JPS6199844A - 円筒体表面検査装置 - Google Patents
円筒体表面検査装置Info
- Publication number
- JPS6199844A JPS6199844A JP59220352A JP22035284A JPS6199844A JP S6199844 A JPS6199844 A JP S6199844A JP 59220352 A JP59220352 A JP 59220352A JP 22035284 A JP22035284 A JP 22035284A JP S6199844 A JPS6199844 A JP S6199844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical body
- scattered light
- shield case
- optical path
- collimeter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/952—Inspecting the exterior surface of cylindrical bodies or wires
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被検円筒体自身が放射能を有するか、または
放射線にさらされた環境下で、放射線の影響を受けずに
、円筒体表面の疵を正確に検出できるようにした円筒体
検査装置に関する。
放射線にさらされた環境下で、放射線の影響を受けずに
、円筒体表面の疵を正確に検出できるようにした円筒体
検査装置に関する。
（従来の技術）
円筒体表面の疵の有無を検出する従来の円筒体表面検査
装置は、第２図に示すように、被検円筒体ｌを、２個の
回転ローラ４で支えて回転させながら、円筒体の母線上
に収束する照射光学系２により照射させ、この照射によ
る正反射光３の光路から外れた位置に設けた集光レンズ
５により、円筒体表面の疵によって生じた散乱光を収束
させ、この収束された光をシリンドリカルレンズ６によ
りＣＣＤ型光検出器７に線状に結像させて入射させ、そ
の光電変換出力を前置増幅器８で増幅して検査装置出力
としていた。円筒体は機械的に回転するので表面全域が
検査されることになる。
装置は、第２図に示すように、被検円筒体ｌを、２個の
回転ローラ４で支えて回転させながら、円筒体の母線上
に収束する照射光学系２により照射させ、この照射によ
る正反射光３の光路から外れた位置に設けた集光レンズ
５により、円筒体表面の疵によって生じた散乱光を収束
させ、この収束された光をシリンドリカルレンズ６によ
りＣＣＤ型光検出器７に線状に結像させて入射させ、そ
の光電変換出力を前置増幅器８で増幅して検査装置出力
としていた。円筒体は機械的に回転するので表面全域が
検査されることになる。
通常は、このような装置で特に問題なく表面の疵の有無
を検査できるが、円筒体が例えば放射性物質を含有し、
γ線を放射している場合や、周囲に放射能を有する物体
があってγ線を放射している場合には、γ線が散乱光検
出光学系のレンズ系（集光レンズ５、シリンドリカルレ
ンズ６）を貫通してＭＯ３型接合面（高インピーダンス
）であるＣＣＤ光検出器７へ直接入射するか、他の物質
（壁、床、周辺機器）との相互作用でＣｏｍｐｔｏｎ散
乱を起こし、低エネルギー成分が光検出器に入射するこ
とになる。またＭＯＳＦＥＴを用いた前置増幅器８への
γ線の入射も少なくない。この種のγ線が、光検出器や
前置増幅器などの半導体素子の接合部分に吸収されたと
きは異常信号を発生し、円筒体検査装置の検査結果は信
幀性がないという問題が生ずる。
を検査できるが、円筒体が例えば放射性物質を含有し、
γ線を放射している場合や、周囲に放射能を有する物体
があってγ線を放射している場合には、γ線が散乱光検
出光学系のレンズ系（集光レンズ５、シリンドリカルレ
ンズ６）を貫通してＭＯ３型接合面（高インピーダンス
）であるＣＣＤ光検出器７へ直接入射するか、他の物質
（壁、床、周辺機器）との相互作用でＣｏｍｐｔｏｎ散
乱を起こし、低エネルギー成分が光検出器に入射するこ
とになる。またＭＯＳＦＥＴを用いた前置増幅器８への
γ線の入射も少なくない。この種のγ線が、光検出器や
前置増幅器などの半導体素子の接合部分に吸収されたと
きは異常信号を発生し、円筒体検査装置の検査結果は信
幀性がないという問題が生ずる。
本発明は、放射性物質を含有する円筒体表面の検査や、
周囲に放射性物質が置かれ、検査装置が放射線たとえば
γ線などの放射にさらされている場合にも、円筒体表面
の疵の有無を正確に検出できる検査装置を提供すること
を目的とする。
周囲に放射性物質が置かれ、検査装置が放射線たとえば
γ線などの放射にさらされている場合にも、円筒体表面
の疵の有無を正確に検出できる検査装置を提供すること
を目的とする。
上記のような問題が生ずる原因は、円筒体表面の疵によ
り生ずる散乱光を、光電変換して電気信号として検出す
るのに用いる光検出器や前置増幅器などの半導体素子の
接合部にγ線などの放射線が吸収されるためである。こ
れを克服するため、本発明ではこれら半導体素子を用い
た散乱光検出装置を、放射線を吸収遮断する能力の大き
い鉛製のシールドケースの内部に収納し、また、シール
ドケースの構造も前の区画と奥の区画の２区画に分け、
散乱光検出用の集光光学系にマツチングを採って開孔さ
