JPS6175576A - ガスレ−ザ装置 - Google Patents

ガスレ−ザ装置

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JPS6175576A
JPS6175576A JP19784784A JP19784784A JPS6175576A JP S6175576 A JPS6175576 A JP S6175576A JP 19784784 A JP19784784 A JP 19784784A JP 19784784 A JP19784784 A JP 19784784A JP S6175576 A JPS6175576 A JP S6175576A
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JP
Japan
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gas flow
optical axis
aperture
laser device
optical path
Prior art date
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Application number
JP19784784A
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English (en)
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JPH0464194B2 (ja
Inventor
Kimiharu Yasui
公治 安井
Shigenori Yagi
重典 八木
Shuji Ogawa
小川 周治
Masaki Kuzumoto
昌樹 葛本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS6175576A publication Critical patent/JPS6175576A/ja
Publication of JPH0464194B2 publication Critical patent/JPH0464194B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/07Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
    • H01S3/073Gas lasers comprising separate discharge sections in one cavity, e.g. hybrid lasers
    • H01S3/076Folded-path lasers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はガスレーザ装置、とくに共振器内に折返し光
路をもつレーザ装置のコンパクト化、ハイパワー化に関
するものである。
〔従来の技術〕
第4図は従来のガスレーザ装置を示す断面構成図であり
、(パルス発振レーザ装置; BPN 5237゜特願
昭58−12−14 )第4図(a)は縦断面構成図を
第4図(b)は横断面構成図を示す。図において(l)
(2)は相対向する誘゛成体被覆電極、I3)はガス流
方向。
(4)は無声放電、(5)は高周波高電圧電源、(6)
は部分透過di、 +71. (81,telは全反射
鏡、 H,+Illはアパーチャ、OX5は出射光軸、
 [+31は全反射鏡+71. +81間を往復する光
の光軸、α匂は全反射鏡+81.191間の光軸。
(151は外部にとり出されろレーザ光である。
図に示すように、このガスレーザ装置は放電方向とガス
流方向と光軸とがほぼ直交しており、また光軸がガス流
と直交する面内に折返された折り返し共振器光路によっ
て構成されている。
次に動作について説明する。電極fil e 12+に
は電源(5)から高周波高電圧が加えられ1両電極間に
無声放電(4)が生じる。一方該放電空間にはレーザガ
ス流が流入し、励起されレーザ媒質を生ずる。ガス流方
向のゲイン(利得)は下流付近で最大となるためこの近
くに、光共恨器を設置してレーザ光全外部にとり出す。
光共振器は全反射鏡t91と部分反射鏡(61とで構成
され、内部で全反射鏡(力、(8)によ92回折返され
ている。また全反射鏡(9]と部分反射鏡(61の前面
には開孔をもつ金属部材のアパーチャ01(II+が挿
入され、レーザ光の横モードを決定し、つまシレーザビ
ーム断面積を決定している。
さてレーザ出力のハイパワー化を考えろ時、放電空間に
対する共振器空間の割合を増大する手段を採ることが可
能である。これは、アパーチャ0n(1υの開孔径を大
きくシ、レーザビーム断面積を増大することにより達成
されろ。第5図はこれを説明する縦断面構成図であり、
第5図(a)がパワーアップ以前を、第5図(b)がパ
ワーアップ後を示している。電極+IN2+と光路の端
との最近接距離d1.d2は両者同じに保つのが普通で
ある。放電空間は放電方向にのみ伸長し、ガス流方向に
変化はない。
共振器空間は放電方向、ガス流方向ともに伸長し。
その結果共振器空間の放電空間に対する割合が増大しハ
イパワー化が達成されろ。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のよう々従来のガスレーザ装置では、光軸がガス流
と直交する面内に折返されて構成されているから、ハイ
パワー化に際しては電極間の距離(ギャップ)を増大さ
せる必要があった、しかしながらギャップの増大は著し
い放電の不安定さの増大をもたらす。また第6図に示す
ように同じギャップにて2つ、もしくはそれ以上の横モ
ードを。
同じ共振器においてアパーチャの開孔径のみの交換によ
り発生させろ場合、より小さな開孔径を用いた時、後述
の理由で効率が著しく減少する等の問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、コンパクトで安定にハイパワー化のできろガスレー
ザ装置を提供するものである。
C問題点を解決するための手段〕 この発明によるガスレーザ装置は、光軸がガス流と斜交
する面内に折返された折返し共振器光路によって構成さ
れているものである。
〔作用〕
この発明におけろ折返し共振器光路はガス流と斜交して
おり、放電方向に対し傾むいているので電極間の距離を
広げなくてもアパーチャの開孔径全人きくして、共振器
空間を増大する。
〔実施例〕
第1図(a)(b)けそれぞれこの発明の一実施例によ
ろガスレーザ装置を示す縦断面構成図及び横断面構成図
である。放電励起機構については従来例と同様である。
共振器構成Pこついて第1図(a)と第5図(a)と全
比較すると1画図において電極il+ 121間の距離
(ギャップ)は変っていない。また、第1図に示される
この発明の装置においては光軸(I31がガス流方向及
び放電方向の両者と斜交する面内に設定されている。こ
れにより図に示すようにギャップはそのままで、共振器
空間を増大させた構成が可能となる。電極と光路とのす
き間(14,d2は従来例と同様で、光が電極にふれて
、電極を破壊することのないように選ばれている。出力
s Kw ao2レーザを例にとり説明すると(14,
d2は21程度である。光41IIi+3とガス流方向
の頌きθはすき間d1゜d2  とアパーチャの開孔径
の大きさ、配置、ギャップにより決定される。例えばシ
ングルモード1、5 KW l7)(’!02  レー
ザに用いた放電空間を利用して3KWマルチモードC0
2レーザを作った場合θは45°が適当であった。
さらにアパーチャの開孔径をきり換えろことによシ、モ
ードを切換える場合を考えてみろ。第6図に示される従
来の装置の横断面構成図を第3図(a)に、第2図に示
されるこの発明の他の実施例によるガスレーザ装置の横
断面構成図を第3図(b)に示し両図を比較する。従来
例ではアパーチャの開孔径を小さくすると9図中斜線部
(41) (42)で示す「すき間」ができる。ここを
通過する励起ガスは紙面垂直に紙面中に流れ込むためレ
ーザ発振に寄与できず、レーザ発振効率が低下する。一
方この発明によれば、光軸O3を含む光路と光軸(14
1を含む光路とがガス流方向からみて重なるように設定
しであるので上記の如きすき間によるロスがない。
従ってパワーの損失を最小限におさえながらアパーチャ
の開孔径を下げ、即ち横モードの次数を減らすことがで
きる。
〔ブ訓ル」の幼果〕
以上説明l−たように、この発明によれば光軸がガス流
と斜交する面内に折返された折返し共振器光路によって
装置を構成したので、コンパクトで安定さケ保らながら
・・イバワー化ができろ。
また、特許請求の範囲第2項のように、アパーチャのl
−4il化径を変化させろ構成とした時、開孔径が小さ
く々つた時のパワーダウンを従来にくらべ著しくlII
¥誠でき、より広い次数のレーザビームを十分々パワー
でもってとり出せろ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実殉例によるガス1/−ザ装置を
示す断面構成図、第2図はこの発明の他の実施例による
ガスレーザ装置を示す縦断面構成図。 第3図(a)は従来のガスレーザ装置分示す横断面構成
図、第3図(b)はこの発明の他の実施例によるガスレ
ーザ装置を示す横断面構成図、第4図は従来のガスレー
ザ装置を示す断面構成図、第5図は従来のガスレーザ装
置のハイパワー化を説明ずろ説。 明図、第6図はモード切換え全行う従来のガスレーザ装
置を示す縦断面構成図である。 il+ +21・・・電極、(3)・・・ガス流方向、
(61・・・部分透過鏡。 +71 (81191−・・全反射鏡、 (IIQll
−・7パーf ヤ、 Q2 (II (!41−=光軸
、(19・・・レーザ光。 々お9図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)放電方向とガス流方向と光軸とが互いにほぼ直交
    するものにおいて、上記光軸がガス流と斜交する面内に
    折返された折返し共振器光路によつて構成されているこ
    とを特徴とするガスレーザ装置。
  2. (2)折り返し共振器光路を構成する鏡の前面に設置さ
    れたアパーチヤの開孔径を変化し得る構成とし、各々の
    開孔径に対応したモードの異なるレーザ光を出力するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のガスレーザ
    装置。
JP19784784A 1984-09-21 1984-09-21 ガスレ−ザ装置 Granted JPS6175576A (ja)

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JP19784784A JPS6175576A (ja) 1984-09-21 1984-09-21 ガスレ−ザ装置

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JP19784784A JPS6175576A (ja) 1984-09-21 1984-09-21 ガスレ−ザ装置

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Publication Number Publication Date
JPS6175576A true JPS6175576A (ja) 1986-04-17
JPH0464194B2 JPH0464194B2 (ja) 1992-10-14

Family

ID=16381324

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JP19784784A Granted JPS6175576A (ja) 1984-09-21 1984-09-21 ガスレ−ザ装置

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JP (1) JPS6175576A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988000764A1 (en) * 1986-07-18 1988-01-28 Fanuc Ltd Gas laser device
US6904075B1 (en) 1999-07-30 2005-06-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Orthogonal gas laser device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988000764A1 (en) * 1986-07-18 1988-01-28 Fanuc Ltd Gas laser device
US4907241A (en) * 1986-07-18 1990-03-06 Fanuc Ltd Gas laser device
US6904075B1 (en) 1999-07-30 2005-06-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Orthogonal gas laser device

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JPH0464194B2 (ja) 1992-10-14

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