JPS6193672A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS6193672A JPS6193672A JP59214814A JP21481484A JPS6193672A JP S6193672 A JPS6193672 A JP S6193672A JP 59214814 A JP59214814 A JP 59214814A JP 21481484 A JP21481484 A JP 21481484A JP S6193672 A JPS6193672 A JP S6193672A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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-
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明導電膜面に光の反射防止用の凹凸を形成し
た光起電力装置に関するものである。
た光起電力装置に関するものである。
光起電力装置は通常ガラス等の透光性絶縁基板上に透明
導電股上、非晶質半導体層、裏面電極膜をこの順序で積
層形成して構成してあり、光を透光性絶縁基板、透明４
電膜を通して非晶質半導体層に入射させ、生起された電
力を前記透明導電膜及び裏面電極膜に接続したリード線
を通じて外部に取り出すようになっている。
導電股上、非晶質半導体層、裏面電極膜をこの順序で積
層形成して構成してあり、光を透光性絶縁基板、透明４
電膜を通して非晶質半導体層に入射させ、生起された電
力を前記透明導電膜及び裏面電極膜に接続したリード線
を通じて外部に取り出すようになっている。
ところで上記した如き光起電力装置においては光が透光
性絶縁基板、透明導電膜通過の際、その表面で夫々光が
反射され、発電効率が低下するという問題があった。
性絶縁基板、透明導電膜通過の際、その表面で夫々光が
反射され、発電効率が低下するという問題があった。
このため従来にあっては透光性絶縁基板の受光面に反射
防止膜を形成する方法、或いは透光性絶縁基板面及び透
明導電膜面の双方、又は透明導電膜面のみを凹凸化して
表面反射率を低下させる方法等が採用されている。
防止膜を形成する方法、或いは透光性絶縁基板面及び透
明導電膜面の双方、又は透明導電膜面のみを凹凸化して
表面反射率を低下させる方法等が採用されている。
ところで上述した如く、例えば透明導電膜面に凹凸を形
成する構成とした場合、凹凸は０．５〜１μｍ程度であ
るが、凸部が大き過ぎて透明導電股上に積層形成した非
晶質シリコン層、即ちｐｉｎ構造の場合は透明導電膜と
１層、 ｎＪｉｊ及び裏面電極膜と接触して短絡今生
じ、逆に効率の低下１歩留りの低下を招く外、透明導電
膜の成分であるＳｎ。
成する構成とした場合、凹凸は０．５〜１μｍ程度であ
るが、凸部が大き過ぎて透明導電股上に積層形成した非
晶質シリコン層、即ちｐｉｎ構造の場合は透明導電膜と
１層、 ｎＪｉｊ及び裏面電極膜と接触して短絡今生
じ、逆に効率の低下１歩留りの低下を招く外、透明導電
膜の成分であるＳｎ。
０が非晶質シリコン屓へ拡散し、特性の低下を招くとい
う問題があった。
う問題があった。
第３図は、従来装置におりる透明導電膜から非晶質シリ
コン層への拡散の結果を示すグラフであり、横軸に深さ
を、また縦軸に不純物濃度をとって示しである。グラフ
中ａ線はＳｎの、またｂ線は０の各拡散濃度をとって示
しである。このグラフから明らかなようにＳｎ、○とも
にその拡散の程度が大きい。
コン層への拡散の結果を示すグラフであり、横軸に深さ
を、また縦軸に不純物濃度をとって示しである。グラフ
中ａ線はＳｎの、またｂ線は０の各拡散濃度をとって示
しである。このグラフから明らかなようにＳｎ、○とも
にその拡散の程度が大きい。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは凹凸化した透明導電膜とこれに積層
形成すべく非晶質半導体層との間にＳｉＣ，Ｔｉｃ、
ＷＣ又はｌｌ５Ｐ等を素材とする少なくとも１又は複数
の膜を全体として１０〜１００人積層形成し、これに非
晶質半導体層を積層形成することにより、短絡防止、並
びに透明導電膜から非晶質半導体層へのＳｎ＋ Ｏ等の
不純物の拡散を防止し光起電力特性を格段に向上させ得
るようにした光起電力装置を提供するにある。
目的とするところは凹凸化した透明導電膜とこれに積層
形成すべく非晶質半導体層との間にＳｉＣ，Ｔｉｃ、
ＷＣ又はｌｌ５Ｐ等を素材とする少なくとも１又は複数
の膜を全体として１０〜１００人積層形成し、これに非
晶質半導体層を積層形成することにより、短絡防止、並
びに透明導電膜から非晶質半導体層へのＳｎ＋ Ｏ等の
不純物の拡散を防止し光起電力特性を格段に向上させ得
るようにした光起電力装置を提供するにある。
本発明に係る光起電力装置は光の反射防止用の凹凸を有
する透明導電膜面上にＳｉＣ，ＴｉＣ，甑、又はＢＰを
素材とするｌ又は複数のＭ史を１０−１００人積層積、
これに非晶質半導体層を積層形成したことを特徴とする
。
する透明導電膜面上にＳｉＣ，ＴｉＣ，甑、又はＢＰを
素材とするｌ又は複数のＭ史を１０−１００人積層積、
これに非晶質半導体層を積層形成したことを特徴とする
。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図であり、図中１はガラス等
で形成した透光性絶縁基板、２は５ｎ０２、或いはＩｎ
２Ｏ３等を素材とする透明導電膜、３はＳｉＣ，ＴｉＣ
，ＷＣ又はＢＰのいずれかを素材とする１、又は複数の
膜、−４は非晶質半導体層たる非晶質シリコン層、５は
へβ等を素材とする裏面電極膜を示している。
明する。第１図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図であり、図中１はガラス等
で形成した透光性絶縁基板、２は５ｎ０２、或いはＩｎ
２Ｏ３等を素材とする透明導電膜、３はＳｉＣ，ＴｉＣ
，ＷＣ又はＢＰのいずれかを素材とする１、又は複数の
膜、−４は非晶質半導体層たる非晶質シリコン層、５は
へβ等を素材とする裏面電極膜を示している。
