JPS6197290A - セフアロスポリン誘導体その製造法およびそれを有効成分とする抗菌剤 - Google Patents
セフアロスポリン誘導体その製造法およびそれを有効成分とする抗菌剤Info
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- JPS6197290A JPS6197290A JP59217313A JP21731384A JPS6197290A JP S6197290 A JPS6197290 A JP S6197290A JP 59217313 A JP59217313 A JP 59217313A JP 21731384 A JP21731384 A JP 21731384A JP S6197290 A JPS6197290 A JP S6197290A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規なセファロスポリン誘導体またはその塩類
、その製造法、およびそれを有効成分とする抗菌剤に関
するものである。さらに詳しくは本発明は、その分子中
に１−（１，４−：）７ザビシクーー （２，２，２）
−オクタニウム）メチル基もしくはそれと類似の構造を
有する基を有し、優れた抗菌活性を有する新規なセファ
−スポリン誘導体またはその塩類、その製造法、および
それを有効成分とする抗菌剤に関するものである。
、その製造法、およびそれを有効成分とする抗菌剤に関
するものである。さらに詳しくは本発明は、その分子中
に１−（１，４−：）７ザビシクーー （２，２，２）
−オクタニウム）メチル基もしくはそれと類似の構造を
有する基を有し、優れた抗菌活性を有する新規なセファ
−スポリン誘導体またはその塩類、その製造法、および
それを有効成分とする抗菌剤に関するものである。
第３世代抗生物質として、従来多数のセファジスポリン
誘導体が知られている。
誘導体が知られている。
例えば、７４４位にメトキシ基、３位に１−メチル−１
１（−テトラゾール−５−イルチオメチル基を有しオキ
サゾチア構造を持つセファマイシン系抗生物質（Ｌａｔ
ａｍｏｘｅｆ ）が知られている（ Ｃｈｅｍｏｔｈ＠
ｒａｐｙ 、 ２８ （Ｓ −７） 、 １９８０）。
１（−テトラゾール−５−イルチオメチル基を有しオキ
サゾチア構造を持つセファマイシン系抗生物質（Ｌａｔ
ａｍｏｘｅｆ ）が知られている（ Ｃｈｅｍｏｔｈ＠
ｒａｐｙ 、 ２８ （Ｓ −７） 、 １９８０）。
この抗生物質はダラム陰性菌に対する抗菌力が強く、血
清蛋白結合率が低いという特徴を持っている。
清蛋白結合率が低いという特徴を持っている。
７位側鎖に７ミノチアゾール基とメトキシイミノ基を持
ち３位に７セトキシメチル基を有するセファ０スポリン
系抗生物質（Ｃｅｆｏｔａ−ｘｉｍｅ）も知られており
、−一うクタマーゼに対して安定であるという利点を有
している。
ち３位に７セトキシメチル基を有するセファ０スポリン
系抗生物質（Ｃｅｆｏｔａ−ｘｉｍｅ）も知られており
、−一うクタマーゼに対して安定であるという利点を有
している。
他方、７位側鎖に７ミノチ７ゾール基とメトキシイミノ
基を持ち、３位にピリジニウムメチル、キノリクムメチ
ル、ビコリウムメチル基等の第４級７ンモニクムメチル
基を有する七７アｐスポリン系抗生物質（Ｕ、Ｓ、Ｐａ
ｔｅｎｔム４，２７８，６７１ ）が知られている。し
かしながらセフアルスポリン骨格の３位Ｋｌ−（１，４
−ジアザビシクロ−（２，２，２］−オオクタニウムメ
チル基もしくはそれと類似の構造を有する基を持つセフ
ァロスポリン訓導体は知られていない。
基を持ち、３位にピリジニウムメチル、キノリクムメチ
ル、ビコリウムメチル基等の第４級７ンモニクムメチル
基を有する七７アｐスポリン系抗生物質（Ｕ、Ｓ、Ｐａ
ｔｅｎｔム４，２７８，６７１ ）が知られている。し
かしながらセフアルスポリン骨格の３位Ｋｌ−（１，４
−ジアザビシクロ−（２，２，２］−オオクタニウムメ
チル基もしくはそれと類似の構造を有する基を持つセフ
ァロスポリン訓導体は知られていない。
本発明者は、優れた抗菌活性を有するセファロスポリン
誘導体を得ることを目的として鋭意研究した結果、３位
６ｃ、ｘ−（１，’−ジアザビシクローＣ２，２，２）
−オクタニウム）メチル基もしくはそれと類似の構造を
有する基を持つ新規なセファジスポリン誘導体が強力で
広範囲な抗菌活性を有する化合物であり、抗菌剤として
極めて有用であることを見出し本発明に到達したもので
ある。
誘導体を得ることを目的として鋭意研究した結果、３位
６ｃ、ｘ−（１，’−ジアザビシクローＣ２，２，２）
−オクタニウム）メチル基もしくはそれと類似の構造を
有する基を持つ新規なセファジスポリン誘導体が強力で
広範囲な抗菌活性を有する化合物であり、抗菌剤として
極めて有用であることを見出し本発明に到達したもので
ある。
本発明では下記式（Ｉ）
で表わされるセファロスポリン誘導体またはその塩類が
提供される。
提供される。
上記式α）において、Ｘはメチレン基
（−ＣＨ，−） または−Ｃ−を表わす。ここでＲ１
Ｉ ＲＩ は水素原子、低級アルキル基またはカルボキシル基置換
低級アルキル基を表わす。低級フルキル基としては、例
えばメチル！エチルシｎ−ブーピル、 １ｉｏ−プツピ
ル、ｎ−ブチルｔｉｓｏ−メチル、 ｔａｒｔ−ブチル
等の炭素数１〜６の低級フルキル基が好ましく挙げられ
る。
Ｉ ＲＩ は水素原子、低級アルキル基またはカルボキシル基置換
低級アルキル基を表わす。低級フルキル基としては、例
えばメチル！エチルシｎ−ブーピル、 １ｉｏ−プツピ
ル、ｎ−ブチルｔｉｓｏ−メチル、 ｔａｒｔ−ブチル
等の炭素数１〜６の低級フルキル基が好ましく挙げられ
る。
カルボキシル基置換低級フルキル基として社、例えば−
〇−ＣＯＯＨ（ここで１４ 、 Ｒ９は同一もしくは異
なり水素原子、あるいはメチル、エチル、ブーピル等の
低級アルキル基であるかあるいはそれらが付いている炭
素原子とあわせて炭素数３〜５のシクロフルキリデン環
を表わす）、あるいは−（ＣＭ、−）２．Ｃ０ＯＨ（こ
こでρは２〜６の整数を表わす）で示される基が挙げら
れる。
〇−ＣＯＯＨ（ここで１４ 、 Ｒ９は同一もしくは異
なり水素原子、あるいはメチル、エチル、ブーピル等の
低級アルキル基であるかあるいはそれらが付いている炭
素原子とあわせて炭素数３〜５のシクロフルキリデン環
を表わす）、あるいは−（ＣＭ、−）２．Ｃ０ＯＨ（こ
こでρは２〜６の整数を表わす）で示される基が挙げら
れる。
式（Ｉｌのセファ−スポリン誘導体における部翼
０Ｒ’
ずれをも包含する。特（シン型が好ましい。
上記式ＣＩ） においてＹは窒素原子またはＣＲ”ｎ−
プロピル、 １ｓｏ−プロピル＋ｎ−ブチル瞥１ｓｏ−
ブチル、 ｔａｒｔ−ブチル等を挙げること籠 かできる。ＹがＣＲ’であるとき、セファ０スポリン誘
導体は２−７ミノチアゾール・−４−イル部分を有する
が、これは２−イミノチアゾリン−４−イル狐に異性化
することも可能である。それ数本発明においては、チア
ゾリン・フオームおよびチアゾール・フオームのいずれ
の互変異性体も包含する。
プロピル、 １ｓｏ−プロピル＋ｎ−ブチル瞥１ｓｏ−
ブチル、 ｔａｒｔ−ブチル等を挙げること籠 かできる。ＹがＣＲ’であるとき、セファ０スポリン誘
導体は２−７ミノチアゾール・−４−イル部分を有する
が、これは２−イミノチアゾリン−４−イル狐に異性化
することも可能である。それ数本発明においては、チア
ゾリン・フオームおよびチアゾール・フオームのいずれ
の互変異性体も包含する。
Ｙが窒素原子であるとき、セフ７−スポリン誘導体は５
−７ミノー１，２．４−チアジアゾール−３−イル部分
を有するが、この場合も同様にチアゾリン・フオーム（
５−イミノ−１゜２．４−チアジアゾリン−３−イル）
も包含する。
−７ミノー１，２．４−チアジアゾール−３−イル部分
を有するが、この場合も同様にチアゾリン・フオーム（
５−イミノ−１゜２．４−チアジアゾリン−３−イル）
も包含する。
上記式（Ｉ）において、２は硫黄原子、酸１ｇ原低級フ
ルキル基を表わす。かかる低級アルキル基としては例え
ば、メチル、エチルＩｎ−プロピル＋ １ｉｏ−プロピ
ルＩｎ−ブチル。
ルキル基を表わす。かかる低級アルキル基としては例え
ば、メチル、エチルＩｎ−プロピル＋ １ｉｏ−プロピ
ルＩｎ−ブチル。
１ｓｏ−ブチル、 ｔｅｒｔ−ブチル等を挙げることが
できる。２が硫黄原子であるとき、セフエム系セフ７０
スポリン誘導体を表わし、酸素原子であるとぎ、オキサ
セフェム系セファロきカルバセフェム系セファロスポリ
ン訪導体を表わす。
できる。２が硫黄原子であるとき、セフエム系セフ７０
スポリン誘導体を表わし、酸素原子であるとぎ、オキサ
セフェム系セファロきカルバセフェム系セファロスポリ
ン訪導体を表わす。
上記式（Ｉ）のｊ、ｍ、ｎは同一もしくは異なりそれぞ
れＯから４までの整数（但し４≦！＋ ｍ ＋ ｎ≦８
）を表わす。式（Ｉ＋のセファ−スポリン誘導体はその
３位にジアザビシクロ構造を有する置換基例えば、１−
（１，４−：）アザビシクロ−（２，２，２’ｌ−オク
タニウム）メチル、 １− （１，４−ジアザビシクロ
−（２，シ。
れＯから４までの整数（但し４≦！＋ ｍ ＋ ｎ≦８
）を表わす。式（Ｉ＋のセファ−スポリン誘導体はその
３位にジアザビシクロ構造を有する置換基例えば、１−
（１，４−：）アザビシクロ−（２，２，２’ｌ−オク
タニウム）メチル、 １− （１，４−ジアザビシクロ
−（２，シ。
ｒ）−へプタニクム）メチル基等を持つ。
本発明のセファロスポリン誘導体はその塩類であっても
よい。塩類としては以下の塩がその例として挙げられる
。
よい。塩類としては以下の塩がその例として挙げられる
。
上ｌｅ式（１） −ａ 〜（Ｉ） −ｆ Ｋ ｔａイ”
（Ｔｅ、 Ｔ、”’。
（Ｔｅ、 Ｔ、”’。
７．１θはそれぞれ１価、２価、３価の陰イオンテｂ
リ、 例エバｃｔ”、 Ｂｒｅ、■ｅ、 Ｆ１３）、
Ｎｏ、ｅ、 ｃｉｏ４゜。
リ、 例エバｃｔ”、 Ｂｒｅ、■ｅ、 Ｆ１３）、
Ｎｏ、ｅ、 ｃｉｏ４゜。
Ｂ（２ｄ９． Ｓ□、ｗｅ、’ ＰＯ，”θ ナト（Ｆ
ｌｌＩｌｌ陰イ矛ｙ。
ｌｌＩｌｌ陰イ矛ｙ。
θ ｅ
ＣＦ［、Ｃｏ、 、 ＣＦ３Ｃｏ、 、 ｃｃｌ、ｃｏ
、ｅナトｔｖ有機陰イｔンが挙げられる。−はＮａ”、
Ｋ”、 ＬｉΦなどのアルカリ金属である。
、ｅナトｔｖ有機陰イｔンが挙げられる。−はＮａ”、
Ｋ”、 ＬｉΦなどのアルカリ金属である。
上記式（１１のジアザビシクロ構造を有する部で表わさ
れる塩の場合にも、本発明の塩類として挙げられる。
れる塩の場合にも、本発明の塩類として挙げられる。
本発明のセファ−スポリン誘導体またはその塩類の好ま
しい具体例を挙げれば次のとおりである。
しい具体例を挙げれば次のとおりである。
（ｌ）セフェム系セファロスポリン誘導体（１１７−（
（６）−２−メトキシイミノ−２−（２−（２−７ミノ
チアゾールー４−イル）７セトアミド）−ｓ−（（１−
（１゜４−ジ７ザビシクａ −〔２，２，２）−オクタ
ニウム）〕リチル）−３−セフェム −４−カルボキシレート （２）７−［■−２−メトキシイミノー２−（２−７ミ
ノチアゾールー４−イル）７セト７ミド］−３−（（１
−（４−メチル−１−アザ−４−７ゾニアービシクーー
Ｃｚｔ２＊ｚ ）−オクタニウム）〕−メチル）−３
−セフェム−４−カルボキシレートアイオダイド （３） ７−〔（６）−２−メトキシイミノ−２−（２
−７ミノチ７ゾールー４−イル）７セトアミド：ｌ−３
−（’（１−（テトラハイドロ−ビラシー（１，２−ａ
）−ピラゾリウム）〕−７チノリー３−セ７エムー４
−カルボキシレート ＋４）７−（：（３）−２−メトキシイミノ−２−（５
−アミノ−１，２，４−チア：）７ゾールー３−イル）
アセトアミド）−３−（Ｃ１−（１，４−ジアザビシク
ジ−（ｚｔ２ｔｚ）−オクタニウム）〕〕メチル〕−３
−セフェムー４−カルボキシレー ト５１７−（り）−２−メトキシイミノ−２−（５−イ
ミノ−１，２，４−チアジアゾリン−３−イル）アセト
アミド］−３−（（１−１，４−ジアザビシクロ−Ｃ２
，２，２）−オクタニウム）〕メチル）−３−セフェム
−４−カルボキシレート ＋６１ ７− Ｃｚｌ −２−メトキシイミノ−２−（
２−イミノチアゾリン−４−イル）アセトアミド：］−
３−（（１−（１，４−ジアザビシクー−（２１２９２
）−オクタニウム）〕メチノＪ）−３−セフェム−４−
カルボキシレート （７１７−（（イ）−２−エトキシイミノ−２−（２−
７ミノチアゾールー４−イル）アセトアミド） −３−
