JPS61105809A - インダクタンス素子の形成方法 - Google Patents
インダクタンス素子の形成方法Info
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- JPS61105809A JPS61105809A JP22746684A JP22746684A JPS61105809A JP S61105809 A JPS61105809 A JP S61105809A JP 22746684 A JP22746684 A JP 22746684A JP 22746684 A JP22746684 A JP 22746684A JP S61105809 A JPS61105809 A JP S61105809A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はインダクタンス素子の形成方法、特に超音波ボ
ンディング装置を用いて絶縁巻線を巻回して形成するイ
ンダクタンス素子の形成方法に関する。
ンディング装置を用いて絶縁巻線を巻回して形成するイ
ンダクタンス素子の形成方法に関する。
（ロ）従来の技術
最近チップ部品の進歩に伴い、電子回路の混成集積回路
化が著しく発展して来た。混成集積回路は半導体集積回
路の他にその外付部品であるコンデンサ、抵抗、コイル
等を１パツケージに収容することにより、電子機器の部
品点数を大巾に低減でき且つ組立の簡素化や保守点検の
容易化が図れる利点を有する。
化が著しく発展して来た。混成集積回路は半導体集積回
路の他にその外付部品であるコンデンサ、抵抗、コイル
等を１パツケージに収容することにより、電子機器の部
品点数を大巾に低減でき且つ組立の簡素化や保守点検の
容易化が図れる利点を有する。
しかしインダクタンス素子に関しては小型チップ化が大
巾に遅れている状況にある。これは導体を巻回して形成
するコイルでは、チップ部品として基板に実装する場合
のハンダ・ディップにおいて導体を被覆する絶縁体の耐
熱性と導体と外部端子との接続に解決できない問題点が
残っているからである。
巾に遅れている状況にある。これは導体を巻回して形成
するコイルでは、チップ部品として基板に実装する場合
のハンダ・ディップにおいて導体を被覆する絶縁体の耐
熱性と導体と外部端子との接続に解決できない問題点が
残っているからである。
従来の小型インダクタンス素子としては第４図及び第５
図に示すものを挙げることができる（例えば特開昭５７
−９２８０７号公報参照）。第４図は磁性体、例えばド
ラム型コア（２０）に巻線（２Ｉ）を施し、巻線端末０
２２ ＋２２をコア（イ）の両端鍔部（２３）（２３１
の端面に形成された銀電極（２４）（財）の表面に折り
曲げた後、半田（２！ｎ （２５１を介して巻線端末、
電極及びリード線（７！６）（至）を電気的に接続して
なる小型インダクタンス素子である。第５図は、予じめ
鍔部（２３底面にリード線（２６１（２６）を突設した
ドラム型コア（２αの巻回部に巻線ｅυを施し、巻線端
末（２２）Ｃ２功をそれぞれリード線（２６）（２６）
に絡げて半田（’、！５）（２５）により接続した小型
インダクタンス素子である。いずれの小型インダクタン
ス素子もリード線（２６）（２６）、半田（２１Ｃ２５
１を必要とし、チップ抵抗やチップコンデンサの様に小
型化できないのである。
図に示すものを挙げることができる（例えば特開昭５７
−９２８０７号公報参照）。第４図は磁性体、例えばド
ラム型コア（２０）に巻線（２Ｉ）を施し、巻線端末０
２２ ＋２２をコア（イ）の両端鍔部（２３）（２３１
の端面に形成された銀電極（２４）（財）の表面に折り
曲げた後、半田（２！ｎ （２５１を介して巻線端末、
電極及びリード線（７！６）（至）を電気的に接続して
なる小型インダクタンス素子である。第５図は、予じめ
鍔部（２３底面にリード線（２６１（２６）を突設した
ドラム型コア（２αの巻回部に巻線ｅυを施し、巻線端
末（２２）Ｃ２功をそれぞれリード線（２６）（２６）
に絡げて半田（’、！５）（２５）により接続した小型
インダクタンス素子である。いずれの小型インダクタン
ス素子もリード線（２６）（２６）、半田（２１Ｃ２５
１を必要とし、チップ抵抗やチップコンデンサの様に小
型化できないのである。
そこで第６図に示すチップインダクタンス素子が特開昭
５９−４３５１３号公報に提案されている。第６図では
ドラム型コア（２０）に巻＃ｅυを施し、コア（２０）
の鍔部（２３）底面に離間した銀電極（２４）（２４Ｊ
を設け、巻線端末を銀電極（２４）ｃ！（イ）表面まで
折り曲げた後半田（２５１＜２５１で銀電極（２４Ｊ（
２４）に接続されている。斯るチップインダクタンス素
子は銀電極（２住（イ）上の半田（２５）（２ωを用い
て所望の電極に固着される。
５９−４３５１３号公報に提案されている。第６図では
ドラム型コア（２０）に巻＃ｅυを施し、コア（２０）
の鍔部（２３）底面に離間した銀電極（２４）（２４Ｊ
を設け、巻線端末を銀電極（２４）ｃ！（イ）表面まで
折り曲げた後半田（２５１＜２５１で銀電極（２４Ｊ（
２４）に接続されている。斯るチップインダクタンス素
子は銀電極（２住（イ）上の半田（２５）（２ωを用い
て所望の電極に固着される。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら上述した小型インダクタンス素子およびチ
ップインダクタンス素子では巻線Ｃυをドラム型コアｆ
２Ｑｌに所定のターン数だけ巻回した後、巻線端末を銀
電極Ｈ（２４）に半田付ゆする必要があり、普通のイン
ダクタンス素子と何ら変らない形成方法を採用しなくて
はならない。このため小型インダクタンス素子およびテ
ンプインダクタンス素子を製造する場合に小型化するた
めに却ってコスト高になる欠点があった。
ップインダクタンス素子では巻線Ｃυをドラム型コアｆ
２Ｑｌに所定のターン数だけ巻回した後、巻線端末を銀
電極Ｈ（２４）に半田付ゆする必要があり、普通のイン
ダクタンス素子と何ら変らない形成方法を採用しなくて
はならない。このため小型インダクタンス素子およびテ
ンプインダクタンス素子を製造する場合に小型化するた
めに却ってコスト高になる欠点があった。
に）問題点を解決するための手段
本発明は斯点に鑑みてなされ、絶縁巻線を超音波ボンデ
ィング装置を用いて直接絶縁基板上にインダクタンス素
子を形成することにより、従来の欠点を完全に除去する
ものである。
ィング装置を用いて直接絶縁基板上にインダクタンス素
子を形成することにより、従来の欠点を完全に除去する
ものである。
（旬 作用
本発明に依れば、絶縁巻線が直接導電路上に超音波ボン
ディングを行なえる点に着目し、超音波ボンブイフグ装
置でボンディングワイヤーを直接巻回してインダクタン
ス素子を形成している。
ディングを行なえる点に着目し、超音波ボンブイフグ装
置でボンディングワイヤーを直接巻回してインダクタン
ス素子を形成している。
（へ）実施例
本発明の一実施例を第１図（イ）乃至第１図に）を参照
して詳述する。
して詳述する。
本発明の第１の工程は絶縁基板（１）上に導電路（２）
を形成し且つ巻枠体（３）を配置することにある（第１
図（イ）参照）。絶縁基板（１）は支持基板として働き
、セラミック基板、ガラスエポキシ樹脂等より成るプリ
ント基板、表面をアルマイト処理したアルミニウム基板
等を用いる。斯る絶縁基板（１）上にはその一主面に全
面に銅箔を貼り付けた後、選択的に銅箔をエツチングし
て所望のパターンの導電路（２）を形成する。導′就路
（２）はインダクタンス素子の巻線を接続するパッドの
みならず、混成集積回路の形成に必要な導電路を同時に
形成するのが望ましＸＪＸ。
を形成し且つ巻枠体（３）を配置することにある（第１
図（イ）参照）。絶縁基板（１）は支持基板として働き
、セラミック基板、ガラスエポキシ樹脂等より成るプリ
ント基板、表面をアルマイト処理したアルミニウム基板
等を用いる。斯る絶縁基板（１）上にはその一主面に全
面に銅箔を貼り付けた後、選択的に銅箔をエツチングし
て所望のパターンの導電路（２）を形成する。導′就路
（２）はインダクタンス素子の巻線を接続するパッドの
みならず、混成集積回路の形成に必要な導電路を同時に
形成するのが望ましＸＪＸ。
巻枠体（３）はインダクタンス素子を形成する巻線を巻
回させる役目を有し、形成するインダクタンス素子のリ
アクタンスの値によりフェライト等の磁性体やプラスチ
ック等の絶縁物を用いても良い。
回させる役目を有し、形成するインダクタンス素子のリ
アクタンスの値によりフェライト等の磁性体やプラスチ
ック等の絶縁物を用いても良い。
なお巻枠体（３）の形状は図示した筒状でも良いが、そ
の他に棒状あるいはＩ型形状でも良い。巻枠体（３）は
接着剤（４）により導電路（２）に近接した絶縁基板（
１）上に固定配置されている。
の他に棒状あるいはＩ型形状でも良い。巻枠体（３）は
接着剤（４）により導電路（２）に近接した絶縁基板（
１）上に固定配置されている。
本発明の第２の工程は超音波ボンディング装置を用いて
−の導電路（２）上にリール（１２に内蔵する巻線（５
）の一端を超音波ボンディングすることにある（第１図
（ロ）参照）。
−の導電路（２）上にリール（１２に内蔵する巻線（５
）の一端を超音波ボンディングすることにある（第１図
（ロ）参照）。
本発明に用いる絶縁巻線は第２図に示す如く、５０〜８
００μφの銅細線（６）とその表面を被覆するウレタン
