディスクとして要求
される溝の深さは約７０ｎｍであるので、焼成処理によ
る塗布膜の膜厚の収縮分を見こんだ深さである０、１〜
０．３μｍの峰高さが好ま（４’） れる。
峰形状を有するプレス型の峰のピッチも最終的に要求さ
れるディスクの溝のピッチにより決められるが、本発明
に用いられる程度の膜厚では面方向の収縮がほとんど無
視できるので最終的に要求されるピッチである約７．６
〜２，０μｍ間隔が好まれて使用される。
れるディスクの溝のピッチにより決められるが、本発明
に用いられる程度の膜厚では面方向の収縮がほとんど無
視できるので最終的に要求されるピッチである約７．６
〜２，０μｍ間隔が好まれて使用される。
上記プレス型は塗布膜が可塑性を有する間に塗布膜に押
しあてられるが、塗布膜の粘度は１０〜１０５ボイズで
あることが好まれる。ここで塗布膜の粘度が１０５ポイ
ズより小さいと、プレス型を押しあてて、はなした時に
塗布膜が流動して溝形状がくずれやすく、又塗布膜の粘
度が〆０ ボイズより大きいとプレス型を押しあてても
溝形状が形成されなかったり塗布膜が基板からはがれ落
ちたりする欠点となりやすい。
しあてられるが、塗布膜の粘度は１０〜１０５ボイズで
あることが好まれる。ここで塗布膜の粘度が１０５ポイ
ズより小さいと、プレス型を押しあてて、はなした時に
塗布膜が流動して溝形状がくずれやすく、又塗布膜の粘
度が〆０ ボイズより大きいとプレス型を押しあてても
溝形状が形成されなかったり塗布膜が基板からはがれ落
ちたりする欠点となりやすい。
又１０５ポイズより小さい粘度の塗布膜にプレス型をお
しあてて、そのおしあてた状態で塗布膜の加水分解等の
固化反応を進行させ、粘度が１０ボイス以上になった時
点でプレス型を剥離することｔ ぐ ） によっても上記と同様の効果を有するので好ましい。
しあてて、そのおしあてた状態で塗布膜の加水分解等の
固化反応を進行させ、粘度が１０ボイス以上になった時
点でプレス型を剥離することｔ ぐ ） によっても上記と同様の効果を有するので好ましい。
上記操作によりプレス型の峰形状に対応する溝が転写さ
れた塗布膜は焼成され固化されるが１．２００”Ｃ以上
の温度で焼成することが塗布膜中の残留有機物等が揮発
分解するので好ましい。又塗布膜は上記焼成によりガラ
ス質類似の被膜となることが耐久性や光学的性質上好ま
しい。
れた塗布膜は焼成され固化されるが１．２００”Ｃ以上
の温度で焼成することが塗布膜中の残留有機物等が揮発
分解するので好ましい。又塗布膜は上記焼成によりガラ
ス質類似の被膜となることが耐久性や光学的性質上好ま
しい。
実施例−／
通常のガラス基板（ソーダーライムガラス）を十分洗浄
して基板（１）とし、次に３ｉテトラメトキシシラン、
Ｎａエトキサイド、０５ＬエトキサイドをＳｉＱ’；ｌ
： Ｎａ２Ｏ： ＯａＯの比率として７ｏ：／ｐＨｔ
ｔ（重量比）となるようにエチルアルコールとｌＬ＆し
、これに少量の水を加えて塗布液（２）とした。該塗布
液（２）中に基板（１）を浸漬した後引きあげて基板（
１）上に塗布膜（３）を作成した。この時塗布膜（３）
の厚さは約０．３Ｉｔｍであった。その後ただちに高さ
ｑＯｒＬｍ上底０．９μｍ下底／、０μｍ の篩部（４
）を八６μｍの間隔で（谷部の幅０．１μｍ）で多数有
する金属製プレス型（５）を押しあて篩部（４）に対応
する案内溝（６）を塗布膜（３）上に転写した。この時
塗布膜（３）はまだ可塑性を持っているためひび割れや
はがれ等の現象は示さなかった。
して基板（１）とし、次に３ｉテトラメトキシシラン、
Ｎａエトキサイド、０５ＬエトキサイドをＳｉＱ’；ｌ
： Ｎａ２Ｏ： ＯａＯの比率として７ｏ：／ｐＨｔ
ｔ（重量比）となるようにエチルアルコールとｌＬ＆し
、これに少量の水を加えて塗布液（２）とした。該塗布
液（２）中に基板（１）を浸漬した後引きあげて基板（
１）上に塗布膜（３）を作成した。この時塗布膜（３）
の厚さは約０．３Ｉｔｍであった。その後ただちに高さ
ｑＯｒＬｍ上底０．９μｍ下底／、０μｍ の篩部（４
）を八６μｍの間隔で（谷部の幅０．１μｍ）で多数有
する金属製プレス型（５）を押しあて篩部（４）に対応
する案内溝（６）を塗布膜（３）上に転写した。この時
塗布膜（３）はまだ可塑性を持っているためひび割れや
はがれ等の現象は示さなかった。
その後案内溝（６）が形成された塗布膜（３）つき基板
（１）を電気炉内へ移し徐々に加熱して最終的に３００
°Ｃ２時間の焼成を行なった。徐冷後試料には第３図に
示すような高さ約７０ｎｍ、溝巾約八〇ｐｍ、溝間隔約
１．６μｍの台形をくずして なだらかにしたような案
内溝（６）を有する膜厚約０．３７μｍの被膜（７）が
形成されていた。該被膜（７）は完全にガラス化してお
り、基板（１）上に密着して割れ等は生じていなかった
。
（１）を電気炉内へ移し徐々に加熱して最終的に３００
°Ｃ２時間の焼成を行なった。徐冷後試料には第３図に
示すような高さ約７０ｎｍ、溝巾約八〇ｐｍ、溝間隔約
１．６μｍの台形をくずして なだらかにしたような案
内溝（６）を有する膜厚約０．３７μｍの被膜（７）が
形成されていた。該被膜（７）は完全にガラス化してお
り、基板（１）上に密着して割れ等は生じていなかった
。
又得られた被膜のみぞ端部の形状のみだれは、光ディス
ク用案内溝としての使用に影響がない程度のものであっ
た。
ク用案内溝としての使用に影響がない程度のものであっ
た。
実施例−２
