JPS6199186A - Manufacture of liquid crystal display unit - Google Patents

Manufacture of liquid crystal display unit

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Publication number
JPS6199186A
JPS6199186A JP59222470A JP22247084A JPS6199186A JP S6199186 A JPS6199186 A JP S6199186A JP 59222470 A JP59222470 A JP 59222470A JP 22247084 A JP22247084 A JP 22247084A JP S6199186 A JPS6199186 A JP S6199186A
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JP
Japan
Prior art keywords
metal layer
liquid crystal
crystal display
metal
resist
Prior art date
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Pending
Application number
JP59222470A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
今矢 明彦
高原 晶一郎
孝之 占部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59222470A priority Critical patent/JPS6199186A/en
Publication of JPS6199186A publication Critical patent/JPS6199186A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業−にの利用分野) 本発明は、金属−酸化膜−金属の構造を何する非線型素
子を備えた液晶表示装置の製造方法に関す(従来技術) 近年、液晶表示装置(LCD)の太古fit化の要請が
強くなっている。大容h1の液晶表示装置においては、
マトリックス表示のマルチプレックス駆動方式が採用さ
れてきた。この方式の欠点は、数十〜回折程度の表示が
限界であり、それ以上の大容虫では、オン画素とオフ画
素のコントラスト比が充分得られないということである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of industrial application) The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device equipped with a non-linear element having a metal-oxide film-metal structure (prior art). There is a growing demand for liquid crystal display devices (LCDs) to be adapted to ancient times. In a large capacity h1 liquid crystal display device,
A multiplex drive system with matrix display has been adopted. The drawback of this method is that the display is limited to a few dozen diffraction levels, and for insects larger than that, a sufficient contrast ratio between on and off pixels cannot be obtained.

この液晶表示装置のしつ欠点を解消ずろための1つの方
法として、全屈−酸化膜−金属の構造を持つ非線型抵抗
素子(以下M I M素子と略す)を用い側々の画素を
直接にスイッチ駆動するマトリックス駆動方式が注目さ
れている。
One way to overcome this shortcoming of liquid crystal display devices is to use nonlinear resistance elements (hereinafter abbreviated as MIM elements) with a total bending-oxide film-metal structure to directly connect pixels on the sides. A matrix drive system that uses switch drive is attracting attention.

従来のMil−LCDの例を第3図に示す。このL C
Dは、次のように製造される。ガラス基板1、L、に、
Ta1i2をスパッタ・法などにより形成し、フォトエ
ッヂフグ法によりTaのパターニングを行う。これによ
り、Ta配線とMIM素子の下側金属とか形成されたこ
とになる。111j記のバタ一二ングされたTa模2を
クエン酸水溶液等を用いて陽極酸化を行い、酸化膜3を
形成する。さらに、上層にCrやNi−0rなとの金属
を蒸着し、バターニングを行い、上側金属4を形成する
。これによりMIM素子か完成される。さらにこの後、
透明i極5を形成して、液晶表示装置の一方の画素電極
とする。以降は、通常のLCDと同じ工程により組み立
てられる。
An example of a conventional Mil-LCD is shown in FIG. This L C
D is manufactured as follows. On the glass substrate 1, L,
Ta1i2 is formed by a sputtering method, etc., and Ta is patterned by a photo-edge puffer method. As a result, the Ta wiring and the lower metal of the MIM element were formed. The buttered Ta pattern 2 of 111j is anodized using a citric acid aqueous solution or the like to form an oxide film 3. Further, a metal such as Cr or Ni-0r is deposited on the upper layer and patterned to form the upper metal 4. This completes the MIM device. Furthermore, after this,
A transparent i-pole 5 is formed to serve as one pixel electrode of a liquid crystal display device. After that, it is assembled using the same process as a normal LCD.