透明導電膜２は透光性絶縁基板１と接する側は平坦面で
あるが、反対側、即ち非晶質シリコン層を積層すべき側
は凹凸化されており、この凹凸化された面にＳｉＣ，Ｔ
ｉＣ，ＷＣｌ又はＢＰを素材とする１０〜１００人の厚
さの膜３が１又は複数層積層形成されている。
あるが、反対側、即ち非晶質シリコン層を積層すべき側
は凹凸化されており、この凹凸化された面にＳｉＣ，Ｔ
ｉＣ，ＷＣｌ又はＢＰを素材とする１０〜１００人の厚
さの膜３が１又は複数層積層形成されている。
膜３の形成手段は熱ＣＶＯ法、光ＣＶＤ法、グロー放電
法等、特に限定するものではないが、例えば熱ＣＶＤ法
によりＢＰを素材とする膜３を透明導電膜２上に形成す
る場合は透明導電膜２を形成した透光性絶縁基板１を１
０００℃前後に加熱しつつＢ２Ｈら＋ＰＨ３の成長ガス
を通流せしめることにより成長せしめる。
法等、特に限定するものではないが、例えば熱ＣＶＤ法
によりＢＰを素材とする膜３を透明導電膜２上に形成す
る場合は透明導電膜２を形成した透光性絶縁基板１を１
０００℃前後に加熱しつつＢ２Ｈら＋ＰＨ３の成長ガス
を通流せしめることにより成長せしめる。
ＳｉＣ，ＴｉＣＪＣ，［ｌＰはいずれも本来的に絶縁機
能を備える外、耐熱性、硬さに優れ、例えば非晶質シリ
コン層をグロー放電により形成するような場合、透明導
電膜の損傷を防止し得、また光学的バンドギャップが大
きく光の吸収が小さいという特性を有している。膜３を
積層形成した状態では透明導電膜２の凹凸面の凹凸状態
は若干緩和された状態となっており、この面上に非晶質
シリコンＦ１４を積層形成せしめることにより、凸部が
非晶質シリコンＪｉｊ４を突き抜けることが防止され、
また仮令突き抜けて形成された場合もその絶縁性により
短絡が防止される。なお非晶質シリコンＰｉ４はｐｉｎ
型、ｎｉｐ型のいずれの構造であってもよい。
能を備える外、耐熱性、硬さに優れ、例えば非晶質シリ
コン層をグロー放電により形成するような場合、透明導
電膜の損傷を防止し得、また光学的バンドギャップが大
きく光の吸収が小さいという特性を有している。膜３を
積層形成した状態では透明導電膜２の凹凸面の凹凸状態
は若干緩和された状態となっており、この面上に非晶質
シリコンＦ１４を積層形成せしめることにより、凸部が
非晶質シリコンＪｉｊ４を突き抜けることが防止され、
また仮令突き抜けて形成された場合もその絶縁性により
短絡が防止される。なお非晶質シリコンＰｉ４はｐｉｎ
型、ｎｉｐ型のいずれの構造であってもよい。
膜３上には従来と同様に非晶質シリコン層を積層形成す
るが、この非晶質シリコン層４をグロー放電法によりＢ
Ｐ″Ｍ膜３上にＭＨ層形成る場合についてその形成条件
の一例を示すと次のとおりである。透光性絶縁基板１の
温度を２００〜３５０ ’ｃに設定し、Ｓｉ Ｈ４＋
Ｃ１１４又はＣ２Ｈ４、又はＣ２Ｈ６等を成分とする成
長ガスをガス圧０．１〜Ｌ Ｔｏｒｒで通流しつつＲＦ
パワー１０〜１００Ｗでグロー放電を行なわせ、成長を
行う。
るが、この非晶質シリコン層４をグロー放電法によりＢ
Ｐ″Ｍ膜３上にＭＨ層形成る場合についてその形成条件
の一例を示すと次のとおりである。透光性絶縁基板１の
温度を２００〜３５０ ’ｃに設定し、Ｓｉ Ｈ４＋
Ｃ１１４又はＣ２Ｈ４、又はＣ２Ｈ６等を成分とする成
長ガスをガス圧０．１〜Ｌ Ｔｏｒｒで通流しつつＲＦ
パワー１０〜１００Ｗでグロー放電を行なわせ、成長を
行う。
このようにして１７た光起電力装置は短絡が俯実に防止
され、また透明導電膜成力であるＳｎ、 ○の非晶質シ
リコン層への拡散も大幅に低減せしめ得ていることが確
認された。
され、また透明導電膜成力であるＳｎ、 ○の非晶質シ
リコン層への拡散も大幅に低減せしめ得ていることが確
認された。
第２図はＩＭＡ （イオンマイクロアナライザ）を用
いて非晶質シリコン層へのＳｎ、 Ｏの拡散プロファ
イルを調べた結果を示すグラフであり、横軸には透明導
電膜の凹凸面から非晶質シリコン層４側への深さを、ま
た縦軸には不純物濃度（対数：任意目盛）をとって示し
である。グラフ中ｄ線はＳｎの、またｂ線は０の拡散濃
度を示している。このグラフから明らかな如く本発明に
あってはＳｎ。
いて非晶質シリコン層へのＳｎ、 Ｏの拡散プロファ
イルを調べた結果を示すグラフであり、横軸には透明導
電膜の凹凸面から非晶質シリコン層４側への深さを、ま
た縦軸には不純物濃度（対数：任意目盛）をとって示し
である。グラフ中ｄ線はＳｎの、またｂ線は０の拡散濃
度を示している。このグラフから明らかな如く本発明に
あってはＳｎ。
○のいずれの拡散濃度も格段に低減されていることが解
る。
る。
なお、表面反射率も０〜１０％程度であって、従来装置
が３０〜４０％であったのと比較して格段に低減されて
いることも確認された。
が３０〜４０％であったのと比較して格段に低減されて
いることも確認された。
以上の如く本発明装置にあっては透明導電膜と非晶質シ
リコン層との境界での反射率の低減を図ると同時に透明
導電膜成分のＳｎ、○等の不純物が非晶質半導体層へ拡
散するのも抑制出来て、発電効率の向上に寄与するとこ
ろ多大であるなど、本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
リコン層との境界での反射率の低減を図ると同時に透明
導電膜成分のＳｎ、○等の不純物が非晶質半導体層へ拡
散するのも抑制出来て、発電効率の向上に寄与するとこ
ろ多大であるなど、本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
第１図は本発明装置の断面構造図、第２図は本発明装置
における透明導電膜から非晶質シリコン層への拡散の結
果を示すグラフ、第３図は従来装置における透明導電膜
から非晶質シリコン層への拡散の結果を示すグラフであ
る。 ｌ・・・透光性絶縁基板 ２・・・透明導電膜 ３・・
・股４・・・非晶質シリコン屓 ５・・・裏面電極膜性
許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ 目 ；宰２方向 算 ２ 図 茅 ３ 面
における透明導電膜から非晶質シリコン層への拡散の結
果を示すグラフ、第３図は従来装置における透明導電膜
から非晶質シリコン層への拡散の結果を示すグラフであ