（（１−（１，４−ジアザビシクａ −Ｃ２，２，２）
−オクタニウム）〕〕メチツリー３−セフェムー４−カ
ルボキシレー ト８１７−（■−２−カルボキシメトキシイミノ−２−
（２−アミ／チアゾール−４−イル）アセトアミド）−
３−（［：１．４−ジアザビシクロ−（２＋２ｓ２ ］
−オクタニウム）〕メ千ノｋ） −３−セフェＡ −４
−カルボキシレート ＋９１ ７− Ｃ２−（２−７ミノチアゾールー４−イ
ル）７セトアミド１ｌ−３−（（”ｌ。
（６）−２−メトキシイミノ−２−（２−（２−７ミノ
チアゾールー４−イル）７セトアミド）−ｓ−（（１−
（１゜４−ジ７ザビシクａ −〔２，２，２）−オクタ
ニウム）〕リチル）−３−セフェム −４−カルボキシレート （２）７−［■−２−メトキシイミノー２−（２−７ミ
ノチアゾールー４−イル）７セト７ミド］−３−（（１
−（４−メチル−１−アザ−４−７ゾニアービシクーー
Ｃｚｔ２＊ｚ ）−オクタニウム）〕−メチル）−３
−セフェム−４−カルボキシレートアイオダイド （３） ７−〔（６）−２−メトキシイミノ−２−（２
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）−ピラゾリウム）〕−７チノリー３−セ７エムー４
−カルボキシレート ＋４）７−（：（３）−２−メトキシイミノ−２−（５
−アミノ−１，２，４−チア：）７ゾールー３−イル）
アセトアミド）−３−（Ｃ１−（１，４−ジアザビシク
ジ−（ｚｔ２ｔｚ）−オクタニウム）〕〕メチル〕−３
−セフェムー４−カルボキシレー ト５１７−（り）−２−メトキシイミノ−２−（５−イ
ミノ−１，２，４−チアジアゾリン−３−イル）アセト
アミド］−３−（（１−１，４−ジアザビシクロ−Ｃ２
，２，２）−オクタニウム）〕メチル）−３−セフェム
−４−カルボキシレート ＋６１ ７− Ｃｚｌ −２−メトキシイミノ−２−（
２−イミノチアゾリン−４−イル）アセトアミド：］−
３−（（１−（１，４−ジアザビシクー−（２１２９２
）−オクタニウム）〕メチノＪ）−３−セフェム−４−
カルボキシレート （７１７−（（イ）−２−エトキシイミノ−２−（２−
７ミノチアゾールー４−イル）アセトアミド） −３−
（（１−（１，４−ジアザビシクａ −Ｃ２，２，２）
−オクタニウム）〕〕メチツリー３−セフェムー４−カ
ルボキシレー ト８１７−（■−２−カルボキシメトキシイミノ−２−
（２−アミ／チアゾール−４−イル）アセトアミド）−
３−（［：１．４−ジアザビシクロ−（２＋２ｓ２ ］
−オクタニウム）〕メ千ノｋ） −３−セフェＡ −４
−カルボキシレート ＋９１ ７− Ｃ２−（２−７ミノチアゾールー４−イ
ル）７セトアミド１ｌ−３−（（”ｌ。
４−ジアザビシクロ−［２，２，２：ｌ−オクタニウム
）〕〕メチリー３−七フエム ー４−カルボキシレー ト１１）７−（り）−２−（２−カルボキシプロプ−２
−オキシイミノ）−２−（２−７ミノチアゾールー４−
イル）７セトアミド）−ａ−（（ｒ−（ｉ、４−ジアザ
ビシクロ−Ｃ２１２９２〕−オクタニウム）〕メ千ノｋ
）−３−セフェム−４−カルボキシレート ａｌｌ ７−（２−（５−７４／−１，２，４−＋ア
ジアゾールー３−イル）７セトアミド〕−３−（（１−
（１，４−ジアザビシバ−（２＊Ｌ２ ）−オクタラム
）〕〕メチツリー３−セフェムー４−カルボキシレート
り ７−〔り）−２−メトキシイミノ−２−（２−アミ
ノ−５−メチルチアゾール−４−イル）アセトアミド）
−３−（（１−１，４−ジアザビシクロ−（２，２，２
） −オクタニウム）〕〕メチツリー３−セフェムー４
−カルボキシレー ａｌ ７−（り）（−２−メトキシイミノ−２−（２
−７ミノチ７ゾールー４−イル）アセトアミド）−３−
（［１−（１，４−ジアザビシクー−（２，２，１）−
へブタニウム〕メチ／リー３−セフェム−４−カルボキ
シレート （ＩＪ （１）の塩酸塩 に） （３）の硫酸塩 α６）０の酢酸塩 （１１） オキサセファム系セファ−スポリン誘困 （２） ７−〔（３）−２−メトキシイミノ−２−（２
−７ミノチアゾールー４−イル）アセトアミド−３−（
（１−（１，４−ジアザビシクロ−ＣＬＬ２ ］−オク
タニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−オキサ３−
セフェム−４−カルボキシレート （財） ７−〔ρ）−２−メトキシイミノ−２−（５−
７ミノー１．２．４−チアジアゾール−３−イル）アセ
トアミド）−３−（［：１− （１，４−ジアザビシク
ジ−（ｚｔ２ｓｚ〕−オクタニウム）〕メチリ −１−
ブチツー１−オキサ−３−セフェム−４−カルボキシレ
ート （２） ７−〔ρｌ−２−（２−カルボキシプロプ−２
−オキシイミノ）−２−（５−アミノ−１，２，４−チ
アジアゾール−３−イル）アセトアミド：］−３−（Ｃ
Ｉ−（Ｌ４−ジアザビシクロ−（２，２，２〕−オクタ
ニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−オキサ３−セ
フェム−４−カルボキシレート ｆｉ ７−［２−（５−７ミノ１，２．４−チアシフ
プール−３−イル）アセトアミド〕−３−（’［：１−
（１−（１，４−ジアザビシクａ （２，２，２）オク
タニウム）］メチル）−１−デチアー１−オキサー３−
セフェム−４−カルボキシレート ＠ ７−［Ｅｌ−２−（２−カルボキンプルブー２−オ
キシイミノ−２−（５−イミ／ −１，２，４−チアン
アゾリン−３−イル）アセトアミド〕−３−（［： １
− （１，４−ジアザビシクロ−１： ２，２．２ ）
−オクタニウム）〕〕メチツリー１−デチ７−１−オキ
サ３−セフェム−４−カルボキシレート ＠ ７−〔（３）−２−エトキシイミ／−２−（２−７
ミノチアゾールー４−イル）アセトアミド）−３−（１
： １−（１，４−ジアザビシクａ （２，２，２）オ
クタニウム）〕メチル）−１−デチアー１−オキサー３
−セフェム−４−カルボキシレート ＠ ７−Ｃ（？）−２−エトキシイミノ−２−（２−
アミノ−５−エチルチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド〕−３−（Ｃ１゜４−ジアザビシクロ−（２，２，２
）−オクタニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−オ
キサ３−セフェム−４−カルボキシレート −７−〔（３）−２−メトキシイミノ−２−（２−７ミ
ノチアゾールー４−イル）７セト７ミドー３−（（１−
（１，４−ジアザビシクロ−（２，２，Ｉ Ｊ−へブタ
ニウム）〕メチル）−１−ジチア−ｌ−オキサ−３−セ
フェム−４−カルボキシレート ＠ 四のトリフルオロ酢酸塩 ＠ＱＤの臭化水素酸塩 Ｏｎ （至）の塩！！！填 ｔ３Ｄ （至）のリン酸塩 ｏ＋＋＋ カルバセフェム系セフ′Ｐロスポリン誘導
！ （４１７−［（Ｚｌ−２−メトキシイミノ−２−（２−
アミノ手アゾールー４−イル）アセトアミド］−５−（
［ｔ−（ｔ、＋−ジアザビシクＲ−１： ２，２，２
］−オクタニウム）〕メチル〕 −１−ブチツー１−カ
ルバ−３−セフェム−４−カルボキシレート ｉ４υ ７−〔（３）−２−メトキシイミノ−２−（５
−アミ／ −１，２，４−チアジアゾール−３−イル）
７セトアミド）−３−（Ｃ１−（１，４−：）アザビシ
クロ−〔２少２う２〕−オクタニウム）〕〕メチツリー
１−デチ７−１−カルパー３セフェム−４−カルボキシ
レート ｕｓ ｒ−ＣＺＩ−２−メトキシイミノ−ｚ−（２−
イミノチアゾリン−４−イル）７セトアミド：］−３−
（（１−（１，４−ジアザビシクー−〔２，２，２〕オ
クタニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−カルパー
３セフェム−４−カルボキシレート （至） ７−［：（Ｚｌ−２−エトキシイミノ−２−（
２−７ミノチ７ゾールー４−イル）アセトアミド）−３
−（［：１−（１，４−ジアザビシクａ −（２，２，
２）−オクタニウム）〕メチル）−１−デチアー１−カ
ルバー３−セフェム−４−カルボキシレート ｔａ４７− （Ｅ） −２−カルボキシメトキシイミノ
−２−（２−７ミノチ７ゾールー４−イル）アセトアミ
ド）−３−（（１−（１，，４−ジアザビシクロ−（２
，２，２：ｌ −オクタニウム）〕メチル）−１−デチ
アー１−カルパー３−セフェム−４−、カルボキシレー
ト 卿 ７−（２−（２−７ミノチアゾール−４−イル）ア
セトアミド）−３−（（１−（１，４−ジアザビシフａ
−Ｃ２，２，２：］−オクタニニウム〕〕メチツリー
１−デチアー１−カルパー３セフェム−４−カルボキシ
レート θｅ ７−〔り）−２−（２−カルボキシブーブー２−
オキシイミノ）−２−（５−イミノ−１，２，４−チア
ジアゾリン−３−イル）アセトアミド）−３−（（１−
（１，４−ジアザビシクロ−Ｃｚ、ｚ、ｚ ：ｌオクタ
ニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−カルパー３セ
フェム−４−カルボキシレート 曲 ７−（（Ｚ）−２−メトキシイミノ−２−（２−７
ミノチアゾールー４−イル）アセトアミド）−３−（［
１−（Ｌ＋４−ジアザビシクロ−（２，２，１］−へプ
タニクム）〕〕メチツリー１−デチアー１−カルパー３
セフェム−４−カルボキシレート −−のトリフルオロ酢酸塩 ｔ４１１ｎｕの塩酸塩 （至） 輪の硫酸塩 本発明のセフアルスポリン誘導体またはその塩類は下記
式（１） で表わされる化合物またはその塩と下記式（財）〔式中
、ｌ 、ｍ、ｎは上記定義に同じ。〕で表わされるジア
ザビシクロ化合物またはその塩とを反応せしめ、必要に
応じて保護基を除去せしめあるいは塩類に導び（こと（
よって製造される。
）〕〕メチリー３−七フエム ー４−カルボキシレー ト１１）７−（り）−２−（２−カルボキシプロプ−２
−オキシイミノ）−２−（２−７ミノチアゾールー４−
イル）７セトアミド）−ａ−（（ｒ−（ｉ、４−ジアザ
ビシクロ−Ｃ２１２９２〕−オクタニウム）〕メ千ノｋ
）−３−セフェム−４−カルボキシレート ａｌｌ ７−（２−（５−７４／−１，２，４−＋ア
ジアゾールー３−イル）７セトアミド〕−３−（（１−
（１，４−ジアザビシバ−（２＊Ｌ２ ）−オクタラム
）〕〕メチツリー３−セフェムー４−カルボキシレート
り ７−〔り）−２−メトキシイミノ−２−（２−アミ
ノ−５−メチルチアゾール−４−イル）アセトアミド）
−３−（（１−１，４−ジアザビシクロ−（２，２，２
） −オクタニウム）〕〕メチツリー３−セフェムー４
−カルボキシレー ａｌ ７−（り）（−２−メトキシイミノ−２−（２
−７ミノチ７ゾールー４−イル）アセトアミド）−３−
（［１−（１，４−ジアザビシクー−（２，２，１）−
へブタニウム〕メチ／リー３−セフェム−４−カルボキ
シレート （ＩＪ （１）の塩酸塩 に） （３）の硫酸塩 α６）０の酢酸塩 （１１） オキサセファム系セファ−スポリン誘困 （２） ７−〔（３）−２−メトキシイミノ−２−（２
−７ミノチアゾールー４−イル）アセトアミド−３−（
（１−（１，４−ジアザビシクロ−ＣＬＬ２ ］−オク
タニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−オキサ３−
セフェム−４−カルボキシレート （財） ７−〔ρ）−２−メトキシイミノ−２−（５−
７ミノー１．２．４−チアジアゾール−３−イル）アセ
トアミド）−３−（［：１− （１，４−ジアザビシク
ジ−（ｚｔ２ｓｚ〕−オクタニウム）〕メチリ −１−
ブチツー１−オキサ−３−セフェム−４−カルボキシレ
ート （２） ７−〔ρｌ−２−（２−カルボキシプロプ−２
−オキシイミノ）−２−（５−アミノ−１，２，４−チ
アジアゾール−３−イル）アセトアミド：］−３−（Ｃ
Ｉ−（Ｌ４−ジアザビシクロ−（２，２，２〕−オクタ
ニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−オキサ３−セ
フェム−４−カルボキシレート ｆｉ ７−［２−（５−７ミノ１，２．４−チアシフ
プール−３−イル）アセトアミド〕−３−（’［：１−
（１−（１，４−ジアザビシクａ （２，２，２）オク
タニウム）］メチル）−１−デチアー１−オキサー３−
セフェム−４−カルボキシレート ＠ ７−［Ｅｌ−２−（２−カルボキンプルブー２−オ
キシイミノ−２−（５−イミ／ −１，２，４−チアン
アゾリン−３−イル）アセトアミド〕−３−（［： １
− （１，４−ジアザビシクロ−１： ２，２．２ ）
−オクタニウム）〕〕メチツリー１−デチ７−１−オキ
サ３−セフェム−４−カルボキシレート ＠ ７−〔（３）−２−エトキシイミ／−２−（２−７
ミノチアゾールー４−イル）アセトアミド）−３−（１
： １−（１，４−ジアザビシクａ （２，２，２）オ
クタニウム）〕メチル）−１−デチアー１−オキサー３
−セフェム−４−カルボキシレート ＠ ７−Ｃ（？）−２−エトキシイミノ−２−（２−
アミノ−５−エチルチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド〕−３−（Ｃ１゜４−ジアザビシクロ−（２，２，２
）−オクタニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−オ
キサ３−セフェム−４−カルボキシレート −７−〔（３）−２−メトキシイミノ−２−（２−７ミ
ノチアゾールー４−イル）７セト７ミドー３−（（１−
（１，４−ジアザビシクロ−（２，２，Ｉ Ｊ−へブタ
ニウム）〕メチル）−１−ジチア−ｌ−オキサ−３−セ
フェム−４−カルボキシレート ＠ 四のトリフルオロ酢酸塩 ＠ＱＤの臭化水素酸塩 Ｏｎ （至）の塩！！！填 ｔ３Ｄ （至）のリン酸塩 ｏ＋＋＋ カルバセフェム系セフ′Ｐロスポリン誘導
！ （４１７−［（Ｚｌ−２−メトキシイミノ−２−（２−
アミノ手アゾールー４−イル）アセトアミド］−５−（
［ｔ−（ｔ、＋−ジアザビシクＲ−１： ２，２，２
］−オクタニウム）〕メチル〕 −１−ブチツー１−カ
ルバ−３−セフェム−４−カルボキシレート ｉ４υ ７−〔（３）−２−メトキシイミノ−２−（５
−アミ／ −１，２，４−チアジアゾール−３−イル）
７セトアミド）−３−（Ｃ１−（１，４−：）アザビシ
クロ−〔２少２う２〕−オクタニウム）〕〕メチツリー
１−デチ７−１−カルパー３セフェム−４−カルボキシ
レート ｕｓ ｒ−ＣＺＩ−２−メトキシイミノ−ｚ−（２−
イミノチアゾリン−４−イル）７セトアミド：］−３−
（（１−（１，４−ジアザビシクー−〔２，２，２〕オ
クタニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−カルパー
３セフェム−４−カルボキシレート （至） ７−［：（Ｚｌ−２−エトキシイミノ−２−（
２−７ミノチ７ゾールー４−イル）アセトアミド）−３
−（［：１−（１，４−ジアザビシクａ −（２，２，
２）−オクタニウム）〕メチル）−１−デチアー１−カ
ルバー３−セフェム−４−カルボキシレート ｔａ４７− （Ｅ） −２−カルボキシメトキシイミノ
−２−（２−７ミノチ７ゾールー４−イル）アセトアミ
ド）−３−（（１−（１，，４−ジアザビシクロ−（２
，２，２：ｌ −オクタニウム）〕メチル）−１−デチ
アー１−カルパー３−セフェム−４−、カルボキシレー
ト 卿 ７−（２−（２−７ミノチアゾール−４−イル）ア
セトアミド）−３−（（１−（１，４−ジアザビシフａ
−Ｃ２，２，２：］−オクタニニウム〕〕メチツリー
１−デチアー１−カルパー３セフェム−４−カルボキシ
レート θｅ ７−〔り）−２−（２−カルボキシブーブー２−
オキシイミノ）−２−（５−イミノ−１，２，４−チア
ジアゾリン−３−イル）アセトアミド）−３−（（１−
（１，４−ジアザビシクロ−Ｃｚ、ｚ、ｚ ：ｌオクタ
ニウム）〕〕メチルー−１−デチアー１−カルパー３セ
フェム−４−カルボキシレート 曲 ７−（（Ｚ）−２−メトキシイミノ−２−（２−７
ミノチアゾールー４−イル）アセトアミド）−３−（［
１−（Ｌ＋４−ジアザビシクロ−（２，２，１］−へプ
タニクム）〕〕メチツリー１−デチアー１−カルパー３
セフェム−４−カルボキシレート −−のトリフルオロ酢酸塩 ｔ４１１ｎｕの塩酸塩 （至） 輪の硫酸塩 本発明のセフアルスポリン誘導体またはその塩類は下記
式（１） で表わされる化合物またはその塩と下記式（財）〔式中
、ｌ 、ｍ、ｎは上記定義に同じ。〕で表わされるジア
ザビシクロ化合物またはその塩とを反応せしめ、必要に
応じて保護基を除去せしめあるいは塩類に導び（こと（
よって製造される。
上記式α〕においてＸ′はメチレン基または−Ｃ−を表
わす。ここでＲ１１は水素原子、低？ ＯＲ’鳳 級フルキル基、カルボキシル基、ｆｆｌ換低級アルキル
基または保護されたカルボキシル基置換低級アルキル基
を表わす。保饅されたカルボキシル基置換低級フルキル
基の保護基としては、例えばメチル、エチル９ブーピル
！イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルなど
のフルキル基；β−メチルスルホニルエチル、トリクロ
ルエチル、ジフェニルメチ。
わす。ここでＲ１１は水素原子、低？ ＯＲ’鳳 級フルキル基、カルボキシル基、ｆｆｌ換低級アルキル
基または保護されたカルボキシル基置換低級アルキル基
を表わす。保饅されたカルボキシル基置換低級フルキル
基の保護基としては、例えばメチル、エチル９ブーピル
！イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルなど
のフルキル基；β−メチルスルホニルエチル、トリクロ
ルエチル、ジフェニルメチ。
ルナトの置換フルキル基；フェニル、トリル中
などのアリール基；ｐ−ｔブチルフェニル。
ｐ−ニド−フェニルなどの置換アリール基；ベンジル、
フェネチル、トルベンジルなどの７ラルキル基；ｐ−メ
トキシベンジル、ｐ−ニトロベンジルなどの置換アラル
キル基などが用いられる。
フェネチル、トルベンジルなどの７ラルキル基；ｐ−メ
トキシベンジル、ｐ−ニトロベンジルなどの置換アラル
キル基などが用いられる。
上記式（Ｉ）のＲ５は水素原子または保護基を表わす。
７ミノ基の保護基としてはたとえばトリフェニル基；ホ
ルミル、アセチル、プロピオニルなどのフルキルカルボ
ニル基；ｔ−ブトキシカルボニルなどのフルコキシカル
ボニル基；メトキシアセチル、メトキシプロピオニルナ
トのフルコキシアルキル力ルポニル基；トリクロルエト
キシカルボニルなどの置換アルフキジカルボニル基；ベ
ンジルオキシカルボニルなどの７ラルキルオキシカルボ
ニル基；ｐ−・ニド−ベンジルオキシカルボニルなどの
置換アラルキルオキシカルボニル基などが挙げられる。
ルミル、アセチル、プロピオニルなどのフルキルカルボ
ニル基；ｔ−ブトキシカルボニルなどのフルコキシカル
ボニル基；メトキシアセチル、メトキシプロピオニルナ
トのフルコキシアルキル力ルポニル基；トリクロルエト
キシカルボニルなどの置換アルフキジカルボニル基；ベ
ンジルオキシカルボニルなどの７ラルキルオキシカルボ
ニル基；ｐ−・ニド−ベンジルオキシカルボニルなどの
置換アラルキルオキシカルボニル基などが挙げられる。
上記式（ＩｌのＲ６は水素原子または保護基を表わし、
かかる保護基としてはＲ１１で例示したものと同様の保
護基が挙げられる。
かかる保護基としてはＲ１１で例示したものと同様の保
護基が挙げられる。
上記式（Ｉ）のＲ７は、臭素、目つ素、塩素などのハロ
ゲン原子；トリフルオロアセチル！クールアセチル！プ
ｐム７セチル、フェノキシアセチルなどの置換７セチル
基を表わす。式（Ｉｔ）の・化合物はその塩でもよく、
例えば塩酸。
ゲン原子；トリフルオロアセチル！クールアセチル！プ
ｐム７セチル、フェノキシアセチルなどの置換７セチル
基を表わす。式（Ｉｔ）の・化合物はその塩でもよく、
例えば塩酸。
臭化水素酸、硫敗、酢酸、ベンゼンスルホン酸などの酸
付加塩、あるいはカルボキシル基におけるナトリウム塩
、カリウム塩、アンモニウム塩等の塩であってもよい。
付加塩、あるいはカルボキシル基におけるナトリウム塩
、カリウム塩、アンモニウム塩等の塩であってもよい。
上記式ｌ〕の化合物は例えば以下の方法、によって製造
される（参考文献； ” Ｃ＠ｐｈａｌｏｍｐｏｒ−１
ｎ＠ ａｎｄ Ｐ＠ｎ１ａｌｌｉｎｅｓ＋ ” ＋
Ｆｌｙｎｎ ｌ 、 ８ ３ ベージｙ
Ａｃａｄ＠ｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ 惨１９７２ ）ＣＯＯ
Ｒ’ 他方の原料である式（至）のジアザビシクロ化合物にお
いてｅ ｊ ９ｍ 、ｎはそれぞれＯ〜４の整数（但し
４≦ｌ ＋ ｍ ＋ ｎ≦８）を表わす。
される（参考文献； ” Ｃ＠ｐｈａｌｏｍｐｏｒ−１
ｎ＠ ａｎｄ Ｐ＠ｎ１ａｌｌｉｎｅｓ＋ ” ＋
Ｆｌｙｎｎ ｌ 、 ８ ３ ベージｙ
Ａｃａｄ＠ｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ 惨１９７２ ）ＣＯＯ
Ｒ’ 他方の原料である式（至）のジアザビシクロ化合物にお
いてｅ ｊ ９ｍ 、ｎはそれぞれＯ〜４の整数（但し
４≦ｌ ＋ ｍ ＋ ｎ≦８）を表わす。
ジアザビシクロ化合物としては、例えば。
１．４−ジアザビシクロ−Ｃ２ｔｚｔｚ ）−オクタン
１．４−ジ７ザビジクＰ −（２，２，１］−へブタン
１．４−ジアザビシクロ−（： ２，２．０ ）−ヘキ
サンなどがある。
サンなどがある。
ジアザビシクロ化合物は酸付加塩であってもよく、例え
ば塩酸、臭化水素酸、ギ駿、酢酸、）ｌＪ７／Ｉ−オロ
酢酸、硫酸；硝１！、！７７酸！メタンスルホン酸等の
改行加塩が挙げられる。
ば塩酸、臭化水素酸、ギ駿、酢酸、）ｌＪ７／Ｉ−オロ
酢酸、硫酸；硝１！、！７７酸！メタンスルホン酸等の
改行加塩が挙げられる。
また窒素原子に置換されていてもよいフルキル基、ベン
ジル基が置換した第４級塩であってもよい。
ジル基が置換した第４級塩であってもよい。
式（Ｉ）の化合物またはその塩と式（至）のジアザビシ
クロ化合物またはその塩との反応は、有機溶媒中で両者
を接触せしめるととによって行なわれる。
クロ化合物またはその塩との反応は、有機溶媒中で両者
を接触せしめるととによって行なわれる。
反応溶媒としては１例えば塩化メチレン。
クーロホルム、ジクロルエタン、四塩化炭素などのハ、
−グン化炭化水素類；エチルエーテル、ブチルエーテル
、ジオキサン！テトラヒトａｙラン等のエーテル類；ヘ
キサン、酢酸エチル、７セトニトリルなどが挙げられる
。
−グン化炭化水素類；エチルエーテル、ブチルエーテル
、ジオキサン！テトラヒトａｙラン等のエーテル類；ヘ
キサン、酢酸エチル、７セトニトリルなどが挙げられる
。
反応濃度は室温もしくはそれ以下の温度であり、通常−
３０℃〜＋５０℃の範囲で実施するのがよい。
３０℃〜＋５０℃の範囲で実施するのがよい。
式＋Ｉ［）の化合物もしくはその塩と式（資）の化合４
［Ｌ＜はその塩とは等モル量が反応するが。
［Ｌ＜はその塩とは等モル量が反応するが。
反応を行なうに際しては１通常式（１）の化合物もしく
はその塩に対して式（至）のジアザビシクロ化合物もし
くはその塩は０．７〜ｌＯ倍モル。
はその塩に対して式（至）のジアザビシクロ化合物もし
くはその塩は０．７〜ｌＯ倍モル。
好ましくは１．０〜１０倍モル使用される。
反応は両者を単に攪拌するだけで進行し、反応時間は反
応溶媒、反応温度等によって異なるが１通常５分〜３時
間である。
応溶媒、反応温度等によって異なるが１通常５分〜３時
間である。
反応生成物は溶媒抽出、晶析、クロマトグラフィ等の公
知の手段によって単離精製することかできる。
知の手段によって単離精製することかできる。
反応生成物は必要に応じて保護基の除去、あるいは塩類
に導びく反応に付してもよい。
に導びく反応に付してもよい。
保護基の除去反応はそれ自体全知の反応であり、カルボ
キシル基の保護基は、酸もしくはアルカリの存在下の加
水分解反応等（よって除去することができる。、７ミノ
基の保護基は、駿あるいは接触還元等によって除去する
ことができる。
キシル基の保護基は、酸もしくはアルカリの存在下の加
水分解反応等（よって除去することができる。、７ミノ
基の保護基は、駿あるいは接触還元等によって除去する
ことができる。
塩類に導びく反応はそれ自体全知の反応であり、例えば
上記反応で得られる式（Ｉｌのベタイン構造の化合物を
、塩酸、臭化水Ｓ酸、硫醗、硝酸、リンｗｔ、酢酸、ト
リフルオー酢酸等の酸；あるいはベタインを酸の存在下
、塩化ナトリクム、ヨウ化ナトリウム事塩化カリクム等
の塩で処理することによって行なわれる。またハロゲン
化アルキル等で処理してジアザビシクロ構造の窒素原子
を第４級塩にすることもできる。
上記反応で得られる式（Ｉｌのベタイン構造の化合物を
、塩酸、臭化水Ｓ酸、硫醗、硝酸、リンｗｔ、酢酸、ト
リフルオー酢酸等の酸；あるいはベタインを酸の存在下
、塩化ナトリクム、ヨウ化ナトリウム事塩化カリクム等
の塩で処理することによって行なわれる。またハロゲン
化アルキル等で処理してジアザビシクロ構造の窒素原子
を第４級塩にすることもできる。
