JPH0331823A - Production of liquid crystal display device and electrode substrate - Google Patents

Production of liquid crystal display device and electrode substrate

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JPH0331823A
JPH0331823A JP1165362A JP16536289A JPH0331823A JP H0331823 A JPH0331823 A JP H0331823A JP 1165362 A JP1165362 A JP 1165362A JP 16536289 A JP16536289 A JP 16536289A JP H0331823 A JPH0331823 A JP H0331823A
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crystal display
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Keiko Ishizawa
石澤 慶子
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Abstract

PURPOSE:To obtain good display images by forming a counter electrode of a wiring electrode and transparent electrode, consisting the wiring electrode of a low resistance metal and providing these electrodes at the specified line width above the place between picture element electrodes or on the image element electrode. CONSTITUTION:The liquid crystal display device 1 is constituted by crimping a liquid crystal compsn. 51 between a 1st electrode substrate 11 and a 2nd electrode substrate 31. The electrode substrate 11 is formed of striped signal electrodes 35 formed on a transparent glass substrate 13, plural MIM elements 40 connected to the signal electrodes 35, the picture element electrodes 41 connected and installed to the MIM elements 40 and an oriented film 27 installed on these electrodes. The electrode substrate 31 is installed with the counter electrode 21 constituted of the wiring electrode 20a formed of tantalum, which is the low resistance metal similarly to the 1st metal 37 constituting the MIM elements 40, at a fine wire width of 10 micron and the counter electrode 21 constituted of the transparent electrode 20b on the substrate 13. Further, the oriented film 27 is installed on the counter electrode 21. The good display images are obtd. in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、スイッチング素子としてMIM(Meta
l−Insulator−Metal )素子を用いた
液晶表示装置と電極基板の製造方法に関する。
[Detailed description of the invention] [Object of the invention] (Industrial application field) The present invention uses MIM (Meta
The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device and an electrode substrate using an l-Insulator-Metal) element.

(従来の技術) 近年、時計・電卓・計M1機器等の比較的簡単なものか
ら、パーソナル・コンピュータ、ワード・プロセッサー
、更にはOA用の端末機器、TV画像表示等の大容量情
報表示の用途に液晶表示装置は使用されている。こうし
た大容量の液晶表示装置においては、マトリックス表示
のマルチプレックス駆動方式が一般に採用されている。
(Prior Art) In recent years, applications have expanded from relatively simple devices such as watches, calculators, and M1 devices to large-capacity information displays such as personal computers, word processors, terminal devices for office automation, and TV image displays. Liquid crystal display devices are used in In such large-capacity liquid crystal display devices, a matrix display multiplex driving method is generally adopted.

ところがこの方式は、液晶自身の本質的な特性によって
、表示部分(オン画素)と非表示部分(オフ画素)のコ
ントラスト比の点では、200本程度の走査線を有する
場合でも不十分であり、更に走査線が500本以上の大
規模なマトリックス駆動を行なう場合には、コントラス
トの劣化が致命的であった。
However, due to the essential characteristics of the liquid crystal itself, this method is insufficient in terms of contrast ratio between display areas (on pixels) and non-display areas (off pixels) even when it has about 200 scanning lines. Furthermore, when performing large-scale matrix driving with 500 or more scanning lines, the deterioration of contrast is fatal.

そして、この液晶表示装置のもつ欠点を解決するための
開発が、各所で盛んに行われている。その一つの方向が
、個々の画素を直接にスイッチ駆動するものである。そ
の場合のスイッチング素子として薄膜トランジスタが採
用されている。薄膜トランジスタを構成する半導体とし
て、これまで単結晶シリコン、多結晶シリコン、セレン
化カドミウム及びテルル等の種々の材料が提案されてき
たが、現在は非晶質シリコンが最も多く研究されている
。しかしながら、この種の液晶表示装置の製造において
は、微細加工工程が数回必要となり、工程が慢雑で歩留
りが悪くなることがあった。この結果、製品コストが高
くなり、また、大規模な液晶表示装置の製造が著しく困
難となっていた。
Developments to solve the drawbacks of this liquid crystal display device are actively being carried out in various places. One direction is to directly switch drive individual pixels. Thin film transistors are used as switching elements in this case. Various materials such as single crystal silicon, polycrystalline silicon, cadmium selenide, and tellurium have been proposed as semiconductors constituting thin film transistors, but amorphous silicon is currently being studied the most. However, in manufacturing this type of liquid crystal display device, several microfabrication steps are required, which may result in a complicated process and poor yield. As a result, product costs have increased, and manufacturing of large-scale liquid crystal display devices has become extremely difficult.

スイッチング素子列(アレイ)を用いた別の方向として
、非線形抵抗素子を用いたものがある。
Another way to use a switching element array is to use nonlinear resistance elements.

非線形抵抗素子は、薄膜トランジスタの三端子に比べて
、基本的に二端子で構造が簡単であり、製造が容易であ
る。このため、製品歩留りの向上が期待でき、コスト低
下の利点がある。
A nonlinear resistance element basically has a two-terminal structure and is easier to manufacture than a three-terminal thin film transistor. Therefore, an improvement in product yield can be expected, and there is an advantage in cost reduction.

非線形抵抗素子は、薄膜トランジスタと同様の材料を用
いて、接合形成したダイオードの型、酸化亜鉛を用いた
バリスタの型、電極間に絶縁物を挟んだ金属−絶縁層−
金属(M I M)型、更には金属電極間に半導電性の
層(MSI)を用いた型等が開発されている。
Nonlinear resistance elements are made of the same materials as thin film transistors, such as diode type junctions, varistor types using zinc oxide, and metal insulating layers with an insulator sandwiched between electrodes.
A metal (MIM) type and a type using a semiconductive layer (MSI) between metal electrodes have been developed.

このうちMIM型は、構造が最も簡単なものの一つで、
現在のところ実用化が最も近いということができる。
Among these, the MIM type has one of the simplest structures,
At present, it can be said that this is the closest to practical application.

一般にMIM$子を有する電極基板の製造は、ガラス基
板上にタンタル(Ta)膜をスパッタリング法や真空蒸
着法等の薄膜形成法により形成し、フォトリソグラフィ
技術等を用いて所望の信号電極とMIMの第1の金属と
を形成する。次に、第1の金属をクエン酸水溶液等を用
いた陽極酸化法により化成し、絶縁体を形成する。更に
、MIMのもう片方の電極としてクロム(C「)膜を、
薄膜形成法により形成し第2の金属とすることにより、
MIM素子が完成する。更にこの後には、画像表示用の
画素電極を第2の金属と接続形成すればよい。こうした
基本的な製造技術は特開昭55−61273号公報に開
示され、その改良技術が特開昭58−178320号公
報等に示されている。
Generally, in manufacturing an electrode substrate having MIM, a tantalum (Ta) film is formed on a glass substrate by a thin film forming method such as sputtering or vacuum evaporation, and then the desired signal electrode and MIM are formed using photolithography technology. and a first metal. Next, the first metal is chemically converted by an anodic oxidation method using an aqueous citric acid solution or the like to form an insulator. Furthermore, a chromium (C'') film was used as the other electrode of the MIM.
By forming it by a thin film formation method and using it as the second metal,
The MIM element is completed. Furthermore, after this, a pixel electrode for image display may be connected to the second metal. Such a basic manufacturing technique is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-61273, and improved techniques thereof are shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-178320, etc.

このようにして形成された第1の電極基板と、透明導電
体によってストライブ状に形成された対向電極を有する
第2の電極基板によって液晶組成物を挟持させて液晶表
示装置としていた。
A liquid crystal display device was obtained by sandwiching a liquid crystal composition between the first electrode substrate thus formed and the second electrode substrate having a counter electrode formed in a stripe shape of a transparent conductor.

(発明が解決しようとする課題) ところが液晶表示装置の大表示化が進むにつれて、信号
電極あるいは対向電極の配線長の増加、配線ピッチの極
細化の傾向にある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, as the display size of liquid crystal display devices progresses, there is a tendency for the wiring length of signal electrodes or counter electrodes to increase and for the wiring pitch to become extremely fine.

このような中、信号電極側を低抵抗化した液晶表示装置
は種々開発されているが、対向電極については同等解決
されていなかった。
Under these circumstances, various liquid crystal display devices with low resistance on the signal electrode side have been developed, but the same problem has not been solved regarding the counter electrode.

この対向電極の配線抵抗の増加に伴い、駆動波形の歪あ
るいは次定数の増加が起り、液晶表示装置の表示画像に
悪影響を及ぼすようになってきた。
As the wiring resistance of the counter electrode increases, the drive waveform becomes distorted or the order constant increases, which has an adverse effect on the displayed image of the liquid crystal display device.

この発明は上記した事情に鑑みてなされたものであり、
光透過率を低減させることなく配線抵抗を低減し、良好
な表示画像が得られる液晶表示装置を提供することを目
的とする。また、例えば上記の液晶表示装置の電極基板
等を簡略に製造し得る電極基板の製造方法を提供するこ
とを目的としたものである。
This invention was made in view of the above circumstances,
It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device that can reduce wiring resistance without reducing light transmittance and provide a good display image. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electrode substrate, which can easily manufacture the electrode substrate of the above-mentioned liquid crystal display device, for example.

[発明の構成1 (課題を解決するための手段) 本発明の液晶表示装置は、複数の画素電極及びその各々
に電気的に接続した第1の金属−絶縁体一第2の金属よ
りなる非線形抵抗素子を基板上に形成した第1の電極基
板と、この第1の電極基板の画素電極に対向する対向電
極を備えた第2の電極基板と、第1の電極基板と第2の
電極基板によって挟持される液晶組成物とを備えた液晶
表示装置であって、対向電極は配線電極と透明電極によ
って構成されており、この配線電極は低抵抗金属より成
り、画素電極間上部に設けられるか、あるいは画素電極
上に10ミクロン以下の線幅で設けられていることを特
徴としたものである。
[Structure 1 of the Invention (Means for Solving the Problems) The liquid crystal display device of the present invention has a nonlinear display device comprising a plurality of pixel electrodes and a first metal-insulator-second metal electrically connected to each of the pixel electrodes. a first electrode substrate on which a resistive element is formed; a second electrode substrate having a counter electrode facing the pixel electrode of the first electrode substrate; a first electrode substrate and a second electrode substrate. A liquid crystal display device comprising a liquid crystal composition sandwiched between pixel electrodes, wherein the opposing electrode is composed of a wiring electrode and a transparent electrode, and the wiring electrode is made of a low resistance metal and is provided above between the pixel electrodes. Alternatively, it is characterized by being provided on the pixel electrode with a line width of 10 microns or less.

また本発明の電極基板の製造方法は、基板上の第1の領
域に複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した第
1の金属−絶縁体一第2の金属よりなる非線形抵抗素子
と、基板の第1の領域とは異なる第2の領域に配線電極
と透明電極より成る対向電極とを形成する第1の工程と
、基板を第1の領域と第2の領域とに分割し、画素電極
を備えた第1の電極基板と、対向電極を備えた第2の電
極基板とを形成する第2の工程とを備えたものであって
、第1の工程が、第1の金属もしくは第2の金属を形成
すると同時に基板上に配線電極を形成する工程と、画素
電極を形成すると同時に透明電極を形成する工程から選
ばれる少なくとも一方の工程を行なった後に他方の工程
を行なうことを特徴としたものである。
Further, the method for manufacturing an electrode substrate of the present invention includes a plurality of pixel electrodes in a first region on the substrate and a nonlinear resistance element made of a first metal-insulator-second metal electrically connected to each of the pixel electrodes. , a first step of forming a wiring electrode and a counter electrode made of a transparent electrode in a second region different from the first region of the substrate, and dividing the substrate into a first region and a second region, A second step of forming a first electrode substrate having a pixel electrode and a second electrode substrate having a counter electrode, wherein the first step is to form a first metal or a second electrode substrate. The feature is that at least one process selected from the process of forming a wiring electrode on the substrate at the same time as forming the second metal, and the process of forming a transparent electrode at the same time as forming the pixel electrode is performed, and then the other process is performed. That is.

(作  用) 本発明者等は種々の実験により、対向電極に要求される
抵抗値は1007口であり、これを実現することにより
初めて良好な表示特性が得られる液晶表示装置とするこ
とができることを見い出した。
(Function) Through various experiments, the present inventors have found that the resistance value required for the counter electrode is 1007, and that by realizing this, it is possible to obtain a liquid crystal display device that can obtain good display characteristics for the first time. I found out.

対向電極の抵抗値を下げるべく種々検討した結果、対向
電極の膜厚を厚くすることにより低抵抗化することには
限界がある。即ち、対向電極はI。
As a result of various studies to lower the resistance value of the counter electrode, there is a limit to the ability to lower the resistance by increasing the thickness of the counter electrode. That is, the counter electrode is I.

T、 0.  (Indium Tin 0xide)
等の透明導電体によって形成されており、膜の緻密性に
もよるがF紀した抵抗値を実現するためには膜厚を大き
くする必要がある。液晶表示装置の対向電極にこのよう
な厚膜の1. T、 0.等を設置することは、光透過
率の低下を招き、コントラスト特性の良好な表示が得ら
れなくなってしまう。
T, 0. (Indium Tin Oxide)
Although it depends on the density of the film, it is necessary to increase the film thickness in order to achieve a resistance value of F. Such a thick film 1. is applied to the counter electrode of a liquid crystal display device. T, 0. Providing such a display will result in a decrease in light transmittance, making it impossible to obtain a display with good contrast characteristics.

このようなことから、対向電極を2Pli類の材料によ
り形成することに着眼した。即ち、対向電極を抵抗値の
低い金属と、従来と同様な1. T、 0゜等の透明電
極によって形成することにより、抵抗値を十分に低下さ
せることができる。この低抵抗金属とは、例えば銅(C
u)、タンタル(Ta)、アルミ(Aり、チタン(T1
)あるいはこれら金属から選ばれる合金等が挙げられる
For this reason, we focused on forming the counter electrode from a 2Pli type material. That is, the counter electrode is made of a metal with a low resistance value, and 1. By forming a transparent electrode of T, 0°, etc., the resistance value can be sufficiently reduced. This low resistance metal is, for example, copper (C
u), tantalum (Ta), aluminum (Ari), titanium (T1
) or alloys selected from these metals.

しかし、低抵抗金属によって形成される配線電極は光不
透過であるため、液晶表示装置の光透過率を低下させな
いようにする必要がある。このため、本発明者は種々の
実験より画素電極間−上部の表示領域外部に設けるか、
あるいは表示領域内部に設ける場合は光透過率を10ミ
クロン以下の線幅にすることを見い出した。配線電極の
線幅が10ミクロン以上であると、液晶表示装置として
十分な光透過率が得られなくなってしまう。また少なく
とも対向電極の抵抗値を1007口とするためには3ミ
クロン以上の線幅であることが好ましい。
However, since wiring electrodes formed of low-resistance metal do not transmit light, it is necessary to prevent the light transmittance of the liquid crystal display device from decreasing. For this reason, the inventors of the present invention have determined from various experiments whether the
Alternatively, it has been found that when provided inside the display area, the light transmittance can be set to a line width of 10 microns or less. If the line width of the wiring electrode is 10 microns or more, sufficient light transmittance for a liquid crystal display device will not be obtained. Further, in order to at least make the resistance value of the counter electrode 1007, it is preferable that the line width be 3 microns or more.

ところで、液晶表示装置の対向電極を上記したように配
線電極と透明電極の2層で形成することは、製造上から
好ましくない。
By the way, from the viewpoint of manufacturing, it is not preferable to form the counter electrode of a liquid crystal display device with two layers of a wiring electrode and a transparent electrode as described above.

従来の非線形抵抗素子を備えた電極基板の製造方法は、
一方の基板上に複数の非線形抵抗素子及び画素電極を備
えた第1の電極基板を形成し、また他方の基板に画素電
極に対向する対向電極を備えた第2の電極基板を形成す
るもので、例えばこれら一対の基板に液晶組成物を挟持
させて液晶表示装置としていた。
The conventional manufacturing method of an electrode substrate equipped with a nonlinear resistance element is as follows:
A first electrode substrate having a plurality of nonlinear resistance elements and pixel electrodes is formed on one substrate, and a second electrode substrate having a counter electrode facing the pixel electrodes is formed on the other substrate. For example, a liquid crystal display device has been produced by sandwiching a liquid crystal composition between a pair of these substrates.

このため、上記した複雑な構成の液晶表示装置を製造す
るには、配線電極を形成するため少なくとも1回のフォ
トリソグラフィ工程が増加してしまう。
Therefore, in order to manufacture a liquid crystal display device having the above-described complicated structure, at least one photolithography process is required to form wiring electrodes.

そこで本発明者は非線形抵抗素子を備えた電極基板の製
造方法について種々検討した結果、同一基板で第1の電
極基板と第2の電極基板を同05に形成することを見い
出した。そして、更に1の電極基板の画素電極と第2の
電極基板の透明電極を同一部材で同時に形成し、また第
1の電極基板の配線電極と第2の電極基板の非線形抵抗
素子を構成する金属と同一部材で同時に形成することに
より、構成の複雑化に伴なうフォトリソグラフィ工程の
増加を防ぐことができる。即ち、第2の電極基板の製造
工程内で十分に第1の電極基板を形成することができる
ためである。
As a result of various studies on manufacturing methods for electrode substrates equipped with nonlinear resistance elements, the inventors of the present invention discovered that the first electrode substrate and the second electrode substrate can be formed on the same substrate in the same manner. Furthermore, the pixel electrode of the first electrode substrate and the transparent electrode of the second electrode substrate are simultaneously formed using the same material, and the metal forming the wiring electrode of the first electrode substrate and the nonlinear resistance element of the second electrode substrate is formed. By simultaneously forming them using the same material, it is possible to prevent an increase in the number of photolithography steps due to a complicated structure. That is, this is because the first electrode substrate can be sufficiently formed within the manufacturing process of the second electrode substrate.

(実 施 例) 以下、この発明の詳細を図面を参照して説明する。第1
図は本発明の一実施例に係る液晶表示装置の一表示部分
の概略断面図を示すものであり、また第2図は第1図に
おいてA−A−線に沿って切断した断面図を示すもので
ある。
(Example) The details of this invention will be explained below with reference to the drawings. 1st
The figure shows a schematic cross-sectional view of one display part of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a cross-sectional view taken along the line A-A- in FIG. It is something.

本実施例の液晶表示装置(1)は、第1の電極基板(1
1)と第2の電極基板(31)に液晶組成物(51)が
挟持されて成っている。
The liquid crystal display device (1) of this example has a first electrode substrate (1
1) and a second electrode substrate (31), and a liquid crystal composition (51) is sandwiched therebetween.

第1の電極基板(11)は、透明なガラス基板(13)
上に形成されたストライブ状の信号電極(35)と、こ
の信号電極(35)に接続された複数のMIM素子(4
0)と、このMIM素子(40)に接続設置された画素
電極(41)と、これら電極上に設置された配向膜(2
7)によって形成されている。
The first electrode substrate (11) is a transparent glass substrate (13)
A striped signal electrode (35) formed on the top and a plurality of MIM elements (4) connected to this signal electrode (35).
0), a pixel electrode (41) connected and installed to this MIM element (40), and an alignment film (2) installed on these electrodes.
7).

このMIM素子(40)は、第2図に示すようにガラス
基板(13)側から信号電極(35)と一体のタンタル
(Ta)より成る第1の金属(37)、絶縁体(38)
、チタン(Ti)より成る第2の金属(39)といった
積層構造となっている。
As shown in FIG. 2, this MIM element (40) consists of a first metal (37) made of tantalum (Ta) integrated with a signal electrode (35), and an insulator (38) from the glass substrate (13) side.
, and a second metal (39) made of titanium (Ti).

次に、第2の電極基板(31)は透明なガラス基板〈1
3)上にMIM素子(40)を構成する第1の金属(3
7)と同様に、低抵抗金属であるタンタル(Ta)によ
って10ミクロンの微細な線幅で形成された配va電極
(20a)と、配線電極(20a)を被覆したストライ
ブ状の透明電極(20b)によって構成さる対向電極(
21)が設置されいる。そして第1図に示すように、配
線電極(20a)は対向する画素電極(41)間上部に
ストライブ状に形成されものであって、液晶表示装置(
1)の表示領域は避けて設置されているため、液晶表示
装置の光透過率を低下させることはない。
Next, the second electrode substrate (31) is a transparent glass substrate <1
3) Place the first metal (3) constituting the MIM element (40) on top.
Similarly to 7), the wiring electrode (20a) is made of tantalum (Ta), a low resistance metal, and has a fine line width of 10 microns, and the striped transparent electrode (20a) is covered with the wiring electrode (20a). 20b) constituted by a counter electrode (
21) is installed. As shown in FIG. 1, the wiring electrodes (20a) are formed in a stripe shape above between the opposing pixel electrodes (41), and are formed in the liquid crystal display device (
Since the display area 1) is installed to avoid the display area, the light transmittance of the liquid crystal display device is not reduced.

ここでは配線電極(20a)を画素電極(41)間上部
に設置されるようにしたが、線幅が10ミクロン以下で
あれば画素電極上に設置されるようにしても良い。
Here, the wiring electrode (20a) is placed above between the pixel electrodes (41), but it may be placed on the pixel electrode as long as the line width is 10 microns or less.

更に、この対向電極(21)上に配向膜(27)が設置
されて、第2の電極基板(31)は構成されている。
Further, an alignment film (27) is provided on this counter electrode (21) to constitute a second electrode substrate (31).

このような第1の電極基板(11)と第2の電極基板(
31)によって液晶組成物(51)が挟持され液晶表示
装置(1)は構成されている。
Such a first electrode substrate (11) and a second electrode substrate (
A liquid crystal display device (1) is constructed by sandwiching a liquid crystal composition (51) between the liquid crystal compositions (51) and (31).

そして第3図に示すように、第1の電極基板(11)の
信号電極(35)を信号電極駆動手段(61)に、第2
の電極基板(31)の対向電極を対向電極駆動手段(7
1)に接続し、制御手段(81)によって制御すること
によって液晶表示装置(1)を動作させることができる
Then, as shown in FIG. 3, the signal electrode (35) of the first electrode substrate (11) is connected to the signal electrode driving means (61), and the second
The counter electrode of the electrode substrate (31) is connected to the counter electrode drive means (7).
1) and is controlled by the control means (81), the liquid crystal display device (1) can be operated.

この信号電極駆動手段(81)、対向電極駆動手段(7
1)はシフトレジスタ回路と、ドライバ回路によって構
成されており、制御手段からのタイミング信号に同期し
て情報信号を順次印加するものである。
The signal electrode drive means (81) and the counter electrode drive means (7
1) is composed of a shift register circuit and a driver circuit, and sequentially applies information signals in synchronization with a timing signal from a control means.

本実施例の液晶表示装置(1)では上記したように、対
向電極(21)の一部を構成する低抵抗金属より成る配
線電極(20a)を対向する画素電極(41)間上部に
形成することにより、透明電極(20b)は従来と同様
の膜厚の1.  T、  O,膜等によって形成しても
、光透過率を低下させることなく対向電極(21)の配
線抵抗を10Ω/口とすることができた。
As described above, in the liquid crystal display device (1) of this embodiment, the wiring electrode (20a) made of a low-resistance metal and forming a part of the counter electrode (21) is formed above between the opposing pixel electrodes (41). As a result, the transparent electrode (20b) has the same thickness as the conventional one. Even when formed using T, O, film, etc., the wiring resistance of the counter electrode (21) could be set to 10 Ω/hole without reducing the light transmittance.

このため従来の液晶表示装置に比べて次定数が低下する
ことなく、はるかに良好な表示画像が得られた。
Therefore, compared to conventional liquid crystal display devices, a much better display image was obtained without a decrease in the order constant.

次に、このような液晶表示装置の製造方法を第4図を参
照して詳述する。
Next, a method for manufacturing such a liquid crystal display device will be described in detail with reference to FIG.

まず、第4図(a)に示すように、透明なガラス基板(
13)上にスパッタリングによりタンタル(Ta)膜(
14)を3000オングストロームの膜厚で形成する。
First, as shown in FIG. 4(a), a transparent glass substrate (
13) A tantalum (Ta) film (
14) is formed with a film thickness of 3000 angstroms.

このスパッタリングの初期の状態でアルゴンガスに10
%の酸素を添加することにより、タンタル(Ta)膜(
14)のガラス基板(13)との接触面は300オング
ストロ一ム程度酸化物層となり、これにより良好な密着
性を確保することができる。
In the initial state of this sputtering, 10
By adding % of oxygen, tantalum (Ta) film (
The contact surface of 14) with the glass substrate (13) is an oxide layer of about 300 angstroms, thereby ensuring good adhesion.

また、この酸化物層(図示せず)は、タンタル(Ta)
膜(14)表面で外光が反射することを防ぐ効果も奏す
る。
Additionally, this oxide layer (not shown) is made of tantalum (Ta).
It also has the effect of preventing external light from being reflected on the surface of the film (14).

次に、タンタル(Ta)膜(14)上にレジストを塗布
した後に、マスクを用いて露光・現像し、信号電極(3
5)とM I M素子(40)を構成する第1の金属(
37)を形成するための複数のレジストパターン(15
a)をガラス基板(13)の第1の領域上に形成すると
同時に、対向電極(21)を構成する配線電極(20a
)を形成するためのレジストパターン(15b)を同一
ガラス基板(13)の第2の領域に本形成する。
Next, after coating a resist on the tantalum (Ta) film (14), it is exposed and developed using a mask, and the signal electrode (3
5) and the first metal (
A plurality of resist patterns (15) for forming resist patterns (37)
a) on the first region of the glass substrate (13), and at the same time, a wiring electrode (20a) constituting the counter electrode (21).
) is actually formed on a second region of the same glass substrate (13).

ここで、第1の領域とはガラス基板(13)の中心部で
1/2に区切られる領域とし、第2の領域とはガラス括
板り13)の残り1/2の領域とした。
Here, the first region is a region divided into 1/2 parts at the center of the glass substrate (13), and the second region is the remaining 1/2 region of the glass plate 13).

ぞして第4図(b)に示すように、ガラス基板(13)
をCF4と02を1;2の割合で混合したプラズマ中で
ドライエツチングし、所望の電極パターンを得る。
As shown in FIG. 4(b), the glass substrate (13)
is dry-etched in a plasma containing a mixture of CF4 and 02 at a ratio of 1:2 to obtain a desired electrode pattern.

次に、信号電極(35)と第1の金属(37)表面を0
.01 rn量%クエン酸水溶液中で陽極酸化し、伝号
電極り35)と第1の金属(37)表面に700オング
ストロームの膜厚で絶縁体(38)を形成する。
Next, the surfaces of the signal electrode (35) and the first metal (37) are
.. An insulator (38) with a film thickness of 700 angstroms is formed on the surfaces of the transmission electrode 35) and the first metal (37) by anodizing in a citric acid aqueous solution containing 01 rn amount.

次に第4図(c)に示すように、絶縁体(3g)、1に
スパッタリングにより、1500オングストロームの膜
厚でチタン(Ti)膜(図示せず)を形成する。このチ
タン(Ti)膜上にレジストを塗布しマスクを用いて露
光・現像し、アンモニア水と過酸化水素とEDTAと水
の混合物によってエッチ〉・グし1、第1の金属(37
)表面に設置された絶縁体(38)上にのみチタン(T
j)膜を形成して第2の金属(39)とし、このように
して信号電極(35)とN11M素子(40)は構成さ
れる。
Next, as shown in FIG. 4(c), a titanium (Ti) film (not shown) with a thickness of 1500 angstroms is formed on the insulator (3g) 1 by sputtering. A resist was applied on this titanium (Ti) film, exposed and developed using a mask, and etched with a mixture of ammonia water, hydrogen peroxide, EDTA and water.
) titanium (T) only on the insulator (38) installed on the surface
j) Form a film to serve as the second metal (39), thus forming the signal electrode (35) and the N11M element (40).

次に、第4図(d)に示すように1.7. 0膜(17
)をスパッタリングによって全面に形成する。
Next, as shown in FIG. 4(d), 1.7. 0 membrane (17
) is formed on the entire surface by sputtering.

そして第2の金属(39)に接続される画素電極(40
)及び配線電極(20a)に接続される透明?(i極(
20b)を形成するために所定の形状の複数のレジスト
パターン(tea) 、 (18b)をガラス基板(1
3)の第1の領域、第2の領域に設置する。
The pixel electrode (40) is connected to the second metal (39).
) and the transparent electrode connected to the wiring electrode (20a)? (i-pole (
20b), a plurality of resist patterns (tea) of a predetermined shape, (18b) are placed on a glass substrate (1
3) are installed in the first area and the second area.

続いてエツチング処理をして、第4図(e)に示すよう
に、MIM素子(40)部の第2の金属(39)に接続
される画素電極(41)と、配線電極(20a)上に設
置されるストライブ状の透明電極(20b)を形成する
Subsequently, an etching process is performed to remove the pixel electrode (41) connected to the second metal (39) of the MIM element (40) and the top of the wiring electrode (20a), as shown in FIG. 4(e). A striped transparent electrode (20b) is formed.

第5図は、このような状態のガラス基板(13)の概略
斜視図を示すもので、同一ガラス基板(13)上に複数
の画素電極(41)あるいは対向電極(21)が形成さ
れる。
FIG. 5 shows a schematic perspective view of the glass substrate (13) in such a state, and a plurality of pixel electrodes (41) or counter electrodes (21) are formed on the same glass substrate (13).

このようなガラス基板(13)を第1の領域と第2の領
域で切断し、第4図(f)に示すように画素電極(41
)を備えた第1の電極基板(目)と、対向電極(21)
を備えた第2の電極基板(31)を形成する。
Such a glass substrate (13) is cut into the first region and the second region, and the pixel electrode (41) is cut as shown in FIG. 4(f).
) and a counter electrode (21).
A second electrode substrate (31) is formed.

尚、このようにして得られた第1の電極基板(11)と
第2の電極基板(31)から液晶表示装置(1)を形成
するには、例えば次のよ・)にすればよい。
In order to form a liquid crystal display device (1) from the first electrode substrate (11) and second electrode substrate (31) obtained in this way, the following steps may be performed, for example.

得られた第1の電極基板(11)のMIM素子(40)
形成面及び第2の電極基板(31)の対向電極(21)
形成面に、ポリイミド樹脂からなる配向膜を塗布・焼成
しラビングすることにより、液晶組成物(51)の配向
方向を規制する。そして第1の電極基板(11)の対向
電極(21)と第2の電極基板(31)の信号電極(3
5)が直交する方向で液晶組成物(51)を介し、対向
電極(21)と画素電極(41)と重なるように形成す
る。このようにして液晶組成物(51〉の分子長軸方向
が両基板(11)、(31)間で約90°ねじれるよう
に5〜20μmの間隔を保って保持させ、液晶組成物(
51)を注入する。そして、第1の7ヒ極基板(11)
及び第2の電極基板(31)の外側に偏光軸を約90゜
ねじった形でガラス基板(13) 1(33)に偏光板
(39)。
MIM element (40) of the obtained first electrode substrate (11)
Opposite electrode (21) on forming surface and second electrode substrate (31)
The alignment direction of the liquid crystal composition (51) is regulated by applying, baking and rubbing an alignment film made of polyimide resin on the formation surface. The counter electrode (21) of the first electrode substrate (11) and the signal electrode (3) of the second electrode substrate (31)
5) are formed so as to overlap with the counter electrode (21) and the pixel electrode (41) with the liquid crystal composition (51) in between. In this way, the liquid crystal composition (51) is maintained at an interval of 5 to 20 μm so that the long axis direction of the molecules is twisted approximately 90° between the substrates (11) and (31).
51). And the first 7 hypopolar substrate (11)
and a polarizing plate (39) on the glass substrate (13) 1 (33) with the polarization axis twisted by about 90 degrees on the outside of the second electrode substrate (31).

(49)を配置すればよい。(49) may be placed.

このように同一基板で第1の電極基板(11)と第2の
電極基板(31)を、上記したように形成することによ
り、対向電極(21)の構成のy2雑化に伴なう製造工
程の増加を防ぐことができた。また従来に比べて、製造
に使用されるマスクの数を大幅に減少させることができ
た。
By forming the first electrode substrate (11) and the second electrode substrate (31) on the same substrate as described above, it is possible to reduce the manufacturing cost due to the y2 complexity of the configuration of the counter electrode (21). We were able to prevent an increase in the number of processes. Additionally, compared to conventional methods, the number of masks used in manufacturing could be significantly reduced.

更に、対向電極(21)の配線電極(20a)をMIM
素子(40)を構成する低抵抗金属によって形成するた
め、対向電極(21)の配線抵抗を低下させ伝送途−r 中にお%る信号の波形歪を解消し良好な表示画像が得ら
れる液晶表示装置(1)とすることができた。
Furthermore, the wiring electrode (20a) of the counter electrode (21) is MIM
Since the element (40) is made of a low-resistance metal, the wiring resistance of the counter electrode (21) is reduced and the waveform distortion of the signal during transmission is eliminated, making it possible to obtain a good display image. It could be used as a display device (1).

本実施例ではMIM素子(40)の第1の金属(37)
を形成すると同時に配線電極(20a)を形成したが、
本発明はこれに限ることなく、第2の金属(39)形成
ど同時に配線電極(20a)を形成するものであっても
良い。また画′ll電極(41)を形成した後に第2の
金属(39)を形成しMIM素子(40)を形成しても
良い。
In this example, the first metal (37) of the MIM element (40)
At the same time as forming the wiring electrode (20a),
The present invention is not limited to this, and the wiring electrode (20a) may be formed at the same time as the second metal (39) is formed. Alternatively, after forming the picture 'll electrode (41), the second metal (39) may be formed to form the MIM element (40).

(他の実施例) 上述した実施例では、液晶表示装置(1)を構成するM
IM素子(40)の第1の金属(37)と対向電極(2
1)を形成する配線電極(20a)とを同一の工程で同
一金属で形成したが、例えば対向電極(21)は透明電
極(20b)上に配線電極(20a)を設置し構成した
ものであっても良い。このような構成は、例えば次のよ
うにして製造することにより容易に得ることができる。
(Other Embodiments) In the embodiments described above, M constituting the liquid crystal display device (1)
The first metal (37) and the counter electrode (2) of the IM element (40)
Although the wiring electrode (20a) forming 1) was formed of the same metal in the same process, for example, the counter electrode (21) was constructed by installing the wiring electrode (20a) on a transparent electrode (20b). It's okay. Such a configuration can be easily obtained, for example, by manufacturing as follows.

第6図はこの実施例に係る液晶表示装置の製造方法を示
す概略プロセス図であり、これを参照し、第1の実施例
と同一箇所は省略し説明する。
FIG. 6 is a schematic process diagram showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to this embodiment, and the same parts as those in the first embodiment will be omitted and explained with reference to this process diagram.

まず、第6図(a)に示すように、透明なガラス基板(
13)上にスパッタリングによりタンタル(Ta)膜(
14)を3000オングストロームの膜厚で形成し、更
に、タンタル(Ta)膜(14)上にレジストを塗布し
た後に、マスクを用いて露光・現像し、信号電極(35
)とMIM素子(40)を構成する第1の金属(37)
を形成するための複数のレジストパターン(15a)を
ガラス基板(13)の第1の領域上に形成する。ここで
も、第1の領域とはガラス基板(13)の中心部でl/
2に区切られる領域とし、第2の領域とはガラス基板(
13)の残り1/2の領域とした。
First, as shown in FIG. 6(a), a transparent glass substrate (
13) A tantalum (Ta) film (
14) with a film thickness of 3000 angstroms, and further, after coating a resist on the tantalum (Ta) film (14), it was exposed and developed using a mask to form a signal electrode (35).
) and the first metal (37) constituting the MIM element (40)
A plurality of resist patterns (15a) are formed on a first region of a glass substrate (13). Here again, the first region is the center of the glass substrate (13)
The area is divided into two areas, and the second area is the glass substrate (
The remaining 1/2 area of 13) was used.

そして第6図(b)に示すように、ガラス基板(13)
をCF4と02を1:2の割合で混合したプラズマ中で
ドライエツチングし、所望の電極パターンの信号電極(
35)と第1の金属(37)を得る。
As shown in FIG. 6(b), a glass substrate (13)
is dry-etched in a plasma containing a mixture of CF4 and 02 at a ratio of 1:2 to form a signal electrode (
35) and the first metal (37) are obtained.

そして、信号電極(35)と第1の金属(37)表面を
0.01重量%クエン酸水溶液中で陽極酸化し、信号電
極(35)と第1の金属(37)表面に700オングス
トロームの膜厚で絶縁体(38)を形成する。
Then, the surfaces of the signal electrode (35) and the first metal (37) are anodized in a 0.01% by weight citric acid aqueous solution, and a 700 angstrom film is formed on the surfaces of the signal electrode (35) and the first metal (37). A thick insulator (38) is formed.

次に第6図(C)に示すように、第1の領域の絶縁体く
38)を除く部分には複数の画素電極(41)を、また
第2の領域にはストライブ状の透明電極(20b)を形
成する。これは1. T、 0.膜をスパッタリングに
よって全面に形成した後にエツチングすることにより形
成することができる。
Next, as shown in FIG. 6(C), a plurality of pixel electrodes (41) are provided in the first region excluding the insulator 38), and a striped transparent electrode is provided in the second region. (20b) is formed. This is 1. T, 0. It can be formed by forming a film over the entire surface by sputtering and then etching it.

そして第6図(d)に示すように、第1の領域の画素電
極(40)及び絶縁体(38)を接続すると共にMIM
素子(40)を構成する第2の金属(39)を形成する
と同時に、第2の領域の透明電極(20b)上にストラ
イプ状の配線電極(20a)を第2の金属(39)と同
一部材で形成する。これも第2の金属(39)を形成す
るチタン(Ti)を第1の領域及び第2の領域全面に形
成した後に、エツチング処理をして形成することができ
る。
Then, as shown in FIG. 6(d), the pixel electrode (40) and the insulator (38) in the first region are connected, and the MIM
At the same time as forming the second metal (39) constituting the element (40), a striped wiring electrode (20a) is formed on the transparent electrode (20b) in the second region using the same material as the second metal (39). to form. This can also be formed by etching after forming titanium (Ti), which forms the second metal (39), over the entire surface of the first region and the second region.

このようなガラス基板(13)を第1の実施例と同様に
して第1の領域と第2の領域で切断することによって、
画素電極(41)を備えた第1の電極基板(11)と、
対向電極(21)を備えた第2の電極基板(31)を形
成する。
By cutting such a glass substrate (13) into the first region and the second region in the same manner as in the first embodiment,
a first electrode substrate (11) including a pixel electrode (41);
A second electrode substrate (31) having a counter electrode (21) is formed.

このようにして得られた第1の電極基板(11)と第2
の電極基板(31)に、第1の実施例と同様に液晶組成
物(51)を挟持させて液晶表示装置(1)とした。
The thus obtained first electrode substrate (11) and the second electrode substrate (11)
A liquid crystal display device (1) was prepared by sandwiching a liquid crystal composition (51) between the electrode substrates (31) in the same manner as in the first example.

以上説明したように、対向電極の構成が複雑化しても、
同一基板上に第1の電極基板(11)と第2の電極基板
を形成することにより、第1の実施例と同様に第2の電
極基板(31)を製造すると同様の工程数で製造するこ
とができる。そして、従来では第1の電極基板(11)
用のマスクと第2の電極基板(31)用のマスクが夫々
複数必要であったのに対し、本実施例の液晶表示装置の
製造方法では同一基板上に第1の電極基板(11)と第
2の電極基板を同時に形成することによりマスク数を大
幅に減少できる。
As explained above, even if the configuration of the counter electrode becomes complicated,
By forming the first electrode substrate (11) and the second electrode substrate on the same substrate, the second electrode substrate (31) can be manufactured in the same number of steps as in the first embodiment. be able to. Conventionally, the first electrode substrate (11)
In contrast, in the manufacturing method of the liquid crystal display device of this embodiment, the first electrode substrate (11) and the second electrode substrate (11) are formed on the same substrate. By simultaneously forming the second electrode substrate, the number of masks can be significantly reduced.

また、このようにして製造される液晶表示装置(1)で
は、対向電極(21)の配線抵抗を従来に比べて大幅に
減少でき、良好な表示画像を得ることができた。
Furthermore, in the liquid crystal display device (1) manufactured in this manner, the wiring resistance of the counter electrode (21) could be significantly reduced compared to the conventional device, and a good display image could be obtained.

ここでは、本発明の7M極基板の製造方法を液晶表示装
置gに適用した場合を示したが、この他にも種々のもの
に利用することもできる。
Here, a case has been shown in which the method for manufacturing a 7M polarity substrate of the present invention is applied to a liquid crystal display device g, but it can also be applied to various other devices.

〔発明の効果] 以上詳述したように、本発明の液晶表示装置は、対向電
極を透明電極と低抵抗金属により形成される配線電極と
を備えた構成とし、この配線電極を画素電極間上部ある
いは画素電極上に10ミクロン以下の線幅で設置するこ
とにより、液晶表示装置の光透過率を成上させることな
く配線抵抗を抑えることにより、良好な表示画像を得る
ことができる液晶表示装置とすることができた。このた
め、本発明の液晶表示装置は、特に大表示画面の液晶表
示装置に適し、その効果を十分に発揮できる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, the liquid crystal display device of the present invention has a configuration in which the counter electrode includes a transparent electrode and a wiring electrode formed of a low-resistance metal, and the wiring electrode is connected to the upper part between the pixel electrodes. Alternatively, by installing the line width on the pixel electrode with a line width of 10 microns or less, the wiring resistance can be suppressed without increasing the light transmittance of the liquid crystal display, thereby making it possible to obtain a good display image. We were able to. Therefore, the liquid crystal display device of the present invention is particularly suitable for a liquid crystal display device with a large display screen, and can fully exhibit its effects.

また本発明の7ti極基板の製造方法では、同一基板−
1−で非線形抵抗素子を構成する金属形成と同時に対向
電極を構成する配線電極を形成し、画素電極形成と同時
に対向電極を構成する透明電極を形成することにより、
対向電極の構成が複雑であっても製造工程が増加するこ
となく、容易に製造することができる。また同一基板で
第1の電極基板と第2の電極基板とを同時に形成するこ
とにより、製造に使用されるマスク数を従来に比べて大
幅に減少させることもできる。
In addition, in the method for manufacturing a 7ti electrode substrate of the present invention, the same substrate
By forming the wiring electrode forming the counter electrode at the same time as forming the metal forming the nonlinear resistance element in step 1-, and forming the transparent electrode forming the counter electrode at the same time as forming the pixel electrode,
Even if the configuration of the counter electrode is complicated, it can be easily manufactured without increasing the number of manufacturing steps. Furthermore, by simultaneously forming the first electrode substrate and the second electrode substrate on the same substrate, the number of masks used in manufacturing can be significantly reduced compared to the conventional method.

このように本発明の液晶表示装置に用いる電極基板の製
造方法は、構成が複雑な液晶表示装置であっても、生産
性を損うことなく、容易に製造することができる。
As described above, the method for manufacturing an electrode substrate used in a liquid crystal display device of the present invention allows even a liquid crystal display device with a complicated structure to be easily manufactured without impairing productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る液晶表示装置の概略正
面図、第2図は第1図の液晶表示装置のA−A″線に沿
って切断した断面図、第3図は本実施例の液晶表示装置
を使用し、だ液晶表示器の概略構成図、第4図は本実施
例の液晶表示装置の概略プロセス図、第5図は第4図(
e)におけるガラス基板の概略斜視図、第6図は他の実
施例の液晶表示装置の概略プロセス図示すものである。 (1)・・・液晶表示装置 (11)・・・第1の電極基板 (20a)・・・配線電極 (20b)・・・透明電極 (2L)・・・対向電極 (31)・・第2の電極基板 (40)・・・MIM、g子 (51)・・・液晶組成物
FIG. 1 is a schematic front view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 1 taken along line A-A″, and FIG. A schematic configuration diagram of the liquid crystal display device, FIG. 4 is a schematic process diagram of the liquid crystal display device of this example, and FIG.
FIG. 6 is a schematic perspective view of the glass substrate in e) and a schematic process diagram of a liquid crystal display device of another embodiment. (1)...Liquid crystal display device (11)...First electrode substrate (20a)...Wiring electrode (20b)...Transparent electrode (2L)...Counter electrode (31)...First No. 2 electrode substrate (40)...MIM, g-son (51)...liquid crystal composition

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した
第1の金属−絶縁体−第2の金属よりなる非線形抵抗素
子を基板上に形成した第1の電極基板と、この第1の電
極基板の前記画素電極に対向する対向電極を備えた第2
の電極基板と、前記第1の電極基板と前記第2の電極基
板によって挟持される液晶組成物とを備えた液晶表示装
置において、 前記対向電極は配線電極と透明電極によって構成されて
おり、この配線電極は低抵抗金属より成り、前記画素電
極間上部に設けられるか、あるいは画素電極上に10ミ
クロン以下の線幅で設けられていることを特徴とした液
晶表示装置。
(1) A first electrode substrate on which a plurality of pixel electrodes and a nonlinear resistance element made of a first metal-insulator-second metal electrically connected to each of the pixel electrodes are formed; a second electrode comprising a counter electrode facing the pixel electrode of the electrode substrate;
In the liquid crystal display device comprising an electrode substrate and a liquid crystal composition sandwiched between the first electrode substrate and the second electrode substrate, the counter electrode is constituted by a wiring electrode and a transparent electrode; A liquid crystal display device characterized in that the wiring electrode is made of a low-resistance metal and is provided above between the pixel electrodes or on the pixel electrode with a line width of 10 microns or less.
(2)基板上の第1の領域に複数の画素電極及びその各
々に電気的に接続した第1の金属−絶縁体−第2の金属
よりなる非線形抵抗素子と、前記基板の前記第1の領域
とは異なる第2の領域に配線電極と透明電極より成る対
向電極とを形成する第1の工程と、 前記基板を前記第1の領域と前記第2の領域とに分割し
、前記画素電極を備えた第1の電極基板と、対向電極を
備えた第2の電極基板とを形成する第2の工程とを備え
た電極基板の製造方法であって、 前記第1の工程が、前記第1の金属もしくは前記第2の
金属を形成すると同時に前記基板上に前記配線電極を形
成する工程と、前記画素電極を形成すると同時に前記透
明電極を形成する工程から選ばれる少なくとも一方の工
程を行なった後に他方の工程を行なうことを特徴とする
電極基板の製造方法。
(2) a plurality of pixel electrodes in a first region on the substrate and a nonlinear resistance element made of a first metal-insulator-second metal electrically connected to each pixel electrode; a first step of forming a wiring electrode and a counter electrode made of a transparent electrode in a second region different from the pixel electrode; and dividing the substrate into the first region and the second region; A method for manufacturing an electrode substrate, comprising a second step of forming a first electrode substrate comprising a counter electrode, and a second electrode substrate comprising a counter electrode, the first step comprising: At least one step selected from a step of forming the wiring electrode on the substrate at the same time as forming the first metal or the second metal, and a step of forming the transparent electrode at the same time as forming the pixel electrode was performed. A method for manufacturing an electrode substrate, characterized in that the other step is performed afterwards.
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