JPS619522A - 磁束密度が高く鉄損の低い一方向性けい素鋼板の製造方法 - Google Patents
磁束密度が高く鉄損の低い一方向性けい素鋼板の製造方法Info
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- JPS619522A JPS619522A JP59130150A JP13015084A JPS619522A JP S619522 A JPS619522 A JP S619522A JP 59130150 A JP59130150 A JP 59130150A JP 13015084 A JP13015084 A JP 13015084A JP S619522 A JPS619522 A JP S619522A
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- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
- C21D1/68—Temporary coatings or embedding materials applied before or during heat treatment
- C21D1/72—Temporary coatings or embedding materials applied before or during heat treatment during chemical change of surfaces
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1294—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving a localized treatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
一方向性けい素鋼板の製造方法に関して、この明細書に
述る技術内容は、とくに熱延後から冷間圧延前の鋼板表
面近傍の炭素量の制御により高磁束密度・低鉄退全得る
ことに関連している。
述る技術内容は、とくに熱延後から冷間圧延前の鋼板表
面近傍の炭素量の制御により高磁束密度・低鉄退全得る
ことに関連している。
（背影技術〕
一方向性けい素鋼板は、主として変圧器その他の電気機
器の鉄心と゛して利用され、その磁化特性が優れている
こと、すなわち磁化特性として磁束密度（Ｂｌｏ値で代
表される〕が高く、かつ鉄損が低いことが要求される。
器の鉄心と゛して利用され、その磁化特性が優れている
こと、すなわち磁化特性として磁束密度（Ｂｌｏ値で代
表される〕が高く、かつ鉄損が低いことが要求される。
とくに一方向性けい素鋼板の磁気特性を向上させるには
、第一に鋼板中の２次再結晶粒の（００１）軸を圧延方
向に高度に揃える必要があや、第二には最終成品中に残
存する不純物や析出物をできるだけ減少させる必要があ
るが、最近では一方向性けい素鋼板の製造について種々
の改善がなされて、その磁気％注も年を追って改善され
た今日では、Ｂｌｏ値が１．８９ Ｔ以上の高磁束密度
で、Ｗ１７１５ｏ値１．０５Ｖｉ／／に９ の低鉄損の
製品が得られるようになっている。
、第一に鋼板中の２次再結晶粒の（００１）軸を圧延方
向に高度に揃える必要があや、第二には最終成品中に残
存する不純物や析出物をできるだけ減少させる必要があ
るが、最近では一方向性けい素鋼板の製造について種々
の改善がなされて、その磁気％注も年を追って改善され
た今日では、Ｂｌｏ値が１．８９ Ｔ以上の高磁束密度
で、Ｗ１７１５ｏ値１．０５Ｖｉ／／に９ の低鉄損の
製品が得られるようになっている。
このように一方向性けい素鋼板の性能は、数年前のエネ
ルギー危機を境にして電力損失の低減を特徴とする請が
殊の外著しく強まったことを契機として鉄心材料の用途
では、その後も引続き鉄損のより少ない高級一方向性け
