JPS6193660A - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電膜の光電効果を利用する文字・画像の印
刷媒体に密着して読み出すイメージセンサの製造方法に
関する。

係るイメージセンサは、該センサと、　ＬＥＤ光源。

セルフォックレンズアレイからなる光学読出し系を構成
してファクシミリ装置の等倍像の原稿読み出し受光素子
として実用に供されている。

本発明は特に高解像度のライントッドアレイの製造にあ
たり、ドツト分離方法やあるいは分離されたドツトに対
するオーミック電極のパターン形成方法について提示す
るものである。

〔従来の技術〕

第３図は基板に形成されたセンサの一部を示す正面図で
ある。

ＣｄＳｅまたはＣｄＳ、及びそれらの固溶体（混晶）を
用いる光導電膜は通常、平坦性のよい担体ガラス基板１
上に膜厚さ約１μｍ程度に蒸着する。該蒸着膜の形状は
方形または長方形のドツトパターン２として膜付けされ
る。

前記蒸着膜そのままでは光導電性がないので。

不活性雰囲気の熱処理炉で処理して光導電性が付与され
る。次いで基板上の個々のドツトに対してそれぞれ引出
し電極１例えばアルミニュームや金等の金属薄膜を蒸着
して所謂オーミック電極３゜３′が形成されライン配列
されたドツトアレイが形成される。

前記のトンドアレイ形成方法に於いて５紙サイズへ４幅
、解像度８本／ｍｍのセンサ素子（ドツトピッチ１２５
μｍ）を形成する場合、総数１７２８本にもなるドツト
が必要となる。当然ながら、解像度を高めると更に多数
のドツトが必要とされる。

然し乍ら、予め図示の如き方形等の光導電膜素子を形成
したドツトパターン２に対して、ストライプ状オーミフ
ク電極３．３′のパターンを引き出すさいその位置合せ
が困難となる。例えば２基板のドラ１−パターンは基板
の熱膨張係数に応じて伸縮するが、前記電極パターン側
のマスクは異なる膨張係数を有することから、相互パタ
ーン間の位置ズレが出易い。更に斯様な状態でのマスク
位置合せはかなりの熟練を必要とする。

〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の所謂ホトリソグラフィ法によるパターン露光、と
りわけ加工する基板寸法の大きいセンサ基板に対して、
１：１プロゼクシヨン露光装置による前記ドツトと電極
相互パターン間の位置合せは精度的に問題があり、前記
の如きパターン合せ作業は技術的にＰ′ｍ、を必要とす
ることである。然し高精度の露光装置の設置は設備コス
ト面からみて高価になることである。

〔問題点を解決するための手段〕

前記の問題点は、基板に光導電膜を蒸着またはスパッタ
し且つ蒸着またはスパッタ１１りを熱処理する工程と、
光導電膜の端部及び基板上にオーミック電極膜を形成す
る工程と、適宜ピッチでストリップ形状のレジストマス
クを形成する工程と、及び前記レジストマスクを窓とし
てオーミック電極ならび□に光導電膜のドツトそれぞれ
を選択的にエツチングする分離工程、を順次経て形成さ
れる本発明によるイメージセンサの製造方法として解決
することが出来る。

〔作　用〕

本発明はドツト分離や分離されたドツトに対するオーミ
ック電極膜の形成が選択的エツチング窓程により行われ
る。

即ち、予形成の綱長い光導電膜とこれから引き出すオー
ミック電極用金属薄膜のそれぞれを精度を問題としない
位置合せ方法で基板上に形成し。

然る後、ストリップ形状のレジストマスクパターンを形
成し、該マスクパターンをエツチングの窓として、化学
的手段により先ず前記のオーミック電極膜部分を選択的
にエツチングした後５次いで前記と同じレジストマスク
パターンを用いて光導電膜のドツト分離のためのエツチ
ングをなすことである。斯くして従来の相互パターン位
置合せ作業の困難さが解消される。

〔実施例〕

以下、第１図と第２図の実施例図を参照してイメージセ
ンサの形成方法を詳細に説明する。

第１図（イ）は、　ＣｄＳ　、ＳｅＳ等をマスク蒸着あ
るいはマスクスパックして高感度のイメージセンサ薄膜
パターン４を基板Ｉ上に膜付けした基板正面図である。

横方向に細長い図示センサパターン４は高さ１　、２ｍ
ｍ　、幅２２０ｍｍ　（Ａ　４サイズの場合）に形成さ
れる。

蒸着されたセンサ薄膜は、５００〜７００℃のＡｒ雰囲
気中で熱処理して光応答性（例えば光電流対暗電流の比
）のよいセンサ素体が生成される。熱処理によりセンサ
パターン、４の上下両端５は基板との段差がなだらかと
なる。同図（ロ）はセンサパターン４のドツト高さく５
０μｍ程度）部分７を除いた上下両端５にオーパラ・ノ
ブしてオーミック電極膜６，６′の形成２例えばＣｒ−
Ａｕ　、Ｎｉ−Ｃｒ１成の電極膜が基板全面に形成され
た正面図である。

同図（ニ）は（ロ）図の基板断面図である。

更に、第１図（ハ）はイメージセンサ用の微細ドツトを
形成するエツチング用のレジストマスク８が被着された
基板正面図である。レジストマスク８の形成は、ド・ノ
ド位置を監視した粗い位置合せでよくこれはスクリーン
印刷法により形成される。同図の（ホ）は（ハ）図のレ
ジストマスク８が形成された基板断面図である。

次に、第２図により電極膜及び光導電膜のそれぞれを分
離する化学的エツチング方法を説明する。

第２図は（ハ）図マスクパターン８をエツチング窓とし
、　（へ）図の如く先ず電極膜６と６′の分離をなした
後、同じパターン８を用いて光導電膜４の分離をなし方
形状等のドツト９を形成して（ト）図となすものである
。

（へ）図に於りるＣｒ−Ａｕ　、Ｎｉ−Ｃｒ組成の電極
膜６゜６′の分離をなすエツチング液の一例を次に記す
。

Ａｕのエツチング液 沃化カリウム　　　２５０ｇ 沃素　　　　　　　１００ｇ 純水　　　　　　１０００ｃｃ Ｃｒのエツチング液 硝酸ｉ２セリウムアンモニウム　１７０ｇ過塩素酸　　
　　　　　　　　　５０ｃｃ純水　　　　　　　　　　
　　１０００ｃｃＮｉ−Ｃｒのエツチング液 硝酸第２セリウムアンモニウム　２００ｇ酢酸ナトリウ
ム　　　　　　　　　１００ｇ純水　　　　　　　　　
　　　１０００ｃｃまた。（ト）図における光導電膜４
の分離をなすエツチング液は次の通′す。

塩酸　　　　　　　９０％ 純水　　　　　　　１０％ 尚、該光導電膜のエツチング液は前記分離された電極膜
６．６″をエツチングしない選択性を有する。更に、前
記電極膜のエツチング液は光導電膜をエツチングしない
選択性がある。

前記電極膜と光導電膜の選択的エツチングによる分離が
された基板１上のマスクパターン８を除去すれば第３図
の如き配列のイメージセンサが形成される。

斯くしてドツト数の多いなおまた解像度の高いイメージ
センサが極めて容易に形成し得る。

〔発明の効果〕

本発明の前記イメージセンサの製造方法によれば、従来
問題とされた分離された予形成のドツトに対するオーミ
ック電極のホトマスクによるパターン露光の位置合せ作
業の困難さが解消され、然も前記の如く解像度の高いイ
メージセンサが極めて容易な方法で形成されることから
安価なセンサが提供可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のイメージセンサの形成方法実施例とす
る基板正面図と基板断面図である。 同図（イ）は形成の光導電膜パターン正面図。 同図（ロ）は上下に分割形成されたオーミック電極パタ
ーン正面図。 同図（ハ）はストリップ形状のレジストマスクパターン
正面図。 同図（ニ）は（ロ）図の基板断面図。 同図（ボ）は（ハ）図の基板断面図。 第２図（へ）はレジストマスクパターンによる電極分離
がされた一部基板の正面図。 同図（ト）は光導電膜のドツト分離がされた一部基板の
正面図。 第３図は従来のイメージセンサの製造方法を説明する基
板一部分の正面図である。 図中工はセンサを形成する基板１ ４は光導電膜。 ６と６′はオーミソ・り電極又は電極膜。 ８はレジストマスク。 ２と９は光導電膜４形成のドツトである。 茅　１　　目

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板に光導電膜を蒸着またはスパッタし且つ蒸着また
   はスパッタ膜を熱処理する工程と、光導電膜の端部及び
   基板上にオーミック電極膜を形成する工程と、適宜ピッ
   チでストリップ形状のレジストマスクを形成する工程と
   、及び前記レジストマスクを窓としてオーミック電極な
   らびに光導電膜のドットそれぞれを選択的にエッチング
   する分離工程、を順次経て形成されることを特徴とする
   イメージセンサの製造方法。