JPS6178219A - チツプ型表面波デバイス - Google Patents

チツプ型表面波デバイス

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Publication number
JPS6178219A
JPS6178219A JP20085684A JP20085684A JPS6178219A JP S6178219 A JPS6178219 A JP S6178219A JP 20085684 A JP20085684 A JP 20085684A JP 20085684 A JP20085684 A JP 20085684A JP S6178219 A JPS6178219 A JP S6178219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
surface wave
hole
wave element
acoustic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20085684A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Matsui
松井 敦志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP20085684A priority Critical patent/JPS6178219A/ja
Publication of JPS6178219A publication Critical patent/JPS6178219A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はチップ型の表面波デバイスに関するものである
従来の技術 近年、ビデオテーゾレコーダやテレビジョン受像機など
にお・いて、部品点4夕の削減やその晶品fl化のため
tで、表面波デバイスがIIJす1jさJするようtで
なって米ている。さC)に、その小型化のために、各種
電子部品のチップ化が進んでおり、表rfn波デバイス
もその例外ではない。
このような表向波デバイスのチップ化の一例として、第
2図に小すようなQt 39rが考えられる。すなわち
、円筒状絶縁ケース1内にそtlとはIγ同じ長さの表
面波素子2が嵌挿さtl、妙・つその両端VC金属製ギ
ャップ3がそ7Iそ1+かし7)などの手段で取f=f
けられ、刺11−シている。表面枝素r2の両端部には
その市惨が延設さ7’iており、この部分にて、キャッ
プ3の取付時にこのキャップ3と電気的に接続される。
発明が解決しようとする間41点 上述のようなチップ型の表面波デバイスにおいては、表
面波素子2の面目11す程ili分にてケース1に嶋接
保持さねでいるとULIIe−1いわげ素γ−2が宙に
浮いた状態で固定されているので、1′]φ9がむずか
しぐ手間取るたけでなく、衝撃にも弱いという問題があ
った。
本発明はこのような点に鑑み、作製が容易で耐衝撃性に
優れた表面波デバイスを提供することを目的とするもの
である。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、上記問題点を解決するために、外観が円柱状
またはその他の柱状をなし、その軸方向に平面部分を有
する貫通孔が設けられているケースを使用し、このケー
スの貫通孔内の平面部分に表面波素子を取付けたもので
ある。
作    用 本発明は上述の構造であるため、表面波素子をケース内
に容易に強固に取付けることができる。
実施例 第2図は本発明にかかるチップ型表面波素子の一実施例
の分解$1視図である。
図において、11は外観円柱状の絶縁性ケースであり、
その軸方向に千円柱状の貫通孔12が設けられている。
13は表面波素子で、ケース11の貫通孔12の平面部
に接fi i′rllなとで取付けられている。ケース
11は士うミノクス捷たけ合成樹脂等からなる。表面波
素子13としては、たとえば中央部分に櫛型電極が配設
され、その両側にグレーティングを設けた1ポート型衣
而波共賑器のパターンを有し、中央部分の櫛型電極から
両端部へ引出電極を延設したものを用いる。この引出電
極にはそれぞれ導電性接涜剤が塗布されている。
14は導電性キャップたとえば金属製キャップであり、
ケース11の両端にかしめなどの手段で取付けられ、ケ
ース1を封止している。この取付時に、表面波素子13
の引出電極と金属製キャンプ14とは前記導電性接着剤
によってそれぞれ電気的に接続される。
発明の詳細 な説明したように、本発明のチップ型表面波デバイスに
おいては、外観が柱状をなし、その軸方向に平面部分を
有する貫通孔が設けられたケースを使用し、このケース
の貫通孔内の平面部分に表面波素子を取付けているため
、従来品のように表面波素子を嵌入する必要がなくなり
、ケースに対する表面波素子の取付けが容易であり、デ
バイスの作製が容易となる。壕だ、表面波素子の保持状
態が強固であるため、耐衝撃性に非常に優れている。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例におけるチップ型表面波発振
子の分解斜視図、第2図は従来のチップ型フィルタの分
解斜視図である。 11・・・・ケース、12・・・・・表面波素子、13
・・・・・・金属製キャップ、14・・・・・金属性キ
ャップ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 14檀し漸洟1代イッフ゛ 第2図 /4.fン嘱1吐キτツフ゛ nQ−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外観が柱状をなし、軸方向に平面部分を有する貫
    通孔が設けられたケースと、このケースの貫通孔の平面
    部分に取付けられた表面波素子と、前記ケースの両端に
    取付けられて前記ケースを封止し、かつ前記表面波素子
    と電気的に接続されている端子部とを有することを特徴
    とするチップ型表面波デバイス。
  2. (2)ケースが外観円柱状をなし、その軸方向に半円柱
    状の貫通孔が設けられていることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載のチップ型表面波デバイス。
JP20085684A 1984-09-26 1984-09-26 チツプ型表面波デバイス Pending JPS6178219A (ja)

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JP20085684A JPS6178219A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 チツプ型表面波デバイス

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JPS6178219A true JPS6178219A (ja) 1986-04-21

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