JPS6186629A - 冷却材漏洩検出装置 - Google Patents
冷却材漏洩検出装置Info
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- JPS6186629A JPS6186629A JP59208241A JP20824184A JPS6186629A JP S6186629 A JPS6186629 A JP S6186629A JP 59208241 A JP59208241 A JP 59208241A JP 20824184 A JP20824184 A JP 20824184A JP S6186629 A JPS6186629 A JP S6186629A
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- leak
- coolant
- heat
- gases
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M3/00—Investigating fluid-tightness of structures
- G01M3/02—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
- G01M3/04—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point
- G01M3/20—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point using special tracer materials, e.g. dye, fluorescent material, radioactive material
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- G01—MEASURING; TESTING
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高速増殖炉等において、冷却用の配管、ある
いは機器からの冷却材の漏洩を検出し、漏洩位置を同定
する装置に関するものである。
いは機器からの冷却材の漏洩を検出し、漏洩位置を同定
する装置に関するものである。
従来より、たとえば高速増殖炉においては、原子炉で発
生する熱を、液体金属ナトリウム(Na)によって除去
して発進しているが、冷却材Naを収納している配管、
あるいは機器の壁にクラックが生じると、そこから内部
のNaが漏洩し、周辺の雰囲気ガス(空気又は、低濃度
酸素混入窒素)と反応して、Na火災事故に発展する危
険性がある。このため、高速増殖炉の冷却システムにお
いては、第1図に示す様なNa漏洩検出装置が取付いて
いる。この装置は、配管や機器周辺のガス中のナトリウ
ム濃度を監視するものである。Naが漏洩すると、周辺
のガスと反応して、NazOやNaOH等の化合物が生
じ、ガス中のNa@度が大きくなる。従って、ガス中の
Na@度変比変化視することによって漏洩を検出できる
。第1図は、冷却配管に取付けたNa漏洩検出装置の構
成を示している6Naを収納する配管(1)は、格納室
(2)の中に据付けられており、格納室内の雰囲気は、
低濃度の酸素を含む窒素(又は、空気)条件に保たれて
いる。配管(1)からの放熱を避けるため、配管外側に
は保温材(3)を取付けられている。配器周辺のガスを
検出器に導くため、サンプリング管(4)を保温層(3
)を貫通させ、その開口部が配管表面近くにぐる様取付
けである。サンプリング管(4)の取付は間隔は通常、
5〜10mである。ガスのサンプリングは、ポンプ(5
)で吸引することによって行なわれるっセレクタ弁(6
)はサンプリングガスの流れを切替え、漏洩位置を同定
する目的に用いられる。
生する熱を、液体金属ナトリウム(Na)によって除去
して発進しているが、冷却材Naを収納している配管、
あるいは機器の壁にクラックが生じると、そこから内部
のNaが漏洩し、周辺の雰囲気ガス(空気又は、低濃度
酸素混入窒素)と反応して、Na火災事故に発展する危
険性がある。このため、高速増殖炉の冷却システムにお
いては、第1図に示す様なNa漏洩検出装置が取付いて
いる。この装置は、配管や機器周辺のガス中のナトリウ
ム濃度を監視するものである。Naが漏洩すると、周辺
のガスと反応して、NazOやNaOH等の化合物が生
じ、ガス中のNa@度が大きくなる。従って、ガス中の
Na@度変比変化視することによって漏洩を検出できる
。第1図は、冷却配管に取付けたNa漏洩検出装置の構
成を示している6Naを収納する配管(1)は、格納室
(2)の中に据付けられており、格納室内の雰囲気は、
低濃度の酸素を含む窒素(又は、空気)条件に保たれて
いる。配管(1)からの放熱を避けるため、配管外側に
は保温材(3)を取付けられている。配器周辺のガスを
検出器に導くため、サンプリング管(4)を保温層(3
)を貫通させ、その開口部が配管表面近くにぐる様取付
けである。サンプリング管(4)の取付は間隔は通常、
5〜10mである。ガスのサンプリングは、ポンプ(5
)で吸引することによって行なわれるっセレクタ弁(6
)はサンプリングガスの流れを切替え、漏洩位置を同定
する目的に用いられる。
セレクタ弁(6)には複数本のサンプリング管(4)が
組込1れており、外部からの電気的指令によって、順次
ガスの流れ、従って漏洩監視点が切替えられてゆく様に
なっているう検出器(7)は、順次送られてくるサンプ
リングガス中のNa濃度を監視するもので、通常Naイ
オン化検出器(SID)がよく使われているう 第2図は、セレクタ弁(6)によって、漏洩監視点を順
次切替えていった時に観測される検出器の出力の一例を
示す。この例は、漏洩監視点を順次A→B−+C(第1
図参照)と切替えた時のもので、NaQQは8点近傍で
漏洩した場合を想定しである。
組込1れており、外部からの電気的指令によって、順次
ガスの流れ、従って漏洩監視点が切替えられてゆく様に
なっているう検出器(7)は、順次送られてくるサンプ
リングガス中のNa濃度を監視するもので、通常Naイ
オン化検出器(SID)がよく使われているう 第2図は、セレクタ弁(6)によって、漏洩監視点を順
次切替えていった時に観測される検出器の出力の一例を
示す。この例は、漏洩監視点を順次A→B−+C(第1
図参照)と切替えた時のもので、NaQQは8点近傍で
漏洩した場合を想定しである。
Na20. NaOH等のNa化合物が、漏洩点近傍に
発生し、周辺ガス中のNa濃度が高くなるため、セレク
タ弁の切替えに伴なって監視点Bの検出器出力が大きく
なる。従って、第2図の点線で示した様に、予め所定の
出力レベル(8)を決めておくと、検出器の出力(9)
が、上記レベルを超えた時に、Na漏洩発生と判定し、
又その時のセレクタ弁の位置(漏洩監視点)から漏洩位
置が同定できるっ、しかるに従来の、この様な漏洩検出
装置では、漏洩検出ならびに漏洩位置同定のために、多
数本のサンプリング管(4)とセレクタ弁(6)が必要
となってくる。このため、装置の構成が複雑になり、装
置施工上のコストも高くなる欠点がある。
発生し、周辺ガス中のNa濃度が高くなるため、セレク
タ弁の切替えに伴なって監視点Bの検出器出力が大きく
なる。従って、第2図の点線で示した様に、予め所定の
出力レベル(8)を決めておくと、検出器の出力(9)
が、上記レベルを超えた時に、Na漏洩発生と判定し、
又その時のセレクタ弁の位置(漏洩監視点)から漏洩位
置が同定できるっ、しかるに従来の、この様な漏洩検出
装置では、漏洩検出ならびに漏洩位置同定のために、多
数本のサンプリング管(4)とセレクタ弁(6)が必要
となってくる。このため、装置の構成が複雑になり、装
置施工上のコストも高くなる欠点がある。
従って本発明の目的は、上記した従来の欠点をなくシ、
よシ簡素な構成で、Na漏洩の検出と漏洩位置を同定し
うる装置を提供する点に・ある。
よシ簡素な構成で、Na漏洩の検出と漏洩位置を同定し
うる装置を提供する点に・ある。
上記の目的を達成するため、本発明では、サンプリング
管とセレクタ弁を省略し、その代りに、冷却配管の表面
あるいは、保温材の内部に漏洩Naが原因で、その殻が
破れるマイクロカプセル又は磁性粉体を埋込む方法をと
る。上記のマイクロカプセルの中には、漏洩監視点によ
って種類の異なるガス又は粉体が入っており、殻が破れ
た場合に雰囲気中に放出されるガスの種類を判別し、漏
洩位置を同定することが出来る。又、磁性粉体は、場所
に応じてその粒径を違えて訃き、Naが漏洩した時にそ
の付近の粉体がその熱を受けて磁性を喪失し雰囲気中に
飛散してゆく性質を利用するっこの場合、雰囲気中の粒
子の粒径および濃度をモニタすれば、漏洩検出、ならび
に漏洩位置の同定が可能になる。
管とセレクタ弁を省略し、その代りに、冷却配管の表面
あるいは、保温材の内部に漏洩Naが原因で、その殻が
破れるマイクロカプセル又は磁性粉体を埋込む方法をと
る。上記のマイクロカプセルの中には、漏洩監視点によ
って種類の異なるガス又は粉体が入っており、殻が破れ
た場合に雰囲気中に放出されるガスの種類を判別し、漏
洩位置を同定することが出来る。又、磁性粉体は、場所
に応じてその粒径を違えて訃き、Naが漏洩した時にそ
の付近の粉体がその熱を受けて磁性を喪失し雰囲気中に
飛散してゆく性質を利用するっこの場合、雰囲気中の粒
子の粒径および濃度をモニタすれば、漏洩検出、ならび
に漏洩位置の同定が可能になる。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第3図は、本発明となる一実施例の構成を示す。
冷却配管(1)を取巻く保温材(3)の中にマイクロカ
プセルαυが埋込んである。NaQQが漏洩した場合、
上記のマイクロカプセルは次に述べるいずれかの原因で
破壊し、内部に封入したガス又は粉体を格納室内へ放出
する様になっている。
プセルαυが埋込んである。NaQQが漏洩した場合、
上記のマイクロカプセルは次に述べるいずれかの原因で
破壊し、内部に封入したガス又は粉体を格納室内へ放出
する様になっている。
(+) 漏洩NaO熱により、保温層内の温度分布が
変化、すなわち、カプセルの温度が高くなって殻が破れ
るっ (If) N ax O、N aOH等のアルカリ性
粒子がカプセルに接触して殻が破れる。
変化、すなわち、カプセルの温度が高くなって殻が破れ
るっ (If) N ax O、N aOH等のアルカリ性
粒子がカプセルに接触して殻が破れる。
格納室(2)には室内の雰囲気中のガスの種類および濃
度を検出する装置が取付いている。この装置は、格納室
(2)内の雰囲気の一部を取出す配管(17Jとポンプ
(5)、および検出器(7)で構成しである。ポンプ(
5)は雰囲気を取出し、検出器(7)に導いた後、再分
毎に定量化するもので、従来の質量分析装置などを用い
ることができろう 保温層内に埋込むマイクロカプセルαυについては、内
部に封入するガスα・幻の種類(元素の種類)を、配管
の場所毎に変えである。たとえば配管軸方向に5mおき
に封入ガスの種類を違えておくと、上記の領域毎に漏洩
位置の同定が可能になる。
度を検出する装置が取付いている。この装置は、格納室
(2)内の雰囲気の一部を取出す配管(17Jとポンプ
(5)、および検出器(7)で構成しである。ポンプ(
5)は雰囲気を取出し、検出器(7)に導いた後、再分
毎に定量化するもので、従来の質量分析装置などを用い
ることができろう 保温層内に埋込むマイクロカプセルαυについては、内
部に封入するガスα・幻の種類(元素の種類)を、配管
の場所毎に変えである。たとえば配管軸方向に5mおき
に封入ガスの種類を違えておくと、上記の領域毎に漏洩
位置の同定が可能になる。
封入するガスは、格納室内の雰囲気ガスOJ中に殆んど
含まれず、化学的に安定なものを使う。たとえば、H,
He、Kr、Xe等が使える。
含まれず、化学的に安定なものを使う。たとえば、H,
He、Kr、Xe等が使える。
第4図は、検出器(質祉分析器)(7)等で検出される
各ガス成分毎の濃度を示す。−例としてH9He、Kr
l Xeを封入した4棟類のマイクロカプセルを用いた
場合を示したつ正常な冷却運転の時は、いずれのガス成
分も濃度は0であるが、Naが漏洩すると、漏洩位置近
傍に埋込んだマイクロカプセルが破れ、内部の封入ガス
が放出されるため、検出されるガス成分(この場合はK
r封入カプセルが破損)の濃度が大きくなっている。
各ガス成分毎の濃度を示す。−例としてH9He、Kr
l Xeを封入した4棟類のマイクロカプセルを用いた
場合を示したつ正常な冷却運転の時は、いずれのガス成
分も濃度は0であるが、Naが漏洩すると、漏洩位置近
傍に埋込んだマイクロカプセルが破れ、内部の封入ガス
が放出されるため、検出されるガス成分(この場合はK
r封入カプセルが破損)の濃度が大きくなっている。
従って、第4図の点線で示す様に一定の出力レベルを定
めておき、各成分ガスに対する検出器の出力と比較して
、このレベルを越えた時点で、漏洩を検出し、又、レベ
ルを越えたガスの成分から漏洩位置を同定できる。
めておき、各成分ガスに対する検出器の出力と比較して
、このレベルを越えた時点で、漏洩を検出し、又、レベ
ルを越えたガスの成分から漏洩位置を同定できる。
第3図および第4図に示した実施例では、1つのマイク
ロカプセルには一種類の成分ガスしか封入しなかつたっ
この場合、ガス成分の種類として漏洩監視点の数だけ必
要になってくる。この問題を解消するためには、1つの
カプセルの中に複数成分のガスを漏洩監視点毎にそれぞ
れ異なった濃度比(割合)で封入し、検出器で各ガス成
分毎に濃度を検出するとともに、それぞれの濃度の比(
割合)を検出して漏洩位置を同定すればよい。
ロカプセルには一種類の成分ガスしか封入しなかつたっ
この場合、ガス成分の種類として漏洩監視点の数だけ必
要になってくる。この問題を解消するためには、1つの
カプセルの中に複数成分のガスを漏洩監視点毎にそれぞ
れ異なった濃度比(割合)で封入し、検出器で各ガス成
分毎に濃度を検出するとともに、それぞれの濃度の比(
割合)を検出して漏洩位置を同定すればよい。
第5図にこの場合の漏洩位置同定方法を示す。
検出器(7)からの出力は、比較器(19に入り、ここ
で、各成分ごとにガス濃度が所定のレベル(点線)と比
較され、全ガス成分に対する濃度分布のノくター/が出
力される。この例では、(H,He、Kr。
で、各成分ごとにガス濃度が所定のレベル(点線)と比
較され、全ガス成分に対する濃度分布のノくター/が出
力される。この例では、(H,He、Kr。
Xe)を封入ガスとして使い、(1,0,0,2)とい
うパターンが出力されている。
うパターンが出力されている。
比較器(19からの濃度分布パターンは判定器(10に
入り、ここで予め記憶させておいた所定の〕くターンH
と比較判定することによシ漏洩位置が同定される。なお
判定器(lt19に記憶させておく所定の)くターン0
8は、使用するカプセルの内部封入ガス成分濃度の分布
から決めておく。同定した漏洩位置は最終的に、ディス
プレイ装置αηによって表示される構成になっている。
入り、ここで予め記憶させておいた所定の〕くターンH
と比較判定することによシ漏洩位置が同定される。なお
判定器(lt19に記憶させておく所定の)くターン0
8は、使用するカプセルの内部封入ガス成分濃度の分布
から決めておく。同定した漏洩位置は最終的に、ディス
プレイ装置αηによって表示される構成になっている。
第6図はマイクロカプセルの取付ける位置について説明
したものである。冷却配管(1)は、外部への放熱をさ
けるため、保温材(3)で囲まれている。
したものである。冷却配管(1)は、外部への放熱をさ
けるため、保温材(3)で囲まれている。
冷却運転が正常な場合、冷却配管の内外、保温層内の温
度分布は、第6図す図の実線で示すごとくになる。すな
わち、冷却配管(1)の内側は、冷却材Naの一定温度
(もんじゆの−次冷却系を例にとると539C)に保た
れ、配管(1)と保温層(3)のすき間0→で約50C
程度の温度降下があり、保温層(3)の内部では保温層
の径方向に向って、指数関数状に温度が降下している。
度分布は、第6図す図の実線で示すごとくになる。すな
わち、冷却配管(1)の内側は、冷却材Naの一定温度
(もんじゆの−次冷却系を例にとると539C)に保た
れ、配管(1)と保温層(3)のすき間0→で約50C
程度の温度降下があり、保温層(3)の内部では保温層
の径方向に向って、指数関数状に温度が降下している。
この場合、保温層内面での温度は、約489Cで保温材
外面での温度は約100t:’になっているつい壕、配
管の表面にクランクが生じ、そこから内部のl’Jaが
漏洩した場合を考えると、冷却配管(1)と保温層(3
)との間の空間にNaかたまるため、これによって保温
1a (3)内の温度分布が、第6図す図の点線で示す
様な分布に変わる。この分布の変化は漏洩Naiによっ
て変わるが、正常な時の温度よりも約50C’高い分布
となる。
外面での温度は約100t:’になっているつい壕、配
管の表面にクランクが生じ、そこから内部のl’Jaが
漏洩した場合を考えると、冷却配管(1)と保温層(3
)との間の空間にNaかたまるため、これによって保温
1a (3)内の温度分布が、第6図す図の点線で示す
様な分布に変わる。この分布の変化は漏洩Naiによっ
て変わるが、正常な時の温度よりも約50C’高い分布
となる。
第7図は使用するマイクロカプセルの温度変化に対する
殻の破壊特性を示す。−ばんに、マイクロカプセルは、
温度が高くなると、ある温度T2で急に破壊する。ここ
では、正常な冷却運転時における保温層内の温度TIで
は破壊せず、Naが漏洩した場合の保III酋中の温度
T、(キT++50C)で急に破壊するマイクロカプセ
ルを選ぶ。又逆に、マイクロカプセルの破壊温度が固定
されている場合には、その破壊温度よりも約50C低い
温度になる点に、マイクロカプセルを取付ければよい。
殻の破壊特性を示す。−ばんに、マイクロカプセルは、
温度が高くなると、ある温度T2で急に破壊する。ここ
では、正常な冷却運転時における保温層内の温度TIで
は破壊せず、Naが漏洩した場合の保III酋中の温度
T、(キT++50C)で急に破壊するマイクロカプセ
ルを選ぶ。又逆に、マイクロカプセルの破壊温度が固定
されている場合には、その破壊温度よりも約50C低い
温度になる点に、マイクロカプセルを取付ければよい。
上記の破壊温度は マイクロカプセルの直径、肉厚、殻
の材質によって変化するが、市販されているもので有機
高分子(ポリアミド等)で作られた直径1〜1000μ
のを用いると、破壊温度は90〜1500程度となり、
保湿層中に埋込むカプセルとして適用が可能になる。
の材質によって変化するが、市販されているもので有機
高分子(ポリアミド等)で作られた直径1〜1000μ
のを用いると、破壊温度は90〜1500程度となり、
保湿層中に埋込むカプセルとして適用が可能になる。
マイクロカプセルの破壊は、温度上昇によらなくてもこ
いうたとえば漏洩Naから発生するNa2OやNaQ)
(等の強アルカリ粒子が、カプセルに接触した場合に破
壊するものでもよいっ第8図はこの様なマイクロカプセ
ルを用いた場合の取付方法取付位置を示すものである。
いうたとえば漏洩Naから発生するNa2OやNaQ)
(等の強アルカリ粒子が、カプセルに接触した場合に破
壊するものでもよいっ第8図はこの様なマイクロカプセ
ルを用いた場合の取付方法取付位置を示すものである。
通常、冷却配管(1)に用いる保温層(3)は、図の様
に固型化されたものが多いつこの場合、漏洩時に発生す
るNazOやNaQHの粒子(1は、保温層間の限られ
た間隙eυのみ通って外側の雰囲気αJに放出される。
に固型化されたものが多いつこの場合、漏洩時に発生す
るNazOやNaQHの粒子(1は、保温層間の限られ
た間隙eυのみ通って外側の雰囲気αJに放出される。
従ってマイクロカプセルαυは、これらの粒子の通り道
に取付けておいた方が好ましい。
に取付けておいた方が好ましい。
第9図は、上記の実施例(第8図)で使用するマイクロ
カプセルの破壊特性の一例を示す。このマイク17カプ
セルは、殻の表面が酸性、あるいは中性の時には安定し
ているが、pHが8以上のアルカリ性になった段階で1
00%近い破壊率を示すものであろう格納室内の雰囲気
ガス中に湿分を含んでいると、発生したNa1oやNa
OHの粒子は、吸湿して、NaOHの液滴(強アルカリ
性)に変わる性質があるため、これらの粒子が、マイク
ロカプセルに接触すると容易に破壊してしまう。
カプセルの破壊特性の一例を示す。このマイク17カプ
セルは、殻の表面が酸性、あるいは中性の時には安定し
ているが、pHが8以上のアルカリ性になった段階で1
00%近い破壊率を示すものであろう格納室内の雰囲気
ガス中に湿分を含んでいると、発生したNa1oやNa
OHの粒子は、吸湿して、NaOHの液滴(強アルカリ
性)に変わる性質があるため、これらの粒子が、マイク
ロカプセルに接触すると容易に破壊してしまう。
この様なマイクロカプセルとして使えるものには、セル
ロース系のカプセル(例:メチルセルロースカプセル、
ニトロセルロースカプセル)等力ある。
ロース系のカプセル(例:メチルセルロースカプセル、
ニトロセルロースカプセル)等力ある。
以上述べた実施例では、すべて内部にガスを封入したマ
イクロカプセルを使っていた。以下、マイクロカプセル
以外のものを用いる場合の実施例について記述する。
イクロカプセルを使っていた。以下、マイクロカプセル
以外のものを用いる場合の実施例について記述する。
第10図は、保温層(3)の中に、ナトリウムと反応し
、ガスを発生する化合物に)を塗付した例である。使用
できる化合物の例として、水を結晶水として内部にふく
むミョウバン(KAI(804)2・12HzO)や水
ガラス等が使える。これらの化合物中のHzOは、Na
又はNa化合物にあうと、次の様な反応で水素(H2)
が発生する。
、ガスを発生する化合物に)を塗付した例である。使用
できる化合物の例として、水を結晶水として内部にふく
むミョウバン(KAI(804)2・12HzO)や水
ガラス等が使える。これらの化合物中のHzOは、Na
又はNa化合物にあうと、次の様な反応で水素(H2)
が発生する。
2Na+HzQ→Na2O+ H2↑
この水素は検出器、たとえば第3図に示した質量分析器
を用いてその濃度とガスの種類が判定する事が可能であ
る。
を用いてその濃度とガスの種類が判定する事が可能であ
る。
第11図の実施例は、上記した化合物@を保温材表面に
塗付した例である。この場合も、化合物にNaが接触す
ると特有のガスが発生し、検出器によってその種類、濃
度が検出できる様になっている。
塗付した例である。この場合も、化合物にNaが接触す
ると特有のガスが発生し、検出器によってその種類、濃
度が検出できる様になっている。
4112図にマイクロカプセルを使わないもう1つの例
を示す。この例においては、保温材0)の外側表面に、
粒径が等しい磁性粉体(至)を散付しである。保温材の
外側は通常薄肉の鉄板(至)で覆っであるため、破性粉
体は(ハ)おのおのの磁性力で付着している。いま、冷
却配管(1)にクランクが生じ、NaQQが洩れると、
第6図す図に示したように、保温材(3)の温度分布が
変り、保温材の表面温度が高くなる。仮にこの温度が、
磁性粉体(至)のもつキューlj 温度(Tc )を越
えた場合は第13図でも示すように磁化率=Oとなり、
粉体の磁気力がなくなるため(磁性粉体でなくなる)、
保温材表面Cjlから粉体が格納室(2)内の雰囲気α
jの中に飛散してゆくっ飛散させるための力は、保温材
表面と、雰囲気ガスとの間の自然対流によって生まれる
。
を示す。この例においては、保温材0)の外側表面に、
粒径が等しい磁性粉体(至)を散付しである。保温材の
外側は通常薄肉の鉄板(至)で覆っであるため、破性粉
体は(ハ)おのおのの磁性力で付着している。いま、冷
却配管(1)にクランクが生じ、NaQQが洩れると、
第6図す図に示したように、保温材(3)の温度分布が
変り、保温材の表面温度が高くなる。仮にこの温度が、
磁性粉体(至)のもつキューlj 温度(Tc )を越
えた場合は第13図でも示すように磁化率=Oとなり、
粉体の磁気力がなくなるため(磁性粉体でなくなる)、
保温材表面Cjlから粉体が格納室(2)内の雰囲気α
jの中に飛散してゆくっ飛散させるための力は、保温材
表面と、雰囲気ガスとの間の自然対流によって生まれる
。
一方、格納室(2)には、内部の雰囲気ガスu3をサン
プリングし、検出器@に導くガス配管α渇とポンプ(5
)が取付いている。検出器@はサンプリングガス中の磁
性粉体(至)の粒径と、その個数密度を検出するもので
、たとえば、光散乱式のエアロゾルモニタが使える。漏
洩位置の同定のため、配管の軸方向に、たとえば5mご
とに、磁性粉体の粒径を違えである。上述の検出器@で
雰囲気中に飛散している粉体の粒径および濃度が判れば
、漏洩の検出ならびに漏洩位置の同定が可能になる。ま
た磁性粉体としては、保温材表面温度に敏感なものであ
る必要がある。前述したごとく保温材外表面の温度は、
約100tll’で、Na漏洩によって約50C上昇す
るうしたがって、キューり温度Tcとして、1ooc−
isocの中に存在するものがよい、現在低キユーリ点
の金属が開発されており、上記の温度範囲内の磁性粉体
を手に入ルる事は可能である。
プリングし、検出器@に導くガス配管α渇とポンプ(5
)が取付いている。検出器@はサンプリングガス中の磁
性粉体(至)の粒径と、その個数密度を検出するもので
、たとえば、光散乱式のエアロゾルモニタが使える。漏
洩位置の同定のため、配管の軸方向に、たとえば5mご
とに、磁性粉体の粒径を違えである。上述の検出器@で
雰囲気中に飛散している粉体の粒径および濃度が判れば
、漏洩の検出ならびに漏洩位置の同定が可能になる。ま
た磁性粉体としては、保温材表面温度に敏感なものであ
る必要がある。前述したごとく保温材外表面の温度は、
約100tll’で、Na漏洩によって約50C上昇す
るうしたがって、キューり温度Tcとして、1ooc−
isocの中に存在するものがよい、現在低キユーリ点
の金属が開発されており、上記の温度範囲内の磁性粉体
を手に入ルる事は可能である。
第14図は上記の実施例における信号処理系を説明する
ものである。検出器(ここでは光散乱式エアロゾルモニ
タ);(至)の出力(至)はにI)図に示す様に粉体が
検出器を通過した際に、粉体の粒径に比例したパルス高
をもつ信号が出る。この場合、lパルスが1粉体に相当
している。この様な信号は、波高分析器@に入り、パル
スの波高毎に、パルスの数がカウントされる((b)〆
1)。この例では、粒径rl を、汀する粉体が多く検
出されている。次に、この波高分析結果(2)は後段の
比較器■に入り、所定の計数率(b固点+i’il )
と比較され、どの粒径に対する波高が多いか、すなわち
、雰囲気中に飛散している粉体の粒径を判定される。こ
れによってもともと磁気力で付着していた場所、したが
って漏洩位置の同定が可能になる。最終的に漏洩位置は
ディスプレイ装置αηによって表示される様になってい
る。
ものである。検出器(ここでは光散乱式エアロゾルモニ
タ);(至)の出力(至)はにI)図に示す様に粉体が
検出器を通過した際に、粉体の粒径に比例したパルス高
をもつ信号が出る。この場合、lパルスが1粉体に相当
している。この様な信号は、波高分析器@に入り、パル
スの波高毎に、パルスの数がカウントされる((b)〆
1)。この例では、粒径rl を、汀する粉体が多く検
出されている。次に、この波高分析結果(2)は後段の
比較器■に入り、所定の計数率(b固点+i’il )
と比較され、どの粒径に対する波高が多いか、すなわち
、雰囲気中に飛散している粉体の粒径を判定される。こ
れによってもともと磁気力で付着していた場所、したが
って漏洩位置の同定が可能になる。最終的に漏洩位置は
ディスプレイ装置αηによって表示される様になってい
る。
以上のべたごとく、本発明によれば、Na漏洩によって
、漏洩前には存在しなかったガス又は粉体が、格納室内
に浮遊する様になるので、これらの濃度変化をモニター
すれば漏洩の検出はできろうまた、予め、冷却配管の位
置によって異なる種類のガス、又は粉体が放出されるの
で、これらの種類をモニタすれば、どの位置からNaが
漏洩したかを知る事が出来る。この場合、サンプリング
管、およびセレクタ弁が不必要になるので、漏洩検出装
置の構成・構造が著しく簡単になる。しだがって原子カ
プラントのコスト低減化への寄与は大きい。
、漏洩前には存在しなかったガス又は粉体が、格納室内
に浮遊する様になるので、これらの濃度変化をモニター
すれば漏洩の検出はできろうまた、予め、冷却配管の位
置によって異なる種類のガス、又は粉体が放出されるの
で、これらの種類をモニタすれば、どの位置からNaが
漏洩したかを知る事が出来る。この場合、サンプリング
管、およびセレクタ弁が不必要になるので、漏洩検出装
置の構成・構造が著しく簡単になる。しだがって原子カ
プラントのコスト低減化への寄与は大きい。
第1図は従来のNaの漏洩検出装置の説明図、第2図は
従来の装置においてNa漏洩位置を判定する方法を示す
図、第3図は本発明となる冷却材漏洩検出装置の一実施
例の構成図、第4図は同実施例において漏洩位置を判定
する方法を示す図、第5図は漏洩位置判定法に関しても
う1つの実施例を示す図、第6図第7図は、第3図の実
施例においてマイクロカプセルの取付位置説明図、第8
図第9図はマイクロカプセルの種類ならびに取付方法に
関した池の実施例を示す図、第10図、第11図はマイ
クロカプセル以外の化合物粒子を用いた場合の実施例を
示す図、第12図第13図は磁気粉体を用いた他の実施
例を示す図、第14図は第12図第13図の実施例にお
ける漏洩位置判定法の説明図であ口、 l・・・冷却配旨、2・・・格納室、3・・・保温材、
4・・・す7グリ、り管、516.ポンプ、6・・・セ
レク、り弁、7・・・検出器(質量分析器又は5ID)
、8・・・所定の出カッベル、9・・・検出器の出力、
10・・・ナトリウム、11・・・マイクロカプセル、
12・・・格納室内の雰囲気ガスを取出す配管、13・
・・雰囲気ガス、器、16・・・判定器、17・・・デ
ィスプレイ装置、18・・・濃度パター7.19・・・
冷却配管と保温材のすき間、2o・・・Na化合物の粒
子(Nag O。 NaoH等)、21・・・保温層間のすき間、22・・
・結晶水を含む化合物(例ミョウバン)、23・・・磁
性粉体、24・・・保温材表面、25・・・検出器(光
散乱式エアロゾルモニタ)、26・・・波高分析器、2
7・・・比較:私 28・・・検出器25の出力、29
−・・波高分析結果。
従来の装置においてNa漏洩位置を判定する方法を示す
図、第3図は本発明となる冷却材漏洩検出装置の一実施
例の構成図、第4図は同実施例において漏洩位置を判定
する方法を示す図、第5図は漏洩位置判定法に関しても
う1つの実施例を示す図、第6図第7図は、第3図の実
施例においてマイクロカプセルの取付位置説明図、第8
図第9図はマイクロカプセルの種類ならびに取付方法に
関した池の実施例を示す図、第10図、第11図はマイ
クロカプセル以外の化合物粒子を用いた場合の実施例を
示す図、第12図第13図は磁気粉体を用いた他の実施
例を示す図、第14図は第12図第13図の実施例にお
ける漏洩位置判定法の説明図であ口、 l・・・冷却配旨、2・・・格納室、3・・・保温材、
4・・・す7グリ、り管、516.ポンプ、6・・・セ
レク、り弁、7・・・検出器(質量分析器又は5ID)
、8・・・所定の出カッベル、9・・・検出器の出力、
10・・・ナトリウム、11・・・マイクロカプセル、
12・・・格納室内の雰囲気ガスを取出す配管、13・
・・雰囲気ガス、器、16・・・判定器、17・・・デ
ィスプレイ装置、18・・・濃度パター7.19・・・
冷却配管と保温材のすき間、2o・・・Na化合物の粒
子(Nag O。 NaoH等)、21・・・保温層間のすき間、22・・
・結晶水を含む化合物(例ミョウバン)、23・・・磁
性粉体、24・・・保温材表面、25・・・検出器(光
散乱式エアロゾルモニタ)、26・・・波高分析器、2
7・・・比較:私 28・・・検出器25の出力、29
−・・波高分析結果。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、冷却材を通す配管、もしくは容器、これらを囲む保
温材からなる系において、上記配管や容器の表面、ある
いは保温材の中に、場所によつて種類、濃度の異なるガ
スを封入、かつ、漏洩した冷却材との接触、又はその熱
によつて殻が破壊する機能を有したカプセルを配置し、
雰囲気中のガスの種類と濃度を監視することにより、冷
却材の漏洩および漏洩位置を固定する機能を有した事を
特徴とする冷却材漏洩検出装置。 2、上記の配管や容器の表面、あるいは保温材の中に、
場所によつて粒径が異なり、かつ冷却材の熱によつてそ
の磁性が喪失する強磁性粉体を埋込んだ事を特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の冷却材漏洩検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59208241A JPS6186629A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 冷却材漏洩検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59208241A JPS6186629A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 冷却材漏洩検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6186629A true JPS6186629A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16552990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59208241A Pending JPS6186629A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 冷却材漏洩検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6186629A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989004956A1 (en) * | 1987-11-18 | 1989-06-01 | Joram Hopenfeld | Method for monitoring thinning of pipe walls |
WO2008098301A1 (en) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | The Commonwealth Of Australia | Monitoring the structural health of components |
KR100871288B1 (ko) | 2007-05-23 | 2008-12-01 | 한국원자력연구원 | 화학 농도 감시에 의한 액체 금속 및 용융염을 사용하는원자로 계통에서의 조기 물 누출 감지 방법 및 조기 물누출 감지 시스템 |
JP2020060486A (ja) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | 三菱重工業株式会社 | 漏洩検出システムおよび漏洩検出方法 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59208241A patent/JPS6186629A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989004956A1 (en) * | 1987-11-18 | 1989-06-01 | Joram Hopenfeld | Method for monitoring thinning of pipe walls |
WO2008098301A1 (en) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | The Commonwealth Of Australia | Monitoring the structural health of components |
US8316705B2 (en) | 2007-02-14 | 2012-11-27 | The Commonwealth Of Australia | Monitoring the structural health of components |
AU2008215172B2 (en) * | 2007-02-14 | 2013-05-30 | The Commonwealth Of Australia | Monitoring the structural health of components |
KR100871288B1 (ko) | 2007-05-23 | 2008-12-01 | 한국원자력연구원 | 화학 농도 감시에 의한 액체 금속 및 용융염을 사용하는원자로 계통에서의 조기 물 누출 감지 방법 및 조기 물누출 감지 시스템 |
US7885370B2 (en) | 2007-05-23 | 2011-02-08 | Korea Atomic Energy Research Institute | Method and system for early sensing of water leakage, through chemical concentration monitoring, in nuclear reactor system using liquid metal and molten salt |
JP2020060486A (ja) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | 三菱重工業株式会社 | 漏洩検出システムおよび漏洩検出方法 |
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