かくして本発明のセファ１スポリン誘導体またはその塩
類が製造される。
類が製造される。
本発明のセラフ０スポリン誘導体またはその塩類は抗菌
活性を有し、抗菌剤として有用であり非経口的または経
口的に投与される。
活性を有し、抗菌剤として有用であり非経口的または経
口的に投与される。
非経口的に投与する剤型としては、例えば静脈もしくは
筋肉内注射剤、全開等がある。
筋肉内注射剤、全開等がある。
注射剤は水性もしくは油性溶液、懸濁液等の形態をとる
ことができ、また使用前に殺菌水で再調合する乾燥粉末
であってもよい。全開はフコ７パター、グリセリド等の
通常の賦形剤に必要に応じて吸収促進剤を含有せしめて
なる製剤が挙げられる。
ことができ、また使用前に殺菌水で再調合する乾燥粉末
であってもよい。全開はフコ７パター、グリセリド等の
通常の賦形剤に必要に応じて吸収促進剤を含有せしめて
なる製剤が挙げられる。
経口的に投与する場合には１通常のカプセル剤９錠剤、
顆粒剤等があり、これらには吸収促進剤、保存剤畔な含
有せしめることがで鎗る。
実本発明のセファロスポリン誘導体また
はその塩の投与量は１年令、症状、投与形態によって異
なるが通常１００〜１０，０００■／日である。
顆粒剤等があり、これらには吸収促進剤、保存剤畔な含
有せしめることがで鎗る。
実本発明のセファロスポリン誘導体また
はその塩の投与量は１年令、症状、投与形態によって異
なるが通常１００〜１０，０００■／日である。
本発明のセファロスポリン誘導体またはその塩類はダラ
ム陰性およびダラム陽性１１に対し広くかつ強い抗■ス
ペクトルを有し、特に緑膿菌、あるいはサルモネラチフ
ス囚、エンテ、バクター１１．変形菌等のダラム陰性菌
および黄色グドー状球菌、化膿しンサ球菌。
ム陰性およびダラム陽性１１に対し広くかつ強い抗■ス
ペクトルを有し、特に緑膿菌、あるいはサルモネラチフ
ス囚、エンテ、バクター１１．変形菌等のダラム陰性菌
および黄色グドー状球菌、化膿しンサ球菌。
枯草菌等のダラム陽性菌に対し強（・抗菌活性を有する
。従って本発明のセファロスポリン誘導体またはその塩
類は人および動物のこれらの細菌による感染症の治療薬
として有用なものである。
。従って本発明のセファロスポリン誘導体またはその塩
類は人および動物のこれらの細菌による感染症の治療薬
として有用なものである。
以下本発明を実施例により更に詳細に説明する。
施例１
７−〔（イ）−２−メトキシイミノ−２−（２−７ミノ
チアゾールー４−イル）アセトアミド〕−３−（（１−
（１，４−ジアザビシクロ−〔２゜２．２〕−オクタニ
ウム）〕〕メチツリー３−セフェムー４−カルボキシレ
ートトリフｐ口酢酸の合成 ７−〔（３）−２−メトキシイミノ−２−（２−トリチ
ルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミ）”：１−
３−ヨードメチル−３−セフェム−４−カルボン酸ペン
ツヒドリルエステルをエーテル３０ＩｄＫｌｌ濁してお
き、これに１，４ージ７ザビシク． − Ｃ ２，２．
２ ）−オクタン２２４■を加え室温で１時間攪拌する
。沈澱物を濾過し、ｒさいにトリフルオロ酢酸３−およ
び水０、３−を加え室温で１時間攪拌する。真空下室製
以下の温度でトリフルオロ酢酸を留去し残査にエーテル
を加えて結晶をつぶして濾過捕集する。得られた結晶を
少量のメタノールに溶かし 実てＨＰ−２０１Ｍ脂を用
い、水−７七トン混合溶媒系でメタノール容量比をＯチ
から５０％まで屓次増しつつ分離する。アセトン：水が
２：８〜３ニアで溶出した分画な凍結乾燥して目的とす
・る’ＩーＣｗｒーｚーメトキシイミノ−２−（２
−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
（（１−（１．４−ジアザビシクー−〔２。
チアゾールー４−イル）アセトアミド〕−３−（（１−
（１，４−ジアザビシクロ−〔２゜２．２〕−オクタニ
ウム）〕〕メチツリー３−セフェムー４−カルボキシレ
ートトリフｐ口酢酸の合成 ７−〔（３）−２−メトキシイミノ−２−（２−トリチ
ルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミ）”：１−
３−ヨードメチル−３−セフェム−４−カルボン酸ペン
ツヒドリルエステルをエーテル３０ＩｄＫｌｌ濁してお
き、これに１，４ージ７ザビシク． − Ｃ ２，２．
２ ）−オクタン２２４■を加え室温で１時間攪拌する
。沈澱物を濾過し、ｒさいにトリフルオロ酢酸３−およ
び水０、３−を加え室温で１時間攪拌する。真空下室製
以下の温度でトリフルオロ酢酸を留去し残査にエーテル
を加えて結晶をつぶして濾過捕集する。得られた結晶を
少量のメタノールに溶かし 実てＨＰ−２０１Ｍ脂を用
い、水−７七トン混合溶媒系でメタノール容量比をＯチ
から５０％まで屓次増しつつ分離する。アセトン：水が
２：８〜３ニアで溶出した分画な凍結乾燥して目的とす
・る’ＩーＣｗｒーｚーメトキシイミノ−２−（２
−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
（（１−（１．４−ジアザビシクー−〔２。
２、２〕−オクタニウム）〕メチル〕 −３−セフェム
−４−カルボキシレートトリフロシ酢酸塩を含む結晶４
８哩が得られた。
−４−カルボキシレートトリフロシ酢酸塩を含む結晶４
８哩が得られた。
同化合物９ＮＭＲスペクトル（ Ｄ，Ｏ中）は以下の通
りである。
りである。
３、３ ｐｐｍ （ １ ２Ｈｓ ｂｒｏａｄ ）
３、９ ｐｐｍ （２Ｈ，ｄｔｄ）４、００ ｐ
ｐｍ （ ３ Ｈ 、 ｓｉｎｇｌｅｔ ）５、３７
ｐｐｍ （ ＩＨ， ｄ ）５、８７ ｐｐｍ
（ＩＨ，ｄ） ７、０１ ｐｐｍ （ Ｉ Ｈ 、 ｓｉｎｇｌ＠
ｔ ）怖例２ 実施例１で得られた化合物および比較のため也のセフフ
シスポリン化合物（ラタモキセフ）Ｏ抗菌活性（最少阻
止濃度ＭＩＣ）を寒天板希尺法〔日本化学療法学会Ｃｈ
＠ｍｏｔｈｅｒａｐｙ ２３ （８１ １（１．９７５
）］ に基づいて測定した結果を次の表に示す。
３、９ ｐｐｍ （２Ｈ，ｄｔｄ）４、００ ｐ
ｐｍ （ ３ Ｈ 、 ｓｉｎｇｌｅｔ ）５、３７
ｐｐｍ （ ＩＨ， ｄ ）５、８７ ｐｐｍ
（ＩＨ，ｄ） ７、０１ ｐｐｍ （ Ｉ Ｈ 、 ｓｉｎｇｌ＠
ｔ ）怖例２ 実施例１で得られた化合物および比較のため也のセフフ
シスポリン化合物（ラタモキセフ）Ｏ抗菌活性（最少阻
止濃度ＭＩＣ）を寒天板希尺法〔日本化学療法学会Ｃｈ
＠ｍｏｔｈｅｒａｐｙ ２３ （８１ １（１．９７５
）］ に基づいて測定した結果を次の表に示す。
実施例３
下記熟方により注射用製剤を作った。
７−〔り）−２−メトキシイミノ−２−（２−７ミノチ
アゾールー４−イル）アセトアミド〕−３−［（１−（
１，４−ジアザビシフａ −２０゜２．２〕−オクタニ
クム）〕〕メチルー３−−セフェム−４−カルボキシレ
ートトリフル１口酢酸塩
２ ５ ０ 諺９滅閑蒸留水
５ｄ
アゾールー４−イル）アセトアミド〕−３−［（１−（
１，４−ジアザビシフａ −２０゜２．２〕−オクタニ
クム）〕〕メチルー３−−セフェム−４−カルボキシレ
ートトリフル１口酢酸塩
２ ５ ０ 諺９滅閑蒸留水
５ｄ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｘはメチレン基または▲数式、化学式、表等が
あります▼（ここでＲ＾１は水素原子またはカルボキシ
ル基置換もしくは非置換の低級アルキル基である） を表わし、Ｙは窒素原子または▲数式、化学式、表等が
あります▼（ここでＲ＾２は水素原子または低級アルキ
ル基である）を表し、Ｚは硫黄原子、酸素原子または ▲数式、化学式、表等があります▼（ここでＲ＾３、Ｒ
＾４は同一もしくは異なりそれぞれ水素原子または低級
アルキル基 である）を表わし、ｌ、ｍ、ｎは同一も しくは異なりそれぞれ０から４までの整 数（但し４≦ｌ＋ｍ＋ｎ≦８）を表わす。〕で表わされ
るセファロスポリン誘導体またはその塩類。 ２、下記式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｘ′はメチレン基または▲数式、化学式、表等
があります▼（ここでＲ″は水素原子または保護された
カル ボキシル基置換もしくは非置換の低級ア ルキル基を表わす）を表わし、Ｒ＾５は水素原子または
保護基を表わし、Ｒ＾６は水素原子または保護基を表わ
し、Ｒ＾７はハロゲン原子または置換アセチル基を表わ
し、Ｙ 及びＺは上記定義に同じ。〕 で表わされる化合物またはその塩と下記式（III）▲数
式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中、ｌ、ｍ、ｎは上記定義に同じ。〕 で表わされるジアザビシクロ化合物またはその塩とを反
応せしめ、必要に応じて保護基を除去せしめあるいは塩
類に導びくことを特徴とする下記式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｌ、ｍ、ｎ、は上記定義に同じ。 〕 で表わされるセファロスポリン誘導体またはその塩類の
製造法。 ３、下記式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｌ、ｍ、ｎは上記定 義に同じ。〕 で表わされるセファロスポリン誘導体またはその塩類を
有効成分とする抗菌剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217313A JPS6197290A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | セフアロスポリン誘導体その製造法およびそれを有効成分とする抗菌剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217313A JPS6197290A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | セフアロスポリン誘導体その製造法およびそれを有効成分とする抗菌剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197290A true JPS6197290A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16702200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217313A Pending JPS6197290A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | セフアロスポリン誘導体その製造法およびそれを有効成分とする抗菌剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197290A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608809A (en) * | 1994-02-09 | 1997-03-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Loudspeaker mounting apparatus |
| US6606392B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-08-12 | Funai Electric Co., Ltd. | Speaker device |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP59217313A patent/JPS6197290A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608809A (en) * | 1994-02-09 | 1997-03-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Loudspeaker mounting apparatus |
| US6606392B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-08-12 | Funai Electric Co., Ltd. | Speaker device |
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