JPS6197807A - インダクタンス素子の形成方法 - Google Patents
インダクタンス素子の形成方法Info
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- JPS6197807A JPS6197807A JP21994284A JP21994284A JPS6197807A JP S6197807 A JPS6197807 A JP S6197807A JP 21994284 A JP21994284 A JP 21994284A JP 21994284 A JP21994284 A JP 21994284A JP S6197807 A JPS6197807 A JP S6197807A
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はインダクタンス素子の形成力法、特に超音波ボ
ンディング装置を用いたインダクタンス素子の形成力法
に関する。
ンディング装置を用いたインダクタンス素子の形成力法
に関する。
（ロ）従来の技術
最近チップ部品の進歩に伴い、電子回路の混成集積回路
化が著しく発展して来た。混成集積回路は半導体集積回
路の他にその外付部品であるコンデンサ、抵抗、コイル
等を１パンケージに収容することにより、電子機器の部
品点数を大巾に低減でき、且つ組立の簡素化や保守点検
の容易化が図れる利点を有する。
化が著しく発展して来た。混成集積回路は半導体集積回
路の他にその外付部品であるコンデンサ、抵抗、コイル
等を１パンケージに収容することにより、電子機器の部
品点数を大巾に低減でき、且つ組立の簡素化や保守点検
の容易化が図れる利点を有する。
しかしインダクタンス素子に関しては小型チップ化が大
巾に遅れている状況にある。これは導体を巻回して形成
するコイルでは、チップ部品として基板に実装する場合
のハンダ・ディップにおいて導体を被覆する絶縁体の耐
熱性と導体と外部端子との接続に解決できない問題点が
残っているからである。
巾に遅れている状況にある。これは導体を巻回して形成
するコイルでは、チップ部品として基板に実装する場合
のハンダ・ディップにおいて導体を被覆する絶縁体の耐
熱性と導体と外部端子との接続に解決できない問題点が
残っているからである。
従来の小型インダクタンス素子としては第４図及び第５
図に示すものを挙げることができろ（例えば特開昭５７
−９２８０７号公報参照）。第４図は磁性体、例えばド
ラム型コア（イ）に巻線（２１）を施し、巻線端末ｔ２
ｚ 器をコア（２０）の両端鍔部ｔ２３１（２３１の端
面に形成された銀電極Ｃ２４１ＣＩ！４）の表面に折り
曲げた後、半田ｃ！５）［有］を介して巻線端末、電極
及びリード線（ハ）□□□）を電気的に接続してなる小
型インダクタンス素子である。第５図は、予じめ鍔部（
ハ）底面にリード線（支））＠を突設したドラム型コア
■の巻回部に巻線０１１を施し、巻線端末の＠をそれぞ
れリード線１２６＋＠に絡げて半田四（至）により接続
した小型インダクタンス素子である。いずれの小型イン
ダクタンス素子もリード線（２６１（ハ）、半日（ハ）
（ハ）を必要とし、チップ抵抗やチップコンデンサの様
に小型化できないのである。
図に示すものを挙げることができろ（例えば特開昭５７
−９２８０７号公報参照）。第４図は磁性体、例えばド
ラム型コア（イ）に巻線（２１）を施し、巻線端末ｔ２
ｚ 器をコア（２０）の両端鍔部ｔ２３１（２３１の端
面に形成された銀電極Ｃ２４１ＣＩ！４）の表面に折り
曲げた後、半田ｃ！５）［有］を介して巻線端末、電極
及びリード線（ハ）□□□）を電気的に接続してなる小
型インダクタンス素子である。第５図は、予じめ鍔部（
ハ）底面にリード線（支））＠を突設したドラム型コア
■の巻回部に巻線０１１を施し、巻線端末の＠をそれぞ
れリード線１２６＋＠に絡げて半田四（至）により接続
した小型インダクタンス素子である。いずれの小型イン
ダクタンス素子もリード線（２６１（ハ）、半日（ハ）
（ハ）を必要とし、チップ抵抗やチップコンデンサの様
に小型化できないのである。
そこで第６図に示すチップインダクタンス素子が特開昭
５９−４３５１３号公報に提案されている。８１！６図
ではドラム型コア翰に巻線ｒ２】）を施し、コア■の鍔
部ｒ２３ｍ面に離間した銀電極（２）（財）を設け、巻
線端末を銀電極ＣＩ！４）（２４）表面まで折り曲げた
後半田（ハ）（ハ）で銀電ｆｆ１１２４）Ｃ２４）に接
続されている。斯るチップインダクタンス素子は銀電極
２４）（２４）上の半田Ｃ２５１（２５）を用いて所望
の電極に固着される。
５９−４３５１３号公報に提案されている。８１！６図
ではドラム型コア翰に巻線ｒ２】）を施し、コア■の鍔
部ｒ２３ｍ面に離間した銀電極（２）（財）を設け、巻
線端末を銀電極ＣＩ！４）（２４）表面まで折り曲げた
後半田（ハ）（ハ）で銀電ｆｆ１１２４）Ｃ２４）に接
続されている。斯るチップインダクタンス素子は銀電極
２４）（２４）上の半田Ｃ２５１（２５）を用いて所望
の電極に固着される。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら上述した小型インダクタンス素子およびチ
ップインダクタンス素子では実装する際の半田付は温度
により巻線の絶縁抜機材料が溶けてレアショート不良を
招（ことがあった。またチップインダクタンス素子では
多量の半田が銀電極に付着しがちで且つその量も一定し
ないので傾いた状態で固着されるおそれもありだ。
ップインダクタンス素子では実装する際の半田付は温度
により巻線の絶縁抜機材料が溶けてレアショート不良を
招（ことがあった。またチップインダクタンス素子では
多量の半田が銀電極に付着しがちで且つその量も一定し
ないので傾いた状態で固着されるおそれもありだ。
に）問題点を解決するだめの手段
本発明は斯点に鑑みてなされ、絶縁巻線を超音波ボンデ
ィング装置を用いて直接絶縁基板上にインダクタンス素
子を形成することにより、従来の欠点を完全に除去する
ものである。
ィング装置を用いて直接絶縁基板上にインダクタンス素
子を形成することにより、従来の欠点を完全に除去する
ものである。
（ホ）作用
本発明に依れば、絶縁巻線が直接導電路上に超音波ボン
ディング行なえる点に着目し、超音波ボンディング装置
でボンディングワイヤーを巻回してインダクタンス素子
を形成している。
ディング行なえる点に着目し、超音波ボンディング装置
でボンディングワイヤーを巻回してインダクタンス素子
を形成している。
（へ）実施例
ζ
本発明の一実施例を第１図（イ）乃至第１図に）を参照
して詳述する。
して詳述する。
本発明の第１の工程は、絶縁基板（１）上に導電路（２
）を形成し且つ巻枠体（３）を配置することにある（第
１図ビ）参照）。絶縁基板（１）は支持基板として働き
、セラミック基板、ガラスエポキシ樹脂等より成るプリ
ント基板、表面をアルマイト処理したアルミニウム基板
等を用いる。斯る絶縁基板（１）上にはその一生面に全
面に銅箔を貼り付けた後、選択的に銅箔をエツチングし
て所望のパターンの導電路（２）を形成する。導電路（
２）はインダクタンス素子の巻線を接続するバットのみ
ならず、混成集積回路の形成に必要な導電路を同時に形
成するのが望ましい。
）を形成し且つ巻枠体（３）を配置することにある（第
１図ビ）参照）。絶縁基板（１）は支持基板として働き
、セラミック基板、ガラスエポキシ樹脂等より成るプリ
ント基板、表面をアルマイト処理したアルミニウム基板
等を用いる。斯る絶縁基板（１）上にはその一生面に全
面に銅箔を貼り付けた後、選択的に銅箔をエツチングし
て所望のパターンの導電路（２）を形成する。導電路（
２）はインダクタンス素子の巻線を接続するバットのみ
ならず、混成集積回路の形成に必要な導電路を同時に形
成するのが望ましい。
巻枠体（３）はインダクタンス素子を形成する巻線を巻
回させる役目を有し、形成するインダクタンス素子のリ
アクタンスの値によりフェライト等の磁性体よりなるコ
アやプラスチック等の絶縁物を用いても良い。なお巻枠
体（３）の形状は図示した筒状でも良いが、その他に棒
状あるいはＥ型若しくはＩ！形状でも良い。巻枠体（３
）は接着剤（４）により導電路（２）に近接した絶縁基
板（１）上に固定配置されている。
回させる役目を有し、形成するインダクタンス素子のリ
アクタンスの値によりフェライト等の磁性体よりなるコ
アやプラスチック等の絶縁物を用いても良い。なお巻枠
体（３）の形状は図示した筒状でも良いが、その他に棒
状あるいはＥ型若しくはＩ！形状でも良い。巻枠体（３