あるいは弗化エチレンより成る絶縁被膜（７）で形成さ
れている。絶縁被膜（力は銅細線（６）をウレタンある
いは弗化エチレン溶液中を通して１０〜５０μ厚（平均
的には２０μ厚）に付着され、インダクタンス素子を形
成する各巻線の絶縁をしている。
００μφの銅細線（６）とその表面を被覆するウレタン
あるいは弗化エチレンより成る絶縁被膜（７）で形成さ
れている。絶縁被膜（力は銅細線（６）をウレタンある
いは弗化エチレン溶液中を通して１０〜５０μ厚（平均
的には２０μ厚）に付着され、インダクタンス素子を形
成する各巻線の絶縁をしている。
本発明に用いる超音波ボンディング装置は第３図に示す
如く、テーブル（８）、キャピラリチップ（９）、超音
波振動源ａＯ）、クランプαＤ、リールαδおよび絶縁
゛巻線（５）より構成されている。斯る超音波ボンディ
ング装置は既知のものであり、半導体装置の組立に広く
利用されている。簡単に動作を説明すると、テーブル（
８）上に載置したトランジスタ等の電極にキャピラリチ
ップ（９）の中央の孔より導出されるアルミニウムボン
ディング細線の一端を２０Ｉ（〜６０ＫＨｚの超音波振
動を与えて固着し、然る後キャピラリチップ（９）を移
動して他のリードにアルミニウムボンディング細線の他
端を超音波振動を与えて固着する様に作業する。本発明
に用いる超音波ボンディング装置は貼る半導体装置の組
立に用いるものにいくつかの改良を加えている。第１に
リール（１りにはインダクタンス素子の形成のため絶縁
巻線（５）が貯蔵されている。第２に超音波振動源は半
導体装置の組立用よりは若干パワーア、アブしている。
如く、テーブル（８）、キャピラリチップ（９）、超音
波振動源ａＯ）、クランプαＤ、リールαδおよび絶縁
゛巻線（５）より構成されている。斯る超音波ボンディ
ング装置は既知のものであり、半導体装置の組立に広く
利用されている。簡単に動作を説明すると、テーブル（
８）上に載置したトランジスタ等の電極にキャピラリチ
ップ（９）の中央の孔より導出されるアルミニウムボン
ディング細線の一端を２０Ｉ（〜６０ＫＨｚの超音波振
動を与えて固着し、然る後キャピラリチップ（９）を移
動して他のリードにアルミニウムボンディング細線の他
端を超音波振動を与えて固着する様に作業する。本発明
に用いる超音波ボンディング装置は貼る半導体装置の組
立に用いるものにいくつかの改良を加えている。第１に
リール（１りにはインダクタンス素子の形成のため絶縁
巻線（５）が貯蔵されている。第２に超音波振動源は半
導体装置の組立用よりは若干パワーア、アブしている。
第３にテーブル（８）にはＸＹ軸移動装置Ｑ３ＩとＺ軸
移動装置αａが設けられ、テーブル（８）をＸ・Ｙ−Ｚ
方向に自在に可動できる構造となっている。第４にテー
ブル（８）は回転装置（１５１が設けられ、テーブル（
８）をＸＹの任意の座標を中心に回転できる。
移動装置αａが設けられ、テーブル（８）をＸ・Ｙ−Ｚ
方向に自在に可動できる構造となっている。第４にテー
ブル（８）は回転装置（１５１が設けられ、テーブル（
８）をＸＹの任意の座標を中心に回転できる。
本工程では指上の超音波ボンディング装置のテーブル（
８）上に絶縁基板（１）を真空の吸引力を利用して固定
し、−の導電路（２）がキャピラリチップブ（９）の真
下に来る様にテーブル（８）をＸＹ軸移動装置（１３）
で移動させる。続いてキャピラリチップ（９）を下降し
て−の導電路（２）に絶縁巻線（５）の一端を超音波振
動により固着する。絶縁巻線（５）は断面円形の銅細線
を用いているので、導電路（２）との接点に超音波振動
のエネルギーが集中して絶縁被膜（７）が破れて銅細線
が露出される。そして銅細線と銅の導電路（２）との同
一材料の結合により超音波ボンディングが実現できる。
８）上に絶縁基板（１）を真空の吸引力を利用して固定
し、−の導電路（２）がキャピラリチップブ（９）の真
下に来る様にテーブル（８）をＸＹ軸移動装置（１３）
で移動させる。続いてキャピラリチップ（９）を下降し
て−の導電路（２）に絶縁巻線（５）の一端を超音波振
動により固着する。絶縁巻線（５）は断面円形の銅細線
を用いているので、導電路（２）との接点に超音波振動
のエネルギーが集中して絶縁被膜（７）が破れて銅細線
が露出される。そして銅細線と銅の導電路（２）との同
一材料の結合により超音波ボンディングが実現できる。
本発明の第３の工程はり−ルα２より給送される絶縁巻
線（５）を巻枠体（３）に巻回させることにある（第１
図（ハ）参照）。
線（５）を巻枠体（３）に巻回させることにある（第１
図（ハ）参照）。
本工程では巻枠体（３）に所定のターン数だけ絶縁巻線
（５）を巻回し、所望の値のインダクタンス素子を形成
できる。前工程で絶縁巻線（５）の一端は−の導電路（
２）に固着されているので、ＸＹ軸移動装置０３）によ
り絶縁基板（１）を移動して巻枠体（３）に絶縁巻線（
５）がからむ様にする。続いてＸＹ軸移動装置０３）を
用いて巻枠体（３）の中心ある〜・は中心近傍に回転の
中心が設定される様に移動する。然る後超音波ボンディ
ング装置の回転装置（ｔ５を作動させて巻枠体（３）を
回転させてリールα２より給送される絶縁巻線（５）を
巻枠体（３）に均一に所定のターン数だけ巻回する。な
お巻枠体（３）に均一な厚みに絶縁巻線（５）を巻回す
るためにＺ軸移動装置０４）を用いてテーブルを上下動
させて巻枠体（３）の位置を上下動させることにより均
一な巻回な実現できる。更に本発明では巻枠体（３）を
回転させることにより絶縁巻線（５）を一定の張力で巻
回でき、且つターン数が多（ても全く任意に設定できる
。
（５）を巻回し、所望の値のインダクタンス素子を形成
できる。前工程で絶縁巻線（５）の一端は−の導電路（
２）に固着されているので、ＸＹ軸移動装置０３）によ
り絶縁基板（１）を移動して巻枠体（３）に絶縁巻線（
５）がからむ様にする。続いてＸＹ軸移動装置０３）を
用いて巻枠体（３）の中心ある〜・は中心近傍に回転の
中心が設定される様に移動する。然る後超音波ボンディ
ング装置の回転装置（ｔ５を作動させて巻枠体（３）を
回転させてリールα２より給送される絶縁巻線（５）を
巻枠体（３）に均一に所定のターン数だけ巻回する。な
お巻枠体（３）に均一な厚みに絶縁巻線（５）を巻回す
るためにＺ軸移動装置０４）を用いてテーブルを上下動
させて巻枠体（３）の位置を上下動させることにより均
一な巻回な実現できる。更に本発明では巻枠体（３）を
回転させることにより絶縁巻線（５）を一定の張力で巻
回でき、且つターン数が多（ても全く任意に設定できる
。
本発明で秀れた点は巻枠体（３）としてＥ型のものでも
■型のものでも絶縁巻線（５）を巻回できることにある
。即ちＩ型の巻枠体（３）においてはキャピラリチップ
（９）の高さを１型の巻枠体（３）に対応する様に配置
すれば良いからである。またＥ型のコアではキャピラリ
チップ（９）をＥ型のすき間に配置すれば良いからであ
る。
■型のものでも絶縁巻線（５）を巻回できることにある
。即ちＩ型の巻枠体（３）においてはキャピラリチップ
（９）の高さを１型の巻枠体（３）に対応する様に配置
すれば良いからである。またＥ型のコアではキャピラリ
チップ（９）をＥ型のすき間に配置すれば良いからであ
る。
本発明の第４の工程は絶縁巻線（５）の他端を他の導電
路（２）に超音波ボンディングすることにある（第１図
に）参照）。
路（２）に超音波ボンディングすることにある（第１図
に）参照）。
本工程では超音波ボンディング装置のテーブル（８）を
ＸＹ軸移動装置α３）で移動させ、キャピラリチップ（
９）を他の導電路（２）上に持って来る。続いてキャピ
ラリチップ（９）を下降させて他の導電路（２）と当接
させて超音波振動を加え、絶縁巻線（５）の他端を超音
波ボンディングする。なお絶縁巻線（５）はキャピラリ
チップ（９）の上昇時にカッター等を用いて切断する。
ＸＹ軸移動装置α３）で移動させ、キャピラリチップ（
９）を他の導電路（２）上に持って来る。続いてキャピ
ラリチップ（９）を下降させて他の導電路（２）と当接
させて超音波振動を加え、絶縁巻線（５）の他端を超音
波ボンディングする。なお絶縁巻線（５）はキャピラリ
チップ（９）の上昇時にカッター等を用いて切断する。
以上に詳述した工程は１つのインダクタンス素子を形成
する工程であり、この工程を繰り返し行うことによって
複数のインダクタンス素子を形成することができる。即
ち第１の位置に第１のインダクタンス素子を形成した後
、テーブル（８）をＸＹ軸移動装置０３）で移動して第
２の位置に同様に第２のインダクタンス素子を形成でき
る。また複数のインダクタンス素子はテーブル（８）の
回転数を制御することにより任意の値のインダクタンス
素子全形成でき、チーーナー回路等では有用である。
する工程であり、この工程を繰り返し行うことによって
複数のインダクタンス素子を形成することができる。即
ち第１の位置に第１のインダクタンス素子を形成した後
、テーブル（８）をＸＹ軸移動装置０３）で移動して第
２の位置に同様に第２のインダクタンス素子を形成でき
る。また複数のインダクタンス素子はテーブル（８）の
回転数を制御することにより任意の値のインダクタンス
素子全形成でき、チーーナー回路等では有用である。
（ト）発明の効果
本発明の第１の効果はインダクタンス素子な絶縁基板（
１）上に直接形成できることにある。即ち本発明では巻
枠体（３）と絶縁巻線（５）と最小限の部品でインダク
タンス素子を形成できるので、従来のチップインダクタ
ンスに比べてきわめて小型で安価なものを得ることがで
きる。
１）上に直接形成できることにある。即ち本発明では巻
枠体（３）と絶縁巻線（５）と最小限の部品でインダク
タンス素子を形成できるので、従来のチップインダクタ
ンスに比べてきわめて小型で安価なものを得ることがで
きる。
本発明の第２の効果はインダクタンス素子を超音波ボン
ディング装置のリール（１２）より給送される絶縁巻線
（５）を巻回して形成しているので、任意のターン数を
実現でき広い巾の値を有するインダクタンス素子が形成
できる。また絶縁巻線（５）はＩＪ−ルα２より連続的
に供給されているので、インダクタンス素子を連続して
形成できる。
ディング装置のリール（１２）より給送される絶縁巻線
（５）を巻回して形成しているので、任意のターン数を
実現でき広い巾の値を有するインダクタンス素子が形成
できる。また絶縁巻線（５）はＩＪ−ルα２より連続的
に供給されているので、インダクタンス素子を連続して
形成できる。
本発明の第３の効果はインダクタンス素子ヲ絶縁基板（
１）上の任意の位置に連続して形成できることにある。
１）上の任意の位置に連続して形成できることにある。
即ち超音波ボンディング装置のテーブル（８）をＸＹ軸
移動装置αｇ）で移動させてインダクタンス素子の形成
工程を繰り返し行なえば良い。
移動装置αｇ）で移動させてインダクタンス素子の形成
工程を繰り返し行なえば良い。
本発明の第４の効果はインダクタンス素子を任意の値に
設定できることにある。即ち各インダクタンス素子の形
成工程に於いて絶縁巻線（５）のターン数をプログラム
すれば良い。この結果多種のインダクタンスを必要とす
るチー−す一回路等ではきわめて利用価値が高い。
設定できることにある。即ち各インダクタンス素子の形
成工程に於いて絶縁巻線（５）のターン数をプログラム
すれば良い。この結果多種のインダクタンスを必要とす
るチー−す一回路等ではきわめて利用価値が高い。
本発明の第５の効果はインダクタンス素子の形成工程で
加熱工程を不要としたことにある。即ち本発明では絶縁
巻線（５）と導電路（２）との接続を超音波ボンディン
グで行うので、加熱により絶縁被膜（力が溶けてレアシ
ョートを発生することが皆無となる。
加熱工程を不要としたことにある。即ち本発明では絶縁
巻線（５）と導電路（２）との接続を超音波ボンディン
グで行うので、加熱により絶縁被膜（力が溶けてレアシ
ョートを発生することが皆無となる。
本発明の第６の効果は超音波ボンディング装置にパター
ン認識およびプログラム可能なメモリを付加することに
よって絶縁巻線（５）がリール０２より供給される限り
インダクタンス素子は自動的に形成することができる。
ン認識およびプログラム可能なメモリを付加することに
よって絶縁巻線（５）がリール０２より供給される限り
インダクタンス素子は自動的に形成することができる。
第１図（イ）乃至第１図に）は本発明に依るインダクタ
ンス素子の形成方法を説明する断面図、第２図は本発明
に用いる絶縁巻線を説明する断面図、第３図は本発明に
用いる超音波ボンディング装置を説明するブロック図、
第４図乃至第６図は従来の小型インダクタンス素子およ
びチップインダクタンス素子を説明する断面図である。 主な図番の説明 （１）は絶縁基板、 （２）は導電路、 （３）は巻枠
体、（５）は絶縁巻線、 （９）はキャピラリチップ、
（臣は回転装置である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図（ロ） 第 １ 図にン 第４図 第５図 第６図 乙
ンス素子の形成方法を説明する断面図、第２図は本発明
に用いる絶縁巻線を説明する断面図、第３図は本発明に
用いる超音波ボンディング装置を説明するブロック図、
第４図乃至第６図は従来の小型インダクタンス素子およ
びチップインダクタンス素子を説明する断面図である。 主な図番の説明 （１）は絶縁基板、 （２）は導電路、 （３）は巻枠
体、（５）は絶縁巻線、 （９）はキャピラリチップ、
（臣は回転装置である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図（ロ） 第 １ 図にン 第４図 第５図 第６図 乙
Claims (1)
- （１）回路基板上に直接組み込まれるインダクタンス素
子の形成方法に於いて、超音波ボンディング装置のリー
ルに絶縁巻線を内蔵し、該絶縁巻線の一端を前記回路基
板上に設けた一の導電路にボンディングした後、前記リ
ールより前記絶縁巻線を給送して巻回してインダクタン
ス素子を形成し、然る後前記絶縁巻線を前記回路基板上
の他の導電路にボンディングすることを特徴とするイン