れた二つのピンホールコリメータ（スリット）を、それ
ぞれの区画の入り口に設け、最初のピンホールコリメー
タを通してシールドケースの前の区画に導入した散乱光
の光路を、前の区画内で反射鏡などにより一旦大きく曲
げてから、更に次のピンホールコリメータを通して、奥
の区画内の前記散乱光検出装置に到達させるようにした
。
り生ずる散乱光を、光電変換して電気信号として検出す
るのに用いる光検出器や前置増幅器などの半導体素子の
接合部にγ線などの放射線が吸収されるためである。こ
れを克服するため、本発明ではこれら半導体素子を用い
た散乱光検出装置を、放射線を吸収遮断する能力の大き
い鉛製のシールドケースの内部に収納し、また、シール
ドケースの構造も前の区画と奥の区画の２区画に分け、
散乱光検出用の集光光学系にマツチングを採って開孔さ
れた二つのピンホールコリメータ（スリット）を、それ
ぞれの区画の入り口に設け、最初のピンホールコリメー
タを通してシールドケースの前の区画に導入した散乱光
の光路を、前の区画内で反射鏡などにより一旦大きく曲
げてから、更に次のピンホールコリメータを通して、奥
の区画内の前記散乱光検出装置に到達させるようにした
。
このようにすれば、細い第１のピンホールコリメータを
通過してシールドケースの前の区画内に侵入した僅かな
量のγ線の大部分は、゛反射鏡に入射し、これを真っ直
ぐ貫通して鉛のシールドケースに吸収されてしまう。反
射鏡部分で散乱され吸収されなかった一層僅かなγ線は
、更に第２のピンホールコリメータを設けた遮−仕切が
存在しているので、そこで十分遮蔽することメ（でき、
奥の区画には到達できない。二重に設けたピンホールコ
リメータは、散乱光検出用光学系とマツチングを採って
開孔されているから、散乱光はピンホールコリメータに
妨害されないが、γ線の方はピンホールコリメータを殆
ど通過できず、散乱光検出装置をなす半導体素子の所に
は殆ど到達せず、誤動作を生じさせるようなことはない
。
通過してシールドケースの前の区画内に侵入した僅かな
量のγ線の大部分は、゛反射鏡に入射し、これを真っ直
ぐ貫通して鉛のシールドケースに吸収されてしまう。反
射鏡部分で散乱され吸収されなかった一層僅かなγ線は
、更に第２のピンホールコリメータを設けた遮−仕切が
存在しているので、そこで十分遮蔽することメ（でき、
奥の区画には到達できない。二重に設けたピンホールコ
リメータは、散乱光検出用光学系とマツチングを採って
開孔されているから、散乱光はピンホールコリメータに
妨害されないが、γ線の方はピンホールコリメータを殆
ど通過できず、散乱光検出装置をなす半導体素子の所に
は殆ど到達せず、誤動作を生じさせるようなことはない
。
第１図は本発明一実施例の要部断面図で、９ａ、９ｂは
ピンホールコリメータ、１０は反射鏡、１１は鉛製の耐
放射線シールドケース、１２は散乱光検出装置により光
電変換された電気出力を取り出すためのコネクタで、そ
の他の符号は第２図の場合と同様である。ただし、図を
簡単にするために第１図には回転ローラや照射光学系は
図示してない。
ピンホールコリメータ、１０は反射鏡、１１は鉛製の耐
放射線シールドケース、１２は散乱光検出装置により光
電変換された電気出力を取り出すためのコネクタで、そ
の他の符号は第２図の場合と同様である。ただし、図を
簡単にするために第１図には回転ローラや照射光学系は
図示してない。
この図から判るように、大部分のγ線はシールドケース
１１で遮蔽されてしまう。僅かな量のγ線だけが、散乱
光と一緒に最初のピンホールコリメータ９ａを通過して
シールドケース１１内に侵入できる。しかし、このよう
にしてシールドケース１１の前の区画内に侵入したγ線
の大部分は反、射鏡に入射し、これを真っ直ぐ貫通して
、鉛のシールドケースに吸収されてしまう。反射鏡部分
で散乱した一層僅かな量のγ線の更に一部分はシールド
ケース内部を区分する遮蔽壁に設けた第２のピンホール
コリメータ９ｂの方向に向かうが、通常の散乱光がピン
ホールコリメータ９ｂの所を細く収束されて通過するこ
とができるのに対し、散乱されたγ線の方は大部分が前
記区分遮蔽壁に遮断、吸収されてしまい、シールドケー
ス１１の奥の区画に収納されたＣＣＤ光検出器７や前置
増幅器８の所まではγ線は殆ど到達できない。検査装置
を設置した部屋の天井、壁、床、周辺装置などでＣｏｍ
ｐｔｏｎ散乱を起こした低エネルギーγ線は全周囲をお
おった鉛のシールドケース１１に吸収される。なお、コ
ネクタ１２は、強いエネルギーのγ線を放射する被検円
筒体１を直視しない位置、すなわち、中間にシールドケ
ース１１が介在してγ線を遮蔽吸収するような位置に設
けであるので、コネクタ部分からのγ線の入射は少なく
、ＣＣＤ光検出器７、前置増幅器８にまで到達するγ線
成分はない。
１１で遮蔽されてしまう。僅かな量のγ線だけが、散乱
光と一緒に最初のピンホールコリメータ９ａを通過して
シールドケース１１内に侵入できる。しかし、このよう
にしてシールドケース１１の前の区画内に侵入したγ線
の大部分は反、射鏡に入射し、これを真っ直ぐ貫通して
、鉛のシールドケースに吸収されてしまう。反射鏡部分
で散乱した一層僅かな量のγ線の更に一部分はシールド
ケース内部を区分する遮蔽壁に設けた第２のピンホール
コリメータ９ｂの方向に向かうが、通常の散乱光がピン
ホールコリメータ９ｂの所を細く収束されて通過するこ
とができるのに対し、散乱されたγ線の方は大部分が前
記区分遮蔽壁に遮断、吸収されてしまい、シールドケー
ス１１の奥の区画に収納されたＣＣＤ光検出器７や前置
増幅器８の所まではγ線は殆ど到達できない。検査装置
を設置した部屋の天井、壁、床、周辺装置などでＣｏｍ
ｐｔｏｎ散乱を起こした低エネルギーγ線は全周囲をお
おった鉛のシールドケース１１に吸収される。なお、コ
ネクタ１２は、強いエネルギーのγ線を放射する被検円
筒体１を直視しない位置、すなわち、中間にシールドケ
ース１１が介在してγ線を遮蔽吸収するような位置に設
けであるので、コネクタ部分からのγ線の入射は少なく
、ＣＣＤ光検出器７、前置増幅器８にまで到達するγ線
成分はない。
以上説明したように本発明によれば、被検円筒体に強い
放射簡物質が含有されており、また、検査室内に被検円
筒体の他に多量の同様な円筒体が置かれていても１、半
導体素子よりなる光検出器や前置増幅器に誤動作を生じ
させたり損傷を与えたりするするγ線などの放射線は、
シールドケースにより防禦されて半導体素子の所までは
到達できないので、被検円筒体表面の疵の有無を、正確
に高い信頼性を以て検査することが出来る。
放射簡物質が含有されており、また、検査室内に被検円
筒体の他に多量の同様な円筒体が置かれていても１、半
導体素子よりなる光検出器や前置増幅器に誤動作を生じ
させたり損傷を与えたりするするγ線などの放射線は、
シールドケースにより防禦されて半導体素子の所までは
到達できないので、被検円筒体表面の疵の有無を、正確
に高い信頼性を以て検査することが出来る。
第１図は本発明一実施例の要部断面図、第２図は従来の
円筒体表面検査装置の概略図である。 １−・被検円筒体、 ２−照射光学系、 ３−正反射光
、 ４一回転ローラ、 ５−譲光レンズ、６−ジリン
ドリカルレンズ、 ７−ＣＣＤ光検出器、 ８−前置増
幅器、 ９ａ、９ｂ−ピンホールコリメータ、 １０
−・・反射鏡、 １１−シールドケース、 ＩＳ”
−コネクタ。
円筒体表面検査装置の概略図である。 １−・被検円筒体、 ２−照射光学系、 ３−正反射光
、 ４一回転ローラ、 ５−譲光レンズ、６−ジリン
ドリカルレンズ、 ７−ＣＣＤ光検出器、 ８−前置増
幅器、 ９ａ、９ｂ−ピンホールコリメータ、 １０
−・・反射鏡、 １１−シールドケース、 ＩＳ”
−コネクタ。
Claims (1)
- 回転している円筒体の表面を、その母線上に収束する照
射光学系で走査照射させ、この照射による正反射光の光
路から外れた位置に設けた散乱光検出光学系により、前
記円筒体表面の疵によって生じた散乱光を暗視野で検出
するようにした円筒体表面検査装置において、ＣＣＤ光
検出器と前置増幅器よりなる散乱光検出装置を、散乱光
検出用集光光学系とマッチングを採って開孔された２個
所のピンホールコリメータを有する２区画よりなる鉛製
耐放射線シールドケースの奥の区画に収納し、始のピン
ホールコリメータを通してシールドケースの最初の区画
に導入した散乱光の光路を大きく曲げた後、散乱光を更
に次のピンホールコリメータを通してシールドケースの
奥の区画内の前記散乱光検出装置に到達させたことを特
徴とする円筒体表面検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220352A JPS6199844A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 円筒体表面検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220352A JPS6199844A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 円筒体表面検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199844A true JPS6199844A (ja) | 1986-05-17 |
Family
ID=16749787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59220352A Pending JPS6199844A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 円筒体表面検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199844A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63228009A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Mitsutoyo Corp | 光学式測定装置 |
| EP0757245A2 (de) * | 1995-08-03 | 1997-02-05 | TZN Forschungs- und Entwicklungszentrum Unterlüss GmbH | Vorrichtung zur Detektion streifenförmiger Oberflächenfehler |
| JP2008082756A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 原子燃料ペレット検査装置 |
| JP2009222623A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 画像採取装置及び試料検査装置 |
| JP2022001844A (ja) * | 2020-06-22 | 2022-01-06 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | 照明装置および検査装置 |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59220352A patent/JPS6199844A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63228009A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Mitsutoyo Corp | 光学式測定装置 |
| EP0757245A2 (de) * | 1995-08-03 | 1997-02-05 | TZN Forschungs- und Entwicklungszentrum Unterlüss GmbH | Vorrichtung zur Detektion streifenförmiger Oberflächenfehler |
| EP0757245A3 (de) * | 1995-08-03 | 1997-06-25 | Tzn Forschung & Entwicklung | Vorrichtung zur Detektion streifenförmiger Oberflächenfehler |
| JP2008082756A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 原子燃料ペレット検査装置 |
| JP2009222623A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 画像採取装置及び試料検査装置 |
| JP2022001844A (ja) * | 2020-06-22 | 2022-01-06 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | 照明装置および検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4057725A (en) | Device for measuring local radiation absorption in a body | |
| US8003949B2 (en) | Multiple screen detection systems | |
| US4384209A (en) | Method of and device for determining the contour of a body by means of radiation scattered by the body | |
| US7772563B2 (en) | Gamma imagery device | |
| US5127030A (en) | Tomographic imaging with improved collimator | |
| KR20020092809A (ko) | Ｘ선 이물 검출 장치 및 ｘ선 이물 검출 방법 | |
| JP2000346947A (ja) | 放射線検出装置 | |
| CN102918383A (zh) | 无损检测方法以及实施该方法的装置 | |
| JP2005539232A (ja) | 複数の検出器ユニットを有するｘ線検出器 | |
| KR102283999B1 (ko) | 검사 시스템에서 방사선 유발 오류 카운트를 감소시키는 시스템 및 방법 | |
| CA1236591A (en) | Method and apparatus for crack detection and characterization | |
| JPS63173941A (ja) | 放射線による非破壊検査方法及び装置 | |
| JP3850711B2 (ja) | 放射線利用検査装置 | |
| US20160231439A1 (en) | Device and method for detection of radioactive radiation | |
| JP2001235546A (ja) | 放射性ガス測定装置と燃料破損検出システム | |
| JPS60200189A (ja) | 放射線検出器 | |
| JPS6199844A (ja) | 円筒体表面検査装置 | |
| JPS5892974A (ja) | 放射型コンピユ−タ断層撮影装置 | |
| JP4724007B2 (ja) | 放射線検出器 | |
| GB2083969A (en) | Scatter radiation fluoroscopy apparatus | |
| KR102340521B1 (ko) | 에너지 분리에 기반한 방사선 검출기기용 방사선(감마선) 반응 깊이 측정 방법 및 방사선(감마선) 반응 깊이 측정 장치 | |
| JP5060410B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
| JPH0676970B2 (ja) | 光学検査装置 | |
| JPH10319122A (ja) | 放射線撮像装置 | |
| KR20090117022A (ko) | 디지털 방사선 영상 검출기 |