い素鋼板の必要性は、一段と強まりつつある。
ルギー危機を境にして電力損失の低減を特徴とする請が
殊の外著しく強まったことを契機として鉄心材料の用途
では、その後も引続き鉄損のより少ない高級一方向性け
い素鋼板の必要性は、一段と強まりつつある。
ところで鉄損を下げる手法は
■Ｓ１含有量を上げる。
■製品板厚を薄くする。
■製品の不純物を少なくする。
■製品の２次粒径を小さくする。そして■製品の２次再
結晶粒の（１１０）（００１）方位をより高度に揃える
。
結晶粒の（１１０）（００１）方位をより高度に揃える
。
などの要因が一般に知られている。
（従来技術と問題点）
以上述べたところのｉｔか特公昭５７−２２５２号公報
に開示されているように、最終製品板表面に圧延方向に
ほぼ直角にレーザービームを数騙間隔に照射し鋼板表面
に人工粒界を導入することにより、鉄損全像くする方法
が提案されている。しがしこの人工粒界の導入法は、局
部的に高転位密度領域を形成させるため、製品は３５０
’Ｏ以下の低温状態でしか安定使用できないという使
用温度環境上での制約が不可避である。
に開示されているように、最終製品板表面に圧延方向に
ほぼ直角にレーザービームを数騙間隔に照射し鋼板表面
に人工粒界を導入することにより、鉄損全像くする方法
が提案されている。しがしこの人工粒界の導入法は、局
部的に高転位密度領域を形成させるため、製品は３５０
’Ｏ以下の低温状態でしか安定使用できないという使
用温度環境上での制約が不可避である。
（発明の端緒〕
発明者らは、鉄損を低下させることを目的として、各製
造工程途中の集合組織およびインヒビター分散状況に新
なる検討を加えた結果、特願５８−１４５７６３号明細
書に開示したように２次再結晶焼鈍に先立って鋼板表面
に２次再結晶促進領域あるいは、抑制領域を区画形成す
ることにより、製品のＢよ。値が１．９０ Ｔ以上の高
磁束密度でＷ１７１５０ ｍが１．０２Ｗ／ｉ以下の超
低鉄損ノ一方向性けい素鋼板の製造を可能にすることを
発見己た。
造工程途中の集合組織およびインヒビター分散状況に新
なる検討を加えた結果、特願５８−１４５７６３号明細
書に開示したように２次再結晶焼鈍に先立って鋼板表面
に２次再結晶促進領域あるいは、抑制領域を区画形成す
ることにより、製品のＢよ。値が１．９０ Ｔ以上の高
磁束密度でＷ１７１５０ ｍが１．０２Ｗ／ｉ以下の超
低鉄損ノ一方向性けい素鋼板の製造を可能にすることを
発見己た。
ところで従来から良好な２次再結晶を行なわせるために
は、鋼板表面近傍にて（１１０）（００１〕方位をもつ
１次再結晶粒（２次男結晶核〕のみを異常成長させるこ
とが必要であρ、そのためには２次再結晶焼鈍前の鋼板
中に、 ■正常結晶粒成長を抑制するための微細析出分散相（例
えば、ＡＩＮ 、 ＭｎＳ 、 ＭｎＳｅ などの微
細析出物〕が存在すること、 ０表面近傍の鋼板組織中に２次再結晶核となる大きなＧ
ｏＳｓ 方位の結晶粒が大量に存在すること、 ■ＧｏＳｓ 方位の結晶粒が優先成長できるように・
細粒・均一のマトリックスが存在することなどが必要で
あるとされてきた。
は、鋼板表面近傍にて（１１０）（００１〕方位をもつ
１次再結晶粒（２次男結晶核〕のみを異常成長させるこ
とが必要であρ、そのためには２次再結晶焼鈍前の鋼板
中に、 ■正常結晶粒成長を抑制するための微細析出分散相（例
えば、ＡＩＮ 、 ＭｎＳ 、 ＭｎＳｅ などの微
細析出物〕が存在すること、 ０表面近傍の鋼板組織中に２次再結晶核となる大きなＧ
ｏＳｓ 方位の結晶粒が大量に存在すること、 ■ＧｏＳｓ 方位の結晶粒が優先成長できるように・
細粒・均一のマトリックスが存在することなどが必要で
あるとされてきた。
この発明では、上記の基本手法特に■を利用することに
関連して冷延前の鋼板表面近傍の炭素量の脱炭遅滞領域
を区画形成させ、もってＧｏＳｓ 方位２次再結晶粒
の発生源を適切に制御することによって磁束密度が高く