ダクタンス素子の形成方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22746684A JPS61105809A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | インダクタンス素子の形成方法 |
| DE19853536908 DE3536908A1 (de) | 1984-10-18 | 1985-10-16 | Induktivitaetselement und verfahren zur herstellung desselben |
| NL8502843A NL192157C (nl) | 1984-10-18 | 1985-10-17 | Werkwijze voor de vervaardiging van een inductantie-element. |
| GB08525605A GB2166005B (en) | 1984-10-18 | 1985-10-17 | Inductance element and method of manufacturing the same |
| CN85108084A CN1007943B (zh) | 1984-10-18 | 1985-10-18 | 电感元件制造方法 |
| FR858515516A FR2572214B1 (fr) | 1984-10-18 | 1985-10-18 | Element inductif et son procede de fabrication |
| US07/084,332 US4860433A (en) | 1984-10-18 | 1987-08-11 | Method of manufacturing an inductance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22746684A JPS61105809A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | インダクタンス素子の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105809A true JPS61105809A (ja) | 1986-05-23 |
| JPH0363802B2 JPH0363802B2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=16861314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22746684A Granted JPS61105809A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-29 | インダクタンス素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726612A (en) * | 1992-12-01 | 1998-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-type electronic component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874020A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Toko Inc | チツプ形インダクタの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP22746684A patent/JPS61105809A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874020A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Toko Inc | チツプ形インダクタの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726612A (en) * | 1992-12-01 | 1998-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-type electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0363802B2 (ja) | 1991-10-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |