JPS618919A - 薄膜形成装置に於る半導体ウエハ温度検出方法 - Google Patents
薄膜形成装置に於る半導体ウエハ温度検出方法Info
- Publication number
- JPS618919A JPS618919A JP13045984A JP13045984A JPS618919A JP S618919 A JPS618919 A JP S618919A JP 13045984 A JP13045984 A JP 13045984A JP 13045984 A JP13045984 A JP 13045984A JP S618919 A JPS618919 A JP S618919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- temperature
- semiconductor wafer
- thermocouple
- detecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、薄膜形成装置の特にスパッタ装置に於るウェ
ハの温度検出方法に関するものである。
ハの温度検出方法に関するものである。
近年、半導体ウェハの製造工程に於て、配線形成のため
の薄膜形成方法のひとつとして注目されてきているもの
にスパッタがある。これはある物体をプラズマ中のイオ
ンでたたき、これをはね飛ばし、その物体を基板（ウェ
ハ）につけて膜を形成させるものである。このスパッタ
による膜形成に於て重要なウェイトのひとつとしてウニ
／・温度がある。例えばこの膜形成の良否を判断する鏡
面性（白濁）・グレインサイズ・比抵抗・硬度（ボンデ
ィング性）ステップカバレッジ・エレクトロマグレーシ
ョン等はスパッタする材質によりそれぞれ温度による依
存性を持っている。よってこのスパッタ方法に於てはウ
ェハに対し加熱あるいは冷却等その材質、プロセスによ
り行なっている。
の薄膜形成方法のひとつとして注目されてきているもの
にスパッタがある。これはある物体をプラズマ中のイオ
ンでたたき、これをはね飛ばし、その物体を基板（ウェ
ハ）につけて膜を形成させるものである。このスパッタ
による膜形成に於て重要なウェイトのひとつとしてウニ
／・温度がある。例えばこの膜形成の良否を判断する鏡
面性（白濁）・グレインサイズ・比抵抗・硬度（ボンデ
ィング性）ステップカバレッジ・エレクトロマグレーシ
ョン等はスパッタする材質によりそれぞれ温度による依
存性を持っている。よってこのスパッタ方法に於てはウ
ェハに対し加熱あるいは冷却等その材質、プロセスによ
り行なっている。
（従来技術）
従来、このスパッタに於るバックグランドともいえる真
空処理室内のウェハ温度のコントロールは種々の問題、
例えばウェハハンドリングによる制約、室内の構造上の
制約等によりなかなか最適なものは無く実際はウェハの
温度でコントロールするのでなく、加熱系あるいは冷却
系の温度検出によるコントロールであった。
空処理室内のウェハ温度のコントロールは種々の問題、
例えばウェハハンドリングによる制約、室内の構造上の
制約等によりなかなか最適なものは無く実際はウェハの
温度でコントロールするのでなく、加熱系あるいは冷却
系の温度検出によるコントロールであった。
即ち、第１図（２）に示す様に、真空処理室内の半導体
ウェハｌを加熱する加熱ブロック２にと−タ３を組み込
み、同じくブロック内に設けられた検出素子例えば熱電
対４によりフィードバック制御を行なう方法、あるいは
第１図（ｂ）に示す様に真空処理室内の半導体ウェハ１
を加熱ヒートランプ５゜反射板６による加熱エリア内に
設けた熱電対４によりフィードバック制御を行なう方法
等、いずれもウェハ温就そのものでなく加熱系内の温度
を検出し制御するという間接的な温度制御である為、実
際のウェハ温度とは異なり各プロセスに於るウェハ温度
はバラツキが大きくなり温度条件の設定も難しくなり、
スパッタによる膜形成の膜質に悪い影養を与えることが
あり大きな問題となっていた。
ウェハｌを加熱する加熱ブロック２にと−タ３を組み込
み、同じくブロック内に設けられた検出素子例えば熱電
対４によりフィードバック制御を行なう方法、あるいは
第１図（ｂ）に示す様に真空処理室内の半導体ウェハ１
を加熱ヒートランプ５゜反射板６による加熱エリア内に
設けた熱電対４によりフィードバック制御を行なう方法
等、いずれもウェハ温就そのものでなく加熱系内の温度
を検出し制御するという間接的な温度制御である為、実
際のウェハ温度とは異なり各プロセスに於るウェハ温度
はバラツキが大きくなり温度条件の設定も難しくなり、
スパッタによる膜形成の膜質に悪い影養を与えることが
あり大きな問題となっていた。
（発明の目的）
本発明の目的は従来の方法に於る欠点を除去し最適なウ
ェハの温度検出方法を提供するものである。
ェハの温度検出方法を提供するものである。
（発明の構成）
本発明の特徴は薄膜形成装置に於る真空処理室内のウェ
ハ温度制御を薄膜形成プロセス前、プロセス中、プロセ
ス後（次のプロセス）に於てウェハ温度検出を実物（リ
アルタイム）・同時（リアルタイム）に検出しフィード
バックし温度制御を行なう為、各プロセスにあった温度
設定が適確に行なえるものである。
ハ温度制御を薄膜形成プロセス前、プロセス中、プロセ
ス後（次のプロセス）に於てウェハ温度検出を実物（リ
アルタイム）・同時（リアルタイム）に検出しフィード
バックし温度制御を行なう為、各プロセスにあった温度
設定が適確に行なえるものである。
（実施例）
以下本発明の実施例を第２図により説明する。
第２図（ａ）は熱電対を半導体ウェハに接触させ検出す
る方法、（ｂ）は赤外線等によりウェハに接触すること
無しに検出する方法である。
る方法、（ｂ）は赤外線等によりウェハに接触すること
無しに検出する方法である。
第２図（ａ）に於て緩衝機構を備えた接触部７の先端に
レーザ溶接等により熱電対４が固定されている。その熱
電対４は接触機構８により温度コントロールすべき半導
体ウェハｌに直接接触し温度検出を行なうものである。
レーザ溶接等により熱電対４が固定されている。その熱
電対４は接触機構８により温度コントロールすべき半導
体ウェハｌに直接接触し温度検出を行なうものである。
また、ヒータブロック２は半導体ウェハ１が何らかのハ
ンドリング手段により図示位置に搬送される前に一定の
アイドリン ずグパワーが与えられており、ウ
ェハが搬送され熱電対４が前記構成によりウェハｌに接
触したと同時にウェハ自体の直接の温度によるフィード
バック制御を行なわせるなど効率よく加熱することも可
能になっている。又、接触機構８はウェハがハンドリン
グされた時点で接触動作を行い更に緩衝機構によりウェ
ハにソフトコンタクトする等ウェハハンドリングに悪影
響を与えず温度検出ができるものである。第２図（ｂ）
に於ては真空処理室外に設けられた赤外線温度検出部１
ｏにより検出光は真空処理室内に設けられた反射ミラー
９により半導体ウェハｌに直接照射し温度検出を行なわ
せるもので、ウェハに接触すること無しに非接触にこれ
を行なわせ、ウェハにダメージを与えることなく最適な
ウェハ温度の制御が出来るものである。
ンドリング手段により図示位置に搬送される前に一定の
アイドリン ずグパワーが与えられており、ウ
ェハが搬送され熱電対４が前記構成によりウェハｌに接
触したと同時にウェハ自体の直接の温度によるフィード
バック制御を行なわせるなど効率よく加熱することも可
能になっている。又、接触機構８はウェハがハンドリン
グされた時点で接触動作を行い更に緩衝機構によりウェ
ハにソフトコンタクトする等ウェハハンドリングに悪影
響を与えず温度検出ができるものである。第２図（ｂ）
に於ては真空処理室外に設けられた赤外線温度検出部１
ｏにより検出光は真空処理室内に設けられた反射ミラー
９により半導体ウェハｌに直接照射し温度検出を行なわ
せるもので、ウェハに接触すること無しに非接触にこれ
を行なわせ、ウェハにダメージを与えることなく最適な
ウェハ温度の制御が出来るものである。
この方法は反射ミラー９のかわりに７レキシブルなライ
トガイドによりウェハに検出光を照射することも可能で
ある。
トガイドによりウェハに検出光を照射することも可能で
ある。
（発明のまとめ）
以上本発明によると、薄膜形成装置に於る真空処理室内
のウェハの温度制御を、半纏体ウェハの実際の温度をリ
アルタイムに検出することにより温度のフィードバック
制御を行なわせる為、薄膜形成に於る各プロセスにあっ
た温度設定が適確に行なえ、しいては良質の薄膜形成を
提供するものである。。
のウェハの温度制御を、半纏体ウェハの実際の温度をリ
アルタイムに検出することにより温度のフィードバック
制御を行なわせる為、薄膜形成に於る各プロセスにあっ
た温度設定が適確に行なえ、しいては良質の薄膜形成を
提供するものである。。
第１図は従来の検出方法を示す図であり、第２図は本発
明の実施例を示す図である。 第１図、第２図共に、ｌ・・・・・・半導体ウェハ、２
・・・・・・加熱ブロック、３・・・・・・加熱ヒータ
ー、４・・・・・・熱電対、５・・・・・・加熱ランプ
、６・・・・・・反射板、７・・・・・・接触部、８・
・・・・・接触機構、９・・・・・・反射ミ２−１１０
・・・・・・赤外線温度検出部を示す・第１図 （ａ） 第２図 （ｂ）
明の実施例を示す図である。 第１図、第２図共に、ｌ・・・・・・半導体ウェハ、２
・・・・・・加熱ブロック、３・・・・・・加熱ヒータ
ー、４・・・・・・熱電対、５・・・・・・加熱ランプ
、６・・・・・・反射板、７・・・・・・接触部、８・
・・・・・接触機構、９・・・・・・反射ミ２−１１０
・・・・・・赤外線温度検出部を示す・第１図 （ａ） 第２図 （ｂ）
Claims (1)
- 薄膜形成装置に於る真空処理室内の半導体ウェハの温度
制御を薄膜形成プロセス前、中、後に於て行うに際し、
該半導体ウェハの温度検出を実物一同時の検出方法によ
り行なうことを特徴とした薄膜形成装置に於る半導体ウ
ェハ温度検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13045984A JPS618919A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 薄膜形成装置に於る半導体ウエハ温度検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13045984A JPS618919A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 薄膜形成装置に於る半導体ウエハ温度検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618919A true JPS618919A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15034741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13045984A Pending JPS618919A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 薄膜形成装置に於る半導体ウエハ温度検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618919A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991009148A1 (en) * | 1989-12-11 | 1991-06-27 | Hitachi, Ltd. | Device for vacuum treatment and device for and method of film formation using said device |
| JPH07158614A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-20 | Smc Corp | 速度制御機構付ロッドレスシリンダ |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP13045984A patent/JPS618919A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991009148A1 (en) * | 1989-12-11 | 1991-06-27 | Hitachi, Ltd. | Device for vacuum treatment and device for and method of film formation using said device |
| JPH07158614A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-20 | Smc Corp | 速度制御機構付ロッドレスシリンダ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0669027B2 (ja) | 半導体ウエハの薄膜形成方法 | |
| US20030186563A1 (en) | Thermal processing apparatus and thermal processing method | |
| KR910001952A (ko) | 피처리체의 열처리 방법 및 그 장치 | |
| JP3023840B2 (ja) | 半導体ウェーハの位置ずれを検知するための方法及び装置 | |
| JPH10233370A (ja) | 半導体基板の熱処理装置 | |
| JPH0230179B2 (ja) | ||
| JPS618919A (ja) | 薄膜形成装置に於る半導体ウエハ温度検出方法 | |
| JP3795788B2 (ja) | 基板の熱処理方法 | |
| JPH0149012B2 (ja) | ||
| JPS60137027A (ja) | 光照射加熱方法 | |
| JPS6252926A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS6179769A (ja) | ウエハ温度制御装置 | |
| JPH10144618A (ja) | 半導体デバイス製造用加熱装置 | |
| JPH11168131A (ja) | ウエハ搬送チャック | |
| JPH03288440A (ja) | 半導体基板用加熱装置 | |
| JPH08162463A (ja) | 熱処理方法およびその処理装置 | |
| JP2002198320A (ja) | 加熱処理装置、加熱処理方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH05299333A (ja) | ベーク処理装置 | |
| JPH07294569A (ja) | 熱処理装置及びその熱処理方法 | |
| JPH11297802A (ja) | 静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置 | |
| JPS6060713A (ja) | 赤外線加熱方法 | |
| JPH08139082A (ja) | 半導体製造装置およびそれに用いる終点判定方法 | |
| EP0196082A2 (en) | Annealing method by irradiation of light beams | |
| JP2001160528A (ja) | 温度制御方法 | |
| JPH05217930A (ja) | ウエハ加熱装置 |