ところが、MIM素子の特性と液晶の電気的、光学的特
性とを組み合わUて考えた場合、画素電極とM [M素
子との面積の比は、数千〜1万程度でなければならない
ことがわかってきた。したがって、たとえば300μ躊
角の画素に対するMIM素子の寸法は、3μ−角程度と
なってしまい、従来のLCD製造で用いられているりフ
グラフィ技術では、精度が不充分である。そのため、第
4図に示すように下側配線金属2の側面2aを利用して
MIM素子を形成する方法が考案された(特開昭58−
178320号公報参照)。
However, when considering the combination of the characteristics of the MIM element and the electrical and optical characteristics of the liquid crystal, it is found that the area ratio between the pixel electrode and the M element must be in the order of several thousand to ten thousand. I've come to understand. Therefore, the dimension of the MIM element for a pixel of, for example, 300 .mu.-angle is about 3 .mu.-angle, and the precision of the graphography technique used in conventional LCD manufacturing is insufficient. Therefore, a method was devised to form an MIM element using the side surface 2a of the lower wiring metal 2, as shown in FIG.
(See Publication No. 178320).

(発明の解決すべき問題点) M I M素子においては、交流駆動時の液晶印加電圧
を考゛慮ずろと、M I M素子を構成ずろ2つの金属
2.4か同しであることが望ましい。異なった金属から
なろt゛a−Tayo5Affiの構成を持っMIM素
子のV−1特性は、第5図のグラフに明らかに示されて
いるように、上側金属(八2)と下側金属(Ta)との
いずれをプラス側にして駆動するかにより大きく異なる
。このバイアス方向による特性の差は、交流駆動時に直
流成分か残るためて、液晶材料の劣化が生じる。
(Problems to be Solved by the Invention) In the MIM element, in addition to taking into account the voltage applied to the liquid crystal during AC drive, it is necessary that the two metals used to form the MIM element are the same. desirable. As clearly shown in the graph of FIG. ) varies greatly depending on which side of the positive side is used for driving. This difference in characteristics depending on the bias direction causes deterioration of the liquid crystal material because a DC component remains during AC driving.

従来の製造方法では、同し金属を用いると選択的なパタ
ーニングが不可能であるので、M I M素子の2−ノ
の金属は別の材料を使用せざるをiりなかった。
In conventional manufacturing methods, selective patterning is not possible when using the same metal, so a different material must be used for the second metal of the MIM element.

本発明の目的は、M、IMi/::子を形成する2つの
金属に同じ財貨を用いられるようにし、特性的に安定し
た微細パターンのM I M −L CDの生産を可能
にする製造方法を提O(することである。
An object of the present invention is to provide a manufacturing method that enables the use of the same material for the two metals forming the M, IMi/: child, and that enables the production of M I M -L CDs with stable characteristics and fine patterns. It is to propose (to do).

(問題点を解決するための丁段) 本発明に係る第−金PA層、絶縁体層および第二金属層
を順次積層してなる非線型素子を備えた液晶表示装置の
製造方法において、 第一金属層とその表面に絶縁体層とが形成された基板の
表側にポジ型レジストを塗布し、次に、基板裏面からの
マスク露光を行って、第一金属層の周囲に第二金属層を
堆積すべき所定の領域のレジストを除去じた後、第一金
属層を形成した材料と同一の材料を基板表面に堆積し、
次いて、レジスト剥離を行って、上記の所定領域に第二
金属層を形成オろことをn徴とする。
(Steps for Solving Problems) In the method of manufacturing a liquid crystal display device including a non-linear element formed by sequentially laminating a first gold PA layer, an insulator layer and a second metal layer according to the present invention, A positive resist is applied to the front side of the substrate on which one metal layer and an insulator layer are formed on the surface, and then mask exposure is performed from the back side of the substrate to form a second metal layer around the first metal layer. after removing the resist in the predetermined areas to be deposited, depositing on the substrate surface the same material that formed the first metal layer;
Next, the resist is removed and a second metal layer is formed in the above-mentioned predetermined region.

