JPS6191922A - デスカム方法 - Google Patents
デスカム方法Info
- Publication number
- JPS6191922A JPS6191922A JP21385084A JP21385084A JPS6191922A JP S6191922 A JPS6191922 A JP S6191922A JP 21385084 A JP21385084 A JP 21385084A JP 21385084 A JP21385084 A JP 21385084A JP S6191922 A JPS6191922 A JP S6191922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- descum
- resist
- parallel plate
- effect
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 abstract description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体集積回路の製造工程に用いられるフォト
マスクの製造方法に係り、特にネガ型電子ビームレジス
トを用いたマスク製造工程のデスカム方法に関するもの
である。
マスクの製造方法に係り、特にネガ型電子ビームレジス
トを用いたマスク製造工程のデスカム方法に関するもの
である。
（従来技術）
従来、電子ビーム露光装置を用いたレジストパターン形
成においては高感度でプロセス安定性が良い等の理由か
ら被照射部分が後の現像工程で残るいわゆるネガ型電子
ビームレジストが多く用いられている。ところが該レジ
ストは一般に電子ビーム照射後も真空中で重合が進行す
るいわゆる後重合効果や４光時基板からの電子ビームの
後方散乱、有機溶剤を用いた現像時に生じるレジストの
膨潤等の影響を受けてレジストパターンにスカムと呼ば
れるひげ状の形状が発生しレジストパターンプロファイ
ルの劣化が生じる。上記スカムを除去する為にネガ型電
子ビームレジストを用いたプロセスには、デスカムと呼
ばれるプラズマ処理が必要となる。該デスカム方法は、
従来プラズマ発生装置としてバレル型あるいは平行平板
型を用いて、酸素プラズマにより処理が行なわれていた
。
成においては高感度でプロセス安定性が良い等の理由か
ら被照射部分が後の現像工程で残るいわゆるネガ型電子
ビームレジストが多く用いられている。ところが該レジ
ストは一般に電子ビーム照射後も真空中で重合が進行す
るいわゆる後重合効果や４光時基板からの電子ビームの
後方散乱、有機溶剤を用いた現像時に生じるレジストの
膨潤等の影響を受けてレジストパターンにスカムと呼ば
れるひげ状の形状が発生しレジストパターンプロファイ
ルの劣化が生じる。上記スカムを除去する為にネガ型電
子ビームレジストを用いたプロセスには、デスカムと呼
ばれるプラズマ処理が必要となる。該デスカム方法は、
従来プラズマ発生装置としてバレル型あるいは平行平板
型を用いて、酸素プラズマにより処理が行なわれていた
。
ところが従来方法を用いた場合、同一条件でデスカム処
理を行なっても、被デスカム面積、すなわちパターニン
グされた残存レジスト面積により、デスカムされるレジ
ストの量が異なるという現象のあることがわかった。こ
の為同一露光条件、同一プロセス条件で処理し：ｔマス
クでもパターン密度によって、最終的にでき上がるパタ
ーンの寸法が異なってしまい、マスクの寸法精度を低下
させる原因となっていた。また一枚のマスク中に部分的
にパターン密度の異なるチップあるいはパターンが挿入
されている場合には同一マスク内であっても素子寸法が
所望の寸法と異なってしまい、半導体集積回路の製造工
程で使用されるマスクとしては精度の悪いものとなって
しまう不都合があった。
理を行なっても、被デスカム面積、すなわちパターニン
グされた残存レジスト面積により、デスカムされるレジ
ストの量が異なるという現象のあることがわかった。こ
の為同一露光条件、同一プロセス条件で処理し：ｔマス
クでもパターン密度によって、最終的にでき上がるパタ
ーンの寸法が異なってしまい、マスクの寸法精度を低下
させる原因となっていた。また一枚のマスク中に部分的
にパターン密度の異なるチップあるいはパターンが挿入
されている場合には同一マスク内であっても素子寸法が
所望の寸法と異なってしまい、半導体集積回路の製造工
程で使用されるマスクとしては精度の悪いものとなって
しまう不都合があった。
（発明の目的）
本発明の目的はかかる不都合に鑑み、パターン密度にか
かわらず同一のデスカムレートが得られ、最終的に素子
寸法精度を高めるデスカム方法を提供することである。
かわらず同一のデスカムレートが得られ、最終的に素子
寸法精度を高めるデスカム方法を提供することである。
（発明の構成）
本発明の、ネガ型電子ビームレジストを用いたパターン
形成において行なわれるデスカム方法は、平行平板型プ
ラズマ処理装置に不活性ガスを導入してプラズマ処理す
ることを特徴とするものである。
形成において行なわれるデスカム方法は、平行平板型プ
ラズマ処理装置に不活性ガスを導入してプラズマ処理す
ることを特徴とするものである。
（作用）
従来、酸素プラズマを用いたデスカム方法は、プラズマ
発生装置としてバレル型あるいは平行平板型プラズマ発
生装置を使用したいずれの場合でも、被デスカム物質す
なわち有機物であるレジストと、プラズマ中の活性化さ
れた酸素分子あるいは酸素原子との間に化学反応が起き
る為に、レジストの量すなわち反応物質の多少によって
デスカムレートの異なるいわゆるローディング効果が生
じ前述した如き不都合が生じる。一方、本発明によるデ
スカム方法は、不活性ガスを用いて、プラズマ発生装置
として平行平板型プラズマ処理装置を使用することによ
り化学反応が一切起こらず物理的なスパッター効果によ
りレジストを除去せしめる為にローディング効果の発生
がみられず、パターン密度、すなわち被デスカム物質の
量にかかわらず一定のデスカムレートが得られるわけで
ある。以下に実施例を詳細に説明する。
発生装置としてバレル型あるいは平行平板型プラズマ発
生装置を使用したいずれの場合でも、被デスカム物質す
なわち有機物であるレジストと、プラズマ中の活性化さ
れた酸素分子あるいは酸素原子との間に化学反応が起き
る為に、レジストの量すなわち反応物質の多少によって
デスカムレートの異なるいわゆるローディング効果が生
じ前述した如き不都合が生じる。一方、本発明によるデ
スカム方法は、不活性ガスを用いて、プラズマ発生装置
として平行平板型プラズマ処理装置を使用することによ
り化学反応が一切起こらず物理的なスパッター効果によ
りレジストを除去せしめる為にローディング効果の発生
がみられず、パターン密度、すなわち被デスカム物質の
量にかかわらず一定のデスカムレートが得られるわけで
ある。以下に実施例を詳細に説明する。
（実施例）
第１図に本発明によるデスカム方法を実施する為のプラ
ズマ処理装置の概略図を示した。
ズマ処理装置の概略図を示した。
平行に向き合った一対の電極１，２を備えた高周波二極
プラズマ装置のチャンバー３内に所定の方法によ１り電
子ビーム露光、現像、ポストベークが施され、ネガ型電
子ビームレジストのパターニングが完了したマスク４を
カソード電極２側に置く。
プラズマ装置のチャンバー３内に所定の方法によ１り電
子ビーム露光、現像、ポストベークが施され、ネガ型電
子ビームレジストのパターニングが完了したマスク４を
カソード電極２側に置く。
チャンバー内を、真空排気装置５を用いて排気し、次い
で不活性ガスとしてアルゴンガス６を導入所望の真空度
になる様調節する。真空度としては１〜２５０Ｐａ、好
ましくは２０〜１５０Ｐａで良好な結果が得られた。電
極間に１３．５６ＭＨｚの高周波゛電源７により電界を
かけ、プラズマ発生させてデスカム処理を所望時間実施
する。
で不活性ガスとしてアルゴンガス６を導入所望の真空度
になる様調節する。真空度としては１〜２５０Ｐａ、好
ましくは２０〜１５０Ｐａで良好な結果が得られた。電
極間に１３．５６ＭＨｚの高周波゛電源７により電界を
かけ、プラズマ発生させてデスカム処理を所望時間実施
する。
以上の方法によりデスカム処理を行なったマスクの最終
的な素子寸法は第２図に示す様に酸素プラズマを用いた
場合と比較してパターン密度による寸法変動がなく高精
度なマスクが得られた。
的な素子寸法は第２図に示す様に酸素プラズマを用いた
場合と比較してパターン密度による寸法変動がなく高精
度なマスクが得られた。
第１図は本発明による実施例の装置概略図。第２図は本
発明によるデスカム方法と従来法を用いた場合のパター
ン密度と素子寸法変化の関係を示した図である。 尚、図において、１．２・・・・・・平行乎仮電極、３
チヤンバー、４・・・・・・マスク、５・・・・・・真
空排気ｋＷ（ロータリーポンプ）、６・・・・・・アル
ゴンガス、７・・・・・・高周波電源である。
発明によるデスカム方法と従来法を用いた場合のパター
ン密度と素子寸法変化の関係を示した図である。 尚、図において、１．２・・・・・・平行乎仮電極、３
チヤンバー、４・・・・・・マスク、５・・・・・・真
空排気ｋＷ（ロータリーポンプ）、６・・・・・・アル
ゴンガス、７・・・・・・高周波電源である。
Claims (1)
- ネガ型電子ビームレジストを用いたパターン形成におけ
るデスカム処理において、平行平板型プラズマ処理装置
により不活性ガスを用いて行なうことを特徴としたデス
カム方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21385084A JPS6191922A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | デスカム方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21385084A JPS6191922A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | デスカム方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191922A true JPS6191922A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16646050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21385084A Pending JPS6191922A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | デスカム方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679499A (en) * | 1995-02-21 | 1997-10-21 | Nec Corporation | Method for forming photo mask for use in fabricating semiconductor device |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21385084A patent/JPS6191922A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679499A (en) * | 1995-02-21 | 1997-10-21 | Nec Corporation | Method for forming photo mask for use in fabricating semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3923568A (en) | Dry plasma process for etching noble metal | |
| JPS60126832A (ja) | ドライエツチング方法および装置 | |
| JPH0614518B2 (ja) | 表面反応の制御方法 | |
| KR930003876B1 (ko) | 플라즈마에싱방법 | |
| JPS6211493B2 (ja) | ||
| JPH0734109B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPS6191922A (ja) | デスカム方法 | |
| JPH08227873A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02106925A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS5936257B2 (ja) | レジスト材料の剥離方法 | |
| US4647523A (en) | Production of a resist image | |
| JPH0243171B2 (ja) | ||
| JPH05263218A (ja) | 電子線レジスト及びその製造方法 | |
| JPS6010731A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS5964845A (ja) | クロムマスク層のドライエツチング方法 | |
| JPS5857731B2 (ja) | プラズマエッチング用レジスト組成物 | |
| JP3166350B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5847466B2 (ja) | プラズマアッシング方法 | |
| JP2001059193A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法およびその装置 | |
| JPS5886726A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPS588576B2 (ja) | ガスプラズマによる電子ビ−ムレジストの現像方法 | |
| JP2699196B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH04127428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02184029A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH01107556A (ja) | パターン形成方法およびそれを用いた半導体装置 |