JPH02304534A - Display device driving nonlinear element - Google Patents

Display device driving nonlinear element

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JPH02304534A
JPH02304534A JP1126203A JP12620389A JPH02304534A JP H02304534 A JPH02304534 A JP H02304534A JP 1126203 A JP1126203 A JP 1126203A JP 12620389 A JP12620389 A JP 12620389A JP H02304534 A JPH02304534 A JP H02304534A
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JP
Japan
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metal
mim
mim element
dimensions
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP1126203A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoyuki Kawashima
河島 朋之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH02304534A publication Critical patent/JPH02304534A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device

Abstract

PURPOSE:To increase the ratio of the liquid crystal capacity to a MIM element capacity without generating disconnection by bringing a second metal and an insulator on a first metal into contact with each other through the minute area aperture part of an inter-layer insulating film. CONSTITUTION:A second metal 4 and an insulator 3 on a first metal 2 are brought into contact with each other through an aperture part 7 formed in an inter-layer insulating film by fine working. Consequently, the dimensions of the MIM element are determined by the dimensions of the aperture part 7, and the dimensions of the MIM element are reduced since the aperture part is formed with a minute area by fine working. Since the size of the MIM element is not dependent upon the line width of the first and the second metals 2 and 4, the line width is sufficiently widened to remarkably reduce the probability of the disconnection. Thus, the ratio of the liquid crystal capacity to the MIM element capacity is set to a large value without generating the disconnection.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は表示装置駆動用非線形素子にかかり、特に金
属−絶縁体−金属という構成を有する非線形素子(以下
、MIM素子と呼称する)において、液晶容量とMIM
素子容量の比が大きいMIM素子を形成するのに好適な
表示装置駆動用非線形素子に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a nonlinear element for driving a display device, and particularly to a nonlinear element having a metal-insulator-metal configuration (hereinafter referred to as an MIM element). LCD capacity and MIM
The present invention relates to a nonlinear element for driving a display device suitable for forming an MIM element with a large element capacitance ratio.

[従来の技術] 液晶ディスプレイなどの薄型表示装置は、電車や時計な
どの小型電子機器用の表示装置として大量に使用され、
現在では表示画面の大型化と高画質化が目標となってい
る。
[Prior Art] Thin display devices such as liquid crystal displays are used in large quantities as display devices for small electronic devices such as trains and watches.
Currently, the goal is to increase the size and quality of display screens.

大画面で高画質な表示を実現する方法としては、画面の
各画素に非線形素子を設けて液晶を駆動するアクティブ
マトリックス方式が有効である。アクティブマトリック
ス方式による非線形素子としては、薄型トランジスタな
どの三端子素子やMIM素子、バリスタ、薄膜ダイオー
ドなどの二端子素子等が従業されている。特に、二端子
素子は構造が簡単であるという特徴から、三端子素子を
用いたアクティブマトリックス方式は三端子素子を用い
たアクティブマトリックス方式よりも1mコストの面で
優れている。−例として、MIM素子を用いたアクティ
ブマトリックス方式による表示装置が、アイ・イー・イ
ー・イー、トランザクション、イー・デー・ −28,
6、736−739頁6月。
An effective method for realizing high-quality display on a large screen is an active matrix method in which a nonlinear element is provided in each pixel of the screen to drive the liquid crystal. As active matrix type nonlinear elements, three-terminal elements such as thin transistors, two-terminal elements such as MIM elements, varistors, and thin film diodes, and the like are used. In particular, since the two-terminal element has a simple structure, the active matrix method using the three-terminal element is superior to the active matrix method using the three-terminal element in terms of cost per meter. - As an example, active matrix display devices using MIM elements are used in IEE, transaction, EDA -28,
6, pp. 736-739 June.

1981年、デー、アール、バラ7(t!! (IEE
E rtans、。
1981, Day, Earl, Rose 7 (t!! (IEE
E rtans,.

ED−28,6,pp 736−739 June、1
981.D、R,Baraff、etal、)に開示さ
れている。
ED-28, 6, pp 736-739 June, 1
981. D., R. Baraff, et al.).

アクティブマトリックス方式による表示装置においては
、表示性能を向上させるため、表示画面の開口率を大き
くし、非線形素子の容量を小さくし、微小面積の非線形
素子を基板上に高密度に形成することが要求される。
In active matrix display devices, in order to improve display performance, it is necessary to increase the aperture ratio of the display screen, reduce the capacitance of nonlinear elements, and form nonlinear elements with small areas at high density on the substrate. be done.

さらに、M1M素子を用いた表示装置で高い表示性能を
得るためには、液晶容量C1゜とMIM素子素子容量比
(C1゜/CHI−を大きな値にする必要がある。−例
を挙げれば、画素電極の(1法を200μm角とすると
、MIM索子の寸法は3μm角以下にする必要がある。
Furthermore, in order to obtain high display performance in a display device using M1M elements, it is necessary to increase the liquid crystal capacitance C1° and the MIM element capacitance ratio (C1°/CHI-). For example, Assuming that the pixel electrode (1 dimension) is 200 μm square, the dimensions of the MIM strands need to be 3 μm square or less.

第7図は従来のMIM索子を示す断面説明図であり、第
8図はその平面図である。図示するように、従来のMI
M素子はガラス基板1上に第1の金属2を設け、この第
1の金属2を陽極酸化して絶縁体3を形成し、第2の金
属4を絶縁体3の上に設け、第2の金属4と画素電極5
とを電気的に接続した構造を有している。ここで、例え
ば、第1の金属としてはTa、第2の金属4としてはC
r、絶縁体3としては丁a205が用いられる。
FIG. 7 is an explanatory cross-sectional view showing a conventional MIM cord, and FIG. 8 is a plan view thereof. As shown, conventional MI
In the M element, a first metal 2 is provided on a glass substrate 1, the first metal 2 is anodized to form an insulator 3, a second metal 4 is provided on the insulator 3, and a second metal 2 is provided on the insulator 3. metal 4 and pixel electrode 5
It has a structure in which it is electrically connected to the Here, for example, the first metal is Ta, and the second metal 4 is C.
r, as the insulator 3, D205 is used.

[発明が解決しようとする課題] 従来のMIM素子の寸法は第1の金属又は第2の金属の
線幅によって決まる。例えば、第7図、第8図に示すM
IM素子の場合には、第1の金属2の線幅しによって、
MIM素子の寸法が決まる。
[Problems to be Solved by the Invention] The dimensions of a conventional MIM element are determined by the line width of the first metal or the second metal. For example, M shown in FIGS. 7 and 8
In the case of an IM element, depending on the line width of the first metal 2,
The dimensions of the MIM element are determined.

したがって、前記した容量比cLc/cHTHを大きく
するためには、第1の金属と第2の金属の線幅をできる
だけ細くする必要がある。
Therefore, in order to increase the capacitance ratio cLc/cHTH mentioned above, it is necessary to make the line width of the first metal and the second metal as thin as possible.

しかし、上記線幅を3μI11以上に細くすると断線が
発生する確率が高くなり、良品歩留りが低下するという
問題点がある。特に、画面の大きざが10インチ扱にな
ると、ガラス基板の大きさは300mm角になり、この
ような大画面上で高精細な線幅を形成することは非常に
困難となる。したがって、良品歩留りがさらに低下し、
製造コストが非常に高くなってしまうという問題点があ
った。
However, if the line width is reduced to 3 μI11 or more, there is a problem that the probability of wire breakage occurring increases and the yield of non-defective products decreases. In particular, when the screen size becomes 10 inches, the size of the glass substrate becomes 300 mm square, and it becomes extremely difficult to form high-definition line widths on such a large screen. Therefore, the yield of good products further decreases,
There was a problem in that the manufacturing cost was extremely high.

以上の理由により、従来技術においては、MIM素子を
用いたアクティブマトリックス方式の大画面の表示装置
で高精細なものは実現されていない。
For the above reasons, in the prior art, a high-definition active matrix large-screen display device using MIM elements has not been realized.

本発明は上記した従来技術の問題点に鑑みなされたもの
で、液晶容量とMIM素子容最の比CLC/CHIHが
大きいMrM素子を形成することが可能な表示装置駆動
用非線形素子を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the problems of the prior art described above, and provides a nonlinear element for driving a display device that can form a MrM element with a large ratio CLC/CHIH between liquid crystal capacitance and MIM element capacity. It is an object.

[課題を解決するための手段〕 この発明の表示装置駆動用非線形素子は、第1の金属−
絶縁体一第2の金属という構造を有する、  表示装置
駆動用非線形素子に適用されるものでおり、特に上記第
2の金属と前記絶縁体とが層間絶縁膜の開口部を介して
接触していることを特徴としている。
[Means for Solving the Problems] A nonlinear element for driving a display device of the present invention includes a first metal-
It is applied to a nonlinear element for driving a display device having a structure of an insulator and a second metal, and in particular, the second metal and the insulator are in contact with each other through an opening in an interlayer insulating film. It is characterized by the presence of

[作用] この発明によれば、MIM素子の寸法は上記層間絶縁膜
の開口部により決まるため、MIM素子の寸法を小さく
するためには開口部の寸法を小さくすれば良く、MIM
i子を形成している金属の線幅を細くする必要がない。
[Function] According to the present invention, the dimensions of the MIM element are determined by the openings in the interlayer insulating film, so in order to reduce the dimensions of the MIM element, it is sufficient to reduce the dimensions of the openings.
There is no need to narrow the line width of the metal forming the i-element.

したがって、断線が発生することのない表示装置駆動用
非線形素子を提供でき、その結果大画面で高精細な表示
装置を高いQ品歩留りで製j聞することが可能になる。
Therefore, it is possible to provide a nonlinear element for driving a display device that does not cause disconnection, and as a result, it becomes possible to manufacture a large-screen, high-definition display device with a high quality-quality product yield.

[実施例] 以下、添付の図面に示す実施例により、ざらに詳細にこ
の発明について説明する。
[Examples] Hereinafter, the present invention will be roughly described in detail with reference to examples shown in the accompanying drawings.

第1図(a)、(b)、(C)はこの発明の表示装置駆
動用非線形素子の第1の実施例の製造過程を示す断面図
であり、第2図は第1図(a)。
FIGS. 1(a), (b), and (C) are cross-sectional views showing the manufacturing process of the first embodiment of the nonlinear element for driving a display device of the present invention, and FIG. .

(b)、(C)に示す第1の実施例の平面説明図である
。なお、第7図と第8図に示す従来のMIM累子と同一
部分には同一符号を付してその説明を省略する。第1図
(a)に示すように、ガラス基板1上にスパッタリング
法で膜厚3ooo人のTaを一面に被着し、第1のフ4
トマスクを用い、かつCF4と02の混合ガスを用いた
プラズマエツチングによりパターニングして、第1の金
属2を形成する。次に、0.05%クエン酸水溶液中に
おいて、電圧40Vの条件で第1の金属2である丁aを
陽極酸化し、Ta膜の表面に4ooAのT−820sか
らなる絶縁体3を形成する。次に、第1図(b)に示す
ように、CVD法で絶縁層として膜厚3000入の51
3N4を被着し、第2のフ第1・マスクを用い、かつC
F4と02の混合ガスを用いたプラズマエツチングによ
り、絶縁膜6と同口部7とを形成する。次に、第1図(
C)に示すように、スパッタリング法によって膜厚10
00人のCrを被着し、第3のフォトマスクを用いかつ
硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液
で上記Crをウェットエツチングし、第2の金属4を形
成する。ざらに、スパッタリング法により、膜厚too
oAのITOを被着し第4のフォトマスクを用いて塩化
第2鉄と塩酸の水溶液を用いてウェットエツチングして
画素電極5をパターニング形成する(第2図参照)。
FIG. 4 is an explanatory plan view of the first embodiment shown in FIGS. Note that the same parts as those of the conventional MIM resistor shown in FIGS. 7 and 8 are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. As shown in FIG. 1(a), a 300 mm thick layer of Ta is deposited on the entire surface of a glass substrate 1 by sputtering, and a first film 4 is formed.
A first metal 2 is formed by patterning using a mask and plasma etching using a mixed gas of CF4 and 02. Next, in a 0.05% citric acid aqueous solution, anodic oxidation is performed on the first metal 2 at a voltage of 40 V to form an insulator 3 made of T-820s of 4ooA on the surface of the Ta film. . Next, as shown in FIG. 1(b), an insulating layer with a film thickness of 3000 mm was formed using a CVD method.
3N4, using the second mask and the C
The insulating film 6 and the opening 7 are formed by plasma etching using a mixed gas of F4 and 02. Next, Figure 1 (
As shown in C), a film thickness of 10
A second metal 4 is formed by depositing 000 Cr and wet-etching the Cr using a third photomask with a mixed aqueous solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid. Roughly, by sputtering method, the film thickness too
oA of ITO is deposited and wet-etched using an aqueous solution of ferric chloride and hydrochloric acid using a fourth photomask to pattern the pixel electrode 5 (see FIG. 2).

上記した第1の実施例においては、MIM素子の素子特
性を安定化させるため、層間絶縁膜6を適度に厚く、例
えばtoooA以上の膜厚に形成することが望ましい。
In the first embodiment described above, in order to stabilize the device characteristics of the MIM element, it is desirable to form the interlayer insulating film 6 to be appropriately thick, for example, to a thickness of tooA or more.

その理由は、層値絶縁膜6の膜厚を厚くすることにより
、第1の金属2 (Cr)と絶縁体3(Si3N4)と
第2の金属4 (Cr)から構成されるMIM素子が電
気的特性を支配するようになるためである。なお、この
発明のMrM素子は、透明絶縁基板−ヒの画素電極と一
方の走査棒の間に接続して使用される。
The reason for this is that by increasing the thickness of the layer-level insulating film 6, the MIM element composed of the first metal 2 (Cr), the insulator 3 (Si3N4), and the second metal 4 (Cr) can be This is because it comes to dominate the physical characteristics. The MrM element of the present invention is used by being connected between the pixel electrode of the transparent insulating substrate and one scanning bar.

上記した第1の実施例によれば、MIM素子の寸法は開
口部7の寸法によって決まるため、MIM索子の寸法を
小さくするためには、開口部7を微細加工すれば良い。
According to the first embodiment described above, since the dimensions of the MIM element are determined by the dimensions of the opening 7, the opening 7 may be microfabricated in order to reduce the dimensions of the MIM strand.

したがって、第1の金属2ヤ第2の金属4の線幅を細く
することなく、MIM素子の寸法を小さくすることがで
きる。例えば、第1と第2の金属の線幅を20μmに設
定しても、開口部7の寸法を3μm角にすれば、3μm
角の面積のMIM素子を製作することができる。したが
って、MiM素子の大きざが、第1及び第2の金属の線
幅に依存しないため、線幅を1分に太くすることにより
、断線の発生する確率を非常に小さくすることができる
Therefore, the dimensions of the MIM element can be reduced without narrowing the line widths of the first metal 2 and the second metal 4. For example, even if the line width of the first and second metals is set to 20 μm, if the dimension of the opening 7 is 3 μm square, the line width will be 3 μm.
MIM elements with a corner area can be manufactured. Therefore, since the size difference of the MiM element does not depend on the line widths of the first and second metals, by increasing the line width to 1 minute, the probability of wire breakage occurring can be extremely reduced.

第3図(a>、(b)、(c)は、この発明の表示装置
駆動用非線形素子の第2の実施例の製造過程を示す断面
説明図であり、第4図は第3図(a)、(b)、(C)
に示す第1の実施例の平面説明図である。なお、第7図
と第8図に示す従来のMIM素子と同一部分には同一符
号を付している。第3図(a)に示すように、ガラス基
板1上に、第1のフォトマスクを用いて第1の金属2を
パターニング形成し、次に第2のフォトマスクを用いて
居間絶縁膜6と開口部7をパターニング形成する。次に
、第3図(b)に示すように、第1の金属2を選択的に
陽極酸化して、開口部7の部分だけに絶縁体3を形成す
る。次に、第3図(C)、第4図に示すように、第2の
金属4と画素電極5をそれぞれパターニング形成する。
3(a), (b), and (c) are cross-sectional explanatory views showing the manufacturing process of the second embodiment of the nonlinear element for driving a display device of the present invention, and FIG. a), (b), (C)
FIG. 2 is an explanatory plan view of the first embodiment shown in FIG. Note that the same parts as those of the conventional MIM element shown in FIGS. 7 and 8 are given the same reference numerals. As shown in FIG. 3(a), a first metal 2 is patterned on a glass substrate 1 using a first photomask, and then a living room insulating film 6 is formed using a second photomask. The opening 7 is formed by patterning. Next, as shown in FIG. 3(b), the first metal 2 is selectively anodized to form the insulator 3 only in the opening 7. Then, as shown in FIG. Next, as shown in FIGS. 3(C) and 4, the second metal 4 and the pixel electrode 5 are formed by patterning, respectively.

上記した第2の実施例によれば、MIM素子の寸法は開
口部7の寸法によって決まるため、MIM素子の寸法を
小さくするためには、開口部7を微細加工すれば良い。
According to the second embodiment described above, since the dimensions of the MIM element are determined by the dimensions of the opening 7, the opening 7 may be microfabricated in order to reduce the dimensions of the MIM element.

したがって、第1の金属2や第2の金属4の線幅を細く
することなく、MIM素子の寸法を小さくすることがで
きる。例えば、第1と第2の金属の線幅を20.Bmに
設定しても、開口部7の寸法を3μm角にすれば、3μ
m角の面積のMIM素子を制作することができる。した
かって、MiM索子の大きざが、第1及び第2の金属の
線幅に依存しないため、線幅を十分に太くすることによ
り、断線の発生する確率を非常に小さくすにとができる
Therefore, the dimensions of the MIM element can be reduced without reducing the line widths of the first metal 2 and the second metal 4. For example, the line width of the first and second metals is 20. Even if it is set to Bm, if the dimension of the opening 7 is 3μm square, the
It is possible to produce an MIM element with an area of m square. Therefore, the size difference of the MiM cord does not depend on the line width of the first and second metals, so by making the line width sufficiently thick, the probability of wire breakage occurring can be extremely reduced. .

第5図(a>、(b)、(c)は、この発明の表示装置
駆動用非線形素子の第3の実施例の製造工程を示す断面
説明図であり、第6図は第5図(a)、(b)、(C)
に示す第3の実施例の平面説明図である。なお、第7図
と第8図に示す従来のMIM素子と同一部分には同一符
号を付している。第5図(a>に示すように、ガラス基
板1上に、第1のフォトマスクを用いて第1の金属2を
パターニング形成し、次に第1の金属2を陽極酸化して
絶縁体3を形成する。次に、層間絶縁膜6と第2の画素
電極5として用いるITO膜を続けて被着する。次に、
第5図(b)に示すように、第2のフォトマスクを用い
て画素電極5として用いるITO膜と相聞絶縁膜6とを
同一のパターンでパターニングして、居間絶縁115!
6と開口部7と画素電極5を形成する。次に、第5図(
C)と第6図に示すように、第2の金属4を第3のフォ
トマスクでパターニング形成する。この実施例によれば
、3枚のフォトマスクだけで、小容GのMIM素子を製
造することができる。上記した第3の実施例によれば、
MIM索子の寸法は開口部7の寸法によって決まるため
、MIM素子の寸法を小さくするためには、開口部7を
微細加工すれば良い。したかって、第1の金属2や第2
の金属4の線幅を細くすることなく、MIM索子の寸法
を小さくすることができる。例えば、第1と第2の金属
の線幅を20μmに設定しても、開口部7の寸法を3μ
m角にすれば、3μm角の面積のMIMi子を製作プる
ことかできる。したがって、MIM素子の大きざか、第
1及び第2の金属の線幅に依存しないため、線幅を十分
に太くすることにより、断線の発生する確率を非常に小
さくすることができる。
5(a), (b), and (c) are cross-sectional explanatory views showing the manufacturing process of the third embodiment of the nonlinear element for driving a display device of the present invention, and FIG. a), (b), (C)
FIG. 3 is an explanatory plan view of the third embodiment shown in FIG. Note that the same parts as those of the conventional MIM element shown in FIGS. 7 and 8 are given the same reference numerals. As shown in FIG. 5(a), a first metal 2 is patterned on a glass substrate 1 using a first photomask, and then an insulator 3 is formed by anodizing the first metal 2. Next, an interlayer insulating film 6 and an ITO film used as the second pixel electrode 5 are successively deposited.Next,
As shown in FIG. 5(b), the ITO film used as the pixel electrode 5 and the interlayer insulating film 6 are patterned in the same pattern using a second photomask, and the living room insulation 115!
6, an opening 7, and a pixel electrode 5 are formed. Next, see Figure 5 (
As shown in FIG. 6 and C), the second metal 4 is patterned using a third photomask. According to this embodiment, an MIM element with a small G can be manufactured using only three photomasks. According to the third embodiment described above,
Since the dimensions of the MIM strand are determined by the dimensions of the opening 7, the opening 7 may be microfabricated in order to reduce the dimensions of the MIM element. Therefore, the first metal 2 and the second metal
The size of the MIM cord can be reduced without reducing the line width of the metal 4. For example, even if the line width of the first and second metals is set to 20 μm, the dimension of the opening 7 is set to 3 μm.
If the size is m square, a MIMi element with an area of 3 μm square can be manufactured. Therefore, since it does not depend on the size of the MIM element or the line width of the first and second metals, by making the line width sufficiently thick, the probability of wire breakage occurring can be extremely reduced.

なお、上記の実施例においては、基板としてガラス基板
を用いたが、この発明はこれに限定されるものではなく
、例えば高分子基板等を用いることかできる。また、第
1の金属としてはTaを用いたか、この発明はこれに限
定されるものではなく、王i、AI等を用いることもで
きる。
Note that in the above embodiments, a glass substrate was used as the substrate, but the present invention is not limited thereto; for example, a polymer substrate or the like may be used. Further, although Ta is used as the first metal, the present invention is not limited thereto, and it is also possible to use Ta, AI, etc.

また、第2の金属としてはOrを用いたが、この発明は
これに限定されるものではなく、MOlTa、Ti、A
1等を用いることができる。
Furthermore, although Or is used as the second metal, the present invention is not limited thereto;
1st grade can be used.

また、透明な画素電極としてはITO膜を用いたが、こ
の発明はこれに限定されるものではなく、SnO2、金
属薄膜等を用いることができる。
Further, although an ITO film is used as a transparent pixel electrode, the present invention is not limited thereto, and SnO2, a metal thin film, etc. can be used.

さらに、層間絶縁膜6としてはSi3N4を用いたが、
この発明はこれに限定されるものではなく、SiO2、
−[a205等の無機材r4 f’ 、−K 1,1 
イミド等の有機材料を用いることができる。
Furthermore, although Si3N4 was used as the interlayer insulating film 6,
This invention is not limited to this, but includes SiO2,
- [Inorganic material such as a205 r4 f', -K 1,1
Organic materials such as imides can be used.

また、絶縁体の形成方法は、陽極酸化による方法が望ま
しい。さらに、各校の形成方法としては、スパッタリン
グ法の他に、真空蒸着法やCVD法を用いることかでき
る。
Further, as a method for forming the insulator, a method using anodic oxidation is preferable. Furthermore, as a method for forming each layer, in addition to the sputtering method, a vacuum evaporation method or a CVD method can be used.

