JPS6184373A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6184373A JPS6184373A JP20586984A JP20586984A JPS6184373A JP S6184373 A JPS6184373 A JP S6184373A JP 20586984 A JP20586984 A JP 20586984A JP 20586984 A JP20586984 A JP 20586984A JP S6184373 A JPS6184373 A JP S6184373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- shaft
- seal
- rotating shaft
- magnetic fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気相成長装置に係り、特に反応室内に位置す
るウェハ支持体の回転駆動部の構造に関するものである
。
るウェハ支持体の回転駆動部の構造に関するものである
。
バレル型の気相成長装置は、第２図に示すように、鉛直
に配置した反応管１内に回転軸２によって支持したサセ
プタなどのウェハ支持体３′ｆ：位置させ、反応管１の
外側に設けたＲＦコイルなどの加熱源（以下ＲＦコイル
という）４によりウェハ支持体３を発熱させてその表面
にセットされているウェハ５を加熱し、ノズル６から反
応ガスを供給してウェハ５の表面に気相成長層を形成す
るようになっている。前記ウェハ支持体３は、ウェハ５
を均一に加熱するため、モータ７から歯車８゜’／、ｔ
ｏ、Ｉ＋ならびに前記回転軸２を介して回転されるよう
になっており、また従来、回転軸２は中空軸になされて
その中を温度センサ１２が貫通し、ウェハ支持体３の温
度を検出するようになっていた。ところで、反応管１と
、その上にシール１３を介して載置されたガスリング１
４ならびにシール１５を介して被せられるフタ１６によ
って形成される反応室１７内にはノズル６から反応ガス
やエツチングガスなどの有毒ガスが供給されるため、反
応室１７を外部に対して気密にシールする必要があるが
、従来は前記のように回転軸２が中空でその中を温度セ
ンサＩ２が通っているので、この回転軸２の部分におけ
るシールができず、このため第２図に示すように、フタ
１６上にシール１８を介して回転軸２の外方端部および
歯車１０゜１１を被うカバー１９を設け、このカバー１
９を貫通して外から内へ回転全伝達する歯車９と歯車１
０との間に磁性流体シール２０を設けると共に、温度セ
ンサＩ２の元端部とカバー１９との間にシール２１を設
けてカバー１９内の空間２２を外部に対して気密にし、
反応室１７内のガスがカッ＜−１９内の空間２２には漏
れることがあっても、それ以上外部へは漏れないように
構成していた。なお、２３はパージガスの導入管である
。
に配置した反応管１内に回転軸２によって支持したサセ
プタなどのウェハ支持体３′ｆ：位置させ、反応管１の
外側に設けたＲＦコイルなどの加熱源（以下ＲＦコイル
という）４によりウェハ支持体３を発熱させてその表面
にセットされているウェハ５を加熱し、ノズル６から反
応ガスを供給してウェハ５の表面に気相成長層を形成す
るようになっている。前記ウェハ支持体３は、ウェハ５
を均一に加熱するため、モータ７から歯車８゜’／、ｔ
ｏ、Ｉ＋ならびに前記回転軸２を介して回転されるよう
になっており、また従来、回転軸２は中空軸になされて
その中を温度センサ１２が貫通し、ウェハ支持体３の温
度を検出するようになっていた。ところで、反応管１と
、その上にシール１３を介して載置されたガスリング１
４ならびにシール１５を介して被せられるフタ１６によ
って形成される反応室１７内にはノズル６から反応ガス
やエツチングガスなどの有毒ガスが供給されるため、反
応室１７を外部に対して気密にシールする必要があるが
、従来は前記のように回転軸２が中空でその中を温度セ
ンサＩ２が通っているので、この回転軸２の部分におけ
るシールができず、このため第２図に示すように、フタ
１６上にシール１８を介して回転軸２の外方端部および
歯車１０゜１１を被うカバー１９を設け、このカバー１
９を貫通して外から内へ回転全伝達する歯車９と歯車１
０との間に磁性流体シール２０を設けると共に、温度セ
ンサＩ２の元端部とカバー１９との間にシール２１を設
けてカバー１９内の空間２２を外部に対して気密にし、
反応室１７内のガスがカッ＜−１９内の空間２２には漏
れることがあっても、それ以上外部へは漏れないように
構成していた。なお、２３はパージガスの導入管である
。
しかしながら、このような従来の構造では、前記カバー
１９内にある歯車１０ 、 ｌ ＋および回転軸２の軸
受２４などの回転に伴なって生ずる摩耗粉が、反応室１
７内に侵入して気相成長層に重大な欠陥を発生させ、ま
た、軸受２４などに潤滑油を使用すると、これが蒸発し
て気相成長層を汚染するなどの問題があった。
１９内にある歯車１０ 、 ｌ ＋および回転軸２の軸
受２４などの回転に伴なって生ずる摩耗粉が、反応室１
７内に侵入して気相成長層に重大な欠陥を発生させ、ま
た、軸受２４などに潤滑油を使用すると、これが蒸発し
て気相成長層を汚染するなどの問題があった。
本発明は、前述したような問題を解決するため、シール
の障害となっていた中空の回転軸とその中を貫通する温
度センサとからなる二重構造を改め、ウェハ支持体を連
結する回転軸を中実軸とし、この回転軸と反応室を形成
する部材との間に磁性流体シールを設け、回転軸の軸受
を磁性流体シールによって仕切られた反応室の外側に配
置する構造としたものである。
の障害となっていた中空の回転軸とその中を貫通する温
度センサとからなる二重構造を改め、ウェハ支持体を連
結する回転軸を中実軸とし、この回転軸と反応室を形成
する部材との間に磁性流体シールを設け、回転軸の軸受
を磁性流体シールによって仕切られた反応室の外側に配
置する構造としたものである。
本発明による回転軸およびそれに連結されたウェハ支持
体は前記軸受によって従来装置と同様に回転可能に支持
される。ただし、この軸受は磁性流体シールによって確
実に仕切られた反応室の外に位置するため、摩耗粉や潤
滑油の蒸気は反応室内には侵入しない。才た、ウェノ・
支持体やウェノ・の測温は、例えば赤外線温度検出器な
どの温度センサを反応管外などに設けることにより行な
われる０ 〔実施例〕 以下本発明の一実施例を示す第１図について説来装置≠
イ＃寺と同様である。反応管１の第１図において上端に
はシール３０を介してフタ３１が開閉可能に被せられ、
このフタ３１に複数本のノズル３２が取付けられている
。ウェノ・支持体３の上部中央には軸３３が設けられ、
カップリング３４を介して回転軸３５が連結されている
。この回転軸３５は中実軸である。３６は磁性流体シー
ルで、通常は回転軸３５と対をなして市販されている。
体は前記軸受によって従来装置と同様に回転可能に支持
される。ただし、この軸受は磁性流体シールによって確
実に仕切られた反応室の外に位置するため、摩耗粉や潤
滑油の蒸気は反応室内には侵入しない。才た、ウェノ・
支持体やウェノ・の測温は、例えば赤外線温度検出器な
どの温度センサを反応管外などに設けることにより行な
われる０ 〔実施例〕 以下本発明の一実施例を示す第１図について説来装置≠
イ＃寺と同様である。反応管１の第１図において上端に
はシール３０を介してフタ３１が開閉可能に被せられ、
このフタ３１に複数本のノズル３２が取付けられている
。ウェノ・支持体３の上部中央には軸３３が設けられ、
カップリング３４を介して回転軸３５が連結されている
。この回転軸３５は中実軸である。３６は磁性流体シー
ルで、通常は回転軸３５と対をなして市販されている。
この磁性流体シール３６は、シール３７を介してフタ３
１に取付けられている。回転軸３５は、第２図において
磁性流体シール３６の上方に位置する軸受３８によりフ
タ３１に回転可能に支持されている。回転軸３５の上端
には歯車３９が取付けられ、歯車４０を介してモータ４
１により回転を与えられるようになっている。なお、４
２゜４２は温度センサで、ＲＦコイル４０間から反応管
１全通してウェノ・５の温度を検出するようになってい
る。
１に取付けられている。回転軸３５は、第２図において
磁性流体シール３６の上方に位置する軸受３８によりフ
タ３１に回転可能に支持されている。回転軸３５の上端
には歯車３９が取付けられ、歯車４０を介してモータ４
１により回転を与えられるようになっている。なお、４
２゜４２は温度センサで、ＲＦコイル４０間から反応管
１全通してウェノ・５の温度を検出するようになってい
る。
次いでこの装置の動作を説明する。ウェハ支持体３は、
軸３３．カップリング３４９回転軸３５゜通するフタ３
１の部分は、同フタ３１と磁性流体シール３６の間がシ
ール３７によって確実に気密に仕切られ、回転軸３５の
周囲は磁性流体シール３６によって確実に気密に仕切ら
れている。そこで、反応管１やフタ３１によって形成さ
れている反応室４３は、外部に対して確実に気密になさ
れ、ノズル３２から供給された反応ガスなどが外部に漏
れ出すことはない。また、逆に回転軸３５の周囲などか
ら外気が反応室４３内に侵入することもなく、シたがっ
て、軸受３８や歯車３９．４０などから摩耗粉が生じて
も気相成長には全く悪影響を及ぼさないと共に、潤滑油
も自由に使用することが可能である。
軸３３．カップリング３４９回転軸３５゜通するフタ３
１の部分は、同フタ３１と磁性流体シール３６の間がシ
ール３７によって確実に気密に仕切られ、回転軸３５の
周囲は磁性流体シール３６によって確実に気密に仕切ら
れている。そこで、反応管１やフタ３１によって形成さ
れている反応室４３は、外部に対して確実に気密になさ
れ、ノズル３２から供給された反応ガスなどが外部に漏
れ出すことはない。また、逆に回転軸３５の周囲などか
ら外気が反応室４３内に侵入することもなく、シたがっ
て、軸受３８や歯車３９．４０などから摩耗粉が生じて
も気相成長には全く悪影響を及ぼさないと共に、潤滑油
も自由に使用することが可能である。
なお、フタ３１には図示しない冷却流体の流路を設け、
フタ３１自身および磁性流体シール３６゜軸受３８．シ
ール３０．３７などをできるだけ低温に保つことが好ま
しく、さらに回転軸３５内にも流路全役け、ロータリー
ジヨイント４４を介して冷却流体を循環させることによ
り回転軸３５の昇温を防ぐことにより磁性流体シール３
６を保護することが好ましい。
フタ３１自身および磁性流体シール３６゜軸受３８．シ
ール３０．３７などをできるだけ低温に保つことが好ま
しく、さらに回転軸３５内にも流路全役け、ロータリー
ジヨイント４４を介して冷却流体を循環させることによ
り回転軸３５の昇温を防ぐことにより磁性流体シール３
６を保護することが好ましい。
以上述べたように本発明によれば、ウェハ支持体を連結
している回転軸と反応室全形成する部材との間で確実な
シールができ、軸受や歯車などの回転伝達部材は反応室
から完全に切離されている部分に位置されるため、これ
からの摩耗粉や潤滑油の蒸気などが気相成長に悪影響を
及ぼすことがなく、第１図と第２図を比較すれば明らか
なように構造も簡単にできるなどの効果が得られる０
している回転軸と反応室全形成する部材との間で確実な
シールができ、軸受や歯車などの回転伝達部材は反応室
から完全に切離されている部分に位置されるため、これ
からの摩耗粉や潤滑油の蒸気などが気相成長に悪影響を
及ぼすことがなく、第１図と第２図を比較すれば明らか
なように構造も簡単にできるなどの効果が得られる０
第１図は本発明の一実施例を示す概要断面図、第２図は
従来装置の概要断面図である。 １・・・反応管、 ３・・ウェノ・支持体、４・・ＲＦ
コイル、 ５・・・ウェハ、３０．３７・・・シール、
３１・・・フタ、３５・・・回転軸、 ３６・・・磁
性流体シール、３８・・・軸受、 ３９．４０・・・歯
車、 ４１・・・モータ、４２．４２・・・温度センサ
、 ４３・・・反応室、４４・・・ロータリージヨイン
ト。
従来装置の概要断面図である。 １・・・反応管、 ３・・ウェノ・支持体、４・・ＲＦ
コイル、 ５・・・ウェハ、３０．３７・・・シール、
３１・・・フタ、３５・・・回転軸、 ３６・・・磁
性流体シール、３８・・・軸受、 ３９．４０・・・歯
車、 ４１・・・モータ、４２．４２・・・温度センサ
、 ４３・・・反応室、４４・・・ロータリージヨイン
ト。
Claims (1)
- 反応室内に位置するウェハ支持体を反応室外に設けた駆
動部により回転させるようにした気相成長装置において
、ウェハ支持体に連結されている回転軸を中実軸とし、
同回転軸と反応室を形成する部材との間に磁性流体シー
ルを設け、前記回転軸を回転可能に支持する軸受を反応
室に対して前記磁性流体シールの外側に配置したことを
特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20586984A JPS6184373A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20586984A JPS6184373A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184373A true JPS6184373A (ja) | 1986-04-28 |
| JPS6214223B2 JPS6214223B2 (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16514066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20586984A Granted JPS6184373A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130333620A1 (en) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | Zilan Li | Feed-through apparatus for a chemical vapour deposition device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104057A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-09 | Hitachi Ltd | Ion implantation device |
| JPS58213413A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体気相成長用装置 |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP20586984A patent/JPS6184373A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104057A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-09 | Hitachi Ltd | Ion implantation device |
| JPS58213413A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体気相成長用装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130333620A1 (en) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | Zilan Li | Feed-through apparatus for a chemical vapour deposition device |
| US9279185B2 (en) * | 2012-06-14 | 2016-03-08 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Feed-through apparatus for a chemical vapour deposition device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6214223B2 (ja) | 1987-04-01 |
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