JPS6184090A - 絶縁基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は電子部品を搭載させる等に用いられる絶縁基
板に関するものである。

〔背景技術］ 従来、電子部品搭載用の絶縁基板として、基材に金属板
を用い、これに接着剤付ポリイミドフィルムやエポキシ
含浸ガラス板フェノール樹脂等で絶縁層を形成した金属
系のものと、セラミックス板やホーローコーティング金
属を用いたセラミックス系のものの２種類のものがある
。しかしながら、前者は絶縁層にエポキシ含浸ガラス板
フェノール樹脂のような熱伝導性の悪いものを用いてい
るため、長時間高温になる電子部品近傍部分が熱分解し
たり、絶縁層への蓄熱現象が発生し搭載部品の熱破壊が
発生するという問題を有していた。

絶縁層を接着剤付ポリイミドフィルムで構成しても同様
であった。すなわち、ポリイミドフィルム自体は極めて
耐熱性に冨んでいるが、その接着剤が上記エポキシ含浸
ガラス板フェノール樹脂と略同様の特性を蒋しており、
その接着剤の存在によって接着剤付ポリイミドフィルム
を用いてもエポキシ含浸ガラス板フェノール樹脂を用い
たと同様の問題が生していた。また、後者のセラミック
ス系のものは、それ自体極めて優れた耐熱性を存してい
るため、前者の金属系のもののような問題は生じないが
、耐衝撃性に欠けており、衝撃によって部分的、全体的
な破壊を生じたり、回路の欠陥を生じたりするという問
題を有している。また、打抜加工が極めて困難であり、
セラミックス板の表面粗度が粗いため金属蒸着法や印刷
ペースト法によって回路を形成する際、表面の凹凸によ
って抵抗値等回路の設計値に部分的なばらつきを生しる
という問題をも有している。

〔発明の目的〕

この発明は、絶縁層の熱分解や搭載部品の熱破壊を招か
ず、しかも耐衝撃性に冨み、回路形成に際して設計値に
部分的なばらつきを生しない絶縁基板の提供をその目的
とするものである。

〔発明の開示］ 上記の目的を達成するため、この発明の絶縁基板は、導
電性金属板と、その板面に形成された絶縁層とを備え、
上記絶縁層が、シロキサン変性ポリイミド前駆体の加熱
硬化により形成された表面粗度０．１μｍ以下、厚み３
〜１００μｍのポリイミド膜により構成されているとい
う構成をとる。

すなわち、この絶縁基板は、耐衝撃性に冨む導電性金属
板に、接着剤を用いず直接、耐熱性に冨むポリイミド膜
絶縁層を形成してその厚みを、容易に剥離しないよう３
〜１００μｍに設定し、しかもその表面粗度を、回路形
成に際して設計値に部分的なばらつきの発生しないよう
０．１μｍ以下と小さくしているため、絶縁層の熱分解
や搭載部品の熱破壊を招かず、落下環の衝撃に対しても
強く、また回路形成時に設計値の部分的なばらつきを生
じない。

上記のような構造の絶縁基板は、ポリイミド膜中にシロ
キサン結合を導入すると、ポリイミド膜の金属板に対す
る密着性が大幅に増加し、接着剤を用いなくても直接金
属板に密着するようになるという本発明者らの発見によ
って初めて実現されるようになったものである。

このような特別に密着性の強いポリイミド膜を構成する
シロキサン変性ポリイミド前駆体は、例えばつぎのよう
にして製造される。すなわち、不活性溶媒中で、つぎの 一般式； で表されるジアミノシロキサンと、分子内にケイ素原子
を含まないジアミンとからなるジアミノ化合物を、芳香
族テトラカルボン酸二無水物と、上記ジアミノシロキサ
ンがジアミノ化合物全体量の１〜４モル％となる割合で
重合反応させることにより製造される。これにより得ら
れるものは、ケイ素含有量が０．５重量％以下のもので
ある。

このように、ポリイミドの密着性を改善するために用い
られるジアミノシロキサンは、前記特定範囲が必要かつ
充分なものである。このような使用割合にすると、ポリ
イミド前駆体中に占める温熱分解や酸ないしアルカリに
より切断されやすいシロキサン結合部分がごく僅かなも
のとなるため、生成ポリイミドの耐湿特性を低下させる
ことがな（、またポリイミド本来の耐熱性、電気絶縁性
、ｎ械的強度等を損なうこともな（なる。

しかしながら、ジアミノシロキサンを上記使用υ１合に
して合成されるシロキチン変性ポリイミド前駆体は、こ
のままでは従来の前駆体と同様に溶液粘度が高くなる欠
点を有している。これの解決は、重合反応後のポリイミ
ド前駆体溶液をさらに特定の温度下で加熱熟成すること
により実現することができる。すなわち、この加熱熟成
により、前駆体の分子開裂ないし再配列が起こり、それ
によってその固有粘度が低下し、その後溶剤で希釈しな
（とも塗布可能な？８液粘度になる。なお、このように
して、ポリイミド前駆体溶液を低粘度化しても、シロキ
サン変性によって得られる密着性の向上効果等は何ら影
響を受けない。

そして、上記シロキサン変性ポリイミド前駆体溶液を、
導電性金属板に塗工し加熱硬化させることにより、目的
とする絶縁基板が得られるのである。

なお、上記シロキサン変性に用いる一般弐Ａのジアミノ
シロキサンの代表的なものはつぎのとおりである。

Ｈ３ＣＨ３ ＣＨ３ＣＨ。

Ｈ２Ｎ　−＋　Ｃ）１．→、、−Ｓｉ〜０−　Ｓ　ｉ　
−Ｇ−ＣＨｚ→４．−ＮＨ２ＣＨ：ｌ　　ＣＨ３ Ｃ６８５Ｃ６Ｈ５ ）１ｚＮ−４−ｃｏｔ→３−３ｉ−Ｏ５ｉ−（−ＣＨｚ
→３−ＮＨ２Ｃａｎｓ　　Ｃ６Ｈｓ ＣＨ：ｌ　　ＣＨ３ また、上記ジアミノシロキサンと共に用いられる、分子
内にケイ素原子を含まないジアミン（以下、単にケイ素
不含ジアミンと称する）には、つぎの−数式Ｂ： ＨｚＮ　−Ｒ，−ＮＨ２−−−−−−−−−−−−Ｂで
表される芳香族ジアミン、脂肪族ジアミンおよび脂環族
ジアミンが含まれる。特に好適なものは芳香族ジアミン
であるが、その代表例を示すと、メタフェニレンジアミ
ン、パラフェニレンジアミン、４．４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４゛−ジアミノジフェニルエーテル
、２．２゛−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２
，２゛−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパ
ン、２．２゛−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）
スルホン、３，３゛−ジアミノジフェニルスルホン、２
，２゛−ビス（４−アミノフェニル）スルホン、４．４
”−ジアミノジフェニルスルホン、４，４゛−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、ベンジジン、ベンジジン−３，
３°−ジカルボン酸、ベンジジン−３，３＋−ジスルホ
ン酸、ベンジジン−３−モノカルボン酸、ベンジジン−
３−モノスルホン酸、３１３゛−ジメトキシ−ベンジジ
ン、パラ−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、メ
タ−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、メタキシ
リレンジアミン、パラキシリレンジアミンがあげられる
。

また、上記ジアミノシロキサンとケイ素不含ジアミンと
からなるジアミノ化合物に対して重合反応させる芳香族
テトラカルボン酸二無水物は、つぎの一般式；Ｃ （Ａｒは四価の有機基である） で表されるものであり、その代表的なものを例示すると
、ピロメリット酸二無水物、３，３′、４．４’−ヘン
ヅフエノンテトラカルボン酸二無水物、３．３’、４１
４°−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３゜
３’、４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２
゜３．６．７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１゜２．５．６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、１゜４．５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、２゜２°−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
プロパン二＝　水’Ｊｈ　、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホンニ無水物、３，４，９．１０−ペ
リレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）エーテルニ無水物、２，２゛−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、
■、１゛−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタ
ンニ無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボ
ン酸二無水物、２．３，６．７−テントラセンテトラカ
ルボン酸二無水物、１，２．７．８．−フェナントレン
テトラカルボン酸二無水物があげられる。特に好適な芳
香族テトラカルボン酸二無水物は、３．３’、４．４”
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物である。この二
無水物を使用すると金属板に対して優れた密着性を有し
、かつ高温高温雰囲気下、例えば１２１°ｃ、　　２気
圧のプレッシャークツカーテスト（以下、車にＰＣＴと
略す）による電気特性がもつとも優れた、つまり耐湿特
性の極めて良好なポリイミドが得られるようになり、絶
縁膜としての性能を大きく向上させることができるよう
になる。もちろん、他の二無水物を使用してもよいが、
絶縁膜とする際、その膜厚を多少厚くすることが好まし
い。

これらの原料を用いてのシロキサン変性ポリイミド前駆
体の製造に関してはすでに説明しているが、より詳しく
説明すると、ジアミノ化合物と芳香族テトラカルボン酸
二無水物とを反応させる際、ジアミノシロキサンとケイ
素不含ジアミンとを同時に芳香族テトラカルボン酸二無
水物と重合反応させることが必要で、両ジアミノ化合物
を別々に重合させたのち混合する方式では、密着性およ
び耐湿特性のばらつきを生じ、品質の安定化を図りえな
くなる。この場合、ジアミノシロキサンを多量に使用す
ると生成ポリイミドの耐湿特性等の低下が激しくなり、
逆に使用量が少なくなりすぎると密着性付与効果が小さ
くなる。これらを勘案すると、ジアミノシロキサンの量
は、ジアミノ化合物全体量の１〜４モル％、好適には３
〜３．５モル％であり、また得られるシロキサン変性ポ
リイミド前駆体中に含まれてくるケイ素含有量が０．５
重量％以下となるように、その使用量を設定する必要が
ある。ジアミノシロキサンとケイ素不含ジアミンとから
なるジアミノ化合物の芳香族テトラカルボン酸二無水物
に対する使用割合は、通常等モルとされるが、必要に応
じて一方を多少多くしても差し支えない。

重合反応は、従来公知の方法に準して行えばよく、不活
性溶媒中の存在下、一般に窒素ガス気流中で重合発熱を
勘案して通常４０“Ｃ以下、特に好適には３０℃以下に
制限しながら所定の重合度が得られるまで反応させれば
よい。

なお、半導体素子絶縁膜としてのポリイミドは、イオン
性不純物に汚染されることをさけなければならない。Ｎ
ａ”　＋Ｋ”　＋　Ｃａ”等のカチオン性不純物、ＣＩ
−等のアニオン性不純物等からの汚染を受けないように
注意しなければならない。そのため、重合に際しては、
原料モノマー、溶媒ともに周知の方法により充分精製し
た後、使用すべきである。例えば、Ｎａ”イオンで１０
ｐｐｍ以下、好適には１　ｐＩ）Ｉ１１以下であること
が望ましい。

このような重合反応に用いられる不活性溶媒としては、
例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ”−ジ、メ
チルアセトアミド、Ｎ、　Ｎ’−ジメチルホルムアミド
、Ｎ、Ｎ”−ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホス
ホルアミド等の高極性塩基性溶媒が用いられる。この種
の溶媒はいずれも吸湿性が強く、吸湿された水は重合時
の分子量の低下、貯蔵安定性の低下の原因となるので使
用に先立って脱水剤で充分に脱水しておくことが好まし
い。また、これらの）容媒とともにトルエン、キシレン
、ヘンソ′ニトリル、ベンゼン、フェノールの如き汎用
溶媒を併用することもできる。しかし、その使用量は、
生成ポリイミド前駆体の溶解度を低下させない範囲に規
制することが必要である。

このようにして合成されるシロキサン変性ポリイミド前
駆体の重合度は、反応物の固有粘度〔η〕を調べること
によって簡単に検知できるものであるが、この固有粘度
が１．３〜３．０となるまでの高重合度とされているこ
とが望ましい。これより低くなるようでは、耐熱性その
他の一般特性に好結果が得られなしくからである。ここ
で、固有粘度〔η〕とは、溶媒としてＮ−メチル−２−
ピロリドンを使用し、測定温度３０±０．０１℃（恒温
槽）で次式にしたがって算出した値を意味するものであ
る。

〔η）＝１ｎ　（ｔ／１０）／Ｃ ｔ　；ウベローデ粘度計で測定されるポリマー溶液の落
下時間 Ｌｏ　；上記同様に測定される溶媒の落下時間Ｃ；ポリ
マー濃度（０，５重量％とする）上記のようにして得ら
れたシロキサン変性ポリイミド前駆体の溶液に対しては
、引き続き同一反応容器内において窒素気流中、４０〜
８０℃２好適には５０〜６０℃まで昇温させて加熱熟成
を施す。これにより、高重合度のシロキサン変性ポリイ
ミド前駆体に適度な分子開裂ないし再配列を生じさせて
、低分子量化がなされるようになる。

低分子量化の度合は、溶液粘度とポリイミド特性との関
係によって決められるものであり、一般には固有粘度が
０．３〜０．７となるようにするのが好ましい。目安と
して、溶液濃度２５重景％で溶液粘度１０００〜２００
００センチポイズ（以下ｒｃｐｓＪと略す）程度である
。上記固有粘度があまりに低くなりすぎると、ポリイミ
ドの皮膜形成能が劣るようになり、また導電性金属板に
通用したときの絶縁特性、耐熱性その他の緒特性が損な
われるようになる。なお、加熱熟成温度を特に、上記の
ように４０〜８０℃に設定した理由は、８０℃を超える
温度、特に１００℃以上になると架橋反応が進行しゲル
化の危険があるためであり、また４０℃より低（なると
熟成の効果が充分に得られず、熟成時間も長くなって作
業性を損なうようになるからである。

このようにして得られる最終生成物としてのシロキサン
変性ポリイミド前駆体は、その重合度が低下していると
いっても、あくまでもつぎの一般式（３）で示されるよ
うに、ケイ素不含ジアミンとジアミノシロキサンがアミ
ド結合を介して芳香族テトラカルボン酸二無水物へ付加
した結合単位が、ランダムであるポリマー構造を有する
ものであり、このポリイミド前駆体の分子鎖にシロキサ
ン結合がごく僅か組み込まれた構造になっている。

（Ｒ＋　、Ｒｚ、Ｒ’　、ｎおよび＾ｒは前記のとおり
、βおよびｍはともに正の整数で、ｍ／β＋ｍ＝０．０
１〜０．０４である） このようなシロキサン変性ポリイミド前駆体は、その溶
液の粘度が低くなっているため、そのままの状態でスピ
ンコードに適している。したがって、これをスピンコー
ドによりステンレス板等の導電性金属板に塗工したのち
高温加熱処理して上記ポリイミド前駆体をポリイミド化
することにより、上記ステンレス板に、直接ポリイミド
膜を形成しうるようになる。これを図面に示す。図にお
いて、１はステンレス板、２はポリイミド膜である。す
なわち、このポリイミド膜２は、これまでのように接着
剤を用いて貼着されていす直接ステンレス板に形成され
ているため、接着剤層の熱分解や搭載部品の熱破壊を生
じない。また、ポリイミド膜がステンレス板上に形成さ
れているため、セラミックス系のものに比べて耐衝撃性
が著しく向上するようになる。この場合、ポリイミド膜
の厚み、および表面粗度は、厚み３〜１００μ１表面粗
度０．１μｍに設定する必要がある。厚みが上限を超え
ると、ポリイミド膜中に溶剤が残存しやすくなるととも
にポリイミド膜が剥離しやすくなり、逆に下限を下まわ
ると絶縁膜としての機能が不充分になる。また、表面粗
度が０．１μｍを超えると、その絶縁膜上に回路形成す
る際に、表面の凹凸によって抵抗値等設計値に部分的な
ばらつきが生じるようになる。

〔発明の効果］ この発明は、絶縁基板の絶縁層として、シロキサン変性
ポリイミド前駆体から誘導されるシロキサン変性の導入
により、金属基板に対する密着性が著しく高くなってい
るポリイミド膜を用い、これを直接専電性金属基板上に
設けており、従来のように接着剤層を用いて設けていな
いため、搭載部品等の発熱に起因する接着剤層の熱分解
を生しない。また、接着剤層を除去した分だけ絶縁層の
厚みが薄くなり放熱性が向上するようになるため、接着
剤層の蓄熱による搭載部品の熱破壊が生じない。また、
強靭な金属板を基材として用いているため、セラミック
ス絶縁板のように衝撃を受けて破壊したり、回路欠陥を
生じたりすることがない。そのうえ、ポリイミド膜の表
面粗度を０．１μｍ以下に設定しているため、回路形成
の際にセラミックス絶縁板のような表面の凹凸に起因す
る回路設計値の部分的なばらつきを生じることがない。

また、ポリイミド膜の膜厚を３〜１００μｍの範囲に設
定しているため、充分な絶縁効果が得られ、かつポリイ
ミド膜の厚みの過大にもとづく剥離等の不都合も生じな
いのである。

なお、この発明の絶縁基板は、そのポリイミド皮膜上に
回路を直接形成しうるため、車に電子部品を搭載するに
とどまらず、センサーや太陽電池の基板として応用しう
るちのであり広い用途を有するものである。

つぎに、実施例について説明する。

ます、つぎのようにして２種類のシロキサン変性ポリイ
ミド前駆体の溶液を製造した。

（製造例１） 撹拌装置、冷却管、温度計および窒素置換装置を付した
５００ｍｆのフラスコを水浴上に固定し、水素化カルシ
ウムで一昼夜乾燥し、さらに窒素置換で蒸留したＮ、　
Ｎ’−ジメチルホルムアミド１４８．７１ｇを上記フラ
スコ中に加え、窒素を流し込み、ついでつぎのように原
料を投入した。すなわち、まず、Ｌ　ｍｌのマイクロシ
リンジによりビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン０、８７　ｇ　（０，００３５モル）、つ
いで４，４゛−ジアミノジフェニルエーテル１９．３　
ｇ　（０，０９６５モル）を仕込み、溶解するまで攪拌
した。その後、３．３’　、４．４°−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物２９．４　ｇ（０，１モル）を徐
々に添加した。そして、反応系を３０゛Ｃ以下に保持し
ながら透明粘稠になるまで攪拌した。このようにして得
られたシロキサン変性ポリイミド前駆体の２５重量％溶
液は、２５℃ＢＨ型粘度計で測定される粘度（以下同様
）が測定上限（２００００００ｃｐｓ　）以上であり、
前駆体の固有粘度は１，６７、ケイ素含有量は０．３９
７重量％であった。

つぎに、これを加２ｙ６成に供した。すなわち、フラス
コを水浴に代えて湯浴にし、５５±５℃で加熱攪拌し、
窒素気流中６時間加熱熟成し、さらに引き続き２８時間
の合計３４時間加熱熟成した。

その結果、固有粘度が０．４２、溶液粘度が４４００ｃ
ｐｓ　となるまでシロキサン変性ポリイミド前駆体が低
分子量化した。

（製造例２） ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
の使用を取り止め、ジアミノ化合物を全てジアミノジフ
ェニルエーテルとした。それ以外は製造例１と同様にし
て、シロキサン変性されていないポリイミド前駆体溶液
を得た。このものは、固有粘度が０．５５、溶液粘度が
７８００　ｃｐｓであった。

つぎに、上記のようにして得られた２種類のポリイミド
前駆体溶液を用い、下記のようにして絶縁基千反を１乍
製した。

〔実施例１〕 上記製造例１で得られたシロキサン変性ポリイミド前駆
体溶液をＯ，１５ａｍ厚１表面粗度０．２μｍのステン
レス板（１００Ｘ２００ｎ＋）上にスピンコードし、熱
風乾燥機中、１２０℃で１時間、２００℃で１時間、２
５０℃で６時間加熱処理し、表面粗度が０．１μ…、厚
み１５μｍの強靭なポリイミド絶縁膜を形成した。この
ポリイミド膜の赤外吸収スペクトルは、１７８０ｃｍ−
’および１７２０ｃｍ−’にイミド基形成にもとづ＜　
＞Ｃ＝Ｏの吸収が認められた。なお、上記スピンコード
は、３５００ｒｐｍ、　１５秒の回転数で前駆体溶液を
３ｇ滴下する方法で行った。

得られたステンレスポリイミド基板に、１朋角のゴハン
目をカッターナイフでつけ、２気圧、１２１℃のＰＣＴ
（プレッシャークツカーテスト）を行った。２００時間
後、試料を取り出し、目視でポリイミド絶縁膜の剥離の
有無を調べた。その結果、剥離は全く認められなかった
。また、このステンレスポリイミド基板に、アルミ蒸着
によって所定の回路を形成し、３００℃のホットプレー
ト上に１分放置した。その結果、異常は認られなかった
。また、基板の反りも認られなかった。

〔実施例２〕 スピンコードの条件を１５００　ｒｐｍ　、　１５秒に
変えるとともに、熱風乾燥の条件を、１２０℃で１時間
、２００℃で１時間、３５０℃で３時間に変えた。

それ以外は実施例１と同様にしてステンレス板表面に表
面粗度０．０５μｍ、厚み７０μｍのポリイミド膜を形
成した。このポリイミドステンレス基板に対して実施例
１と同様にしてＰＣＴ密着力テスト、アルミ蒸着テスト
、高温反りテストを行った。その結果、全（異常が認め
られなかった。

〔実施例３〕 スピンコードの条件を５０００　ｒｐｍ　、　３０秒に
変えるとともに、熱風乾燥の条件を、１２０℃で１時間
、２００℃で１時間、４００℃で６０分に変えた。

それ以外は実施例１と同様にしてステンレス板表面に表
面粗度０．１μｍ、厚み５μｍのポリイミド膜を形成し
た。このポリイミドステンレス基板に対して実施例１と
同様にしてＰＣＴ密着力テストアルミ蒸着テスト、高温
反りテストを行った。

その結果、全く異常が認められなかった。

〔比較例１〕 熱風乾燥の条件を、１５０℃で１時間、２５０℃で６時
間に変え、３段階加熱から２段階加熱に切り換えた。そ
れ以外は実施例１と同様にしてステンレス板をつくった
。この場合のポリイミド膜の表面粗度は１μｍと粗くな
っていた。

つぎに、このポリイミドステンレス基板にゴハン目をカ
ッターナイフでつけ、２気圧、１２１℃のＰＣＴを行っ
たが、ポリイミド膜の剥離は認められなかった。ついで
、このステンレスポリイミド基板にアルミ蒸着によって
所定の回路を形成し、３００℃のホットプレート上に１
分放置した。

その結果、アルミ回路部にふくれが発生した。これは、
ポリイミド膜の表面粗度の粗さに起因すると考えられる
。

〔比較例２〕 スピンコードの条件を１０００　ｒｐｍ　、　１５秒に
変えるとともに、熱風乾燥の条件を、１５０℃で１時間
、２００℃で３０分の２段階加熱に切り換えた。それ以
外は実施例２と同様にしてステンレス板表面に表面粗度
０．１μｍ、厚み１２０μｍのポリイミド膜を形成した
。このポリイミドステンレス基板に対して実施例１と同
様、２気圧、１２１℃のＰＣＴを２００時間行った。そ
の結果、ゴハン目からポリイミド膜の剥離が生じた。ま
た、上記ポリイミドステンレス基板に対してアルミ蒸着
を行って回路形成し、３００℃のホットプレート上にお
いて１分放置した。その結果、ポリイミド膜に膨れが発
生し基板として使用に耐えない状態となった。これは全
てポリイミド膜の膜厚が厚すぎることに起因するものと
思われる。

〔比較例３〕 製造例１で得られたシロキサン変性ポリイミド前駆体溶
液に代えて、製造例２で得られた、シロキサン変性のな
されていないポリイミド前駆体溶液を用いた。それ以外
は実施例１と同様にして、表面粗度０．１μｍ、厚み２
０μｍのポリイミド絶縁膜付きの絶縁基板を得た。

つぎに、この絶縁基板に、１１ｍ角のゴハン目をカッタ
ーナイフでつけ、２気圧、１２１℃のＰＣＴを行った。

その結果、ポリイミド絶縁膜の剥離が認められ使用に耐
えないことが確認された。

以上の結果から、ポリイミド絶縁膜には、金属基板に対
する密着性の観点から、シロキサン変性ポリイミド前駆
体から誘導されるシロキサン結合が導入されていること
が必要であり、かつ皮膜の表面粗度および膜厚が、皮膜
上に形成される回路の設計値、４およびポリイミド膜と
金属基板との密着性等に大きな影響を与え、表面粗度が
０．１μｍを超えても、また膜厚が３〜１０μｍの範囲
を外れても実用に耐え得る絶縁基板が得られないことが
わかる。

【図面の簡単な説明】

図面はこの発明の絶縁基板の一例の断面図である。 ■−・・金属基板　２−ポリイミド絶縁皮膜特許出願人
　日東電気工業株式会社 代理人　　弁理士　西　藤　征　彦 手続補正書　（自発） 昭和６０年２月１８日 昭和５９年特許願第２０５２５１号 ２　発明の名称 絶縁基板 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号名　称　
　（３９６１日東電気工業株式会社代表者　　土　　方
　　三　　部 明　　　細　　　書 ６、補正の内容 （１）明細書第１０頁第１４行目、「バラキシリレンジ
アミンがあげられる。」とあるを「パラキシリレンジア
ミンがあげられ単独もしくは必要に応じて併用すること
が可能である。」と訂正する。 （２）明細書第１２頁第９行目から第１０行目にかけて
、［他の二無水物を使用してもよいが、絶縁膜とする際
、」とあるを「他の二無水物を諸特性を低下させない範
囲で併用してもよい。絶縁膜とする際、」と訂正する。 （３）明＄１［１書第１３頁未行目、［なお、半導体素
子絶縁膜としてのポリイミドは、」とあるを「なお、ポ
リイミド膜上に直接または間接的に蒸着法、ＣＶＤ法に
よりシリコン層またはシリコンチップを形成または搭載
する際に、該ポリイミドとしては、」と訂正する。 （４）明細書第１５頁第１４行目、［〔η］＝１ｎ　（
ｔ／ｌ”　）／Ｃｌとあるをｒ　（７７）　＝ｉｎ　（
む／ｌ’　）／Ｃｌと訂正する。 （５）　　明ｍ書第２３頁第１５行目、［反りも認られ
なかった。」とあるを「反りも認められなかった。」と
訂正する。 （６）明細書第２７頁第５行目、「３〜１０μｍ」とあ
るを「３〜１００μｍ」と訂正する。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性金属板と、その板面に形成された絶縁層と
   を備え、上記絶縁層が、シロキサン変性ポリイミド前駆
   体の加熱硬化により形成された表面粗度０．１μｍ以下
   、厚み３〜１００μｍのポリイミド膜により構成されて
   いることを特徴とする絶縁基板。
2. （２）ポリイミド膜が、下記の式（１）で表される繰返
   し単位９９〜９６モル％と下記の式（２）で表される繰
   返し単位１〜４モル％とから構成されている特許請求の
   範囲第１項記載の絶縁基板。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
   （１） 〔式中、Ａｒは四価の有機基であり、Ｒ＿２はケイ素原
   子を含まない二価の有機基である。〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
   （２） 〔式中、Ｒ＿１は二価の有機基、Ｒ′は一価の有機基で
   あり互いに同じであつても異なつていてもよい。Ａｒは
   四価の有機基であり、ｎは１〜１０００の整数である。 〕
3. （３）シロキサン変性ポリイミド前駆体の加熱硬化が、
   溶液濃度を２５重量％にしたときに溶液粘度が１０００
   〜２００００センチポイズ程度になるようなシロキサン
   変性ポリイミド前駆体溶液を導電性金属板に塗工し２０
   ０〜４００℃の温度で６０分ないし１８時間加熱するこ
   とにより行われる特許請求の範囲第１項または第２項記
   載の絶縁基板。