JPS6195523A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPS6195523A JPS6195523A JP21618384A JP21618384A JPS6195523A JP S6195523 A JPS6195523 A JP S6195523A JP 21618384 A JP21618384 A JP 21618384A JP 21618384 A JP21618384 A JP 21618384A JP S6195523 A JPS6195523 A JP S6195523A
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- turbine
- wafer
- spin head
- nitrogen gas
- chamber
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、処理技術、特に半導体装置の製造においてウ
ェハ上に塗布されたフォトレジストの現像技術に適用し
て効果のある技術に関する。
ェハ上に塗布されたフォトレジストの現像技術に適用し
て効果のある技術に関する。
[背景技術]
たとえば、半導体装置の製造におけるフォトエツチング
工程において、有機溶削を現像液とするフォトレジスト
が用いられる場合、ウェハに塗布されたフォトレジスト
の現像を行う装置としては次のようなものが考えられる
。
工程において、有機溶削を現像液とするフォトレジスト
が用いられる場合、ウェハに塗布されたフォトレジスト
の現像を行う装置としては次のようなものが考えられる
。
すなわち、現像チャンバ内に回転自在なスピンヘッドを
設け、このスピンヘッド上にウェハを固定し、モータに
よって回転させなからウェハに現像液を噴霧し、不要部
分のレジストを溶解除去することによって所定のパター
ンのレジストをウェハ上に残存させ、現像を行うもので
ある。
設け、このスピンヘッド上にウェハを固定し、モータに
よって回転させなからウェハに現像液を噴霧し、不要部
分のレジストを溶解除去することによって所定のパター
ンのレジストをウェハ上に残存させ、現像を行うもので
ある。
この場合、現像液として用いられる、たとえばアルコー
ルなどの有a溶剤は揮発性であり、モータが引火源とな
って火災などが発生することを防止するため、スピンヘ
ッドを回転させるモータは厳重な気密構造が施された、
いわゆる防爆構造を有するものを用いることが考えられ
る。
ルなどの有a溶剤は揮発性であり、モータが引火源とな
って火災などが発生することを防止するため、スピンヘ
ッドを回転させるモータは厳重な気密構造が施された、
いわゆる防爆構造を有するものを用いることが考えられ
る。
しかしなから、防爆構造のモータは回転部を気木fM造
とするため外形が大となり、現像装置の小形化が困難と
なる欠点がある。
とするため外形が大となり、現像装置の小形化が困難と
なる欠点がある。
さらに、通常のモータを用い、モーフ部を現像チャンバ
から隔離しモータと現像チャンバの間を常に窒素ガスに
よってパージしながら現像作業を行わせることも考えら
れるが、窒素ガスによるパーツの不時の中断などによっ
て有機溶剤の茶気がモータに触れ火災が発生するなどの
危険は避けられず、現像装置の自動化が困難であるなど
の種々の不都合があることを本発明者は見いだした。
から隔離しモータと現像チャンバの間を常に窒素ガスに
よってパージしながら現像作業を行わせることも考えら
れるが、窒素ガスによるパーツの不時の中断などによっ
て有機溶剤の茶気がモータに触れ火災が発生するなどの
危険は避けられず、現像装置の自動化が困難であるなど
の種々の不都合があることを本発明者は見いだした。
なお、フォトレジストの現像技術に関する特許の例とし
ては、特公昭53−33437号がある。
ては、特公昭53−33437号がある。
[発明の目的1
本発明の目的は、小形化が可能で安全な処理技術を提供
することにある。
することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
・:発明の概要]
すなわら、被処理物を回転させるスピンへノドを、圧縮
窒素ガスによって駆動されるタービンによって回転させ
ることにより、厳重な気密構造を不要にして小形化を可
能にし、さらに可燃性の雰囲気においてタービンが引火
源となることを防止した処理技術を提供することにより
前記目的を達成するものである。
窒素ガスによって駆動されるタービンによって回転させ
ることにより、厳重な気密構造を不要にして小形化を可
能にし、さらに可燃性の雰囲気においてタービンが引火
源となることを防止した処理技術を提供することにより
前記目的を達成するものである。
[実施例1
第1図は本発明の一実施例である現像装置の断面図であ
る。
る。
円筒形の現像チャンバl (処理室)内にはスピンへノ
ド2が水平に設けられ、ウェハ3 (被処理物)が位置
される構造とされている。
ド2が水平に設けられ、ウェハ3 (被処理物)が位置
される構造とされている。
現像チャンバlの上部に着脱自在に設けられた蓋4には
スプレーノズル5が設けられ、適時に現像液が現像チャ
ンバ1内のウェハ3に噴霧される構造とされている。
スプレーノズル5が設けられ、適時に現像液が現像チャ
ンバ1内のウェハ3に噴霧される構造とされている。
また、現像チャンバ1の底部には排気管6が設けられ、
適時に現像チャンバ1内の排気が行われる構造とされて
いる。
適時に現像チャンバ1内の排気が行われる構造とされて
いる。
スビ/ヘッド2に1よ現像チャンバlを貫通するシャフ
ト7が形成され、Oリング8によって貫通部の気密が保
持される構造とされている。
ト7が形成され、Oリング8によって貫通部の気密が保
持される構造とされている。