(作用) 本発明に係る製造方法においては、第−金(4層と第二
金属層との位置合イっ仕か、基板裏面からのマスク露光
により正確に行える。このため、面積の小さい側面横進
型MIM素子(第4図)が容易に作製できる。また、第
二金属層のバターニングかりフトオフによりなされるの
で、第一金属層と第二金属層とが同じ材料で形成できる
(Function) In the manufacturing method according to the present invention, alignment of the fourth metal layer and the second metal layer can be performed accurately or by mask exposure from the back side of the substrate. A transverse MIM element (FIG. 4) can be easily produced. Also, since the second metal layer is patterned or lifted off, the first metal layer and the second metal layer can be formed of the same material.

(実施例) 以下、添付の図面を参照して本発明の詳細な説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図(a)〜(g)は、本発明の実施例の工程を順次
図式的に示した図面である。(a)まず、ペイレックス
ガラス等の透明盾仮II上に、Ta薄模を3000〜5
ooo人の厚さにスパッタリングにより形成し、下側金
fi12をバターニングで形成する。この下側金属12
は、同時にリート電極となる。次に、このTa薄膜12
の表面を0.01wt%クエン酸水溶液中で陽極酸化を
行い、約500人のP7.さのTaの酸化膜13を形+
+12する。ここまでは、従来の製造方法と同しである
。(!l)次に、々而にボッ型しノストト1(ンブレイ
社、A7M3000−:(1等)を約2μmの厚さに’
J4iL、プリベータの後、裏面よりマスク15(遮光
部分を15′で示す)を用いて露光を行う。(C)この
基板を現像4゛ると、レジストI4は、マスクパターン
とTa電極の部分16が残ることになる6(d)次に、
表面に、1゛λ薄膜I7を11gび敢千入の1゛lさに
スパッタリングにより形成4−ろ、この後、レジスト剥
離を行うと、レジスト13EのTaは、レジスト剥雌と
同様に除去される(リフトオフされる)、、上部に残る
Ta18の形状は第1図(e)に示すようになる。こう
して、第4図に示した従来例と同様な側面構造を用いた
M[M素子が実現した。(「)さらに、表面に、透明導
を膜としてETOMを約+ooo入の厚さて蕉着し、パ
タ ニングにより画素電極I9が形成される。第1図(
g)は、こうして形成されたLCDの部分平面図である
FIGS. 1(a) to 1(g) are drawings sequentially showing schematically steps of an embodiment of the present invention. (a) First, a thin Ta pattern of 3000 to 5
The lower gold fi 12 is formed by sputtering to a thickness of 100 mm, and the lower gold fi 12 is formed by buttering. This lower metal 12
becomes a leet electrode at the same time. Next, this Ta thin film 12
The surface of the P7. Shape the Ta oxide film 13
+12. The steps up to this point are the same as the conventional manufacturing method. (!l) Next, mold it into a shape and apply Nostoto 1 (Nbrey Co., Ltd., A7M3000-: (1st grade)) to a thickness of about 2 μm.
After J4iL and pre-beta, exposure is performed from the back side using a mask 15 (the light shielding portion is indicated by 15'). (C) When this substrate is developed, the resist I4 will leave the mask pattern and the Ta electrode portion 16.6(d) Next,
A 1゛λ thin film I7 is formed on the surface by sputtering in a 1゛l layer weighing 11 g. After that, when the resist is stripped off, the Ta of the resist 13E is removed in the same way as the resist stripping. (lifted off), the shape of the Ta 18 remaining on the top becomes as shown in FIG. 1(e). In this way, an M element using the same side structure as the conventional example shown in FIG. 4 was realized. (') Furthermore, ETOM is deposited on the surface using a transparent conductive film to a thickness of approximately +00 mm, and the pixel electrode I9 is formed by patterning.
g) is a partial plan view of the LCD thus formed.