、鉄損の低い一方向性けい素鋼板の製造に成功したもの
である。
関連して冷延前の鋼板表面近傍の炭素量の脱炭遅滞領域
を区画形成させ、もってＧｏＳｓ 方位２次再結晶粒
の発生源を適切に制御することによって磁束密度が高く
、鉄損の低い一方向性けい素鋼板の製造に成功したもの
である。
（発明の構成〕
この発明は、一方向性けい素鋼板用スラブを加熱後熱間
圧延して得られた熱延板に、必要な熱処理を施してから
、１回または中間焼鈍を挾む２回の冷間圧延を施して最
終板厚としたのち、脱炭・１次再結晶焼鈍を行い、つい
で鋼板表面にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し
てから２次再結晶焼鈍および純化焼鈍を施す一連の工程
よりなる一方向性けい素鋼板の製造方法において、前記
冷延前の鋼板表面上に脱炭遅滞領域を、圧延方向とほぼ
直角に、１〜５Ｑ・７１ｍ間隔にて区画形成する、 ことを特徴とする磁束密度が高く鉄損の低い一方向性け
い素鋼板の製造方法である。
圧延して得られた熱延板に、必要な熱処理を施してから
、１回または中間焼鈍を挾む２回の冷間圧延を施して最
終板厚としたのち、脱炭・１次再結晶焼鈍を行い、つい
で鋼板表面にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し
てから２次再結晶焼鈍および純化焼鈍を施す一連の工程
よりなる一方向性けい素鋼板の製造方法において、前記
冷延前の鋼板表面上に脱炭遅滞領域を、圧延方向とほぼ
直角に、１〜５Ｑ・７１ｍ間隔にて区画形成する、 ことを特徴とする磁束密度が高く鉄損の低い一方向性け
い素鋼板の製造方法である。
すなわち一方向性けい素鋼板用スラブを熱間圧延してそ
のストリップが仕上熱間圧延機を出てから、巻き取９機
でコイルに巻き取って熱延板とするまでの間、その後均
一化焼鈍を径て酸洗処理しように区画形成させるのであ
る。
のストリップが仕上熱間圧延機を出てから、巻き取９機
でコイルに巻き取って熱延板とするまでの間、その後均
一化焼鈍を径て酸洗処理しように区画形成させるのであ
る。
脱炭遅滞領域の区画形成には、
Ｓ 、 ８８ 、 Ｔ８ 、 ＡＳ 、 Ｓｔ） 、
Ｂｉ 、 Ｓｎおよびｐｂを含む化合物の１種又は２種
以上、或は炭素を単体として又は、炭素化合物を用い液
状、スラリ状もしくは粉末状で塗布ないし噴霧吹付けが
有利に適合する。
Ｂｉ 、 Ｓｎおよびｐｂを含む化合物の１種又は２種
以上、或は炭素を単体として又は、炭素化合物を用い液
状、スラリ状もしくは粉末状で塗布ないし噴霧吹付けが
有利に適合する。
以下二の発明を由来するに至った実験結果に基いて、こ
の発明をより具体的に説明する。
の発明をより具体的に説明する。
００．０４３重量％（以下単にチで示す〕、Ｓｉ３．４
０％、 ＳｅＯ，０１８％、 Ｎｏ ０．０１６ ％
、およびｓｂｏ、０２５％を含む鋼塊を用いて、熱間圧
延を行なった。その熱間圧延直後の熱延板試料に次のよ
うな（１）〜（Ｅ）の処理を行った。
０％、 ＳｅＯ，０１８％、 Ｎｏ ０．０１６ ％
、およびｓｂｏ、０２５％を含む鋼塊を用いて、熱間圧
延を行なった。その熱間圧延直後の熱延板試料に次のよ
うな（１）〜（Ｅ）の処理を行った。
（４） 熱延板表面に圧延方向とほぼ直角に、Ｎａ２Ｓ
２Ｏ８・５Ｈ２ｏの希薄水溶液（水ＩＡ中に１０ｙで６
解） ｋ １０ ａｍ間隔に塗布できるようにした治具
を用いて０．８１／ｍ２の量をスプレー塗布した。
２Ｏ８・５Ｈ２ｏの希薄水溶液（水ＩＡ中に１０ｙで６
解） ｋ １０ ａｍ間隔に塗布できるようにした治具
を用いて０．８１／ｍ２の量をスプレー塗布した。
（Ｂ） 熱延板表面に圧延方向とほぼ直角に、糖蜜と
黒鉛を懸濁させたスラリー液（水ＩＥ中に５０印の糖蜜
と３０ｇの黒鉛を混合）を１０騙間隔に塗布できるよう
にした治具を用いて０．８１ＡＱの量をスプレー塗布し
た。
黒鉛を懸濁させたスラリー液（水ＩＥ中に５０印の糖蜜
と３０ｇの黒鉛を混合）を１０騙間隔に塗布できるよう
にした治具を用いて０．８１ＡＱの量をスプレー塗布し
た。
（０） 熱延板表面にＮａ２Ｓ２Ｏ８・５Ｈ，Ｏの希
薄水溶液（水１１中に１ａｇ溶解）ｔ−０，１５１／ｍ
２の量にて全面にスプレー塗布した。
薄水溶液（水１１中に１ａｇ溶解）ｔ−０，１５１／ｍ
２の量にて全面にスプレー塗布した。
■）熱延板表面に糖蜜と黒鉛を懸濁させたスラリー液（
水ｌｌ中に５ＱｃＱの糖蜜とｓａｇの黒鉛を混合） ｆ
ｃＯ−１５１７ｍｗの量にて全面にスプレー塗布した。
水ｌｌ中に５ＱｃＱの糖蜜とｓａｇの黒鉛を混合） ｆ
ｃＯ−１５１７ｍｗの量にて全面にスプレー塗布した。
（ト））従来通り熱延板表面に何の処理も加えない（無
処理材〕 上記各条件で処理した後の熱延板試料は、９００℃で３
分間の均一化焼鈍を施してから、圧下率約７０％の１次
冷延を施し、ついで９５０℃３分間の中間焼鈍後に圧下
率約６５％の２次冷延金施して０．８繻厚の最終冷延板
とした。
処理材〕 上記各条件で処理した後の熱延板試料は、９００℃で３
分間の均一化焼鈍を施してから、圧下率約７０％の１次
冷延を施し、ついで９５０℃３分間の中間焼鈍後に圧下
率約６５％の２次冷延金施して０．８繻厚の最終冷延板
とした。
その後鋼板表面を脱脂後８２０℃の湿水素中で脱炭・１
次再結晶焼鈍を施した後、ＭｇＯ’ｉ主成分とする焼鈍
分離剤を塗布してから８５０℃で５０時間の２次再結晶
焼鈍、ついで水素雰囲気中で１２００°Ｃ１５時間の純
化焼鈍を施したときの磁性特性を第１図に示す。
次再結晶焼鈍を施した後、ＭｇＯ’ｉ主成分とする焼鈍
分離剤を塗布してから８５０℃で５０時間の２次再結晶
焼鈍、ついで水素雰囲気中で１２００°Ｃ１５時間の純
化焼鈍を施したときの磁性特性を第１図に示す。
第１図から明らかなように、この発明に従う（３）およ
び（Ｂ）の条件のときＢ１０が１．９１Ｔ以上、Ｗ１？
Ｌ４゜が０．９８Ｗ／ｉ と極めて良好であることが注
目される。これに対して、（０）およびＣＤ）の両条件
は比較材α）よりも良い磁気％注が得られるもののこの
発明にくらべるとＢ工。、 Ｗ１７１５゜共に悪い。こ
の（０）の条件というのは、発明者らが特開昭５４−１
１４４２４号公報に開示したように、熱延後に鋼板全面
に浸炭剤を塗布することによシ高磁束密度を有するけい
素鋼板の製造を意図したものであるが、この発明の方が
Ｂ１（１＊ Ｗ１７１５０共により良好な磁気特注が得
られることが注目される。
び（Ｂ）の条件のときＢ１０が１．９１Ｔ以上、Ｗ１？
Ｌ４゜が０．９８Ｗ／ｉ と極めて良好であることが注
目される。これに対して、（０）およびＣＤ）の両条件
は比較材α）よりも良い磁気％注が得られるもののこの
発明にくらべるとＢ工。、 Ｗ１７１５゜共に悪い。こ
の（０）の条件というのは、発明者らが特開昭５４−１
１４４２４号公報に開示したように、熱延後に鋼板全面
に浸炭剤を塗布することによシ高磁束密度を有するけい
素鋼板の製造を意図したものであるが、この発明の方が
Ｂ１（１＊ Ｗ１７１５０共により良好な磁気特注が得
られることが注目される。
このような磁気特性向上の理由としては、従来のように
鋼板に均一な２次再結晶核発生および成長をさせるよシ
も、鋼板表面近傍での炭素量の不均一状況を作り出すこ
とによって、２次再結晶粒を不均一に発達させることが
特性の良好な製品の製造に、より有効に寄与する。
鋼板に均一な２次再結晶核発生および成長をさせるよシ
も、鋼板表面近傍での炭素量の不均一状況を作り出すこ
とによって、２次再結晶粒を不均一に発達させることが
特性の良好な製品の製造に、より有効に寄与する。
以上のようにこの発明では、熱延直後の熱延板表面上に
脱炭遅滞領域を区画形成させることによって２次再結晶
組織を制御することができるようになった点で前掲した
先行諸技術とは、発想の基本を異にし、またそれによる
効果も従来に比べてはるかにすぐれている。
脱炭遅滞領域を区画形成させることによって２次再結晶
組織を制御することができるようになった点で前掲した
先行諸技術とは、発想の基本を異にし、またそれによる
効果も従来に比べてはるかにすぐれている。
次にこの発明による一連の一方向性けい素鋼板の製造工
程について説明する。
程について説明する。
まず出発素材は、公知の製鋼方法、たとえば転炉、電気
炉などによって製鋼し、さらに造塊−分塊法または連続
鋳造法などによってスラブとしたのち、熱間圧延によっ
て得られる熱延コイルを用いる。この熱延板の成分組成
は、従来の公知の一方向性けい素鋼板と同じく、例えば ■ Ｓｉ ２．０〜４．０％、 ＭＯ０，００５〜０．
０５％。
炉などによって製鋼し、さらに造塊−分塊法または連続
鋳造法などによってスラブとしたのち、熱間圧延によっ
て得られる熱延コイルを用いる。この熱延板の成分組成
は、従来の公知の一方向性けい素鋼板と同じく、例えば ■ Ｓｉ ２．０〜４．０％、 ＭＯ０，００５〜０．
０５％。
Ｓｂ Ｏ，００５〜０．２５％とＳ及び又は、８１９
Ｋｌ” ０．００５〜０．０５チ含有する組成 ■ Ｓｉ ２．０〜４．０％、 Ａ１０．０１〜０．０
５％。
Ｋｌ” ０．００５〜０．０５チ含有する組成 ■ Ｓｉ ２．０〜４．０％、 Ａ１０．０１〜０．０
５％。
Ｓ Ｏ，００５〜０．０５チおよびＮ Ｏ，００１〜０
．０１％を含有する組成、 ■ ｓｉ ２．０〜４．０％、Ｓ及び又はｓｅを０．０
０５〜０．０５ ％ 、 Ｂ Ｏ，０００８〜０．００
４チ、 ０１１０．１〜１．０チそしてＮ Ｏ，００１
〜０．０１ ％を含有する組成あるいは〜 ■ Ｓｉ ２．０〜４．０％、 Ｓ Ｏ，００５〜０．
０５％。
．０１％を含有する組成、 ■ ｓｉ ２．０〜４．０％、Ｓ及び又はｓｅを０．０
０５〜０．０５ ％ 、 Ｂ Ｏ，０００８〜０．００
４チ、 ０１１０．１〜１．０チそしてＮ Ｏ，００１
〜０．０１ ％を含有する組成あるいは〜 ■ Ｓｉ ２．０〜４．０％、 Ｓ Ｏ，００５〜０．
０５％。
ＡＪ Ｏ，０１〜０．０５％、 Ｏｕ ０．１〜０．５
％、 ａｎ ０．０５〜０．５％、およびＮ Ｏ，００
１〜０．０１チを含有する組成 などいずれもが適用可能でおる。
％、 ａｎ ０．０５〜０．５％、およびＮ Ｏ，００
１〜０．０１チを含有する組成 などいずれもが適用可能でおる。
これらの熱延に対しまず仕上熱間圧延機から巻取９機で
コイルに巻き取られるまでの間に、この発明に従い鋼板
表面上に脱炭遅滞領域を区画形成させるのが一つの方法
である。
コイルに巻き取られるまでの間に、この発明に従い鋼板
表面上に脱炭遅滞領域を区画形成させるのが一つの方法
である。
このときの熱延板表面上の区画形成を行なうには、塗布
、あるいは治具音用いたスプレー噴霧吹付け、など公知
の方法で、脱炭遅滞領域を圧延方向と直角に１〜５０朋
の間隔に塗布すればよい。
、あるいは治具音用いたスプレー噴霧吹付け、など公知
の方法で、脱炭遅滞領域を圧延方向と直角に１〜５０朋
の間隔に塗布すればよい。
これらの領域幅は狭いｔｌど細粒の２次再結晶粒となる
が、製品の２次再結晶粒は通常０．５〜２５門の範囲で
あり、２次再結晶粒径の２倍以内すなわち１〜５０朋巾
で熱延板表面上に区画形成させる方が良い。
が、製品の２次再結晶粒は通常０．５〜２５門の範囲で
あり、２次再結晶粒径の２倍以内すなわち１〜５０朋巾
で熱延板表面上に区画形成させる方が良い。
また、熱延板をコイ・ルに巻き取った後、次の均一焼鈍
に供する前までの間にて同様にして脱炭遅滞領域を熱延
板表面上に区画形成しても良いが、連続化の観点からは
、仕上熱間圧延機からス） ＩＪッグが出て巻取９機で
コイルに巻き取られるまでの間に鋼板表面上に脱炭遅滞
領域を区画形成させる方が最も良い。
に供する前までの間にて同様にして脱炭遅滞領域を熱延
板表面上に区画形成しても良いが、連続化の観点からは
、仕上熱間圧延機からス） ＩＪッグが出て巻取９機で
コイルに巻き取られるまでの間に鋼板表面上に脱炭遅滞
領域を区画形成させる方が最も良い。
さらに脱炭遅滞剤としては、Ｓ 、 Ｓｅ 、 Ｔｅ
。
。
Ａｓ 、 Ｓｂ 、 Ｂｉ 、 Ｓｎおよびｐｂを含む
化合物の１種又は２種以上、或は炭素を単体として又は
、炭素化合物を用い液状、スラリ状もしくは粉末状で鋼
板表面上に塗布ないし噴霧吹付により区画形成させる。
化合物の１種又は２種以上、或は炭素を単体として又は
、炭素化合物を用い液状、スラリ状もしくは粉末状で鋼
板表面上に塗布ないし噴霧吹付により区画形成させる。
次に熱延板に、通常８００℃〜１１００℃の均一化焼鈍
を施した後、酸洗（又はこの逆に酸洗後均一化焼鈍〕し
た後冷延する。この均−化焼鈍前あるいは酸洗前の鋼板
表面上に２いても、熱延板表面上に脱炭遅滞剤を塗布し
たのと同様な処理を行ってもよい。
を施した後、酸洗（又はこの逆に酸洗後均一化焼鈍〕し
た後冷延する。この均−化焼鈍前あるいは酸洗前の鋼板
表面上に２いても、熱延板表面上に脱炭遅滞剤を塗布し
たのと同様な処理を行ってもよい。
次に冷延は、１回の圧延で最終板厚とする１回冷延法か
又は、８５０℃〜１０５０℃の中間焼鈍をにさんで２回
の圧延を、最初の圧乍率は５０チから８０％程度、最終
の圧下率は５５％から８０％程度にて最終板厚とする２
回冷延法のいずれでもよい。なお最終板厚は、一般に０
．２〜０．８５間、なかでも通常は０．８朋の仕上り板
厚とされることが多い。
又は、８５０℃〜１０５０℃の中間焼鈍をにさんで２回
の圧延を、最初の圧乍率は５０チから８０％程度、最終
の圧下率は５５％から８０％程度にて最終板厚とする２
回冷延法のいずれでもよい。なお最終板厚は、一般に０
．２〜０．８５間、なかでも通常は０．８朋の仕上り板
厚とされることが多い。
最終冷延合格り、製品板厚に仕上けた鋼板は、表面脱脂
後７８０℃から８５０℃の湿水素中で脱炭・１次男結晶
焼鈍？行う。
後７８０℃から８５０℃の湿水素中で脱炭・１次男結晶
焼鈍？行う。
その後鋼板表面にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離を塗布
した後、最終仕上焼鈍を施す。
した後、最終仕上焼鈍を施す。
この最終焼鈍は、（１１０）＜００１＞方位の２次再結
晶粒？充分発達させるため施されるもので、通常箱焼鈍
によって直ちに１０００℃以上に昇温しその温度に保持
することによって行われる。この最終焼鈍は、（１１０
７＜００１＞方位に高度に揃った２次再結晶組織を発達
させるために、８２０℃から９００℃の低温で保定焼鈍
する方が有利であるが、その＃１か例えば０．５〜ｂ 度の体熱焼鈍でも良い。
晶粒？充分発達させるため施されるもので、通常箱焼鈍
によって直ちに１０００℃以上に昇温しその温度に保持
することによって行われる。この最終焼鈍は、（１１０
７＜００１＞方位に高度に揃った２次再結晶組織を発達
させるために、８２０℃から９００℃の低温で保定焼鈍
する方が有利であるが、その＃１か例えば０．５〜ｂ 度の体熱焼鈍でも良い。
次にこの発明の実施例について説明する。
実施例１
００．０４４ ％ 、 Ｓｉ Ｌ４１％、 Ｓｅ ｏ、
ｏ’ｌｓ ％ 、 Ｍ。
ｏ’ｌｓ ％ 、 Ｍ。
Ｏ，０１６％およびＳｂ Ｏ，０２８％’を含有する組
成になる連鋳スラブを加熱後熱延して、２．４１１１＋
ｌｌ厚の熱延板とした。
成になる連鋳スラブを加熱後熱延して、２．４１１１＋
ｌｌ厚の熱延板とした。
熱延後の仕上熱間圧延終了からコイル巻取りまでの間に
、熱延板表面に圧延方向とほぼ直角に１０朋巾のすき間
のスロット’に６けた治具上から、Ｈ２Ｔｅ０．の希薄
水溶液（ｌｌ中にｌｏｇ溶解）ｔ″０．５１／ｍ２でス
プレー塗布した。
、熱延板表面に圧延方向とほぼ直角に１０朋巾のすき間
のスロット’に６けた治具上から、Ｈ２Ｔｅ０．の希薄
水溶液（ｌｌ中にｌｏｇ溶解）ｔ″０．５１／ｍ２でス
プレー塗布した。
その後熱延板は、９００℃で３分間の均一化焼鈍を施し
た後、９５０℃の中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を
施して０．２ａ闘厚の最終冷延板とした。
た後、９５０℃の中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を
施して０．２ａ闘厚の最終冷延板とした。
その後８２０℃の湿水素中で脱炭・１次再結晶焼鈍を施
した後、８５０℃で５０時間の２次再結晶焼鈍および１
２００℃で５時間水素中で純化焼鈍を施した。
した後、８５０℃で５０時間の２次再結晶焼鈍および１
２００℃で５時間水素中で純化焼鈍を施した。
そのときの製品板の磁気特性は、次のようであった。
Ｂ、。 ＝ １．９１ Ｔ Ｗ１
？／ｉｏ ＝ ０．８８ ｗ／ｋｇ実施例２ ００．０４２ ％ 、 Ｓｉ ８．８６％、 Ｓｅ Ｏ
，０２０％、 ＭＯｏ、０１８％およびｓｂ ｏ、ｏδ
０％を含有する連鋳スラブを加熱後熱間圧延を施して２
．７顛厚の熱延板とした。
？／ｉｏ ＝ ０．８８ ｗ／ｋｇ実施例２ ００．０４２ ％ 、 Ｓｉ ８．８６％、 Ｓｅ Ｏ
，０２０％、 ＭＯｏ、０１８％およびｓｂ ｏ、ｏδ
０％を含有する連鋳スラブを加熱後熱間圧延を施して２
．７顛厚の熱延板とした。
熱延後の仕上熱間圧延終了からコイル巻取りまでの間に
、熱延板表面上にＣとＢａＯＯ８の混合粉末のスラリー
を、圧延方向と直角に１０龍巾のすき間のスロットヲあ
けた治具上からスプレー塗布した。その後熱延板酸洗後
、鋼板表面上に、Ｎａ、５２０８・５Ｈ２０ｔ”含む希
薄水溶液ＣＩＪ中に５１溶解）を０．８ ｌ／ＴｎＱ
スプレーにより圧延方向とほぼ直角にすき間（５朋巾
）のある治具上から塗布した後は、９５０℃で８分間の
均一化焼鈍を施し′ｆｃ。
、熱延板表面上にＣとＢａＯＯ８の混合粉末のスラリー
を、圧延方向と直角に１０龍巾のすき間のスロットヲあ
けた治具上からスプレー塗布した。その後熱延板酸洗後
、鋼板表面上に、Ｎａ、５２０８・５Ｈ２０ｔ”含む希
薄水溶液ＣＩＪ中に５１溶解）を０．８ ｌ／ＴｎＱ
スプレーにより圧延方向とほぼ直角にすき間（５朋巾
）のある治具上から塗布した後は、９５０℃で８分間の
均一化焼鈍を施し′ｆｃ。
その後９５０℃の中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を
施して９．３１１ＩＷｌ厚の最終冷延板とした。その後
８５０℃で湿水素中で脱炭・１次再結晶焼鈍を施した後
、８５０℃で６０時間の２次再結晶焼鈍と１２００℃で
６時間上２ガス中で純化焼鈍を施した。そのときの製品
の磁気％注は、次のようであった。
施して９．３１１ＩＷｌ厚の最終冷延板とした。その後
８５０℃で湿水素中で脱炭・１次再結晶焼鈍を施した後
、８５０℃で６０時間の２次再結晶焼鈍と１２００℃で
６時間上２ガス中で純化焼鈍を施した。そのときの製品
の磁気％注は、次のようであった。
Ｂ 二 １．９２Ｔ Ｗ１？１
５０ ： ０．９８ ｗ／Ｉｃｇ実施例３ ００．０４９％、 Ｓｉ ３．２６％、酸可溶Ａβ０．
０２６係。
５０ ： ０．９８ ｗ／Ｉｃｇ実施例３ ００．０４９％、 Ｓｉ ３．２６％、酸可溶Ａβ０．
０２６係。
Ｓ Ｏ，０２８％およびＳｎ０．１％を含有する連鋳ス
ラブを１４５０℃で加熱後熱延して１．Ｂｍｍ厚の熱延
板とした。
ラブを１４５０℃で加熱後熱延して１．Ｂｍｍ厚の熱延
板とした。
その後酸洗後鋼板表面に圧延方向とほぼ直角に５ ｉｉ
ｉ巾のすき間のスロットヲあけた治具上からＨ２Ｔｅ０
６の希薄水浴液（ＩＪ中に５ｇ溶解）を０．８１／ｍ２
スプレー塗布した。その後熱延板は、１０５０℃で５分
間焼鈍後急冷処理した。その後８００℃の温間圧延を施
して０．２３１１厚の最終冷延板としたのち、湿水素中
８５０℃の脱炭・１次再結晶焼鈍後鋼板表面にＭｇＯＱ
主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後、８５０℃から１
０℃／ｈｒで１１００°Ｃまで昇温して２次再結晶させ
た後乾水累中１２００℃で５時間の純化焼鈍を施した。
ｉ巾のすき間のスロットヲあけた治具上からＨ２Ｔｅ０
６の希薄水浴液（ＩＪ中に５ｇ溶解）を０．８１／ｍ２
スプレー塗布した。その後熱延板は、１０５０℃で５分
間焼鈍後急冷処理した。その後８００℃の温間圧延を施
して０．２３１１厚の最終冷延板としたのち、湿水素中
８５０℃の脱炭・１次再結晶焼鈍後鋼板表面にＭｇＯＱ
主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後、８５０℃から１
０℃／ｈｒで１１００°Ｃまで昇温して２次再結晶させ
た後乾水累中１２００℃で５時間の純化焼鈍を施した。
そのときの製品の磁気特性は次のようであった。
Ｂ□。 ： １．９８ Ｔ Ｗ
１７／ｓｏ ： ０．８５ ｗ／ｋｇ（発明の効果
〕 この発明により、一方向性けい素鋼板の磁束密度と鉄損
についての著大な改善がもたらされる。
１７／ｓｏ ： ０．８５ ｗ／ｋｇ（発明の効果
〕 この発明により、一方向性けい素鋼板の磁束密度と鉄損
についての著大な改善がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
第１図に、熱間圧延後の熱延板に対する炭遅滞処理が仕
上焼鈍後の磁気特性に及ぼす影響を示す比較グラフであ
る。 第１図
上焼鈍後の磁気特性に及ぼす影響を示す比較グラフであ
る。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一方向性けい素鋼板用スラブを加熱後、熱間圧延し
て得られた熱延板に、必要な熱処理を施してから、１回
または中間焼鈍を挾む２回の冷間圧延を施して最終板厚
としたのち、脱炭、１次再結晶焼鈍を行い、ついで鋼板
表面にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布してから
２次再結晶焼鈍および純化焼鈍を施す一連の工程よりな
る一方向性けい素鋼板の製造法において、 前記冷延前の鋼板表面上に脱炭遅滞領域を、圧延方向と
ほぼ直角に１〜５０ｍｍ間隔にて区画形成する ことを特徴とする磁束密度が高く鉄損の低い一方向性け
い素鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130150A JPS619522A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 磁束密度が高く鉄損の低い一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130150A JPS619522A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 磁束密度が高く鉄損の低い一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619522A true JPS619522A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15027172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59130150A Pending JPS619522A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 磁束密度が高く鉄損の低い一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619522A (ja) |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59130150A patent/JPS619522A/ja active Pending
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