）は接着剤（４）により導電路（２）に近接した絶縁基
板（１）上に固定配置されている。
本発明の第２の工程は超音波ボンディング装置を用いて
一の導電路（２）上に巻線（５）の一端を超音波ボンデ
ィングすることにある（第１図（ロ）参照）。
一の導電路（２）上に巻線（５）の一端を超音波ボンデ
ィングすることにある（第１図（ロ）参照）。
本発明に用いろ絶縁巻線は第２図に示す如く、５０〜８
００μダの銅細線（６）とその表面を被覆するウレタン
あるいは弗化エチレンより成る絶縁被膜（力で形成され
ている。絶縁被膜（７）は銅ｍ線（６）をウレタンある
いは弗化エチレン溶液中を通して１０〜５０μ厚（平均
的には２０μ厚）に付着され、インダクタンス素子を形
成する各巻線の絶縁をしている。
００μダの銅細線（６）とその表面を被覆するウレタン
あるいは弗化エチレンより成る絶縁被膜（力で形成され
ている。絶縁被膜（７）は銅ｍ線（６）をウレタンある
いは弗化エチレン溶液中を通して１０〜５０μ厚（平均
的には２０μ厚）に付着され、インダクタンス素子を形
成する各巻線の絶縁をしている。
本発明に用いる超音波ボンディング装置は第３図に示す
如く、テーブル（８）、キャピラリチップ（９）、超音
波振動源（１東クランプ（１１）、リールＱ３および絶
縁巻線（５）より構成されている。斯る超音波ボンディ
ング装置は既知のものであり、半導体装置の組立に広く
利用されている。簡単に動作を説明すると、テーブル（
８）上に載置したトランジスタ等の電極にキャピラリチ
ップ（９）の中央の孔より導出されるアルミニウムボン
ディング細線の一端を２０に〜６０に１１ｚの超音波振
動を与えて固着し、然る後キャピラリチップ（９）を移
動して他のリードにアルミニウムボンディング細線の他
端を超音波振動を与えて固着する様罠作業する。本発明
に用いる超音波ボンディング装置は斯る半導体装置の組
立に用いるものにい（つかの改良を加えている。第１に
リール住りにはインダクタンス素子の形成のため絶縁巻
線（５）が貯蔵されている。第２に超音波振動源は半導
体装置の組立用よりは若干パワーアップしている。第３
にテーブル（８）にはＸＹ軸移動装置住りとＺ軸移動装
置ａ４が設けられ、テーブル（８）をＸ・Ｙ−Ｚ方向に
自在に可動できる構造となっている。第４にテーブル（
８）は回転装置α四が設けられ、テーブル（８）をＸＹ
の任意の座標を中心に回転できる。
如く、テーブル（８）、キャピラリチップ（９）、超音
波振動源（１東クランプ（１１）、リールＱ３および絶
縁巻線（５）より構成されている。斯る超音波ボンディ
ング装置は既知のものであり、半導体装置の組立に広く
利用されている。簡単に動作を説明すると、テーブル（
８）上に載置したトランジスタ等の電極にキャピラリチ
ップ（９）の中央の孔より導出されるアルミニウムボン
ディング細線の一端を２０に〜６０に１１ｚの超音波振
動を与えて固着し、然る後キャピラリチップ（９）を移
動して他のリードにアルミニウムボンディング細線の他
端を超音波振動を与えて固着する様罠作業する。本発明
に用いる超音波ボンディング装置は斯る半導体装置の組
立に用いるものにい（つかの改良を加えている。第１に
リール住りにはインダクタンス素子の形成のため絶縁巻
線（５）が貯蔵されている。第２に超音波振動源は半導
体装置の組立用よりは若干パワーアップしている。第３
にテーブル（８）にはＸＹ軸移動装置住りとＺ軸移動装
置ａ４が設けられ、テーブル（８）をＸ・Ｙ−Ｚ方向に
自在に可動できる構造となっている。第４にテーブル（
８）は回転装置α四が設けられ、テーブル（８）をＸＹ
の任意の座標を中心に回転できる。
本工程では所出の超音波ボンディング装置のテープ／Ｉ
／（８Ｊ上に絶縁基板（１）を真空の吸引力を利用して
固定し、一の導電路（２）がキャピラリチップ（９）の
真下に来る様にテープ馴８）をＸＹ軸移動装置（１３）
で移動させる。続いてキャピラリチップ（９）を下降し
て一の導電路（２）に絶縁巻線（５）の一端を超音波振
動により固着する。絶縁巻線（５１は断面円形の銅細線
を用いているので、導電路（２）との接点に超音波振動
のエネルギーが集中して絶縁被膜（力が破れて銅細線が
露出される。そして銅細線と銅の導電路（２）との同一
材料の結合により超音波ボンディングが実現できる。
／（８Ｊ上に絶縁基板（１）を真空の吸引力を利用して
固定し、一の導電路（２）がキャピラリチップ（９）の
真下に来る様にテープ馴８）をＸＹ軸移動装置（１３）
で移動させる。続いてキャピラリチップ（９）を下降し
て一の導電路（２）に絶縁巻線（５）の一端を超音波振
動により固着する。絶縁巻線（５１は断面円形の銅細線
を用いているので、導電路（２）との接点に超音波振動
のエネルギーが集中して絶縁被膜（力が破れて銅細線が
露出される。そして銅細線と銅の導電路（２）との同一
材料の結合により超音波ボンディングが実現できる。
本発明の第３の工程はキャピラリチップ（９）を巻枠体
（３）の周辺を回転させて絶縁巻線（５（を巻枠体（３
）に巻回させることＫある（第１図（ハ）参照）。
（３）の周辺を回転させて絶縁巻線（５（を巻枠体（３
）に巻回させることＫある（第１図（ハ）参照）。
本工程では巻枠体（３）に所定のターン数だけ絶縁巻線
（５）を一方向にコイル状に巻回し、所望の値のインダ
クタンス素子を得ている。絶縁巻線（５）の一端は一の
導電路（２）Ｋ固着されているので、キャピラリチップ
（９）を巻枠体（３）の周辺に回転させるとリール（１
２より絶縁巻線（５）が゛給送されて巻枠体（３１に巻
回できる。なお絶縁巻線（５）を巻枠体（３）に均一に
巻回するためにテーブル（８）をＺ軸移動装置（Ｉりを
用いて上下動させて巻枠体（３）の位置を変化させると
良い。
（５）を一方向にコイル状に巻回し、所望の値のインダ
クタンス素子を得ている。絶縁巻線（５）の一端は一の
導電路（２）Ｋ固着されているので、キャピラリチップ
（９）を巻枠体（３）の周辺に回転させるとリール（１
２より絶縁巻線（５）が゛給送されて巻枠体（３１に巻
回できる。なお絶縁巻線（５）を巻枠体（３）に均一に
巻回するためにテーブル（８）をＺ軸移動装置（Ｉりを
用いて上下動させて巻枠体（３）の位置を変化させると
良い。
本発明の第４の工程は絶縁巻線（５）の他端を他の導電
路（２）に超音波ボンディングすることにある（第１図
に）参照）。
路（２）に超音波ボンディングすることにある（第１図
に）参照）。
本工程では超音波ボンディング装置のテーブル（８）を
ＸＹ軸移動装置α９で移動させ、キャピラリチップ（９
）を他の導電路（２）上に持って来る。続いてキャビ２
リチツプ（９）を下降させて他の導電路（２）と当接さ
せて超音波振動を加え、絶縁巻線（５）の他端を超音波
ボンディングする。なお絶縁巻線（５）はキャピラリチ
ップ（９）の上昇時にカッター等を用いて切断する。な
おこのときに絶縁巻線（５）はクランプＣ１１）で挾持
しておく。
ＸＹ軸移動装置α９で移動させ、キャピラリチップ（９
）を他の導電路（２）上に持って来る。続いてキャビ２
リチツプ（９）を下降させて他の導電路（２）と当接さ
せて超音波振動を加え、絶縁巻線（５）の他端を超音波
ボンディングする。なお絶縁巻線（５）はキャピラリチ
ップ（９）の上昇時にカッター等を用いて切断する。な
おこのときに絶縁巻線（５）はクランプＣ１１）で挾持
しておく。
以上に詳述した工程は１つのインダクタンス素子を形成
する工程であり、この工程を繰り返し行うことによって
複数のインダクタンス素子を形成することができる。即
ち第１の位置に第１のインダクタンス素子を形成した後
、テーブル（８）をＸＹ軸移動装置（１３１で移動して
【Ｉの位置に同様に第２のインダクタンス素子を形成で
きる。また複数のインダクタンス素子はキャピラリチッ
プ（９）の回転数を制御することにより任意の値のイン
ダクタンス素子を形成でき、チューナー回路等では有用
である。
する工程であり、この工程を繰り返し行うことによって
複数のインダクタンス素子を形成することができる。即
ち第１の位置に第１のインダクタンス素子を形成した後
、テーブル（８）をＸＹ軸移動装置（１３１で移動して
【Ｉの位置に同様に第２のインダクタンス素子を形成で
きる。また複数のインダクタンス素子はキャピラリチッ
プ（９）の回転数を制御することにより任意の値のイン
ダクタンス素子を形成でき、チューナー回路等では有用
である。
（ト）発明の効果
本発明の第１の効果はインダクタンス素子を絶縁基板（
１）上に直接形成できることにある。即ち本発明では巻
枠体（３）と絶縁巻線（５）と最少限の部品でインダク
タンス素子を形成できるので、従来のチップインダクタ
ンスに比べてきわめて小型で安価なものを得ることがで
きる。
１）上に直接形成できることにある。即ち本発明では巻
枠体（３）と絶縁巻線（５）と最少限の部品でインダク
タンス素子を形成できるので、従来のチップインダクタ
ンスに比べてきわめて小型で安価なものを得ることがで
きる。
本発明の第２の効果はインダクタンス素子を絶縁基板（
１）上の任意の位置に連続して形成できることにある。
１）上の任意の位置に連続して形成できることにある。
即ち超音波ボンディング装置のテーブル（８）をＸＹ軸
移動装置ｕ３で移動させてインダクタンス素子の形成工
程を繰り返し行なえば良い。
移動装置ｕ３で移動させてインダクタンス素子の形成工
程を繰り返し行なえば良い。
本発明の第３の効果はインダクタンス素子を任意の値に
設定できることにある。即ち各インダクタンス素子の形
成工程に於いて絶縁巻線（５）のターン数をプログラム
すれば良い。この結果多種のインダクタンスを必要とす
るチューナー回路等ではきわめて利用価値が高い。
設定できることにある。即ち各インダクタンス素子の形
成工程に於いて絶縁巻線（５）のターン数をプログラム
すれば良い。この結果多種のインダクタンスを必要とす
るチューナー回路等ではきわめて利用価値が高い。
本発明の第４の効果はインダクタンス素子の形成工程で
加熱工程を不要としたことにある。即ち本発明では絶縁
巻線（５）と導電路（２）との接続を超音波ボンディン
グで行うので、加熱により絶縁被膜 。
加熱工程を不要としたことにある。即ち本発明では絶縁
巻線（５）と導電路（２）との接続を超音波ボンディン
グで行うので、加熱により絶縁被膜 。
（７）が溶ケてレアショートを発生することが皆無とな
る。
る。
本発明の第５め効果はインダクタンス素子の形成と同時
にジャンパー線の形成も行うことができろことにある。
にジャンパー線の形成も行うことができろことにある。
即ちインダクタンス素子の形成工程で絶縁巻線の巻回な
止めれば任意の導電路（２）間のジャンパー線を形成で
きる。
止めれば任意の導電路（２）間のジャンパー線を形成で
きる。
本発明の第６の効果は超音波ボンディング装置にパター
ン認識およびプログラム可能なメモリを付加することに
よってインダクタンス素子を自動的に形成することがで
きる。
ン認識およびプログラム可能なメモリを付加することに
よってインダクタンス素子を自動的に形成することがで
きる。
第１図ビ）乃至第１図に）は本発明に依るインダクタン
ス素子の形成力法を説明する断面図、第２図は本発明に
用いる絶縁巻線を説明する断面図、第３図は本発明に用
いる超音波ボンディング装置を説明するブロック図、第
４図乃至第６図は従来の小型インダクタンス素子および
チップインダクタンス素子を説明する断面図である。 主な図番の説明 （１１は絶縁基板、（２）は導電路、（３）は巻枠体、
（５）は絶縁巻線、（９）はキャピラリチップである。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図（ロ） 第 １図 （ハノ 第４図 第５図 親
ス素子の形成力法を説明する断面図、第２図は本発明に
用いる絶縁巻線を説明する断面図、第３図は本発明に用
いる超音波ボンディング装置を説明するブロック図、第
４図乃至第６図は従来の小型インダクタンス素子および
チップインダクタンス素子を説明する断面図である。 主な図番の説明 （１１は絶縁基板、（２）は導電路、（３）は巻枠体、
（５）は絶縁巻線、（９）はキャピラリチップである。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図（ロ） 第 １図 （ハノ 第４図 第５図 親
Claims (1)
- （１）絶縁基板上に導電路を設け且つ絶縁巻線を巻回さ
せる巻枠体を配置する工程と、超音波ボンディング装置
のキャピラリチップを一の導電路上に位置させ前記巻線
の一端を前記導電路に超音波ボンディングする工程と、
前記キャピラリチップを前記巻枠体の周辺を回転させて
前記巻線を前記巻枠体に巻回させる工程と、前記キャピ
ラリチップを他の導電路上に位置させ前記巻線の他端を
前記導電路に超音波ボンディングする工程とを具備する
ことを特徴としたインダクタンス素子の形成方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21994284A JPH0234443B2 (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Indakutansusoshinokeiseihoho |
| DE19853536908 DE3536908A1 (de) | 1984-10-18 | 1985-10-16 | Induktivitaetselement und verfahren zur herstellung desselben |
| NL8502843A NL192157C (nl) | 1984-10-18 | 1985-10-17 | Werkwijze voor de vervaardiging van een inductantie-element. |
| GB08525605A GB2166005B (en) | 1984-10-18 | 1985-10-17 | Inductance element and method of manufacturing the same |
| FR858515516A FR2572214B1 (fr) | 1984-10-18 | 1985-10-18 | Element inductif et son procede de fabrication |
| CN85108084A CN1007943B (zh) | 1984-10-18 | 1985-10-18 | 电感元件制造方法 |
| US07/084,332 US4860433A (en) | 1984-10-18 | 1987-08-11 | Method of manufacturing an inductance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21994284A JPH0234443B2 (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Indakutansusoshinokeiseihoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197807A true JPS6197807A (ja) | 1986-05-16 |
| JPH0234443B2 JPH0234443B2 (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=16743440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21994284A Expired - Lifetime JPH0234443B2 (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Indakutansusoshinokeiseihoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0234443B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726612A (en) * | 1992-12-01 | 1998-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-type electronic component |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21994284A patent/JPH0234443B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726612A (en) * | 1992-12-01 | 1998-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-type electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234443B2 (ja) | 1990-08-03 |
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