第2図は、こうして形成されたTa −Taxes −
Taの構成を何するMIM素子のV−1特性のグラフで
ある。第4図に示したTa・TatOs−ALの構成の
MIM素子のV−1特性と比較すると明らかなように、
本実施例によるMIM素子においては、バイアス方向に
よる特性の差が小さい。すなわち、交流駆動時に直流成
分の残りがほとんどなく、液晶の劣化を防ぐことができ
る。
Figure 2 shows the thus formed Ta -Taxes -
2 is a graph of V-1 characteristics of MIM elements with different Ta configurations. As is clear from the comparison with the V-1 characteristic of the MIM element having the Ta/TatOs-AL configuration shown in Fig. 4,
In the MIM element according to this embodiment, the difference in characteristics depending on the bias direction is small. That is, there is almost no remaining DC component during AC driving, and deterioration of the liquid crystal can be prevented.

(発明の効果) 本発明により、上下とら同じ金属で形成された側面構造
を持つMIM素子を容易に実現できる。
(Effects of the Invention) According to the present invention, it is possible to easily realize an MIM element having a side structure in which the upper and lower sides are made of the same metal.

さらに、本発明は、高密度化された信頼性の高いMIM
−LCI)の製造に非常にa効な手法となる。
Furthermore, the present invention provides a high-density and highly reliable MIM
-LCI) is a very effective method for manufacturing.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a)〜(g)は、本発明の実施例の工程を順次
図式的に示す工程説明図である。 第2図は、本発明に係るMiM素子のV(電圧)■(電
流)特性のグラフである。 第3図は、従来のMIM素子の一例の斜視図である。 第4図は、従来のMIM素子の他の一例の断面図である
。 第5図は、第4図に示した従来のMIM素子のV−を特
性のグラフである。 !・・・基板、   2・・・下側金属、  3・・・
酸化膜、4・・・上側金属、   5・・・透明電極(
画素)。 特 許 出 願 人    シャープ株式会社代  理
  人 弁理士 青白 葆 ばか2名へ 第1i! (O)(・) (b)               (f)第3図
FIGS. 1(a) to 1(g) are process explanatory diagrams sequentially showing schematically the steps of an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a graph of V (voltage) (current) characteristics of the MiM element according to the present invention. FIG. 3 is a perspective view of an example of a conventional MIM element. FIG. 4 is a sectional view of another example of a conventional MIM element. FIG. 5 is a graph of the V- characteristic of the conventional MIM element shown in FIG. ! ...Substrate, 2...Lower metal, 3...
Oxide film, 4... Upper metal, 5... Transparent electrode (
pixels). Patent Applicant Sharp Co., Ltd. Agent Patent Attorney Blue and White Blue and White 1i to Two Idiots! (O) (・) (b) (f) Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第一金属層、絶縁体層および第二金属層を順次積
層してなる非線型素子を備えた液晶表示装置の製造方法
において、 第一金属層とその表面に絶縁体層とが形成された基板の
表側にポジ型レジストを塗布し、次に、基板裏面からの
マスク露光を行って、第一金属層の周囲に第二金属層を
堆積すべき所定の領域のレジストを除去した後、第一金
属層を形成した材料と同一の材料を基板表面に堆積し、
次いで、レジスト剥離を行って、上記の所定領域に第二
金属層を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。
(1) In a method for manufacturing a liquid crystal display device including a non-linear element formed by sequentially laminating a first metal layer, an insulator layer, and a second metal layer, an insulator layer is formed on the first metal layer and the surface thereof. A positive resist is applied to the front side of the substrate, and then mask exposure is performed from the back side of the substrate to remove the resist in predetermined areas where the second metal layer is to be deposited around the first metal layer. , depositing the same material on the substrate surface as the material that formed the first metal layer;
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: then removing the resist to form a second metal layer in the predetermined region.
JP59222470A 1984-10-22 1984-10-22 Manufacture of liquid crystal display unit Pending JPS6199186A (en)

Priority Applications (1)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8590232B2 (en) 1999-06-16 2013-11-26 Bonnie Roche Display devices, accessories therefor and methods

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8590232B2 (en) 1999-06-16 2013-11-26 Bonnie Roche Display devices, accessories therefor and methods

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