JPS6195522A - 板状試料支持装置 - Google Patents
板状試料支持装置Info
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- JPS6195522A JPS6195522A JP59216169A JP21616984A JPS6195522A JP S6195522 A JPS6195522 A JP S6195522A JP 59216169 A JP59216169 A JP 59216169A JP 21616984 A JP21616984 A JP 21616984A JP S6195522 A JPS6195522 A JP S6195522A
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- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 29
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241001417935 Platycephalidae Species 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はフォトマスクやその他の板状試料を表面平坦度
を良好に保りて支持することのできる板状試料支持装置
に関するものでおる。
を良好に保りて支持することのできる板状試料支持装置
に関するものでおる。
近年のIC,LSI等の半導体装置は素子パターンが益
々微細化される傾向にあり、素子パターンを形成するた
めのりソグラフイ技術にも電子線やイオンビームを用い
た荷電粒子線描画装置が使用されている。例えば、フォ
トマスクの製造に際しては、フォトマスク基板を所要の
テーブル上に載置する一方、このフォトマスク基板の表
面に形成した電子線レジス)Km子線を投射しかつこれ
をパター7形状に清って走査することにより所謂パター
ン焼付を行なりている。
々微細化される傾向にあり、素子パターンを形成するた
めのりソグラフイ技術にも電子線やイオンビームを用い
た荷電粒子線描画装置が使用されている。例えば、フォ
トマスクの製造に際しては、フォトマスク基板を所要の
テーブル上に載置する一方、このフォトマスク基板の表
面に形成した電子線レジス)Km子線を投射しかつこれ
をパター7形状に清って走査することにより所謂パター
ン焼付を行なりている。
ところで、この電子線によるパターン形成に際しては、
前述したフォトマスク等の基板の表面平坦度が良好でな
いと、パターン形状や寸法にばらつきが生じたりパター
ン位置ずれ等が生じ、微細かつ高精度なパターンを得る
ことが難かしい。基板の平坦度を向上するためには、真
空吸着法等による基板支持方式が考えられ、光を利用し
てパターン転写全行なうアライナ(露光装置)等には既
に使用されている。
前述したフォトマスク等の基板の表面平坦度が良好でな
いと、パターン形状や寸法にばらつきが生じたりパター
ン位置ずれ等が生じ、微細かつ高精度なパターンを得る
ことが難かしい。基板の平坦度を向上するためには、真
空吸着法等による基板支持方式が考えられ、光を利用し
てパターン転写全行なうアライナ(露光装置)等には既
に使用されている。
しかしながら、電子線を用いたパターン描画方式では、
描画装置全体の構成から前述した真空吸着法を使用する
ことはできず、したがって基板を妥んでこれを強制的に
平坦支持する方式を採用せざるを得ない。このようなこ
とから、例えば特開[58−166724号公報に記載
されているような治具が提案されているが、このものは
基板の表面を平面数箇所で支持しているために若干の平
坦度低下が生じ、充分満足するまでには到っていない。
描画装置全体の構成から前述した真空吸着法を使用する
ことはできず、したがって基板を妥んでこれを強制的に
平坦支持する方式を採用せざるを得ない。このようなこ
とから、例えば特開[58−166724号公報に記載
されているような治具が提案されているが、このものは
基板の表面を平面数箇所で支持しているために若干の平
坦度低下が生じ、充分満足するまでには到っていない。
〔発明の目的〕
本発明の目的はフォトマスク等の板状の試料の表面平坦
度を極めて高いものにでき、これにより電子線等による
パターン描画の微細化およびパターン形状、寸法の高精
度化を達成することができる板状試料支持装置を提供す
ることにある。
度を極めて高いものにでき、これにより電子線等による
パターン描画の微細化およびパターン形状、寸法の高精
度化を達成することができる板状試料支持装置を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、上部を開口した板状試料支持枠の周辺3箇所
に球面受けを形成してこれに試料の表面周辺部が当接し
得るよう構成し、かつ支持枠の内底面と試料との間に試
料を球面受は側に押圧するための弾性材を介装し、前記
球面受けに対向する裏面位置で弾性押圧し得るよう構成
することにより、板状試料を極めて高い平坦度で支持で
きかつこれにより電子線描画のパターン形状、寸法の高
精度化を達成するものである。
に球面受けを形成してこれに試料の表面周辺部が当接し
得るよう構成し、かつ支持枠の内底面と試料との間に試
料を球面受は側に押圧するための弾性材を介装し、前記
球面受けに対向する裏面位置で弾性押圧し得るよう構成
することにより、板状試料を極めて高い平坦度で支持で
きかつこれにより電子線描画のパターン形状、寸法の高
精度化を達成するものである。
第1図および第2図は本発明の一実施例を示し、特に板
状試料にフォトマスク基板1を用いた例である。支持枠
2はフォトマスク基板1よシも若干大きな平面形状に形
成しており、底壁3と一対の対向する側壁4 a r
4 bとで上部を開口した方形の浅皿状に形成している
。そして一方の側壁4aの略中央上縁と、他方の側i4
bの両端よりの上縁には夫々内方に向かって折曲した支
持片5,6゜7を一体に欠設している。また、これらの
支持片5.6.7には第3図に拡大して示すように、頭
部8a(9a、10a)を球面状に形成した短ロツド状
の球面受け8(9,10)を頭部8a(9a。
状試料にフォトマスク基板1を用いた例である。支持枠
2はフォトマスク基板1よシも若干大きな平面形状に形
成しており、底壁3と一対の対向する側壁4 a r
4 bとで上部を開口した方形の浅皿状に形成している
。そして一方の側壁4aの略中央上縁と、他方の側i4
bの両端よりの上縁には夫々内方に向かって折曲した支
持片5,6゜7を一体に欠設している。また、これらの
支持片5.6.7には第3図に拡大して示すように、頭
部8a(9a、10a)を球面状に形成した短ロツド状
の球面受け8(9,10)を頭部8a(9a。
10a)を下方に向けて圧入等により固着している。
一方、前記支持枠2内の底壁3上面、つまり内底面上に
は大略Y字状をした金属板ばねからなる弾性材11を設
置し、その中央部11aにおいてスタッドビン12等に
より底壁3に固定している。
は大略Y字状をした金属板ばねからなる弾性材11を設
置し、その中央部11aにおいてスタッドビン12等に
より底壁3に固定している。
弾性材11の3個の舌片13.14.15は夫々上方に
向けて湾曲形成すると共に各々の先端13a。
向けて湾曲形成すると共に各々の先端13a。
14a、15aを前記各球面受け8,9.10に対向す
るように配置している。各先端13a。
るように配置している。各先端13a。
14 a + 15 aには第3図に示したように頭部
を平坦く形成したゴム製の当接部材16 、17 。
を平坦く形成したゴム製の当接部材16 、17 。
18を嵌合取着し、前記球面受け8.9.10に正対さ
せている。また、各先端13 a + 14 a r1
5aは夫々対応する支持片5,6.7の側方に形成した
凹部5a 、6a r 7a上に露呈するように若干大
きく形成し、この露呈部位を操作913b、14b、1
5bとして構成している。
せている。また、各先端13 a + 14 a r1
5aは夫々対応する支持片5,6.7の側方に形成した
凹部5a 、6a r 7a上に露呈するように若干大
きく形成し、この露呈部位を操作913b、14b、1
5bとして構成している。
以上の構成によれば、弾性材11の各操作部13b、1
4b、15bを針状の物で下方に押下げて当接部材16
,17.18と球面受け8,9゜10との間に隙間を形
成した上で、表面を上に向けたフォトマスク基板1を支
持枠2の側方から挿入し、支持枠2内に納める。その上
で、各操作部13b、14b、15bの押下げを解除す
れば弾性材11の各先端13a+14a、15aは上方
へ復動され、これにより第4図のように当接部材16.
17.18はフォトマスク基板1の裏面に当接してこれ
を上方へ押圧し、フォトマスク基板1の表面を球面受け
8,9.10に夫々当接させる。このため、フォトマス
ク基板1は表面3箇所において球面受け8,9.10と
点接触されることになシ、これら3点によって規定され
る平面位置に7t)マスク基板1の表面が設定されると
とKなる。このとき、フォトマスク基板1の裏面では当
接部材16.17.18がゴムであることから、フォト
マスク基板1の裏面に追従して変形し、裏面へ良好に密
着して抑圧を効果的なものとしかつ基板1に生じる振動
の吸収や基板のずれ(平面方向の移動)を防止できる・ したがって、このように支持されたフォトマスク基板1
は表面の平坦度が格段に向上され、電子線によるパター
ン描画に際してもパターン形状や寸法の高精度化を図り
、微剛なパターンの描画を実現することができる。
4b、15bを針状の物で下方に押下げて当接部材16
,17.18と球面受け8,9゜10との間に隙間を形
成した上で、表面を上に向けたフォトマスク基板1を支
持枠2の側方から挿入し、支持枠2内に納める。その上
で、各操作部13b、14b、15bの押下げを解除す
れば弾性材11の各先端13a+14a、15aは上方
へ復動され、これにより第4図のように当接部材16.
17.18はフォトマスク基板1の裏面に当接してこれ
を上方へ押圧し、フォトマスク基板1の表面を球面受け
8,9.10に夫々当接させる。このため、フォトマス
ク基板1は表面3箇所において球面受け8,9.10と
点接触されることになシ、これら3点によって規定され
る平面位置に7t)マスク基板1の表面が設定されると
とKなる。このとき、フォトマスク基板1の裏面では当
接部材16.17.18がゴムであることから、フォト
マスク基板1の裏面に追従して変形し、裏面へ良好に密
着して抑圧を効果的なものとしかつ基板1に生じる振動
の吸収や基板のずれ(平面方向の移動)を防止できる・ したがって、このように支持されたフォトマスク基板1
は表面の平坦度が格段に向上され、電子線によるパター
ン描画に際してもパターン形状や寸法の高精度化を図り
、微剛なパターンの描画を実現することができる。
第5図は弾性材11における当接部材の取!構造の変形
例を示している。この構造は当接部材20を上端面が平
坦な略円柱状の金属材にて形成すると共に、との当接部
材20を円板状のゴム板21の中央穴内に嵌合取着して
いる。このゴム板21は前記弾性材11と、この弾性材
11にかしめ材22にて固着した環状の挾持板23によ
ってその周辺が挾持されている。前記当接部材20には
ゴム板21からの脱落を防止するだめの7ランジ20a
を一体形成している。
例を示している。この構造は当接部材20を上端面が平
坦な略円柱状の金属材にて形成すると共に、との当接部
材20を円板状のゴム板21の中央穴内に嵌合取着して
いる。このゴム板21は前記弾性材11と、この弾性材
11にかしめ材22にて固着した環状の挾持板23によ
ってその周辺が挾持されている。前記当接部材20には
ゴム板21からの脱落を防止するだめの7ランジ20a
を一体形成している。
この構造によれば、当接部材20の平坦度を向上する一
方でゴム板21の可撓作用によって当接部材20の傾動
を可能としているので、フォトマスク基板1の裏面に対
する密着性を向上し、抑圧効果はもとより防振効果やず
れ防止効果を向上することができ、更にゴムが直接当接
する場合に較べて摩耗による塵が発生することもない。
方でゴム板21の可撓作用によって当接部材20の傾動
を可能としているので、フォトマスク基板1の裏面に対
する密着性を向上し、抑圧効果はもとより防振効果やず
れ防止効果を向上することができ、更にゴムが直接当接
する場合に較べて摩耗による塵が発生することもない。
(1)支持枠に3個の球面受けを設ける一方、板状試料
と支持枠との間に弾性材を介装し、この弾性材にて試料
の表面を前記球面受けに押圧しているので、試料の表面
は球面受けによって3点支持されることになり、試料に
ねじりが生ずることもなく試料表面の平坦度を向上でき
る。
と支持枠との間に弾性材を介装し、この弾性材にて試料
の表面を前記球面受けに押圧しているので、試料の表面
は球面受けによって3点支持されることになり、試料に
ねじりが生ずることもなく試料表面の平坦度を向上でき
る。
(2)試料を裏面側から押圧する当接部材をゴム材又は
ゴム材で支持された金属材にて構成しているので、試料
の傾きに追従して試料裏面に密着でき、球面受けに対し
て良好な押圧力を付与すると共に試料のずれ防止や防振
を図ることができる。
ゴム材で支持された金属材にて構成しているので、試料
の傾きに追従して試料裏面に密着でき、球面受けに対し
て良好な押圧力を付与すると共に試料のずれ防止や防振
を図ることができる。
(3)試料としてのフォトマスク基板の表面の平坦度を
向上できるので、電子線を利用したパターン描画に際し
、パターンの形状や寸法を高精度なものとし、かつ微細
なパターン描画を実現できる。
向上できるので、電子線を利用したパターン描画に際し
、パターンの形状や寸法を高精度なものとし、かつ微細
なパターン描画を実現できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、球面受けを
ねじ状に構成してこれを支持片に螺合させ、これを軸転
させることによって球面受けの頂点位置を変化調整する
ようにしてもよい。また、弾性材の形状および当接部材
の形状や取着構造は必要に応じて変更できる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、球面受けを
ねじ状に構成してこれを支持片に螺合させ、これを軸転
させることによって球面受けの頂点位置を変化調整する
ようにしてもよい。また、弾性材の形状および当接部材
の形状や取着構造は必要に応じて変更できる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である電子線描画用の7オ
トマスク基板の支持に適用した場合について説明したが
、それに限定されるものではなく、イオンビームやX紐
等を利用したパターン描画または座標測定機の場合、又
試料として半導体ウェーハを用いる場合等に適用するこ
ともできるO
をその背景となった利用分野である電子線描画用の7オ
トマスク基板の支持に適用した場合について説明したが
、それに限定されるものではなく、イオンビームやX紐
等を利用したパターン描画または座標測定機の場合、又
試料として半導体ウェーハを用いる場合等に適用するこ
ともできるO
第1図は本発明の一実施例の部分公簿斜視図、第2図は
正面図、 第3図は要部の拡大断面図、 第4図は試料の支持状態の正面図、 第5図は変形例の拡大断面図でちる。
正面図、 第3図は要部の拡大断面図、 第4図は試料の支持状態の正面図、 第5図は変形例の拡大断面図でちる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、内部に板状試料を挿入支持可能な支持枠の上部を開
口すると共にこの開口周辺の3箇所に球面受けを形成し
て挿入された試料の表面周辺部が当接し得るよう構成し
、かつ前記試料と支持枠内底面との間に弾性材を介装し
、前記球面受けに対向する裏面位置において前記試料に
表面側への押圧力を付与し得るよう構成したことを特徴
とする板状試料支持装置。 2、弾性材を金属板ばねにて形成し、試料に押圧力を付
与する当接部位にはゴム製の平坦な当接部材を設けてな
る特許請求の範囲第1項記載の板状試料支持装置。 3、試料に押圧力を付与する当接部位には金属製の平坦
な当接部材をゴム等の可撓性支持材によって弾性材に取
着してなる特許請求の範囲第1項記載の板状試料支持装
置。 4、球面受けは頭部を球面状に形成した短ロッドを支持
枠に固着してなる特許請求の範囲第1項ないし第3項の
いずれかに記載の板状試料支持装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59216169A JPS6195522A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 板状試料支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59216169A JPS6195522A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 板状試料支持装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6195522A true JPS6195522A (ja) | 1986-05-14 |
Family
ID=16684363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59216169A Pending JPS6195522A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 板状試料支持装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6195522A (ja) |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59216169A patent/JPS6195522A/ja active Pending
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