現像チャンバlの下方には円筒形のタービンケーシング
9 (タービン)が位置され、シャフト7がタービンケ
ーシング9の軸方向に挿通されている。
9 (タービン)が位置され、シャフト7がタービンケ
ーシング9の軸方向に挿通されている。
タービンケーシング9内に挿通されるシャフト7の周囲
には複数のタービン羽根lOが設けられている。
には複数のタービン羽根lOが設けられている。
第2図は第1図において線■−nで示される部分の断面
図であり、タービンケーシング9の周囲にタービンケー
シング9の接線方向に接続されるガス噴出パイプIIお
よび排気バイブ12によってタービンケーシング9内に
i!!m的に供給される圧縮窒素ガスの運動エネルギに
より、タービン羽根10に回転力を発生させ、シャフト
7を介してスピンヘッド2が回転される構造とされてい
る。
図であり、タービンケーシング9の周囲にタービンケー
シング9の接線方向に接続されるガス噴出パイプIIお
よび排気バイブ12によってタービンケーシング9内に
i!!m的に供給される圧縮窒素ガスの運動エネルギに
より、タービン羽根10に回転力を発生させ、シャフト
7を介してスピンヘッド2が回転される構造とされてい
る。
ガス噴出バイブ11にはバルブ13が設けられ、タービ
ンケーシング9内に供給される圧縮窒素ガスの?H1を
調Nすることによって/ヤフトフの回転数が調整される
構造とされている。
ンケーシング9内に供給される圧縮窒素ガスの?H1を
調Nすることによって/ヤフトフの回転数が調整される
構造とされている。
シャフト7がタービンケーシング9を貫通する部分には
Oリング14および15がそれぞれ設けられ、貫通部の
気密が保持される構造とされている。
Oリング14および15がそれぞれ設けられ、貫通部の
気密が保持される構造とされている。
このように、シャフト7の回転が不活性ガスである窒素
ガスによって駆動されるタービンによって行われるため
、可燃性の雰囲気にあっても引火のおそれがなく、ター
ビンの厳重な気密構造が不要となり小形化できる。
ガスによって駆動されるタービンによって行われるため
、可燃性の雰囲気にあっても引火のおそれがなく、ター
ビンの厳重な気密構造が不要となり小形化できる。
シャフト7内には、スピンへ7ド2の上面に形成された
凹部16に連通される中空部17が形成され、シャフト
7の下端部が回転自在に接続される吸引パイプ18に連
通されることによって、ウェハ3がスピンヘッド2に適
時に固定される構造とされている。
凹部16に連通される中空部17が形成され、シャフト
7の下端部が回転自在に接続される吸引パイプ18に連
通されることによって、ウェハ3がスピンヘッド2に適
時に固定される構造とされている。
次に、本実施例の作用について説明する。
始めにM4が開放され、露光を終えたつエバ3がフォト
レジストの塗布面を上にしてスピンヘノド2の上に位置
されたのち蓋4は閉止される。
レジストの塗布面を上にしてスピンヘノド2の上に位置
されたのち蓋4は閉止される。
次に、吸引パイプ18によってンヤフトの空洞部17の
吸引が行われ、ウェハ3はスピンヘッド2の凹部16と
外部の圧力差によってスピンヘッド2に押圧され固定さ
れる。
吸引が行われ、ウェハ3はスピンヘッド2の凹部16と
外部の圧力差によってスピンヘッド2に押圧され固定さ
れる。
その後、パルプ13を適宜調整することによってタービ
ンケーシング9内に所定の流量の圧縮窒素ガスが供給さ
れ、タービン羽$110は所定の回転数で回転され、ノ
ヤフト7を介してスピンへ7ド2が回転される。
ンケーシング9内に所定の流量の圧縮窒素ガスが供給さ
れ、タービン羽$110は所定の回転数で回転され、ノ
ヤフト7を介してスピンへ7ド2が回転される。
次に、スプレーノズル5から存機溶剤などの現像液がウ
ェハ3に噴霧されると共に排気管6を通じて現像チャン
バl内を適宜排気し、ウェハ3上のフォトレジストの所
定の部分が現像液によって溶解され除去される。
ェハ3に噴霧されると共に排気管6を通じて現像チャン
バl内を適宜排気し、ウェハ3上のフォトレジストの所
定の部分が現像液によって溶解され除去される。
この場合、現像チャンバ1内に供給される現像液の一部
はシャフト7が現像チャンバlを貫通する部分を通して
外部に漏洩され、タービン羽根ノング9の周囲が可燃性
の雰囲気となることはある程度避けられないが、スピン
へラド2を回転させるタービンが不活性ガスの圧縮窒素
カスによって駆動されるため引火のおそれがなく、安全
に現像作業ができる。
はシャフト7が現像チャンバlを貫通する部分を通して
外部に漏洩され、タービン羽根ノング9の周囲が可燃性
の雰囲気となることはある程度避けられないが、スピン
へラド2を回転させるタービンが不活性ガスの圧縮窒素
カスによって駆動されるため引火のおそれがなく、安全
に現像作業ができる。
所定の時間経過後、スプレーノズル5からの現像液の噴
霧は停止され、さらにタービンケーシング9内への圧縮
窒素ガスの供給も停止され、スピンヘッド2の回転は停
止される。
霧は停止され、さらにタービンケーシング9内への圧縮
窒素ガスの供給も停止され、スピンヘッド2の回転は停
止される。
次に、蓋4が開放され、吸引パイプ18による空洞部1
7の吸引が解除された後、現像を終えたウェハ4は現像
チャンバ1から取り出される。
7の吸引が解除された後、現像を終えたウェハ4は現像
チャンバ1から取り出される。
上記の一連の操作を繰り返すことによって多数のウェハ
3が現像処理される。
3が現像処理される。
〔効果]
(1)、被処理物が位1されるスピンヘッドの回転を、
与圧された不活性ガスによって駆動されるタービンによ
って行わせる構造であるため、可燃性の雰囲気にあって
も引火の危険がなく、タービンに厳重な気密構造を施す
必要がなくなる結果タービンを小形化できる。
与圧された不活性ガスによって駆動されるタービンによ
って行わせる構造であるため、可燃性の雰囲気にあって
も引火の危険がなく、タービンに厳重な気密構造を施す
必要がなくなる結果タービンを小形化できる。
(2)、前記+11の結果、処理装置を安全に運転でき
る。
る。
(3)、前記(1)、(2)の結果、処理装置の生産性
が向上する。
が向上する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、タービンを駆動させる流体として与圧された
水などの液体を用いることも可能である。
水などの液体を用いることも可能である。
[利用分野]
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である現像技術に適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、フォトレジスト塗布技術に適用すること
も可能である。
をその背景となった利用分野である現像技術に適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、フォトレジスト塗布技術に適用すること
も可能である。
第1図は本発明の一実施例である現像装置の断面図、
第2図は第1図において綿■−■で示される部分の断面
図である。 l・・ 現像チャンバ(処理室)、2・・ スピンヘッ
ド、3・・・ウェハ(被処理物)、4・・・蓋、5・・
・スプレーノズル、6・・・排気管、7・・・シャフト
、8・・・○リング、9・・・タービンケーシング(タ
ービン)、10・・・タービン羽根、11・・・ガス噴
出パイプ、12・・・排気パイプ、13・・・バルブ、
14゜15・・・0リング、16・・・凹部、17・・
・空洞部、18・・・吸引パイプ。 第 1 図 第 2 図 ″/10
図である。 l・・ 現像チャンバ(処理室)、2・・ スピンヘッ
ド、3・・・ウェハ(被処理物)、4・・・蓋、5・・
・スプレーノズル、6・・・排気管、7・・・シャフト
、8・・・○リング、9・・・タービンケーシング(タ
ービン)、10・・・タービン羽根、11・・・ガス噴
出パイプ、12・・・排気パイプ、13・・・バルブ、
14゜15・・・0リング、16・・・凹部、17・・
・空洞部、18・・・吸引パイプ。 第 1 図 第 2 図 ″/10
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被処理物が位置される処理室と、この処理室内にお
いて被処理物を回転させるスピンヘッドと、被処理物に
溶液を噴霧するスプレーノズルとからなる処理装置であ
って、前記スピンヘッドが、与圧された流体によって駆
動されるタービンにより回転されることを特徴とする処
理装置。 2、与圧された流体が圧縮窒素ガスであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の処理装置。 3、処理装置が半導体装置の製造に用いられる現像装置
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の処
理装置。 4、被処理物がウェハまたはフォトマスクであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21618384A JPS6195523A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21618384A JPS6195523A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6195523A true JPS6195523A (ja) | 1986-05-14 |
Family
ID=16684588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21618384A Pending JPS6195523A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6195523A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH022112A (ja) * | 1987-12-17 | 1990-01-08 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体ウェファの処理方法と装置 |
US5378511A (en) * | 1993-03-22 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
US5449405A (en) * | 1991-10-29 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21618384A patent/JPS6195523A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH022112A (ja) * | 1987-12-17 | 1990-01-08 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体ウェファの処理方法と装置 |
US5449405A (en) * | 1991-10-29 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
US5378511A (en) * | 1993-03-22 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
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