JPS6199303A - Oxide voltage non-linear resistor - Google Patents

Oxide voltage non-linear resistor

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JPS6199303A
JPS6199303A JP59220154A JP22015484A JPS6199303A JP S6199303 A JPS6199303 A JP S6199303A JP 59220154 A JP59220154 A JP 59220154A JP 22015484 A JP22015484 A JP 22015484A JP S6199303 A JPS6199303 A JP S6199303A
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Japan
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mol
voltage
varistor
change rate
oxide
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JP59220154A
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篠 賢二
菊池 公徳
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Sanken Electric Co Ltd
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Sanken Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気回路における異常高電圧の吸収等に使用
される電圧非直線抵抗体(以下、バリスタと呼ぶ)に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a voltage nonlinear resistor (hereinafter referred to as a varistor) used for absorbing abnormally high voltage in an electric circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ZnOを主成分とした酸化物バリスタとして、ZnOに
Biass、Coo、MnO、Ti1t 、 BaOお
よびN1Fz  を添加してなるバリスタが例えば特公
昭53−21510号公報で知られている。また、Zn
OにBaO1Cooを添加してなるバリスタ(特公昭4
8−6755号公報)も知られている。
As an oxide varistor containing ZnO as a main component, a varistor made by adding Biass, Coo, MnO, Ti1t, BaO, and N1Fz to ZnO is known, for example, from Japanese Patent Publication No. 53-21510. Also, Zn
Varistor made by adding BaO1Coo to O (Special Publications Showa 4)
8-6755) is also known.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、前者のバリスタは、バリスタ電圧V1が約5〜
80vの範囲には適するが、約80v以上の高電圧には
適さない。また、大電流領域における非直線性は悪(、
サージに対してもバリスタ電圧の変化が大きいという欠
点を有している。一方、後者のバリスタは、非直線指数
がlO〜20程度であり、非直線指数を3O程度にする
ためには、ZnOにBaOを添加して焼成した焼結体に
Cooを塗布して再度焼成しなければならないという欠
点を有している。これらBaOを添加してなる酸化物バ
リスタは、高電圧、大電流の用途に本質的には適してい
ない。
However, in the former varistor, the varistor voltage V1 is about 5~
Suitable for the 80v range, but not suitable for high voltages above about 80v. In addition, nonlinearity in the large current region is bad (,
It also has the disadvantage that the varistor voltage changes greatly in response to surges. On the other hand, the latter varistor has a non-linearity index of about 1O to 20, and in order to make the non-linearity index about 3O, it is necessary to apply Coo to a sintered body made by adding BaO to ZnO and firing it again. It has the disadvantage that it has to be done. These oxide varistors doped with BaO are essentially unsuitable for high voltage and large current applications.

最近の電子機器の発達はめざましく、特に、多くの半導
体素子が使用されて°いるので異常電圧の吸収や電圧の
安定化が強(要求される。この目的のためKはバリスタ
電圧のコントロールが容易で、且つ非直線指数αが大き
く、更に負荷に対して安定した特性を有するバリスタが
要求される。そこで、本発明の目的はこのような要求を
満足することのできるバリスタを提供することにある。
The recent development of electronic equipment is remarkable, and in particular, many semiconductor elements are used, so strong absorption of abnormal voltage and voltage stabilization are required.For this purpose, K makes it easy to control the varistor voltage. A varistor is required that has a large non-linearity index α and stable characteristics against loads.An object of the present invention is therefore to provide a varistor that can satisfy these requirements. .

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記目的を達成するための本発明のバリスタは、Zn 
(亜鉛)、Ba (バリウム)、sb (アンチモン)
、Co(コバルト)、B(ホウ素)、Al(アルミ本; ニウム)を、これ等の代表的な酸化物であるZn0(酸
化亜鉛)、Bad(酸化バリウム)、5btOsC酸化
アンチモン)、Coo(酸化コバルト)、Btus(酸
化ホウ素) 、 AbOs(酸化アルミニウム)に換算
した組成で、Zn063−95〜98.699  % 
k %、Ba0O・1〜3 % /L/ %、Sb20
+ O−1〜5−E: j& %、Cool   ’〜
25  モル%、Bt Os O−1〜3モル%、Al
 20so、ooi〜0.05  モル%となるように
含む焼結体から成る。
The varistor of the present invention for achieving the above object is made of Zn
(zinc), Ba (barium), sb (antimony)
, Co (cobalt), B (boron), Al (aluminum), and their typical oxides such as Zn0 (zinc oxide), Bad (barium oxide), 5btOsC (antimony oxide), Coo (antimony oxide), Composition calculated as cobalt), Btus (boron oxide), AbOs (aluminum oxide), Zn063-95 to 98.699%
k%, Ba0O・1~3%/L/%, Sb20
+ O-1~5-E: j&%, Cool'~
25 mol%, Bt Os O-1 to 3 mol%, Al
It consists of a sintered body containing 20 so, ooi to 0.05 mol%.

〔作 用〕[For production]

上記発明によれば、各成分の相乗効果により、バリスタ
電圧のコン)0−ルが容易で、且つ非直線指数が大きく
、負荷に対して安定した特性を有するバリスタを得るこ
とが出来る。
According to the above invention, due to the synergistic effect of each component, it is possible to obtain a varistor that can easily control the varistor voltage, has a large nonlinear index, and has stable characteristics against loads.

〔実施例〕〔Example〕

次に、図面を参照して本発明の実施例について述べる、
本発明の酸化物バリスタを製作するためKまずZnOが
63.95〜98.699 モル%、BaOが0.1〜
3 モA/%、5b20sがO−1〜5 % ル%、C
oOが1〜25 % /I/ %、Btusが0.1〜
3 %に%、A1.O。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In order to manufacture the oxide varistor of the present invention, first, ZnO is 63.95 to 98.699 mol%, BaO is 0.1 to 98.699 mol%.
3 MoA/%, 5b20s is O-1~5% Le%, C
oO is 1~25%/I/%, Btus is 0.1~
3% to %, A1. O.

が0.’001〜0.05  モル%であり、これ等の
総和が100モル%であるように各酸化物原料を計算し
、これをボールミルなどkよって十分混合した後、メチ
ルセルローズ水溶液などの有機結合剤を用いて造粒した
。なお、出発原料としては酸化物の代りに水酸化物や炭
酸塩あるいは二元金属酸化物などを用いることも可能で
ある。また、成形焼成後の寸法、特性のバラツキなどに
支障をきたすときは600〜1000t:’の空気中で
1〜3時間仮焼し、これを微粉に一粉砕してその後に造
粒してもよい。このようにして得られた種々の組成の造
粒粉を1〜3 ton / cm2の圧力で加圧成形し
、直径15mm、長さ1 mmのディスク型に仕上げ、
更K、この成形物を1000〜14001:’の空気中
で1〜3時間焼成し、最後に、この焼結体の両面にAg
ペーストを塗布して焼付けることにより電極を形成し、
種々の組成の酸化物バリスタ素子を完成させた。
is 0. '001 to 0.05 mol%, and each oxide raw material is calculated so that the total of these is 100 mol%, and after thoroughly mixing this with a ball mill etc., an organic binder such as methylcellulose aqueous solution is added. It was granulated using. In addition, as a starting material, it is also possible to use a hydroxide, a carbonate, a binary metal oxide, etc. instead of an oxide. In addition, if it causes problems such as variations in dimensions and properties after molding and firing, calcining in 600 to 1000 tons of air for 1 to 3 hours, pulverizing this into a fine powder, and then granulating it. good. The granulated powders of various compositions obtained in this way are press-molded at a pressure of 1 to 3 ton/cm2, and finished into a disc shape with a diameter of 15 mm and a length of 1 mm.
Further, this molded product is fired for 1 to 3 hours in air of 1000 to 14001:', and finally, Ag is applied to both sides of this sintered body.
Electrodes are formed by applying a paste and baking it.
We have completed oxide varistor elements with various compositions.

第1図は上述のごとき方法で製作した酸化物バリスタを
原理的に示す断面図である。この酸化物バリスタのバリ
スタ作用は導電性微結晶(1)とこれを包囲する高抵抗
層(2)によって生じるものと考えられる。従って、材
料組成や焼成条件を変えるととKより、バリスタ電圧や
非直線指数を制御することができる。以上のよ5にバリ
スタ作用は焼結体内部で生じるので、電極、(3)の材
料や、形成方法には特に限定はなく、Ag、 In、 
Al 、 Snなどの蒸着による電極あるいはNiメッ
キによる電極なども同様の結果を得る。
FIG. 1 is a sectional view showing the principle of an oxide varistor manufactured by the method described above. It is thought that the varistor action of this oxide varistor is caused by the conductive microcrystals (1) and the high resistance layer (2) surrounding them. Therefore, by changing the material composition and firing conditions, the varistor voltage and nonlinear index can be controlled. As mentioned in 5 above, since the varistor action occurs inside the sintered body, there are no particular limitations on the material or forming method of the electrode (3), and Ag, In,
Similar results can be obtained with electrodes formed by vapor deposition of Al, Sn, etc., or electrodes formed by Ni plating.

上述の如き方法で製作した種々のバリスタのバリスタ電
圧■と、電圧非直線性を示す電圧比Rと、耐す1ジ性を
示す電圧変化率Δ■1とを測定したところ、第2図〜第
6図に示す結果が得られた。なお、第2図〜第6図のグ
ラフにおいて、代表的な組成のVo、R1Δv1値には
1、魚卵、丸印、三角印が付げ  ゛られている。また
、各図面には、比較のために、本発明の範囲外の組成の
バリスタの特性も比較例として表示され【いる。また、
第2図〜第6図の横軸の各成分の量(モル%)は対数目
盛で示されている。また、バリスタ電圧v1は第1図の
構造のバリスタに1.0.mAを流した時の端子電圧を
測定することKより求めた。電圧比Rはバリスタ電流1
.0mAと25Aとにおけるバリスタ端子電圧Vtとv
、oとを測定し、Visa/ V+を計算することによ
り求めた。従って、電圧比Rが小さいほど電圧比直線性
が優れ、非直線指数αが大きい。電圧変化  1率Δv
1ハ、8X20μs  の波形テ1250Al’)?−
°ジ電流をバリスタに2回流し、この電流を流す前と後
の逆方向のバリスタ電圧v1を測定し、その変化分を計
算することによって求めた。従って、電圧変化率ΔVt
 (絶対値)が小さいほど耐サージ性が優れ、負荷に対
する安定性が優れている。
When we measured the varistor voltage (■) of various varistors manufactured by the above-mentioned method, the voltage ratio R indicating voltage nonlinearity, and the voltage change rate Δ■1 indicating one-voltage resistance, the results are shown in Figures 2- The results shown in FIG. 6 were obtained. In the graphs of FIGS. 2 to 6, the Vo and R1Δv1 values of typical compositions are marked with 1, fish eggs, circles, and triangles. Further, in each drawing, for comparison, characteristics of varistors having compositions outside the scope of the present invention are also shown as comparative examples. Also,
The amount (mol %) of each component on the horizontal axis of FIGS. 2 to 6 is shown on a logarithmic scale. Further, the varistor voltage v1 is 1.0. It was determined from K by measuring the terminal voltage when mA was applied. Voltage ratio R is varistor current 1
.. Varistor terminal voltage Vt and v at 0mA and 25A
, o and calculated Visa/V+. Therefore, the smaller the voltage ratio R is, the better the voltage ratio linearity is, and the larger the non-linearity index α is. Voltage change 1 rate Δv
1c, 8x20μs waveform Te1250Al')? −
This was determined by passing a current through the varistor twice, measuring the varistor voltage v1 in the opposite direction before and after the current was passed, and calculating the amount of change. Therefore, the voltage change rate ΔVt
The smaller the (absolute value), the better the surge resistance and the better the stability against load.

次に、第2図〜第6図を更に詳しく説明する。Next, FIGS. 2 to 6 will be explained in more detail.

第2図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧v1と電圧
比Rと電圧変化率ΔV、とを示す。
FIG. 2 shows the varistor voltage v1, voltage ratio R, and voltage change rate ΔV of a varistor having the following composition.

ZnO80,49〜85.44  モル%BaOo、o
s 〜5   モル% sb、o、         2.0  モルシ一定C
oo        12.0  モルシ一定B冨O8
0.S  モルシ一定 人1,0.        0.01  モル5一定合
 計      100   モルん即ち、第2図はB
aOの量(モル%)及び合計100モル%となるように
ZnOの量を変化させた種々のバリスタのVs、 R1
ΔV1を示す。なお、第2図〜第6図に゛おいてZnO
の量は、各図の横軸の成分のモル%が決まれば、必然的
に決まる。
ZnO80,49-85.44 mol%BaOo,o
s ~5 mol% sb, o, 2.0 molsi constant C
oo 12.0 Morsi Constant B Tomi O8
0. S Morsi constant 1,0. 0.01 mol 5 fixed total 100 mol, that is, Figure 2 is B
Vs and R1 of various varistors in which the amount of aO (mol%) and the amount of ZnO were changed so that the total amount was 100 mol%
ΔV1 is shown. In addition, in Figures 2 to 6, ZnO
The amount is inevitably determined once the mole percent of the component on the horizontal axis in each figure is determined.

第3図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧vlと電圧
比Rと電圧変化率Δv1とを示す。
FIG. 3 shows the varistor voltage vl, voltage ratio R, and voltage change rate Δv1 of a varistor having the following composition.

ZnO76,99〜86.94 −e y%5btOs
   0.05 〜10    モル%BaOO、5モ
ルシ一定 Coo        12.0   モルシ一定B!
 os        O、5モルシ一定Altos 
       0−01  モル5一定合 計    
  100    モル%即ち、第3図は5btosの
量(モ/I/%)及び合計100モル%となるようにZ
nOの量を変化させた種々のバリスタのV、、R,△V
Iを示す。
ZnO76,99~86.94-e y%5btOs
0.05 to 10 mol% BaOO, 5 molsi constant Coo 12.0 molsi constant B!
os O, 5 Morsi constant Altos
0-01 mole 5 fixed total
100 mol%, that is, Figure 3 shows the amount of 5btos (Mo/I/%) and Z
V, , R, △V of various varistors with varying amounts of nO
Indicates I.

第4図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧V。FIG. 4 shows the varistor voltage V of a varistor with the following composition.

と電圧比Rと電圧変化率ΔV、とを示す。, voltage ratio R, and voltage change rate ΔV.

ZnO66,99〜96.49 4#%Coo    
0.5 〜30   モル%BaOQ・5 モルシ一定 sb、o、        2.0  モルシ一定Bt
 Os        0 、5  モルシ一定Al2
0s        O・Ol  モルシ一定合 計 
    100   モル% 即ち、第4図はCoOの量(モル%)及び合計100モ
ル%となるよう)It ZnOの量を変化させた、  
種々のバリスタのV、、R,ΔV、を示す。
ZnO66,99~96.49 4#%Coo
0.5 to 30 mol% BaOQ・5 Morsi constant sb, o, 2.0 Morsi constant Bt
Os 0, 5 Morsi constant Al2
0s O・Ol Morsi constant total
100 mol% That is, in FIG. 4, the amount of CoO (mol%) and the amount of It ZnO were varied so that the total amount was 100 mol%,
The V, , R, and ΔV of various varistors are shown.

第5図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧V。FIG. 5 shows the varistor voltage V of a varistor with the following composition.

と電圧比Rと電圧変化率Δv1とを示す。, voltage ratio R, and voltage change rate Δv1.

ZnO75,49〜 85.44  モル%BzOs 
   0−05 〜10    モル%Ba0    
    0 、5   モルシ一定5btOs    
    2−0  モルシ一定CoO       1
2.0   モルシ一定AbOs        0−
01  モSb2O30.1〜−シー 計     1
00    モル%即ち、第5図はB2O3の量(モル%)及び
合計100モル%となるようにZnOの量を変化させた
種々のバリスタのVt、R,Δv1を示す。
ZnO75.49-85.44 mol%BzOs
0-05 to 10 mol%Ba0
0,5 Morsi constant 5btOs
2-0 Morsi constant CoO 1
2.0 Morsi constant AbOs 0-
01 MoSb2O30.1~-C Total 1
00 mol %, Figure 5 shows the Vt, R, Δv1 of various varistors with varying amounts of B2O3 (mol %) and ZnO to give a total of 100 mol %.

第6図は次の組成のバリスタのバリスタ電圧V1と電圧
比Rと電圧変化率ΔV、とを示す。
FIG. 6 shows the varistor voltage V1, voltage ratio R, and voltage change rate ΔV of a varistor having the following composition.

Zn0  84.9 〜84−9995  モル%Al
tos   0−0005〜O−1モル%BaO0.5
モ/I/%一定 5bzO52−0モルシ一定 Coo        12.0   モルシ一定Bt
 Os        O−5モルシシー合計    
   100    モル%即ち、第6図は人l、0.
の量(モル%)及び合計100モA/%となるようにZ
nOの量を変化させた種々のバリスタのV、、R1Δv
lを示す。
Zn0 84.9 ~ 84-9995 mol% Al
tos 0-0005~O-1 mol%BaO0.5
Mo/I/% constant 5bzO52-0 Morsi constant Coo 12.0 Morsi constant Bt
Os O-5 molsisi total
100 mol%, that is, FIG.
amount (mol%) and Z so that the total is 100 moA/%
V, , R1Δv of various varistors with varying amounts of nO
Indicates l.

次に本発明について材料組成を限定した理由を説明する
Next, the reason for limiting the material composition in the present invention will be explained.

第2図において、BaOが3.0モル%を越えたものは
電圧変化率ΔVlが大きい。一方、BaOが0.1モル
%より少ないものは電圧変化率が大きく、電圧比Rも大
きい。従って、電圧比Rが小さく、負荷に対しズ安定な
バリスタを得るためのBaOの好ましい範囲は0.1〜
3.0モル%であり、より好ましい範囲は0.2〜1モ
ル%である。
In FIG. 2, when BaO exceeds 3.0 mol %, the voltage change rate ΔVl is large. On the other hand, those containing less than 0.1 mol % of BaO have a large voltage change rate and a large voltage ratio R. Therefore, in order to obtain a varistor with a small voltage ratio R and stable resistance to load, the preferred range of BaO is 0.1 to
The amount is 3.0 mol%, and the more preferable range is 0.2 to 1 mol%.

第3図において、5b20sが5.0モル%を越えたも
のは電圧変化率ΔV+が大きい。一方、5btOsが 
  10.1モル%より少ないものも電圧変化率が大き
く、電圧比Rも大きい。従って、電圧比Rが小さく、負
荷に対して安定なバリスタを得るためのSb*Osの好
ましい範囲は0.1〜5.0モル%であり、より好まし
い範囲は0.5〜2モ/I/%である。
In FIG. 3, when 5b20s exceeds 5.0 mol%, the voltage change rate ΔV+ is large. On the other hand, 5btOs
Even if it is less than 10.1 mol %, the voltage change rate is large and the voltage ratio R is also large. Therefore, in order to obtain a varistor with a small voltage ratio R and stable against loads, the preferable range of Sb*Os is 0.1 to 5.0 mol%, and the more preferable range is 0.5 to 2 mol%. /%.

第4図において、Cooが 25.0モル%を越えたも
のは電圧変化率Δ■1が大きい。一方、Cooが1.0
モル%より少ないものは電圧変化率ΔV、が大きく、電
圧比Rも大きい。従って、電圧比Rが小さく、負荷に対
して安定なバリスタを得るためのCooの好ましい範囲
は1.0〜25.0モル%であり、より好ましい範囲は
5〜20モル%である。
In FIG. 4, when Coo exceeds 25.0 mol%, the voltage change rate Δ■1 is large. On the other hand, Coo is 1.0
If it is less than mol %, the voltage change rate ΔV is large and the voltage ratio R is also large. Therefore, in order to obtain a varistor with a small voltage ratio R and stable against loads, the preferable range of Coo is 1.0 to 25.0 mol%, and the more preferable range is 5 to 20 mol%.

第5図において、B20.が3.0モル%を越えたもの
は電圧変化率Δ■1が°大きい。一方、B、 Osが0
.1モル%より少ないものも電圧変化率ΔV1が大きい
In FIG. 5, B20. If it exceeds 3.0 mol%, the voltage change rate Δ■1 is large. On the other hand, B, Os is 0
.. Even when the amount is less than 1 mol %, the voltage change rate ΔV1 is large.

従って、電圧比Rが小さく、負荷に対して安定なバリス
タを得るためのB2O3の好ましい範囲は0.1〜3.
0モル%であり、より好ましい範囲は0.3〜1モル%
である。
Therefore, in order to obtain a varistor with a small voltage ratio R and stable against loads, the preferable range of B2O3 is 0.1 to 3.
0 mol%, and a more preferable range is 0.3 to 1 mol%
It is.

第6図において、Altosが0.05モル%を越えた
ものは電圧変化率Δ■1が大きく、電圧比Rも大きい。
In FIG. 6, when Altos exceeds 0.05 mol %, the voltage change rate Δ■1 is large and the voltage ratio R is also large.

一方、Altosが0.001モル%より少ないものも
電圧変化率が太さい。従つ【、電圧比Rが小さく、負荷
に対して安定なノ(リスクを得るための’   Al 
t Osの好ましい範囲は0.001〜0.05  モ
ル%であり、より好ましい範囲は0.003〜0.02
モル%である。
On the other hand, those containing less than 0.001 mol % of Altos also have a large voltage change rate. Therefore, the voltage ratio R is small and the load is stable (to obtain the risk)
The preferred range of tOs is 0.001 to 0.05 mol%, and the more preferred range is 0.003 to 0.02 mol%.
It is mole%.

なお、znの範囲は残部であり、必然的に63.95〜
98.699モル%となる。
Note that the range of zn is the remainder, which necessarily ranges from 63.95 to
It becomes 98.699 mol%.

以上、本発明の実施例及び比較例について述べたが、本
発明はこれに限定されるものでなく、更に変形可能なも
のである。例えば、本発明の目的を損なわない範囲で希
土類物質(La2O5、PrtOs、Ndt Osなど
)や、Nbt 05、Tax Os、Mn0.Ni01
Cr203等の酸化物等を添加してもよい。
Although Examples and Comparative Examples of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto and can be further modified. For example, rare earth substances (La2O5, PrtOs, NdtOs, etc.), Nbt05, TaxOs, Mn0. Ni01
Oxides such as Cr203 may be added.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述から明らかな如く、本発明によれば、ノ(リスク電
圧v1が50以上、電圧比Rが2.5以下、電圧変化率
Δv1が±10%以内のバリスタを提供することが出来
る。即ち、電圧比が小さく、且つサ   [−ジに対し
て優れた安定性を有する)(リスクを提供することが出
来る。
As is clear from the above, according to the present invention, it is possible to provide a varistor in which the risk voltage v1 is 50 or more, the voltage ratio R is 2.5 or less, and the voltage change rate Δv1 is within ±10%. That is, The voltage ratio is small and has excellent stability against surges (can provide risks).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係わる酸化物電圧非直線抵抗体の焼結
結晶粒子の配列を模型的に示せ断面図、第2図はBaO
の変化に対するバリスタ電圧Vl、電圧比R1電圧変化
率Δv1の変化を示す特性曲線図、第3図は5bzOs
の変化に対するバリスタ電圧v1、電圧比R1電圧変化
率Δ■1の変化を示す特性曲線図、第4図はCoOの変
化に対するバリスタ電圧vl、電圧比R1電圧変化率Δ
■、の変化を示す特性曲線図、第5図はB2O3の変化
に対するバリスタ電圧■8、電圧比R1電圧変化率Δ■
1の変化を示す特性曲線図、第6図はAl、03の変化
に対するバリスタ電圧v1、電圧比R1電圧変化率Δv
lの変化を示す特性曲線図である。 (1)・・・結晶、(2)・・・高抵抗層、(3)・・
・電極。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the arrangement of sintered crystal grains of an oxide voltage nonlinear resistor according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a BaO
A characteristic curve diagram showing changes in varistor voltage Vl and voltage change rate Δv1 with respect to changes in voltage ratio R1, Fig. 3 is 5bzOs
Figure 4 is a characteristic curve diagram showing changes in varistor voltage v1 and voltage ratio R1 voltage change rate Δ■1 with respect to changes in CoO.
■Characteristic curve diagram showing changes in , Figure 5 shows varistor voltage ■8 and voltage ratio R1 voltage change rate Δ■ with respect to changes in B2O3
Figure 6 shows the varistor voltage v1 and voltage ratio R1 voltage change rate Δv for changes in Al and 03.
FIG. 3 is a characteristic curve diagram showing changes in l. (1)...Crystal, (2)...High resistance layer, (3)...
·electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)Zn、Ba、Sb、Co、B及びAlを、これ等
の代表的な酸化物であるZnO、BaO、Sb_2O_
3、CoO、B_2O_3及びAl_2O_3に換算し
た組成で、 ZnO 63.95〜98.699モル% BaO 0.1〜3モル% Sb_2O_3 0.1〜5モル% CoO 1〜25モル% B_2O_3 0.1〜3モル% Al_2O_3 0.001〜0.05モル%となるよ
うに含む焼結体からなる酸化物電圧非直線抵抗体。
(1) Zn, Ba, Sb, Co, B, and Al are combined with their typical oxides ZnO, BaO, Sb_2O_
3. Composition converted to CoO, B_2O_3 and Al_2O_3: ZnO 63.95-98.699 mol% BaO 0.1-3 mol% Sb_2O_3 0.1-5 mol% CoO 1-25 mol% B_2O_3 0.1- An oxide voltage nonlinear resistor comprising a sintered body containing 3 mol% Al_2O_3 0.001 to 0.05 mol%.
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