[発明の効果コ この発明によれば、MIM素子の犬きざは第1、第2の
金属の線幅に影響されることなく微細化できるため、断
線の生じることのない信頼t1の高いMIM素子を提供
することができ、その結果大画面で高精細な表示装置を
高い良品歩留りで生産することができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, the dog-edge of the MIM element can be made finer without being affected by the line widths of the first and second metals, so the MIM element can be manufactured with high reliability t1 without disconnection. As a result, large-screen, high-definition display devices can be produced with a high yield of non-defective products.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a>、(b>、(c)はこの発明の表示装置駆
動用非線形素子の第1の実施例の製造工程を示す断面説
明図であり、第2図は第1図(a>、(b>、(C)に
示す製造工程により製造された表示装置駆動用非線形素
子の平面説明図、第3図(a>、(b)、(c)はこの
発明の表示装置駆動用非線形素子の第2の実施例の製造
工程を示す断面説明図であり、第4図は第3図(a)。 (b)、(c)に示す製造工程により製造された表示装
置駆動用非線形素子の平面説明図、第5図(a)、(b
)、’(c)はこの発明の表示装置駆動用非線形素子の
第3の実施例の製造工程を示す断面説明図であり、第6
図は第5図(a)、(b)、(C)に示す製造工程によ
り製造された表示装置駆動用非線形素子の平面説明図、
第7図は従来のMIM素子を示す断面説明図であり、第
8図は第7図に示すMIM素子の平面図である。 ]・・・ガラス基板、2・・・第1の金属、3・・・絶
縁体、4・・・第2の金属、5・・・画素電極、6・・
・層間絶縁膜、7・・・開口部。 1−・・ガラス基板 2− 第1の金属 3−・糸色縁イ本 4−  第2の金属 5、−1画素電極 6− 層間絶縁膜 7−開口部 第 1 ・図 第2図 1−・・ガラス基板 2・−第1の金属 6一−−系色縁f本 4− 第2の金属 5−画素電極 6一層間絶縁膜 7−・開口部 第3図 第4図 1−−−ガラス基板 2−・−第1の金属 3− 絶縁体 4−  第2の金属 5− 画素電極 61.一層間絶縁膜 7− 開口部 第6図
FIGS. 1(a>, b>, and c) are cross-sectional explanatory views showing the manufacturing process of the first embodiment of the nonlinear element for driving a display device of the present invention, and FIG. 3(a>, (b), and (c) are plan views of nonlinear elements for driving display devices manufactured by the manufacturing steps shown in FIG. 3(a), (b), and (c). FIG. 4 is a cross-sectional explanatory diagram showing the manufacturing process of a second embodiment of the nonlinear element, and FIG. 4 is a diagram showing the manufacturing process of FIG. Planar explanatory diagram of the element, FIGS. 5(a) and (b)
), '(c) are cross-sectional explanatory views showing the manufacturing process of the third embodiment of the nonlinear element for driving a display device of the present invention;
The figure is an explanatory plan view of a nonlinear element for driving a display device manufactured by the manufacturing process shown in FIGS. 5(a), (b), and (C),
FIG. 7 is an explanatory cross-sectional view showing a conventional MIM element, and FIG. 8 is a plan view of the MIM element shown in FIG. ]... Glass substrate, 2... First metal, 3... Insulator, 4... Second metal, 5... Pixel electrode, 6...
- Interlayer insulating film, 7... opening. 1-...Glass substrate 2--First metal 3--Thread-colored edge A book 4-Second metal 5,-1 pixel electrode 6-Interlayer insulating film 7-Opening part 1--Figure 2- ...Glass substrate 2 - First metal 6 - System color border f Book 4 - Second metal 5 - Pixel electrode 6 - Interlayer insulating film 7 - Opening part Figure 3 Figure 4 Figure 1 --- Glass substrate 2 - First metal 3 - Insulator 4 - Second metal 5 - Pixel electrode 61. Single layer insulating film 7 - Opening part Fig. 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第1の金属−絶縁体−第2の金属という構造を有
する表示装置駆動用非線形素子において、第2の金属と
前記絶縁体とが層間絶縁膜の開口部を介して接触してい
ることを特徴とする表示装置駆動用非線形素子。
(1) In a nonlinear element for driving a display device having a structure of first metal-insulator-second metal, the second metal and the insulator are in contact with each other through an opening in an interlayer insulating film. A nonlinear element for driving a display device, characterized in that:
JP1126203A 1989-05-19 1989-05-19 Display device driving nonlinear element Pending JPH02304534A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5521731A (en) * 1993-02-08 1996-05-28 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type liquid crystal display device and method of making the same whereby the switching MIM has its first electrode used for signal wiring and its second electrode used as pixel electrodes
US5568289A (en) * 1994-03-18 1996-10-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US5719647A (en) * 1994-11-08 1998-02-17 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type liquid crystal display apparatus having ESD protecting MIM beneath each reflective electrode

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5521731A (en) * 1993-02-08 1996-05-28 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type liquid crystal display device and method of making the same whereby the switching MIM has its first electrode used for signal wiring and its second electrode used as pixel electrodes
US5568289A (en) * 1994-03-18 1996-10-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US5719647A (en) * 1994-11-08 1998-02-17 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type liquid crystal display apparatus having ESD protecting MIM beneath each reflective electrode

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