JPS6191377A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JPS6191377A JPS6191377A JP21336384A JP21336384A JPS6191377A JP S6191377 A JPS6191377 A JP S6191377A JP 21336384 A JP21336384 A JP 21336384A JP 21336384 A JP21336384 A JP 21336384A JP S6191377 A JPS6191377 A JP S6191377A
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- JP
- Japan
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- surface treatment
- plasma
- light source
- light
- discharge
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（怠業上の利用分野）
本発明は、殊に半導体テバイスの半導体膜、金属膜、絶
縁膜の膜生成、エツチング、元クリーニング、表面改質
等の表面処理ｌこ用途をもつ、放射光強度の強い縄周波
放電を利用４−る光化学反応製置に関するものである。
縁膜の膜生成、エツチング、元クリーニング、表面改質
等の表面処理ｌこ用途をもつ、放射光強度の強い縄周波
放電を利用４−る光化学反応製置に関するものである。
（従来技術とその問題点）
気体を光化学的反応により活性化し基板表面に目的とす
る物質を堆積し薄膜化°したりエツチング。
る物質を堆積し薄膜化°したりエツチング。
表面改質等の処理をする方法は、処理が低温で可能であ
ること、荷電粒子の備ツ、（による損傷がないこと、光
化学的選択性により従来にない処理が可能となること、
反応過程の選択及び成層の制σｔｌが容易であることな
どから近年急速な進朕を←せている。
ること、荷電粒子の備ツ、（による損傷がないこと、光
化学的選択性により従来にない処理が可能となること、
反応過程の選択及び成層の制σｔｌが容易であることな
どから近年急速な進朕を←せている。
従来型の光化学的表面処理製註は大別して２つの方法に
分けられる。一つは九砕として放電ランプを用いる方法
でりり他の方ぬは）を諒としてレ−サを用いる方法であ
る。放ｔランプを用いる方法では一般Ｌｌ′Ｊに放射光
の輝度が小ざく、レーザを用いる方法ではレーザ本体が
高価につく。
分けられる。一つは九砕として放電ランプを用いる方法
でりり他の方ぬは）を諒としてレ−サを用いる方法であ
る。放ｔランプを用いる方法では一般Ｌｌ′Ｊに放射光
の輝度が小ざく、レーザを用いる方法ではレーザ本体が
高価につく。
また通常の場合、処理抜性は光源と処理室が窓によって
分離てれており、特に光ＣＶＬ）等の場合にはこの芯上
に異物が堆積しこ＼で放射光が減衰する問題が生じる。
分離てれており、特に光ＣＶＬ）等の場合にはこの芯上
に異物が堆積しこ＼で放射光が減衰する問題が生じる。
これを改善する発明として特願昭５７−１２２８５７号
（％開開５９−１６９６６）発明の名称「化字蒸漸装置
」が出願されている。
（％開開５９−１６９６６）発明の名称「化字蒸漸装置
」が出願されている。
この発明は光源部と処理部とを同一容器内に設置するこ
とを％像としているが、その明細書の説明より、明かに
光源として熱陰極放電ろるいはＡＣ放ｔ″または直流放
ｔを用いていることが分る。そのためその構氏は、を極
の保控用ガスを供柑し、放ｔの安定化ｒなわち光源の安
定化をはかる内存となっている。このため、装置構造が
複雑になるとともに表面処理に直接関係のない気体を処
理系内に尋人するため、これが表面処理の８１類を制限
し又は処理に悪影響をあたえる欠点をもつものとなって
