JPS6175545A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野］
本発明は、半導体装置のマーキングに適用して有効な技
術に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a technique that is effective when applied to marking of semiconductor devices.
［背景技術］
半導体装置の製造においてその最終工程としてマーキン
グ工程がある。マーキングは製品を識別するために重要
なものである。[Background Art] A marking process is the final process in the manufacture of semiconductor devices. Markings are important for identifying products.
このマーキング工程は、たとえは、放λノ１フィンを有
する型の半導体装置では刻印用のｍｌム印もしくは活字
の印字部分に粘性を有しかつ速乾１１１の品い特殊イン
ク付着させ、該ゴ１、印等を放熱フィンの表面に打ち付
けて行われる。In this marking process, for example, in the case of a type of semiconductor device having one fin for emitting λ, a special ink with viscosity and quick-drying 111 is applied to the ML stamp for marking or the printed part of type. 1. This is done by hitting a mark etc. on the surface of the heat dissipation fin.
このような特殊インクを用いるのは、放熱フィンまたは
パッケージ表面は通常、アルミニウム、セラミック、樹
脂等からなるため、マーキングがなされる部分、ずなわ
ち被マーキング部は水性インクとでは接触角が大きく水
性インクのぬれ性が悪く良好なマーキングが行えないた
めである。The reason why such special ink is used is that the radiation fin or package surface is usually made of aluminum, ceramic, resin, etc., so the area to be marked, that is, the area to be marked, has a large contact angle with water-based ink and is made of water-based ink. This is because the wettability of the ink is poor and good marking cannot be performed.
ところが、半導体装置のマーキングでし、１、このよう
に粘性および速乾性の高い特殊インクを使用しなげれば
ならないため、水性インクで用いられるマーキング方式
、ずなわちインクシエソ１一方式もしく番：１プリンタ
方式等の方式を採用することができない。そのため、該
特殊インクを用いて少量多品種生産の製品にマーキング
を行う場合には、ゴム印等の交換が繁雑になり、効率の
良いマーキングを行うことが困難となることが本発明者
によって明らかにされた。However, when marking semiconductor devices, it is necessary to use a special ink with high viscosity and quick drying properties. It is not possible to adopt a method such as a one-printer method. Therefore, the inventor has clarified that when using the special ink to mark products manufactured in small quantities and in a wide variety of products, it becomes complicated to replace rubber stamps, etc., making it difficult to perform efficient marking. It was done.
なお、放熱フィンを含めて、半導体装置のパッケージの
技術として詳しく述べである例としては、工業調査会、
昭和５５年１月１５日発行ｒｒｃ化実装技術ｊ、Ｐ１３
５〜Ｐ１５６がある。In addition, examples of detailed descriptions of semiconductor device packaging technology, including heat dissipation fins, include the Industrial Research Council,
Published on January 15, 1980 RRC implementation technology J, P13
There are 5 to P156.
［発明の目的］
本発明の目的は半導体装置のマーキング工程の高効率化
を図り、ひいては半導体装置の製造効率を向上させるこ
とのできる技術を提供することにある。[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a technique that can improve the efficiency of the marking process of semiconductor devices and, in turn, improve the manufacturing efficiency of semiconductor devices.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
「発明の概要］
本願において開示される発明のうし代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。"Summary of the Invention" A brief summary of the representative inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、被マーキング部を吸水性の高い物質により形
成することにより、インクシェツト方式、プリンタ方式
等のマーキングを可能にしてマーキング効率を向」二さ
セ、前記目的を達成するものである。That is, by forming the marked portion with a highly water-absorbing material, marking by an inksheet method, a printer method, etc. is made possible, and the marking efficiency is improved, thereby achieving the above object.
［実施例１］
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図である。[Embodiment 1] FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
本実施例による半導体装置１ば、例えばシリコンカーバ
イトまたはそれを主成分とする材料からなる基板２にペ
レット３が金−シリコン共晶よりなるろう祠４で取イ」
番ノられており、該基板２表面のペレット３の周囲には
略Ｓ字状のリート５が低融点ガラス６により取付けられ
ている。そして、ペレット３」二には複数のホンディン
グパン［７が設６）られており、該ポンディングパンｌ
” ７とり−ド５のインナーリード８とばワイヤ９によ
り電気的に接続されている。In the semiconductor device 1 according to this embodiment, a pellet 3 is placed on a substrate 2 made of, for example, silicon carbide or a material whose main component is silicon carbide, with a wax 4 made of gold-silicon eutectic.
A substantially S-shaped reed 5 is attached around the pellet 3 on the surface of the substrate 2 using a low melting point glass 6. Pellets 3'' are provided with a plurality of bonding pans [7 are provided 6), and the bonding pans l.
7 is electrically connected to the inner lead 8 of the lead 5 by a wire 9.
また、該基板２は低融点ガラス１０を介してアルミナか
らなるキャップ１１で気密封止されている。Further, the substrate 2 is hermetically sealed with a cap 11 made of alumina via a low melting point glass 10.
該基板２のペレット３取付は面と反対側の面にはアルミ
ニウムからなる放熱フィン■２がシリコーン系の接着剤
１３により取付けられており、該放熱フィンＩ２のフィ
ン表面には裏面に粘着面を有する吸水性のある紙片１４
が粘着面をフィン側に貼付されている。該紙片は水性イ
ンクとのぬれ性が良く、すなわち、接触角が小さいため
、該紙片１４上は水性インクによるマーキングが可能と
なるのである。To attach the pellet 3 to the substrate 2, a heat dissipation fin 2 made of aluminum is attached to the surface opposite to the surface using a silicone adhesive 13, and the fin surface of the heat dissipation fin I2 has an adhesive surface on the back side. 14 pieces of water-absorbing paper with
The adhesive side is attached to the fin side. Since the paper strip has good wettability with water-based ink, that is, the contact angle is small, it is possible to mark the paper strip 14 with water-based ink.
そのため、水性インクによるマーキング方式、たとえば
インクジェット方式、プリンタ方式によるマーキングが
可能になるのである。Therefore, marking using a water-based ink method, such as an inkjet method or a printer method, becomes possible.
また、本実施例によれば、前述したように吸水性材料と
して紙を用いるため、被マーキング部を容易に形成する
ことができるのである。Further, according to this embodiment, since paper is used as the water-absorbing material as described above, the portion to be marked can be easily formed.
［実施例２コ
第２図は本発明による半導体装置の他の実施例を示す断
面図である。[Embodiment 2] FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention.
本実施例による半導体装置２］はアルミナからなる基板
２２にろう材２３によりペレット２４が取付けられてお
り、該基板２２の表面のペレット２４の周囲には略Ｉ−
字状のり一部２５が低融点ガラス２６により取付けられ
ている。そして、ベレット２４上には複数のポンディン
グパッド２７が設けられており、該ポンディングパッド
２７とリード２５のインナーリード２８とはワイヤ２９
により電気的に接続されている。In the semiconductor device 2 according to the present embodiment, a pellet 24 is attached to a substrate 22 made of alumina using a brazing material 23, and around the pellet 24 on the surface of the substrate 22, approximately I-
A letter-shaped glue portion 25 is attached by a low melting point glass 26. A plurality of bonding pads 27 are provided on the bellet 24, and the bonding pads 27 and the inner lead 28 of the lead 25 are connected to the wire 29.
electrically connected.
また、該基板は低融点ガラス３０を介してアルミナから
なるキャップ３１で気密封止されおり、該キャップ３１
の表面の一部にはシリカゲル３４の微粉末が接着剤によ
り付着されている。Further, the substrate is hermetically sealed with a cap 31 made of alumina via a low melting point glass 30.
Fine powder of silica gel 34 is attached to a part of the surface with an adhesive.
シリカゲル３４ば多孔質材料として高い吸水性を有する
。そのため、半導体装置２１の表面の一部に該シリカゲ
ル３４の微粉末を付着させることにより、水性インクと
のぬれ性が良好な、接触角の小さい被マーキング部を形
成することができるため、水性インクによるマーキング
が可能となるのである。Silica gel 34 has high water absorption as a porous material. Therefore, by attaching the fine powder of the silica gel 34 to a part of the surface of the semiconductor device 21, it is possible to form a marked portion with good wettability with water-based ink and a small contact angle. marking becomes possible.
このように、本実施例においても実施例１と同様、水性
インクを用いたマーキング方式たとえば、インクジェッ
ト方式、プリンタ方式によるマーキングが可能となるほ
か、パンケージ表面の外観に影響を与えることなく被マ
ーキング部を形成することが可能となる。In this way, similar to Embodiment 1, this embodiment also allows marking using water-based ink, such as an inkjet method or a printer method, and also allows marking to be performed on the marked area without affecting the appearance of the pan cage surface. It becomes possible to form.
［効果］
（］）、パッケージもしくは放熱フィンの表面の被マー
キング部を吸水性の高い物質で形成することにより水性
インクによるマーキングを可能にすることができる。[Effects] () By forming the marking target portion on the surface of the package or heat dissipation fin with a highly water-absorbing substance, it is possible to mark with water-based ink.
＋２１． ｆｌ）により、インクジェット方式もしくは
ブリ、 ンタ方式によるマーキングが可能となり、特
に少量多品種製品のマーキングの効率を向上させること
ができる。 ゛
（３）、被マーキング部を紙片を貼付して形成すること
により前記（１）および（２）と同様にマーキングの効
率を向上させることができるとともに、被マーキング部
を容易に形成することができるため、さらに製造効率の
向上を図ることができる。+21. fl) enables marking by an inkjet method or printer method, and can improve the efficiency of marking, especially for small-volume, high-mix products.゛(3) By forming the marked part by pasting a piece of paper, the efficiency of marking can be improved in the same way as in (1) and (2) above, and the marked part can be easily formed. Therefore, manufacturing efficiency can be further improved.
（４）、被マーキング部を多孔質材料、たとえばシリカ
ゲル等の微粉末を付着させて形成することにより前記（
１）および（２）と同様にマーキングの効率を向上させ
ることができるとともに、パッケージ表面の外観に影響
を与えることなく被マーキング部を形成することができ
る。(4) By forming the part to be marked by adhering a porous material, for example, fine powder such as silica gel,
Similar to 1) and (2), the efficiency of marking can be improved, and the portion to be marked can be formed without affecting the appearance of the package surface.
以」二本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。Hereinafter, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but the present invention is not limited to the above-mentioned Examples, and it is understood that various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
たとえば、半導体装置のパッケージは樹脂であっても良
い。この場合、パッケージ表面のマーキングを行う部分
にあらかしめ白色系の染料を塗布した後に多孔質材料を
付着させて被マーキング部を形成すれば、黒色系のパッ
ケージであっても水性の黒色インクを用いてマーキング
することが可能となる。For example, the package of the semiconductor device may be made of resin. In this case, if you apply a white dye to the part of the package surface to be marked and then attach a porous material to form the part to be marked, you can use water-based black ink even if the package is black. It becomes possible to make markings.
また、本実施例では多孔質材料としてシリカゲルについ
て述べたが、同様な性質をもつ物質であればいかなるも
のであっても良い。Further, in this embodiment, silica gel is used as the porous material, but any material having similar properties may be used.
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、いわゆる半導体装
置に適用した場合について説明したが、これに限定され
るものではなく、他の電子部品、たとえば少量多品種生
産のトランジスタ、ダイオード等においても適用して有
効な技術に関するものである。[Field of Application] In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to the field of application which is the background thereof, which is a so-called semiconductor device, but the present invention is not limited to this, and other The present invention relates to a technology that can be effectively applied to electronic components such as transistors, diodes, etc. that are produced in a wide variety of products in small quantities.
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による実施例１である半導体装置を示
す断面図、
第２図は、本発明の実施例２である半導体装置を示す断
面図である。
１・・・半導体装置、２・・・基板、３・・・ペレット
、４・・・ろう材、５・・・リード、６・・・低融点ガ
ラス、７・・・ポンディングパッド、８・・・インナー
リード、９・ ・・ワイヤ、１０・・・低融点ガラス、
】１・・・キャップ、１２・・・放熱フィン、１３・・
・接着剤、１４・・・紙片、２１・・・半導体装置、２
２・・・基板、２３・・・ろう材、２４・・・ペレット
、２５・・・リード、２６・・・低融点ガラス、２７・
・・ポンディングパッド、２８・ ・ ・インナーリー
ド、２！］・・・ワイヤ、３０・・・低融点ガラス、３
１・・・キャンプ、３４・・・シリカゲル。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Semiconductor device, 2... Substrate, 3... Pellet, 4... Brazing material, 5... Lead, 6... Low melting point glass, 7... Ponding pad, 8...・・Inner lead, 9・・・Wire, 10・・Low melting point glass,
]1...Cap, 12...Radiation fin, 13...
・Adhesive, 14... Piece of paper, 21... Semiconductor device, 2
2... Substrate, 23... Brazing material, 24... Pellet, 25... Lead, 26... Low melting point glass, 27...
・・Ponding pad, 28・ ・・Inner lead, 2! ]...Wire, 30...Low melting point glass, 3
1...Camp, 34...Silica gel.
Claims (1)
部が吸水性の高い物質により形成されてなることを特徴
とする半導体装置。 ２、吸水性の高い物質が紙であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、吸水性の高い物質が多孔質材料であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４、多孔質材料がシリカゲルであることを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の半導体装置。[Scope of Claims] 1. A semiconductor device characterized in that a portion to be marked on the surface of a package or a radiation fin is formed of a highly water-absorbing substance. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the highly water-absorbing substance is paper. 3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the highly water-absorbing substance is a porous material. 4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the porous material is silica gel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196678A JPS6175545A (en) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196678A JPS6175545A (en) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175545A true JPS6175545A (en) | 1986-04-17 |
Family
ID=16361772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59196678A Pending JPS6175545A (en) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175545A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06132425A (en) * | 1992-10-22 | 1994-05-13 | Kyocera Corp | Semiconductor device |
| JP2002248845A (en) * | 2001-02-23 | 2002-09-03 | Tohoku Ricoh Co Ltd | Heat sensitive stencil printing master, manufacturing method therefor, and printing system |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59196678A patent/JPS6175545A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06132425A (en) * | 1992-10-22 | 1994-05-13 | Kyocera Corp | Semiconductor device |
| JP2002248845A (en) * | 2001-02-23 | 2002-09-03 | Tohoku Ricoh Co Ltd | Heat sensitive stencil printing master, manufacturing method therefor, and printing system |
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