JPS6193097A - びん等の充填方法とその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はびん等の充填方法とその方法を実行するための
装置とに関する。

充填中びんから吸引された不活性ガスをすべて大気へ放
出するこの種の方法は既知である（米国特許公報ＵＳ　
−ＰＳ第２８０８８５６号）。この方法によれば、ワイ
ンや高温果汁のように酸素に敏感で泡立ちしやすい液で
も９素吸収や泡立ち形成をすることなく充填可能である
。しかしながらたとえば炭酸ガスのような不活性ガスを
１度しか使用しないのでこの方法では不活性ガスの消費
量が多くて好ましくない。したがってこの既知の方法は
きわめて不経済である。さらにびんが真空にされてから
液の充填前にびんに不活性ガスを充満した後一時的に大
気圧に曝されるので好ましくない。このときあらかじめ
充満された不活性ガスは逃げてしまうので、空気のびん
内への流入を遮断することはできない。この影響を回避
するためにこの既知の方法では通常の大気を不活性ガス
で置換している。これらの不活性ガスは２つの充填過程
の間に部分的に吸引されて大気に放出されるので不活性
ガスの消費量はさらに増大する。

本発明は冒頭記載の方法で酸素吸収を少なくしたまま実
質的に不活性ガスの消費量を減少することを課題の基礎
としている。

この線順は本発明により解決される。

本発明の方法によると不活性ガスは何回にも使用され、
これによりきわめて経済性が増してくる。

前充填の前に不活性ガスでびん内の空気を完全に排除し
、びんに液を充填後びん内に不活性ガスが残らないよう
に口まで完全に充填したとする理想ケースでは、不活性
ガスのロスはなく貯槽ガスは補充なしに長時間満足な使
用が可能である。この場合びんの充填は実際に酸素の影
響なく実行されるので、酸素に敏感な液でも最適充填が
可能である。充填中は低圧であるので注入時に泡立ちし
やすい液でもびんの狭いネック部まで泡立ちなく、１−
たがって正確な液面高さがえられ、充填後急に大気圧ま
で戻しても、制御不能な泡立ちはない。

不活性ガス消費量をとくに少くできしかも充填液への酸
素の影響を回避できる本発明の有利ないくつかの補足態
様が以下に説明されている。

既述のとおり本発明の方法によれば理想ケースでは不活
性ガスの消耗はない。しかしながら実際には前真空のあ
とでもびん内にはわずかの空気量が存在し、この酸素は
不活性ガスによる前充填のときこの不活性ガスと混合す
る。他方、びんネック内の液の上の空間に不活性ガスが
わずか残留しこれがぴんと共に搬出されてロスとなる。

したがって、本発明に於ては不活性ガス源から純粋不活
性ガスが貯槽不活性ガスへ補給されてこれにより貯旧不
活性ガスの不活性ガスの濃度および／または量が所定値
に保持されることが好ましい。

純粋不活性ガスの補給は、たとえば貯槽不活性ガスへ直
接性なうことも可能である。しかしながら実施例に於て
純粋不活性ガスがびんネックの空間内へ導入され、この
ときびんから排出される余剰の純粋不活性ガスは貯槽不
活性ガスへ誘導される。このように純粋不活性ガスの一
部はぴんと一緒に１般出されるが、これによりかえって
封印びん内の腹の保存性をよくしている。他方で、導入
された純粋不活性ガスは所定の放間高さ以上にある液を
びんから排出しこれにより液面高さが正確に保持される
。

本発明の方法は種々の低圧充填方法と組合せ使用が可能
である。本発明に於ける同圧真空充填方法の導入は好ま
しい。これにより液はとくに大事に取扱われ貯槽不活性
ガスは同時に貯槽液を酸素の影響から保護する。

さらに本発明は本発明による方法を実行するだめの構造
が簡単で確実な機能を有する装置を・１供することを課
題の基礎としている。

この課題は本発明により解決される。

本発明による装置はしたがってただ１個の低圧を負荷し
た貯槽を具備し、この中に液と不活性ガスとが共に貯蔵
されている。前真空と不活性ガスの前充填とは充填機構
により実行されるので、追加の充填具や吸引具は必要で
はない。充填過程中びんはずっと充填機構に押付けられ
ているので、周囲の空気は液に影響を与えることはない
。したがγ充填装置を包囲して不活性ガスで充満した室
を設ける必要はない。

構造が簡単で満足すべき機能を有し、しかも不活性ガス
の消費量が少なくて酸素を遮断して充填可能な本発明に
よる装置の有利な態様も以下に説明される。

以下に本発明の実施例を図で説明する。

第１図ないし第４図に示す装置は、ワインのように泡立
ちしやすく酸素に敏感な液をびんｌに充填するためのも
のである。この装置は垂直中心軸のまわりに回転可能な
リング状回転対称貯槽２を具備している。貯槽２Ｆｉ四
方を囲まれた圧力貯槽として形成され、貯槽の下部を占
める液導入部内に合流する導管３により常圧またはわず
かに低圧の液源４と接続されている。導管３内に図示さ
れてない回転分配器と制御弁５とが挿入され、制御弁５
は制御器６により制御される。制御器６には液面検出子
７が接続され、液面検出子７は貯［２の内部にあって液
面高さを測定する。制御弁５の開閉により貯槽２内の液
面高さを所定値に保持するように制御器６が形成されて
いる。貯槽２にはさらにその上部のガス導入部に合流す
る導管８が接続され、導管８は第１の真空ポンプ９に通
じている。この導管８内にも図示されてない回転分配器
と制御弁１０とが挿入され、制御弁１０は制御器１１に
より制御される。この機能についてはさらに以下に説明
する。

貯槽２の下側に下部リング通路１２が形成され、このリ
ング通路１２は導管１３により図示されてない回転分配
器を介して第２の真空ポンプ１４に接続されている。こ
の真空ポンプ１４により下部リング通路１２は絶対圧約
０．１バールの真空に常に保持されている。

貯槽２の上側に上部リング通路１５が形成され、このリ
ング連路１．５は導管１６により約５バールの圧の炭酸
ガスを供給する不活性ガス源１７に接続されている。こ
の導管１６内に図示されてない回転分配器と減圧弁１８
とが挿入され、この減圧弁１８は圧力制御器１９により
制御される。この減圧弁１８と圧力制御器１９とにより
上部リング通路１５内の過圧値は０．１バールに一定に
保持されている。これの代りに、圧力を大気圧に下げる
こともまた可能である。

貯槽２と第１の真空ポンプ９との間の制御弁１０の制御
器１１は差圧制御器として形成され、それの一端は貯槽
２と制御弁ｌｏとの間付近の導管８上１ｃ他端はリング
通路１５と減圧弁１８との間付近の導管１６上に接続さ
れている。この制御器１１は制御弁１０を開閉して導管
８ないＸ貯槽２内の圧力を導管工６ないし上部リング通
路１５内の圧力よＩ）ｏ、ｘｓバールだけ低く保持する
ように制−する。

貯槽２内の低圧はしたがって低真空の場合は０．０５バ
ールの値な示すことになる。

貯槽２の周囲には複数個の充填機構２６）が配置され、
その各々にそれぞれ貯槽２と共に回転する押上げ機構２
１が設けられ、これにより貯槽２において上下方向移動
可能に取付けられた心出しキャップ２２との中間接続に
より充填すべきびん１を充填機構２０ヘガスおよび液に
対し密封伏態にて押付けることが可能である。

各充填機構２０にはブロック２３が設けられ、ブロック
２３は貯槽２の下部で底部開口付近に取付けられている
。ブロック２３内で底部開口に接続する液の出口２４に
はくびれ部が加工されている。このくびれ部は液弁弁体
２５の弁座として働き、弁体２５と協働しで液弁を形成
する。液弁弁体２５は垂直なガス管２６に取付けられ、
ガス管２６は出口２４内に取付けられたブツシュ２７を
介して上下可動でかつ出口２４と同心に配置されている
。ここで、ガス管２６の下部の交侯可能端４部品は出口
２４を貫通して充填機構２０に押付けられたびんｌ内に
伸長している。下部開口すなわちガス管２６の切９０は
充填高さを決定し、上部開口は貯・漕２内の液面の上方
にあってガス弁弁１本２８の弁座として形成されている
。

ガス弁弁体２８はニードル２９を介して制御子３０内を
上下可動に設けられているが、ガス弁弁体２８の上面と
制御子３０との間には圧縮ばね３１が挿入されている。

この圧縮ばね３１はガス弁弁体２８をガス管２６の上部
開口へ下方に押付けている。制御子３０に対するガス弁
弁体２８の相対最下位置はニードル２９の上端に設けら
れたストツノツブレート３２で決定される。ガス弁弁体
２８を圧縮ばね３１と組合せて上下可動に取付けている
のは、ガス管２６の上部開口とガス弁弁体２８とで形成
されるガス弁を強制的に閉止するとき誤差があってもそ
れを補償していかなる場合でも十分な閉止力を保証する
ことを目的としている。管状制御１子３０は内部にガス
弁弁体２８が配置されている位置に不活性ガスが通過す
る横開口を設けかつガス管２６の上端部と習動可能に係
合している。ｓｔ＋　＝ｑ子３０の下方には、ガス管２
６上に管状ストッパ３３が軸方向可動に取付けられてい
る。

ガス管２６に対するこのストッパ３３の上方終端位置は
、ガス管２６の周囲に形成されたリング秋突起３４で周
定される。ストッパ３３とガス管２６のずっと下方に形
成されている段付部との間に圧縮ばね３５が挿入され、
この圧縮ばね３５はしたがってストッパ３３を突起３４
に押付けている。

ストッパ３３にはさらに別の圧縮ばね３６が係合し、こ
の圧縮ばね３６は一方ずつと下方のブツシュ２７内に形
成されているノーズ上に支持されている。圧縮ばね３６
はしたがってストッパ３３と、突起３４と、ガス管２６
とを介して液弁弁体２５をその弁座から持ち上げて液弁
を開放しようとする。

制御子３０は一方ではこれに直接担持されるガス弁弁体
２８の高さ位置を制御する。他方でこの制御子３０はそ
の下面を介して、到達範囲内にあるガス管３６の突起３
４を直接作用するかまたはストッパ３３と圧縮ばね３５
との中間接続部を介して液弁弁体２５を作動する。制−
子３０の高さ位置自体は作動装置３７で制御される。こ
の作動装置３７ＩＩｉ、貯槽２の側壁内に取付られかつ
ガスタイトで自緊的に設けられた制御軸を有するブツシ
ュを具備している。貯４２内に存在する制御軸の端部に
妾続フォーク３８が暇付けられ、この接続フォーク３８
は制御子３０の上端部に形成されているリング溝と係合
する。貯槽２の外部に存在する制御軸の端部にはローラ
てこ３９が取付けられている。このローラてこ３９は貯
槽２が回転するとき固定の劃−架台またはカム部材４０
により揺動されるが、ブツシュと制ｊ’＋ｇＩ軸との間
の自緊作用により各々制御された位置に固定保持される
。

ブロック２３内には液弁弁体２５の下方で出口２４内に
合流する通１ｉ’８４１が形成され、この通路４１の他
端は不活性ガス弁４２と真空弁４２）との出口に接続さ
れている。この２個の弁はそれぞれブロック２３内を水
平に移動可能で円錐弁体を有するラムを具Ｉ蒲し、弁体
は圧縮ばね４４で対応の弁座に押付けられている。不活
性ガス弁４２の入口側は管部材４５を介して上部リング
室１５と接続されているが、管部材４５は一方がブロッ
ク２３内に他方が貯槽２内に取付けられている。これに
対し真空弁４３の入口側はブロック２３内に加工された
通路４６を介して下部リング室１５に接続されている。

したがって不活性ガス弁４２のラムがたとえば位置固定
のカム部材４７によりブロック２３内へ押込まれると上
部リング通路１５から出口２４内へ不活性ガスが流入す
る。真空弁４３のラムがたとえば位置固定のカム部材４
８によりブロック内へ押込まれると出口２４ないしはそ
れに押付けられたびん１から下部リング通路１２を介し
て突気が吸引される。

導管８と１６との間に遮断片５０゛を有する連結導管４
９が挿入されており、したがって貯４’ｌＪ２は必要な
場合は不活性ガス源１７に直接接続可能である。七のほ
か導管３には遮断弁５２を有する洗浄用導管５１が接続
さ几、これを介して貯槽２を水などで充満することが可
能である。とくに液充填を開始する前に、この洗浄用導
管５１を介して貯槽２を水で完全に充満し、次にこの水
を炭淑ガスにより遮断弁５０の開口を介して貯槽２およ
び導管３から排出する。次に遮断弁５０および５２を閉
止した状態で制御弁５を介して貯槽２は必要高さまで液
が充満される。このようにして、始めに空気と液の接触
が防止され同時に貯槽２は必要な不活性ガスで充満され
る。このために当然必要な遮；折片、逃がし弁等は第１
図には示されてない。

欠に第１の真空ｉＩ′？ンプ９を挿入すること番でより
制御弁１０および制御器１１を介して貯槽２内に所定の
低真空がえられるまで貯槽２から必要量の炭酸ガスが吸
引される。その後制御弁１０は自動的に閉止してそれ以
上はもはや炭酸ガスが吸引されない。制御弁５および１
８を有する制御器６および１９ＩＩ′ｉ、必要な場合Ｋ
ＩＷないし炭酸ガスが供給されるようｔて瞬能をしてい
る。さらｌ／ｃ第２の真空ポンプ１４を挿入すると装置
は様能的に準備完了である。

このように準備された装置で実行される方法は以下のと
おシである。びんが存在しない充填機構２０の回転範囲
においては制−子３０は作動装置３７によりその最下終
端位置に保持される（第４図）。このとき制御子３０は
その下面とリング状突起３４とを介してガス管２６を下
方に押付け、これにより液弁弁体２５は出口２４内の弁
座にしつかシと押付けられ、したがって液弁は強制的に
閉止位置に保持される。同時に制御子３０によりガス弁
弁体２８は圧縮ばね３１を介してガス管２６の上端に押
付けられ、したがってガス弁は強制的に閉出位置に保持
される。不活性ガス弁４２および真空弁４３もまたそれ
らのばね４４（でより閉止位置に保持されている。した
がって貯槽２内の貯槽液および貯槽ガスは完全に大気か
ら遮断されて空気の侵入は存在しない。

次にここで空びん１が対応の押上げ機構２１　ｖｃより
心出しキャップ２２に接続されて充填機構２０にしっか
りと押付けられる。その後真空弁４３は位置固定のカム
部材４８により短時間開放され、したがってびん内に高
真空となって空気は徹底的に排除される。吸引された空
気は液と接触することなく１通路４１、真空弁４３、通
路・１６、リング通路１２、導管１３．第２の真空ポン
プを介して大気へ放出される。

ここで制御子３７は位１ｒｉａ＋定の制御ズロツク４０
と結合する作動装置３７によりその最下終端位置に持上
げられ（第３図）そこに固定される。このときガス弁弁
体２８はストッパプレート３２とニードル２９とを介し
てその弁座からガス管２６より高い端へ持上げられ、し
たがってガス弁は強制的に開放される。びん１と貯槽２
との間にかなりの圧力差があるのでこのとき炭窯ガスは
貯槽２からガス管２６を通過してびんｌ内へ急激に流入
し最後には両方の圧力は均衡する。節［御子３０がその
上方終端位置に移動したときその下面は突起３４および
ストッパ３３力）ら持上り、ストン・ｑ３３はここでば
ね３５により突起３４へ持上げられる。

したがって液弁２５を有するガス管２６はフリーになる
、しかしながら上述のように貯槽２とびんｌとの間の圧
力が均衡してびんｌが不活性ガスで充満されるまでは、
びんｌ内の高真空の影袴で液弁弁体２５はその下方終端
位置のまま液弁を閉止位置に保持している。その後ガス
管２６は相応の強度を有する圧縮ばね３６シてよりスト
ッパ３３および突起３．１を介して持上げられ、したが
って液弁は自動的に開放される。この過程では圧縮ばね
３５はＩＡ与していない。ガス管９の上方終端位置はた
とえばストン・ξとして作用するブツシュ２７の下面が
液弁弁体２５の上面と協働することにより決定される。

この均衡圧力状態で貯槽２内の液面が高いということだ
けで液は貯槽２の底部開口、開放されだ液弁、出口２４
を通過してびんｌ内へ静かに流入するが、ここで不活性
ガスはガス管２６を通過して再び貯槽２へ逆流しそこに
回収される。

この過程は、液がびんｌ内のガス管２６の下部切シロの
高さに到達してこの口を閉出すると自動的に停止する。

不活性ガスが出口２４を通って貯槽２内へ泡立ちなしな
がらしばらく逆流してその後大体充填高さが決定される
が、この充填高さはガス管２６の下部切り口の高さより
多少高いところに存在する。

仄に・ｉ４．・叩子３０は制７卸ブロック４０と楼台し
た作句Ｐ：ａ’３７　ｔｃよりその中間位置（第２図ン
にもたらされてそこに固定される。ここで嗣１圓子３０
ケよその下面と、ストッパ３３と、圧縮ばね３５とを介
してガス管２６を押付け、これｆよ！ｌ）　／１［弁弁
体２５を下方へ弁座に押付ける。し、欠がって液弁は強
制ｒ’１勺に閉止される。同時にガス弁弁体２８は一緒
下降されてその弁座にやや接近するが、弁座には−まだ
押付けられてはいない。したがってガス弁は強制的に開
放位置を保持している。ここで不活性ガス弁４２が位置
固定のカム軌道４７（〆Ｃより短時間開放される。した
がってこのとき０．１５バールの差圧に制御側された炭
償ガスはリング通路１５から管部材４５と、不活性ガス
弁４２と、通路４１と゛るｓ介してびん１内へ流入し、
ガス管２６の下部切り１０上に再圧する液をこのガス管
２６と、強制的に開放されているガス弁とを介して貯槽
２へ押戻す。液とそのあとから排出される炭酸ガスとは
このとき絞られることなく通過し開放されたガス弁から
貯槽２へゆっくり排出される。したがってこの緩やかな
液面調整によりびん１および貯＋＋１（２０１の液面揺
・効もガス管２６の下方液面からの顕著な液の同伴も生
じることはない。びん１はここで正しい高さまで正確に
液で充満され、液上面のびんネック空間は純粋な炭酸ガ
スを含有するので、以後も酸素が液に作用することもま
たありえない。

不活性ガス弁４２の開放時間は、流出する炭酸ガス量が
びんネックの空間な充満するのに必要な々以上となるよ
うに決定される、この過ｆｉｌＪ炭酸ガスはガス管２６
を介してびん１から貯槽２へ流入し以後再使用するため
にそこに回収される。このとき発生する貯槽２内の圧力
上昇は、制御・弁１０と制’ｉｆｌ器１１とにより、貯
槽２から第１の真空ポンプ９な介して十分な量のガスが
吸引されて均衡化される。この過剰炭酸ガス量はさらに
、前真空を行ったあともなお残存する残余空気がびんか
ら排出されて貯槽２内にて高濃度とならないよう番てこ
のガスが空気濃度を許容限度内に保持するように決定さ
れる。これにより充填条件は影響されることはない。

不活性ガス弁４２が閉止されたあと、１１ｊ御子３゜は
制御台４０と結合した作動装Ｎ３７によりその下方終端
位置（第４図）へ下降されそこに固定される。このとき
圧ｍｌばね３Ｉを介してガス弁弁体２８はガス管２６の
弁座にしっかりと押付けられ、したがってガス弁は強制
的に閉止される。したがって貯槽液と貯槽ガスとを有す
る貯＋１１２は完全に大気から遮断される。ここでびん
ｌは対応の押上げ！ｌｊ構２１を下降させることにより
充填機構から引放され、次にただちに図示されないキャ
ンプ締め装置へ供給される。

【図面の簡単な説明】

第１図はびん充填装置の流れ図、 第２図は液弁が閉止位置でガス弁が開放位置にある第１
図に示す装荷の貯槽および充填機構のたて断面図、 第３図は液弁とガス弁とが開放位置にある第１図および
第２図に示す装置の貯槽および充填機構のたて断面図、 第４図は液弁とガス弁とが閉止位置にある第１図および
第２図に示す装置の貯槽および充ｊα機構のたて断面図
である。 ２・・・貯槽　　３・・・導管　　５．１０・・・制御
開弁６．１１．１９・・・匍制御器　　７・・・液面検
出子９・・・第１の真空ポンプ　　１２．１３．４１．
４６・・・（第２の真空ポンプへの）接続部材（導管）
１４・・・第２の真空ポンプ　　１５．１６．４１，４
５・・・（不活性ガス源への）接続部材（導管）１７・
・・不活性ガス源　　１８・・・減圧弁　　２０・・・
充填機構　　２４・・・出口　　２５・・・液弁２６・
・・ガス管　　２８・・・ガス弁　　３７．４０．４７
．４８・・・制御装置　　４２・・・不活性ガス弁４３
・・・真空弁

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 〔１〕びんを真空にし、次に不活性ガスを前充填し、引
   続いて真空下で液を充填するびん等の充填方法であつて
   、真空下での充填中びんから吸引または排出された不活
   性ガスは回収され少くともその一部が前充填時に真空下
   のびん内へ再導入されることを特徴とする充填方法。 （２）不活性ガスの前充填は液の充填と同一の低圧下で
   実行されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の方法。 （３）びんは不活性ガスの前充填と液充填との間大気か
   ら遮断され、前充填時と液充填時とに支配的な低圧に保
   持されることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
   方法。 （４）真空時のびん内の低圧は不活性ガスの前充填時の
   低圧より強力であることを特徴とする特許請求の範囲第
   ２項または第３項記載の方法。 （５）液の充填後少なくとも気圧の不活性ガスがびんネ
   ック内空間へ後充填されることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の方法。 （６）不活性ガスの後充填のとき所定充填高さになるま
   で液の一部が排出されることを特徴とする特許請求の範
   囲第５項記載の方法。 （７）後充填には前充填と同一不活性ガスが使用される
   こと、後充填にはびんネック空間の充満ないしは液の排
   出に必要な量以上の不活性ガスがびん空間内に導入され
   ること、びんから排出される過剰不活性ガスは回収され
   少くともその一部が前充填時に真空下のびん内へ再導入
   されること、を特徴とする特許請求の範囲第５項または
   第６項記載の方法。 （８）びんは充填中貯槽液と、真空下の貯槽ガスとに接
   続されていて、 貯槽ガスは不活性ガスからなり、前充填中不活性ガスは
   貯槽ガスからびん内に導入され、液充填中びんから排出
   または吸引された不活性ガスは貯槽ガスへ再誘導される
   こと、 充填終了後びんと貯槽液および貯槽ガスとの接続が遮断
   され、貯槽ガスおよび貯槽ガスは大気から遮断されるこ
   と、 を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第７項のいず
   れかに記載の方法。 （９）不活性ガス源から純粋不活性ガスが貯槽不活性ガ
   スへ補給され、これにより貯槽不活性ガスの不活性ガス
   の濃度および／または量が所定値に保持されることを特
   徴とする特許請求の範囲第８項記載の方法。 （１０）後充填時に純粋不活性ガスが不活性ガス源から
   びんネックの空間内へ導入され、びんから排出される余
   剰の純粋不活性ガスは貯槽不活性ガスへ誘導されること
   を特徴とする特許請求の範囲第７項ないし第９項記載の
   方法。 （１１）貯槽液は貯槽不活性ガスと同一の低圧とされ、
   びん内の充填液面高さよりも高い液面高さに保持されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第８項ないし第１
   ０項のいずれかに記載の方法。 （１２）貯槽液と貯槽ガスとは、真空源に接続されてい
   る共通の圧力貯槽内に包含されていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１１項記載の方法。 〔１３〕充填液とこれを被覆するクッションガスとのた
   めの貯槽と、貯槽の液導入部と第１の真空ポンプとに接
   続されさらに不活性ガス源と第２の真空ポンプとにも接
   続されている少くとも１個の充填機構と、を有する特許
   請求の範囲第１項記載の方法を実行するための装置であ
   つて、貯槽（２）の液導入部は少くとも部分的に充填機
   構（２０）の出口（２４）より高い位置にあること、第
   １の真空ポンプ（９）と不活性ガス源（１７）は貯槽（
   ２）のガス導入部と接続されていること、貯槽（２）の
   液導入部と各充填機構（２０）の出口（２４）との間の
   接続部材（２４）は遮断可能であること、各充填機構（
   ２０）と貯槽（２）のガス導入部との間に遮断可能接続
   部材（２６）が設けられていること、第２の真空ポンプ
   （１４）は遮断可能接続部材（１２、１３、４１、４６
   ）を介して各充填機構（２０）の出口（２４）に接続さ
   れていること、 を特徴とする装置。 （１４）充填液とこれを被覆するクッションガスとのた
   めの貯槽と、貯槽の液導入部と第１の真空ポンプとに接
   続されさらに不活性ガス源と第２の真空ポンプとにも接
   続されている少くとも１個の充填機構と、を有する特許
   請求の範囲第１項記載の方法を実行する装置であつて、 貯槽（２）の液導入部は少くとも部分的に充填機構（２
   ０）の出口（２４）より高い位置にあること、第１の真
   空ポンプ（９）は貯槽（２）のガス導入部と接続されて
   いること、 貯槽（２）の液供給部と各充填機構（２０）の出口（２
   ４）との間の接続部材（２４）は遮断可能であること、
   各充填機構（２０）と貯槽（２）のガス導入部との間に
   遮断可能接続部材（２６）が設けられていること、第２
   の真空ポンプ（１４）と不活性ガス源（１７）とはそれ
   ぞれ遮断可能接続部材（１２、１３、４１、４６ないし
   １５、１６、４１、４５）を介して各充填機構（２０）
   の出口（２４）に接続されていること、 を特徴とする装置。 （１５）貯槽（２）の液導入部に制御弁（５）を有する
   液の導管（３）が接続されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第１３項または第１４項記載の装置。 （１６）貯槽（２）内に液面検出子（７）が取付けられ
   、液面検出子（７）は液の導管（３）内に設けられた制
   御弁（５）の制御器（６）に接続されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１５項記載の装置。 （１７）不活性ガス源（１７）と貯槽（２）ないしは各
   充填機構（２０）との接続導管（１６）内に圧力制御器
   （１９）を有する減圧弁（１８）が挿入されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１３項ないし第１６項の
   いずれかに記載の装置。 （１８）貯槽（２）と第１の真空ポンプ（９）との間の
   接続導管（８）内に制御弁（１０）が挿入されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１３項ないし第１７項
   のいずれかに記載の装置。 （１９）制御弁（１０）は貯槽（２）内の低圧度に依存
   し、貯槽（２）内の圧力がある所定値を超えたとき制御
   弁（１０）が開放するように作動されることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１８項記載の装置。 （２０）制御弁（１０）は貯槽（２）内の圧力と、不活
   性ガス源（１７）と貯槽（２）ないしは充填機構（２０
   ）との間の接続導管（１６）内の圧力と、の差圧に依存
   し、差圧がある所定値を超えたとき制御弁（１０）が開
   放するように作動されることを特徴とする特許請求の範
   囲第１８項記載の装置。 （２１）充填機構はびん内に挿入可能なガス管を設けて
   いて、 ガス管（２６）は貯槽（２）のガス導入部内に突出して
   制御可能ガス弁（２８）により閉止可能であること、ガ
   ス管（２６）は制御可能液弁（２５）により閉止可能な
   液の出口（２４）で包囲されていること、 液弁（２５）の下部の出口（２４）内へ、第２の真空ポ
   ンプ（４３）へ通じ真空弁（４３）にて閉止可能な導管
   （１２、１３、４１、４６）と、不活性ガス源（１７）
   に通じ不活性ガス弁（４２）にて閉止可能な導管（１５
   、１６、４１、４５）と、が合流していること、 を特徴とする特許請求の範囲第１３項ないし第２０項記
   載の装置。 （２２）ばねで負荷されている液弁（２５）、ガス弁（
   ２８）、真空弁（４３）、不活性ガス弁（４２）に対し
   制御装置（３７、４０、４７、４８）が設けられ、これ
   らは、充填過程においてまず真空弁（４３）が開放して
   再び閉止し、次にガス弁（２８）と液弁（２５）とが開
   放のためフリーとなり、したがつて貯槽（２）内とびん
   内とが同一圧力に達すると液弁（２５）はばね作用によ
   り自動的に開放し、その後液弁（２５）は強制的に閉止
   され、次に不活性ガス弁（４２）が開放して再び閉止す
   るが、このときガス弁（２８）は強制的に開放位置に保
   持されていて不活性ガス弁（４２）と同時かまたはそれ
   に遅れて閉止する、ように構成されていることを特徴と
   する特許請求の範囲第２１項記載の装置。