いる。
とを％像としているが、その明細書の説明より、明かに
光源として熱陰極放電ろるいはＡＣ放ｔ″または直流放
ｔを用いていることが分る。そのためその構氏は、を極
の保控用ガスを供柑し、放ｔの安定化ｒなわち光源の安
定化をはかる内存となっている。このため、装置構造が
複雑になるとともに表面処理に直接関係のない気体を処
理系内に尋人するため、これが表面処理の８１類を制限
し又は処理に悪影響をあたえる欠点をもつものとなって
いる。
（発明の目的）
本発明は、この問題を解決し、表面処理Ｑ′）穂類に制
限なく、良質て４１効的な処理を行なうことのできる装
置の提供を目Ｅｒｊとし、附随的には電極保脛用ガスを
供給する公費がない装置を徒洪丁句ことを目的とする。
限なく、良質て４１効的な処理を行なうことのできる装
置の提供を目Ｅｒｊとし、附随的には電極保脛用ガスを
供給する公費がない装置を徒洪丁句ことを目的とする。
（発明の構成）
本発明は、尚周波り、ＴＥブラスマ放ｔを用いた光源お
よびこれに連結して次ボの表面処理を行う処理室を設置
することによって表面処理を行う装置である。
よびこれに連結して次ボの表面処理を行う処理室を設置
することによって表面処理を行う装置である。
（実施例）
第１図に本発明の一実施例を示した。１０は光源機構で
あゆ２０は処理機構である。本笑施例は光掠機枯１０と
処＠慎格２０を同一容器内に設置したものである。
あゆ２０は処理機構である。本笑施例は光掠機枯１０と
処＠慎格２０を同一容器内に設置したものである。
まず元砿機栴１０について説明−づ−る０飢周良（数ｋ
ｌ−１ｚ−数百ＭＨｚ ）のｔ保１より発する尚周波電
圧がコイル２に印加ぢ九ることによって高周数ｖｇ纒結
せにより放電管６の内部に放電が生じる。
ｌ−１ｚ−数百ＭＨｚ ）のｔ保１より発する尚周波電
圧がコイル２に印加ぢ九ることによって高周数ｖｇ纒結
せにより放電管６の内部に放電が生じる。
光源用カスはパルプ４を通してガスの流れ５の方向から
前♂ピ放電官６の内部に尋人てれる。また、放電管６４
；ｔ ＊ ’帛絶縁物で作成され、その材質としては石
英ガラスまたはセラミクス等が有効である。
前♂ピ放電官６の内部に尋人てれる。また、放電管６４
；ｔ ＊ ’帛絶縁物で作成され、その材質としては石
英ガラスまたはセラミクス等が有効である。
石英ガラスを用いた場合はプラズマの筒温化にともなっ
て石英カラスが鹸融するおそれがあるため、放？ｌｔ
Ｗ ６を石英ガラスの２１管とし、内外２つの管の間に
冷却水を流すことがめる。
て石英カラスが鹸融するおそれがあるため、放？ｌｔ
Ｗ ６を石英ガラスの２１管とし、内外２つの管の間に
冷却水を流すことがめる。
印加する画周波電力を太ぎくするにしたがって先づ高周
波グロー放電を生じるが、さらに大きい電、力を加える
ときヒステリシスａ′シにブラーズマがピンチ嘔れてＬ
Ｔ Ｅ （Ｌｏｃａｌ ’ｌ’ｈｅｎｎａｌ 、ｌ；
ｑｕｉｌ＋ｂｒｉｕｍ ４ｊ所熱平衡）プラズマ３が主
じるのが観測される。
波グロー放電を生じるが、さらに大きい電、力を加える
ときヒステリシスａ′シにブラーズマがピンチ嘔れてＬ
Ｔ Ｅ （Ｌｏｃａｌ ’ｌ’ｈｅｎｎａｌ 、ｌ；
ｑｕｉｌ＋ｂｒｉｕｍ ４ｊ所熱平衡）プラズマ３が主
じるのが観測される。
このプラズマは非常ｆこルＬＭｊが筒く、多くの場合通
常の直流グロー放電とは異ったヌベクトルパターンを示
す。たとえば水素の放電の場合、通常の直流グロー放電
めるい（よｉｔ’ｕ ）Ｉ！１）ｒｆｌグロー放−では
、水素分子に起因Ｔ６町視光域力・ら紫外光域に達する
遅４７ｃスペクトルが存在し、それに加えて、水系原子
に起因するバルマーホタリゎ・よひライマン米クリの発
光を截、測−ぐることができる。し、かしこの１−）甘
、水素原子による発光は比較的弱く、そのため放射光の
色は白紫色となっている。ところが、ＬＴＥプラスマ３
では放射光の色は輝度の非常に尚い旗色となっている。
常の直流グロー放電とは異ったヌベクトルパターンを示
す。たとえば水素の放電の場合、通常の直流グロー放電
めるい（よｉｔ’ｕ ）Ｉ！１）ｒｆｌグロー放−では
、水素分子に起因Ｔ６町視光域力・ら紫外光域に達する
遅４７ｃスペクトルが存在し、それに加えて、水系原子
に起因するバルマーホタリゎ・よひライマン米クリの発
光を截、測−ぐることができる。し、かしこの１−）甘
、水素原子による発光は比較的弱く、そのため放射光の
色は白紫色となっている。ところが、ＬＴＥプラスマ３
では放射光の色は輝度の非常に尚い旗色となっている。
でしてそれは水素原子の発光σ）バルマー系の輝度が非
常に晶くなりた結果でおωことを知る。同時に可視部に
ないため直接目には見えないが、ライマン糸のｆ・目し
も非′１゛うに向くなっている。ライマンα光（ま１２
１．６０ｍの波長をもってふ・す、周知のようにこの波
長の光を用いるとぎは７ラン、ジシランの阻接分）Ｊｒ
が可能となる上、ＭｇＦ２、ＬｉＩ”等の光学透過材料
およびへ１ｇド２ コーティングのＡ１リフレクタ−の
１史用できる艮欣もあり光学系を組むことが極めて容易
になって升席に有用である。これ丑では、このライマン
α光の高婢度のものを１）１． リｔＪｆすことのでき
る元Ｖ！炉なかやたために、この光があ舊り、１’ｌＪ
用式れでいなかったものである。上記した本発明Ｕ）部
族ｌ Ｌ ’Ｌ’ Ｅプラズマ光源はこの点／！−滴疋
−・［る。なおＪ光源用カスとしてはアルコン、ヘリウ
ム、水域前の気体２よひこれらの混合気体等も水素と同
様に有用である。
常に晶くなりた結果でおωことを知る。同時に可視部に
ないため直接目には見えないが、ライマン糸のｆ・目し
も非′１゛うに向くなっている。ライマンα光（ま１２
１．６０ｍの波長をもってふ・す、周知のようにこの波
長の光を用いるとぎは７ラン、ジシランの阻接分）Ｊｒ
が可能となる上、ＭｇＦ２、ＬｉＩ”等の光学透過材料
およびへ１ｇド２ コーティングのＡ１リフレクタ−の
１史用できる艮欣もあり光学系を組むことが極めて容易
になって升席に有用である。これ丑では、このライマン
α光の高婢度のものを１）１． リｔＪｆすことのでき
る元Ｖ！炉なかやたために、この光があ舊り、１’ｌＪ
用式れでいなかったものである。上記した本発明Ｕ）部
族ｌ Ｌ ’Ｌ’ Ｅプラズマ光源はこの点／！−滴疋
−・［る。なおＪ光源用カスとしてはアルコン、ヘリウ
ム、水域前の気体２よひこれらの混合気体等も水素と同
様に有用である。
Ａ 周数グロー族′１′、：Ｌとへ周波ＬＴＥプラズマ
放電との間には、 （ａ）Ｉ′、、′１周波グロー放電：まヲら元部が広く
ひろがる傾向にあり、尚周波Ｌ Ｔ Ｅプラズマ放電で
は発光部がピンチさノする頌１０１にりる。
放電との間には、 （ａ）Ｉ′、、′１周波グロー放電：まヲら元部が広く
ひろがる傾向にあり、尚周波Ｌ Ｔ Ｅプラズマ放電で
は発光部がピンチさノする頌１０１にりる。
（ｂ） 夛くの光源用カスに２い−Ｃ１両放寛の発光
はそのスペクトルバター７が異７ｊっＣいる。このスペ
クトルによって、竜子状赳の違いの一！１−ならず、光
源用カスが多原子分子の場合には高周波ＬＴＥプラズマ
放電では高周波グロー放電と較べて振動２よび回転モー
ドの励起かしげしは観ｄ４リ ３ｔＬ る。
はそのスペクトルバター７が異７ｊっＣいる。このスペ
クトルによって、竜子状赳の違いの一！１−ならず、光
源用カスが多原子分子の場合には高周波ＬＴＥプラズマ
放電では高周波グロー放電と較べて振動２よび回転モー
ドの励起かしげしは観ｄ４リ ３ｔＬ る。
（Ｃ） 高周波グロー放電状態と尚周波Ｌ Ｔ Ｅプ
ラズマ放電状態とは 数置電力、放電圧力等をパラメー
タとして、しばしばヒステリシス的に趨移し、放電イノ
ビーダンスは固数を間で人さく異なめことが多い。
ラズマ放電状態とは 数置電力、放電圧力等をパラメー
タとして、しばしばヒステリシス的に趨移し、放電イノ
ビーダンスは固数を間で人さく異なめことが多い。
（ｄ） 高周波Ｌ Ｔ Ｅフラスマ放電は井ｎに鮮度
が−い０ 等の明確な相異が存在し両者の識別は容易である。
が−い０ 等の明確な相異が存在し両者の識別は容易である。
また、ヘリウム等のような光源用」ガスでは、放℃イ／
ビーダンスがヒステリメス的に変化せずそのためインビ
ーダンスのみからは高周波グロー族１）Ｌと高周波Ｌ
’１’ Ｅプラズマ放′亀とを区別し難い刀ユ、高層２
［ＬＴＥプラズマ放電状態になるとプラズマがピンチさ
れる傾向を示し、目視によって副放電・ト識別ｃｌ−る
ことかできる。
ビーダンスがヒステリメス的に変化せずそのためインビ
ーダンスのみからは高周波グロー族１）Ｌと高周波Ｌ
’１’ Ｅプラズマ放′亀とを区別し難い刀ユ、高層２
［ＬＴＥプラズマ放電状態になるとプラズマがピンチさ
れる傾向を示し、目視によって副放電・ト識別ｃｌ−る
ことかできる。
次に処理機構２０について説明ｒる。処理機構２０は、
必要ならに気密ｌこ沫つことができる処理室７、反応気
体を導入する導入リング１３、基板１６を設置するため
の基板ホルダ８かうなり、Ｌ′ｒＥプラズマ３からの放
射光１７が処理室７の内部に照射される構造となってい
る。所定の反応気体はパルプ１）を通して流れの方向１
２から導入リング１３に導びかれ、導入リング１３によ
って４６埋呈７の内部に供給される。赫版ホルダー８に
は温度コントローラー９が設置ぢれでおり必要に応じて
基板の温良を調節でさる。
必要ならに気密ｌこ沫つことができる処理室７、反応気
体を導入する導入リング１３、基板１６を設置するため
の基板ホルダ８かうなり、Ｌ′ｒＥプラズマ３からの放
射光１７が処理室７の内部に照射される構造となってい
る。所定の反応気体はパルプ１）を通して流れの方向１
２から導入リング１３に導びかれ、導入リング１３によ
って４６埋呈７の内部に供給される。赫版ホルダー８に
は温度コントローラー９が設置ぢれでおり必要に応じて
基板の温良を調節でさる。
該光源用カス２よび該反応気体はバルブ１４を通してガ
スの流れ１５の方向に排気でね、る。
スの流れ１５の方向に排気でね、る。
なお、第２図に示したように、光源機構１０と処理伝格
２０との１ドｊから該光已用ガスを排気の方向２１の方
向に排気することをしても良い。
２０との１ドｊから該光已用ガスを排気の方向２１の方
向に排気することをしても良い。
第２図に示した装置を用いて、光源用カスとして水素ガ
ス、反応気体としてシランガスを用いることによって、
基板１６上に良質の、１）− Ｓ、 ： Ｈ膜を作成す
ることができた。また第１図に示した装置を用い、光源
用カスとしてアンモニアカス、反応気体として７ランカ
スを用いることによって、基板１６上に良質のＳｉＮ膜
を作成することがでさた。この場合の反応の機構は明確
ではないが、アンモニアのＬ ’Ｌ’ Ｅプラズマから
水素原子のライマンα光の発光が生じ、この元によって
シランが分ｊ！ｌｔするとともに、琶系赤としてはＬＴ
Ｅフラズマによって生じた窒素ラジカルが供絽されたた
めと考えられる。
ス、反応気体としてシランガスを用いることによって、
基板１６上に良質の、１）− Ｓ、 ： Ｈ膜を作成す
ることができた。また第１図に示した装置を用い、光源
用カスとしてアンモニアカス、反応気体として７ランカ
スを用いることによって、基板１６上に良質のＳｉＮ膜
を作成することがでさた。この場合の反応の機構は明確
ではないが、アンモニアのＬ ’Ｌ’ Ｅプラズマから
水素原子のライマンα光の発光が生じ、この元によって
シランが分ｊ！ｌｔするとともに、琶系赤としてはＬＴ
Ｅフラズマによって生じた窒素ラジカルが供絽されたた
めと考えられる。
第１図、第２〆１では光稼機枯１０および処理機構２０
が同−容器内に弁仕グなしで設置てれている。この俗成
に元ＣＶＬ）等の表面処理そ行う際にこｆ″Ｌ、まで最
も大きな問題となっていた光ｇ（光学ガラス窓）の伝り
を根本的に力Ｉ Ｒするものであり、この点で非宮に有
用Ｃるる。また本発明のなｔ成では、向１．．」波放電
を用いるため電性の保脛用ガスを尋人する公債がなく、
尚周阪寛法自牙を容器内に導入号−る必安すらない。こ
のためπ源の非冨に慮Ｊｉ２なファクターである牌吸の
女足住を艮く・本発明の装置！Ｔは表面処理の牢なる実
験装置？ことソまらず量産装置Ｊ用にも他めて通合した
装置構造を愕りている。
が同−容器内に弁仕グなしで設置てれている。この俗成
に元ＣＶＬ）等の表面処理そ行う際にこｆ″Ｌ、まで最
も大きな問題となっていた光ｇ（光学ガラス窓）の伝り
を根本的に力Ｉ Ｒするものであり、この点で非宮に有
用Ｃるる。また本発明のなｔ成では、向１．．」波放電
を用いるため電性の保脛用ガスを尋人する公債がなく、
尚周阪寛法自牙を容器内に導入号−る必安すらない。こ
のためπ源の非冨に慮Ｊｉ２なファクターである牌吸の
女足住を艮く・本発明の装置！Ｔは表面処理の牢なる実
験装置？ことソまらず量産装置Ｊ用にも他めて通合した
装置構造を愕りている。
光源機構１０および処理シ幾イｉｔ ２０を同−容器内
に設置した場合は、圧力が数Ｔｏｒｒ以下の穎域では、
高周波１．ＴＥプラズマ放ｔの周囲ｆこグロー状プラズ
マが広がっており、圧力が低い領域で１ましにしはこの
グロー状プラズマが処理室内部１で広がってくる。これ
を防止するたＷ）九υ・ハ憬（ｐ’ｚ １０および処理
機構２０との間Ｉこプラスマシールド用υツメノンユ等
を設置してグロー状プラズマの広がりを防止することが
ある。
に設置した場合は、圧力が数Ｔｏｒｒ以下の穎域では、
高周波１．ＴＥプラズマ放ｔの周囲ｆこグロー状プラズ
マが広がっており、圧力が低い領域で１ましにしはこの
グロー状プラズマが処理室内部１で広がってくる。これ
を防止するたＷ）九υ・ハ憬（ｐ’ｚ １０および処理
機構２０との間Ｉこプラスマシールド用υツメノンユ等
を設置してグロー状プラズマの広がりを防止することが
ある。
第３図には光字窓２２を設直し光源機構１０と処理様＋
Ｍ ２ （ｌとを分！’；Ｉｃ した４１゛・メ迫の装
Ｇｙを示す。この場合九ＣＶ Ｉ）納υノ過ＬＬでは九
手悠２２の曇りが問題とな、−１ル・、それは元エノテ
ノグ、ブｔクリー二／グ等の処理の船程ではｌ！４１題
とならず、却って該九の用カスか処理至内に諷入じない
Ｘ＝ｌＪ点が生か畑！しる。、＋２゛また元りリ＝ノグ
ζ）では彰反応気体を尋人−づる必−女がない揚台もあ
る。
Ｍ ２ （ｌとを分！’；Ｉｃ した４１゛・メ迫の装
Ｇｙを示す。この場合九ＣＶ Ｉ）納υノ過ＬＬでは九
手悠２２の曇りが問題とな、−１ル・、それは元エノテ
ノグ、ブｔクリー二／グ等の処理の船程ではｌ！４１題
とならず、却って該九の用カスか処理至内に諷入じない
Ｘ＝ｌＪ点が生か畑！しる。、＋２゛また元りリ＝ノグ
ζ）では彰反応気体を尋人−づる必−女がない揚台もあ
る。
以上０・）実施Ｖ’ｌは、扁周波詰み留金型によ−って
Ｌ１’ Ｉ・；フランツを作成した例であるが薗周匝谷
蛍結８型にようでＬ ’Ｌ” Ｅフランツを作成するこ
ともでき、こＪ’Ｌによっても上記間（又の有用な装置
かえられζ・。なシ・こルらの実施ツリは１０」ら眠定
市な；ご此をもつも（、＋１ではなく、本発明のｔく面
処３里装置にはこの発明の主旨を尊重した改良ｆｍ８せ
や既仕扱術の併用など多くのＸ形が可能である。
Ｌ１’ Ｉ・；フランツを作成した例であるが薗周匝谷
蛍結８型にようでＬ ’Ｌ” Ｅフランツを作成するこ
ともでき、こＪ’Ｌによっても上記間（又の有用な装置
かえられζ・。なシ・こルらの実施ツリは１０」ら眠定
市な；ご此をもつも（、＋１ではなく、本発明のｔく面
処３里装置にはこの発明の主旨を尊重した改良ｆｍ８せ
や既仕扱術の併用など多くのＸ形が可能である。
（発明の効果）
Ａ−発明は以上説明した辿りでろって、尚周波Ｌ１゛Ｅ
フラスマ放亀を用いた光源を用いることによって市牌反
で女疋した放射光を付ることができる。
フラスマ放亀を用いた光源を用いることによって市牌反
で女疋した放射光を付ることができる。
本会四〇−装置か牛尋体股、盆軌膜、杷は膜等の成膜、
ドライエノチノグ１元クリーニング、表面改質等半６体
デバイスの製造等に寄与するところは犬であり、工栗上
有為の発明ということができる。
ドライエノチノグ１元クリーニング、表面改質等半６体
デバイスの製造等に寄与するところは犬であり、工栗上
有為の発明ということができる。
４、図面Ｕ） ｗ５１’ｆＬ ｆｘ説明第１図、第２図
、第３図は本＾ツ発明υ）装ｒ１−υ）実施例の正面１
ｇＴ面図である。
、第３図は本＾ツ発明υ）装ｒ１−υ）実施例の正面１
ｇＴ面図である。
１０・・・光＠磯講 、２０・・・処理磯栖。
Claims (3)
- （１）所定の波長の放射光を利用して所定の表面処理を
行う表面処理装置において、処理室内に載置された被処
理物および／または該被処理物の被処理面の前面空間を
照射できる位置にて、少くとも該所定の波長の放電光を
発する第１のガスを、誘導結合もしくは容量結合された
高周波電力空間に流すことでＬＴＥプラズマを発生せし
め、このＬＴＥプラズマを光源として該所定の表面処理
を行うことを特徴とする表面処理装置。 - （２）該処理室と空間的に連続して、もしくは光学的に
透明な窓を通して、該光源を配置したことを特徴とする
第１項記載の表面処理装置。 - （３）該ＬＴＥプラズマ部と被処理物の間に放射光を透
過し、荷電粒子をしゃへいもしくは、選択的に透過させ
うる電圧印加可能のメッシュ状電極を配設したことを特
徴とする第１項記載の表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21336384A JPS6191377A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21336384A JPS6191377A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191377A true JPS6191377A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16637936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21336384A Pending JPS6191377A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191377A (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227089A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-06 | Anelva Corp | 表面処理方法および装置 |
| US5888414A (en) * | 1991-06-27 | 1999-03-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control |
| JPH11279758A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-12 | Shincron:Kk | 金属化合物薄膜の形成方法および成膜装置 |
| US5990017A (en) * | 1991-06-27 | 1999-11-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US6036877A (en) * | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US6036878A (en) * | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
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