る。 ｌ・・・透光性絶縁基板 ２・・・透明導電膜 ３・・
・股４・・・非晶質シリコン屓 ５・・・裏面電極膜性
許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ 目 ；宰２方向 算 ２ 図 茅 ３ 面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光の反射防止用の凹凸を有する透明導電膜面上にＳ
ｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣ、又はＢＰを素材とする１又は複数
の膜を１０〜１００Å積層し、これに非晶質半導体層を
積層形成したことを特徴とする光起電力装置。 ２、前記非晶質半導体層は非晶質シリコン層である特許
請求の範囲第１項記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214814A JPS6193672A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214814A JPS6193672A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193672A true JPS6193672A (ja) | 1986-05-12 |
| JPH0574951B2 JPH0574951B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=16661960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59214814A Granted JPS6193672A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193672A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829020A (en) * | 1987-10-23 | 1989-05-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Substrate solder barriers for semiconductor epilayer growth |
| JPH02143569A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電変換素子 |
| JPH03136283A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| WO2013065557A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池セルおよびその製造方法、集積型薄膜太陽電池 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2661217A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Photovoltaic device and process for producing same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108780A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| JPS58192387A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-09 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−シヨン | 光電池 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59214814A patent/JPS6193672A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108780A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| JPS58192387A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-09 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−シヨン | 光電池 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829020A (en) * | 1987-10-23 | 1989-05-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Substrate solder barriers for semiconductor epilayer growth |
| JPH02143569A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電変換素子 |
| JPH03136283A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| WO2013065557A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池セルおよびその製造方法、集積型薄膜太陽電池 |
| JPWO2013065557A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2015-04-02 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池セルおよびその製造方法、集積型薄膜太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574951B2 (ja) | 1993-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |