JPS6187234A - 半導体記録、再生装置 - Google Patents

半導体記録、再生装置

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JPS6187234A
JPS6187234A JP20931484A JP20931484A JPS6187234A JP S6187234 A JPS6187234 A JP S6187234A JP 20931484 A JP20931484 A JP 20931484A JP 20931484 A JP20931484 A JP 20931484A JP S6187234 A JPS6187234 A JP S6187234A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
recording
semiconductor
conductive part
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP20931484A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Mita
洋一 三田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP20931484A priority Critical patent/JPS6187234A/ja
Publication of JPS6187234A publication Critical patent/JPS6187234A/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/08Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electrostatic charge injection; Record carriers therefor

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体記録、再生装置に係り、例えばビデオ信
号、オーディオ信号、データ信号等の情報を半導体記録
媒体に記録し、再生する装置に関する。
従来の技術 一般に、ビデオ信号、オーディオ信号、データ信号等の
情報を記録媒体に記録し、これを再生成いは消去する手
段として、磁気、光磁気、光等を利用した方法がある。
磁気記録としてはVTRのようにテープ状記録媒体又は
円盤上記録媒体に記録する装置があるが、磁気ヘッドの
諸特性の原因によって高密度記録化が遅々としているの
が現状である。光記録ではビームのスポット径によって
高密度記録の限界が決定されている。
このような状況下において、近年、高密度記録。
再生、消去し得る装置として半導体記録、再生装置が開
発されている(例えば、(財)放送文化基金発行「研究
報告」184頁〜189頁、昭和54年度)。このもの
はMNOS (メタル・ニトライド・オキサイド・セミ
コンダクタ)構造とされた半導体記録媒体に極薄導電部
を有する電極にて高密度記録、再生、消去を行なう。
第2図は一般の円盤状半導体記録媒体1の断面図を示す
。同図中、2はn型シリコン又はn型シリコンの半導体
基板で、この上にトンネル効果の可能な酸化シリコン(
S! 02 )の極薄絶縁膜3゜電荷蓄積機能を有する
窒化シリコン(Si 3 N4 )の絶縁膜4が全面一
様に形成され、半導体基板2の裏面にアース面としてア
ルミニウム(A2)の金属蒸着膜5が形成されている。
記録時、第3図に示すように記録媒体1を矢印六方向(
時計方向又は反時計方向)に回転させ、電極6に情報に
応じて記録信号(信号源7)を印加してこの電極6を記
録媒体1の半径方向(紙面に垂直方向)に移動させ、記
録媒体1に同心円状又は螺旋状に情報を記録する。電極
6は例えばダイヤモンド、サファイヤ、石英等の誘電体
部6aにタングステン、ハフニューム等の金属を蒸着す
るかカーボン等を施こされた導電部6bにて構成されて
85つ、導電部6bの厚さく回転方向)は数1000人
、その幅(ラジアル方向)は数μm〜数10umとされ
ている。
記録に際し、記録媒体1がn型の場合、電極6にパルス
状の正極性電圧(例えば20V〜50V程度)を印加す
ると半導体基板2中の電子がトンネル果で極薄絶縁膜3
を通過して絶縁膜4中にトラップされ、その結果半導体
基板2中に空乏層が拡がって電極6とアースとの間の静
電容量が小さくなる(第4図中特性I)。この静電容量
を小とされた部分が情報に応じて順次記録されてゆく。
又、記録された位置で電極6に負極性電圧を印加すると
上記空乏層は狭くなって電極6とアースとの間の静電容
量が大になり(第4図中特性■)、記録された部分は消
去される。なお、全面消去には紫外線等を用いることも
可能である。
一方、再生に際し、従来開発されている静電容量検出手
段によりその変化を読取る。
発明が解決しようとする問題点 上記従来装置では、−信号記録時に20V〜50Vもの
高い正極性電圧を印加しているため、導電部6bが記録
媒体1から僅かに離れた場合にこれらの間で放電を生じ
、導電部6bを破壊するおそれがある問題点があった。
又、導電部6bは非常に小さいため、高い正極性電圧を
印加すると電流密度が増大し、寿命が短かい問題点があ
った。
本発明は、記録用電極にパルス状負極性電圧を印加して
導電部と記録媒体との間に放電を生じにククシ、導電部
の寿命を長くし得る装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 第1図中、信号源8は2極性(正極性、負極性)からな
り信号源8は記録時電極6にパルス状負極性電圧を印加
する手段の一実施例、9は消去用電極である。
作用 記録時、信号源8からの負極性電圧は記録用電極6に印
加される一方、消去時、信号源8からの正極性電圧は消
去用電圧9に印加される。
実施例 第1図は本発明装置の一実施例の概略図を示し、同図中
、第3図と同一構成部分には同一番号を付してその説明
を省略する。同図中、8,12は信号源で、信号源8は
信号記録時にパルス状の負極性電圧aを発生し、信号源
12は信号消去時にパルス状の正極性電圧す又は正極性
一定電圧(DC電圧)を発生する構成とされている。
9は消去用電極で、電極6と同様の材料よりなる誘電体
部9aに電極6と同様の材料よりなる導電部9bを設け
られており、導電部9bの幅(ラジアル方向)は電極6
の導電部6aの幅より大とされている。なお、電極6は
記録再生兼用とされる。10はスイッチで、可動接片は
電極6の導電部6b、端子■は信号源8の負極性電圧側
、端子■は従来周知の容量検出回路11に接続されてい
る。
記録時、スイッチ10の可動接片を端子■に接続する。
この場合、負極性電圧aが電極6の導電部6bに印加さ
れる故、導電部6bが記録媒体1から離れた場合、これ
らの間に生じる放電は正極性電圧を印加した場合に比し
て少なく、従来装置のように導電部6bを破壊するおそ
れは少なくなる。
一方、消去時、正極性電圧すが電極9の導電部9bに印
加される。この場合、導電部9bの幅は電極6の導電部
6bより大とされている故、従来装置のものに比して電
流密度を小にし得、これにより、従来装置のものよりも
寿命を長くし得る。
又一方、再生時、スイッチ10の可動接片を端子■に接
続する。電極6からの信号は容量検出回路11に供給さ
れ、導電部6bと記録媒体1との間の静電容量が検出さ
れる。この場合、導電部6bには適当な数■のバイアス
電圧(正極性又負極性)を印加しているだけであるので
、電流密度は小であり、特に問題はない。
なお、再生専用の電極を設けてもよい。
又、記録、再生、消去の各電極の各導電部の寸法、形状
を夫々定め、これらを一体的に構成してもよく、このよ
うにすれば、トラックずれ等を防止し得る。
発明の効果 本発明装置は、記録時、電極にパルス状負極性電圧を印
加するようにしたため、電極導電部が記録媒体から離れ
た場合、これらの間に生じる放電は正極性電圧を印加し
た場合に比して少なく、従来装置のように導電部を破壊
するおそれは少なくなり、従来のものに比して電極の寿
命が長くなる等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一実施例の概略図、第2図は一般
の記録媒体の断面図、第3図は従来装置の一例の概略図
、第4図は電極印加電圧と電極とアースとの間の静電容
量との関係を示す図である。 1・・・半導体記録媒体、6・・・記録再生兼用電極、
6a、9a−・・誘電体部、6b 、9b ・l型部、
8゜12・・・信号源、9・・・消去用電極、10・・
・スイッチ、11・・・容量検出回路。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体基板表面側にトンネル効果可能な絶縁膜及
    び電荷蓄積機能を有する絶縁膜を設けられ該半導体基板
    の平面側にアース電極を設けられた半導体記録媒体に、
    導電部を有する電極を当接させ該導電部にパルス状電圧
    を印加して信号を記録する半導体記録装置において、信
    号記録時は該パルス状電圧を負極性電圧にしてなること
    を特徴とする半導体記録装置。
  2. (2)半導体基板表面側にトンネル効果可能な絶縁膜及
    び電荷蓄積機能を有する絶縁膜を設けられ該半導体基板
    の平面側にアース電極を設けられた半導体記録媒体に、
    導電部を有する電極を当接させ該導電部にパルス状電圧
    を印加して信号を記録する半導体記録装置において、記
    録用電極及び消去用電極を設け、記録時該記録用電極に
    パルス状負極性電圧を印加する一方、消去時該消去用電
    極にパルス状正極性電圧又は正極性一定電圧を印加する
    ことを特徴とする半導体記録装置。
  3. (3)半導体基板表面側にトンネル効果可能な絶縁膜及
    び電荷蓄積機能を有する絶縁膜を設けられ該半導体基板
    の平面側にアース電極を設けられた半導体記録媒体に、
    導電部を有する電極を当接させ該導電部にパルス状電圧
    を印加して信号を記録する一方、該半導体記録媒体に導
    電部を有する電極を当接させ上記半導体基板と該電極と
    の間の静電容量を検出して信号を再生する半導体記録、
    再生装置において、記録及び再生兼用電極を記録、再生
    に応じてスイッチにて切換える構成とするか又は記録用
    電極、再生用電極を設け、記録時、該記録及び再生兼用
    電極又は該記録用電極にパルス状負極性電圧を印加する
    ことを特徴とする半導体記録、再生装置。 (A)半導体基板表面側にトンネル効果可能な絶縁膜及
    び電荷蓄積機能を有する絶縁膜を設けられ該半導体基板
    の平面側にアース電極を設けられた半導体記録媒体に、
    導電部を有する電極を当接させ該導電部にパルス状電圧
    を印加して信号を記録する一方、該半導体記録媒体に導
    電部を有する電極を当接させ上記半導体基板と該電極と
    の間の静電容量を検出して信号を再生する半導体記録、
    再生装置において、記録及び再生兼用電極を記録、再生
    に応じてスイッチにて切換える構成とするか又は記録用
    電極、再生用電極を設ける一方、消去用電極を設け、該
    各電極の導電部を記録、再生、消去の各機能に応じた寸
    法、形状にして該各電極を一体的又は独立的に形成し、
    記録時、該記録及び再生兼用電極又は該記録用電極にパ
    ルス状負極性電圧を印加することを特徴とする半導体記
    録、再生装置。
JP20931484A 1984-10-05 1984-10-05 半導体記録、再生装置 Pending JPS6187234A (ja)

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JPS6187234A true JPS6187234A (ja) 1986-05-02

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