塗布液としてＳ１テトラメトキシシランｌ Ａ７ ブ
トキサイド、Ｔｉブトキ世イドを５１０２：Ａ１２０３
： ＴｉＯ２の比率としてｇざ：２０ニア、２（重量比
）となるようにエチルアルコールと混合シた。
トキサイド、Ｔｉブトキ世イドを５１０２：Ａ１２０３
： ＴｉＯ２の比率としてｇざ：２０ニア、２（重量比
）となるようにエチルアルコールと混合シた。
この塗布液（２）を実施例／同様の基板（１）上にスピ
ンコード装置を用いて塗布した。スピン回転数を２００
Ｏｒｐｍ としたところ塗布膜（３）の厚さは約０，３
μｍであった。
ンコード装置を用いて塗布した。スピン回転数を２００
Ｏｒｐｍ としたところ塗布膜（３）の厚さは約０，３
μｍであった。
塗布膜（３）を数分間空気中で保持した後実施例／で用
いたプレス型（５）をおしあてて案内溝（６）を転写し
た。この試料を実施例／同様ｓｏｏ′ｃ、２時間の焼成
処理を行なったところ、実施例／とほぼ同様な案内溝（
６）を有する膜厚約０．／３ｐｍのガラス被膜（８）に
なった。
いたプレス型（５）をおしあてて案内溝（６）を転写し
た。この試料を実施例／同様ｓｏｏ′ｃ、２時間の焼成
処理を行なったところ、実施例／とほぼ同様な案内溝（
６）を有する膜厚約０．／３ｐｍのガラス被膜（８）に
なった。
本発明によれば、溶液の塗布、プレス型のプレス、焼成
という生産性の高い手段によってみそつき基板が作成で
きるため従来法よりも高い生産性を提供できる。
という生産性の高い手段によってみそつき基板が作成で
きるため従来法よりも高い生産性を提供できる。
第１図は実施例／に示した本発明の手順を示す概略図、
第２図および第３図は実施例１で用いた（ざ） プレス型および実施例／により作製されたみぞつき基板
の断面形状を示す拡大概略断面図、第μ図は従来の７オ
トレジスト法に使用するレーザー露光装置の概略図であ
る。 特許出願人 日本板硝子株式会社 （ワ） 第１図
第２図および第３図は実施例１で用いた（ざ） プレス型および実施例／により作製されたみぞつき基板
の断面形状を示す拡大概略断面図、第μ図は従来の７オ
トレジスト法に使用するレーザー露光装置の概略図であ
る。 特許出願人 日本板硝子株式会社 （ワ） 第１図
Claims (4)
- （１）基板上に有機金属化合物を含む溶液の可塑性塗布
膜を形成した後プレス型を押しあてて該塗布膜上にプレ
ス型の峰形状に対応する溝形状を転写し、その後該塗布
膜を焼成して固化させる光ディスク基板の製造方法。 - （２）該有機金属化合物が金属アルコラードである特許
請求の範囲第１項記載の光ディスク基板の製造方法。 - （３）該塗布膜を２００℃以上で焼成する特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の光ディスク基板の製造方法。 - （４）該塗布膜が１０〜１０＾５ポイズの粘度を有する
時にプレス型を押しあてる特許請求の範囲第１項ないし
第３項記載の光ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24119385A JPS62102445A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 光デイスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24119385A JPS62102445A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 光デイスク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102445A true JPS62102445A (ja) | 1987-05-12 |
| JPH0411931B2 JPH0411931B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=17070596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24119385A Granted JPS62102445A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 光デイスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102445A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5234717A (en) * | 1990-06-14 | 1993-08-10 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for producing a minute-patterned substrate |
| WO1999039890A1 (fr) * | 1998-02-05 | 1999-08-12 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Article a surface rugueuse, procede de production dudit article et composition a cet effet |
| WO2002068183A1 (fr) * | 2001-02-28 | 2002-09-06 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Article presentant une forme de surface predefinie et son procede de preparation |
| US6535680B1 (en) | 1999-09-16 | 2003-03-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for producing an article having a predetermined surface shape and optical waveguide element |
| US6555236B1 (en) | 1999-07-07 | 2003-04-29 | Nippon Sheet Glass Company, Ltd. | Articles having an uneven surface and production process therefor |
| US6721485B1 (en) | 1999-08-04 | 2004-04-13 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Echelon diffraction grating and optical waveguide element |
| US6740366B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-05-25 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Article having predetermined surface shape and method for preparing the same |
| JP2005008909A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Canon Inc | 構造体の製造方法 |
| CN101071183A (zh) * | 2006-05-10 | 2007-11-14 | 王子制纸株式会社 | 凹凸形状形成片及其制造方法、防反射体、相位差板、工序片原版以及光学元件的制造方法 |
| WO2008010330A1 (fr) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | moule de transfert, procédé de fabrication d'UN moule de transfert, et procédé de fabrication de produit transféré à l'aide du moule de transfert |
| CN104122612A (zh) * | 2007-02-21 | 2014-10-29 | 王子控股株式会社 | 凹凸图案形成片及其制造方法 |
| US8896923B2 (en) | 2006-05-10 | 2014-11-25 | Oji Holdings Corporation | Corrugated pattern forming sheet, and methods for manufacturing antireflector, retardation plate, original process sheet plate, and optical element |
| CN110076945A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-02 | 北京航空航天大学 | 一种减阻柔弹性薄膜的制备方法和应用 |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP24119385A patent/JPS62102445A/ja active Granted
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6361718B1 (en) | 1998-02-05 | 2002-03-26 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Article having uneven surface, production process for the article, and composition for the process |
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| CN104122612A (zh) * | 2007-02-21 | 2014-10-29 | 王子控股株式会社 | 凹凸图案形成片及其制造方法 |
| CN110076945A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-02 | 北京航空航天大学 | 一种减阻柔弹性薄膜的制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0411931B2 (ja) | 1992-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |