JPS6175519A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
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- JPS6175519A JPS6175519A JP19750584A JP19750584A JPS6175519A JP S6175519 A JPS6175519 A JP S6175519A JP 19750584 A JP19750584 A JP 19750584A JP 19750584 A JP19750584 A JP 19750584A JP S6175519 A JPS6175519 A JP S6175519A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ） 産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回＠ｔ−製作する為に用ｉらｎる
７オトマスクに関し、特にラスタスキャン型電子線露光
装置にて製造されるフォトマスクに関する。
７オトマスクに関し、特にラスタスキャン型電子線露光
装置にて製造されるフォトマスクに関する。
Ｉ：Ｉ） 従来の技術
一般のラスタスキャン型電子線露光装置は、例えは「三
洋電ａＦｉ報ＶＯＬ＠１４−Ｎｏ−２，１９８ηに示さ
ｎてｉる如（，７オトマスクを描画する為の装置であっ
て、第６因に示す如くこの７オトマスクＩｌｌは各チン
１１２１列ｔｘ方向のストライプ（３１に分割しｔ７オ
トマスク１１１’ｉＸ方向に移動しつつ電子線ビームが
このストライプ１３］中でＹ方向にスキャンさｎるので
ある。そしてこの電子線ビームは矢印で印す如（各チッ
プ（２１列のストライプ＋３１に沿ってブランキングさ
ｎるのである。
洋電ａＦｉ報ＶＯＬ＠１４−Ｎｏ−２，１９８ηに示さ
ｎてｉる如（，７オトマスクを描画する為の装置であっ
て、第６因に示す如くこの７オトマスクＩｌｌは各チン
１１２１列ｔｘ方向のストライプ（３１に分割しｔ７オ
トマスク１１１’ｉＸ方向に移動しつつ電子線ビームが
このストライプ１３］中でＹ方向にスキャンさｎるので
ある。そしてこの電子線ビームは矢印で印す如（各チッ
プ（２１列のストライプ＋３１に沿ってブランキングさ
ｎるのである。
この様にして描画されるフォトマスクＩＩＪに於いては
、ストライプ１３］中の継ぎ合せ精度が問題であり１例
えば電子線ビームのＹ方向へのスキャン振巾かストライ
プ１３１巾より小さいとストライプ１３１同にｔきｆｉ
ｌｌができ、又逆にこのスキャン振巾かストライプ１３
１巾より大きいと、ストライプｆ３ＪｔＩＩＪＫ描画そ
こで従来は電子線ビームの振巾埴を各々変化を変化させ
て実際のパターンを試験フォトマスクに描画せしめ、こ
の７オトマスクのパターｙｆ：ｓ微鏡で目視ＩＭｇする
か、測長装置にてストライプ間を測長する事に依って適
正な電子線ビームの振巾１厘會刊定してい友。
、ストライプ１３］中の継ぎ合せ精度が問題であり１例
えば電子線ビームのＹ方向へのスキャン振巾かストライ
プ１３１巾より小さいとストライプ１３１同にｔきｆｉ
ｌｌができ、又逆にこのスキャン振巾かストライプ１３
１巾より大きいと、ストライプｆ３ＪｔＩＩＪＫ描画そ
こで従来は電子線ビームの振巾埴を各々変化を変化させ
て実際のパターンを試験フォトマスクに描画せしめ、こ
の７オトマスクのパターｙｆ：ｓ微鏡で目視ＩＭｇする
か、測長装置にてストライプ間を測長する事に依って適
正な電子線ビームの振巾１厘會刊定してい友。
（ハ）発８Ａが解決しようとする問題点上述の如き従来
の電子線ビームの珈巾値の判定方法に依ｎば７オトマス
ク（１）の全面に亘るストライプ間の継ぎ台せ＊ｙｔＩ
ｆ：の測定を行なうのは極めて煩雑な作業であり、多大
の時間と人力全必要とする不都合があった。
の電子線ビームの珈巾値の判定方法に依ｎば７オトマス
ク（１）の全面に亘るストライプ間の継ぎ台せ＊ｙｔＩ
ｆ：の測定を行なうのは極めて煩雑な作業であり、多大
の時間と人力全必要とする不都合があった。
に）問題点を解決するための手段
本発明は、フォトマスクＶｃ苧導体チップの主パターン
と共に主パターン以外の領域にそのストライプ向に跨っ
て２つのマークパターンが近接あるいは連接して描画配
置せしめるものである。
と共に主パターン以外の領域にそのストライプ向に跨っ
て２つのマークパターンが近接あるいは連接して描画配
置せしめるものである。
（ホ）作 用
本発明に依ｎば、フォトマスク自体にストライプ間に跨
って２つのマークパターンが近接あるいは連接畜；Ｍ二
連接したものを描画しているので、この一対のマークパ
ターンの連接あるに離間は目視にて確実にしかも短時間
で判定可能である。
って２つのマークパターンが近接あるいは連接畜；Ｍ二
連接したものを描画しているので、この一対のマークパ
ターンの連接あるに離間は目視にて確実にしかも短時間
で判定可能である。
（へ）実 ′ｍ 例
第１図に本発明の７オトマスクの一実施例を示す・同図
（ａ）はフォトマスク＋１３の平面図、同図（ｂ）はそ
のチップ単位の平面図、同図（ｏ）及び（ｄ）はその翼
部拡大図である。こｎ等に図示した本発明の７オトマス
クｉｌｌは行列配置さｎたテンプ１２１単位の描画像を
得るものであるが、同図ｆｔ、）に示す如く毎チップ（
２）単位の中火部の主パターン領域＆ｌＫ主パターンを
描画配置すると同時に、その周辺部の一側辺部（２Ｕ：
於いて、各ストライプｆｇｌｉｇＪ闇毎に跨って２つの
マークパターン（Ｍ）（Ｍ）対ｔ６組描１Ｉ１１ｉ配置
したものである。即ち、各ストライプｉ：ｌｌ Ｆ３１
間の境界線（１）付近には同図（０）に示す如（％Ｘ方
向及びＹ方向に夫々一定間隔ａ例えば継ぎ合せ精度の許
容範囲である０、５μ蒙は重畳した一辺５μｍの正方形
の第１のマークパターン対（Ｍ＋）（ｎ＋）と、互いに
点接狗へした一辺５μｍの正方形の第２のマークパター
ン対（Ｍ±）（Ｍ±）と、Ｘ方向及びＹ方向に夫々一定
間隔ａ例えば１μ畝は隙間した一辺５μｍの正方形の第
６のマークパターン対（Ｍ−）（Ｍ−）と、が描画配置
さｎている。尚同図（Ｑ）はポジパターンを示してしる
が同図（（１）の如くネガパターンであってもよい。
（ａ）はフォトマスク＋１３の平面図、同図（ｂ）はそ
のチップ単位の平面図、同図（ｏ）及び（ｄ）はその翼
部拡大図である。こｎ等に図示した本発明の７オトマス
クｉｌｌは行列配置さｎたテンプ１２１単位の描画像を
得るものであるが、同図ｆｔ、）に示す如く毎チップ（
２）単位の中火部の主パターン領域＆ｌＫ主パターンを
描画配置すると同時に、その周辺部の一側辺部（２Ｕ：
於いて、各ストライプｆｇｌｉｇＪ闇毎に跨って２つの
マークパターン（Ｍ）（Ｍ）対ｔ６組描１Ｉ１１ｉ配置
したものである。即ち、各ストライプｉ：ｌｌ Ｆ３１
間の境界線（１）付近には同図（０）に示す如（％Ｘ方
向及びＹ方向に夫々一定間隔ａ例えば継ぎ合せ精度の許
容範囲である０、５μ蒙は重畳した一辺５μｍの正方形
の第１のマークパターン対（Ｍ＋）（ｎ＋）と、互いに
点接狗へした一辺５μｍの正方形の第２のマークパター
ン対（Ｍ±）（Ｍ±）と、Ｘ方向及びＹ方向に夫々一定
間隔ａ例えば１μ畝は隙間した一辺５μｍの正方形の第
６のマークパターン対（Ｍ−）（Ｍ−）と、が描画配置
さｎている。尚同図（Ｑ）はポジパターンを示してしる
が同図（（１）の如くネガパターンであってもよい。
斯様なフォトマスク＋１１はラスタスキャン型電子線露
光装宙にて描画さｎるのであるが、描画さｎ九フォトマ
スク＋１１の上述した如き１１単位のマークパターン対
（Ｍ＋）（Ｍ＋）、（Ｍ±ＨＭｆ）、（Ｍ−）（Ｍ−）
を光学顕微鏡にて観察ｆｎば、例えば互いに重畳さｎて
いるべきマークパターン対（Ｍ十ン（Ｍ＋）がＭ関して
おｎば継ぎ合せ精度の許容範囲（例えば０．５μｍ）外
で電子線ビームの振巾値は小さすぎる事となり、逆に互
いに離間さｎているべきマークパターン対（Ｍ−）（Ｍ
−）が接触しておｎば継ぎ合せ精度の許容範囲外で電子
線ビームの振巾値は大きすぎる事となる。従って、重畳
さｎているべきマークパターン対（Ｍ＋）（Ｍ＋）が重
畳さｎ１且つ離間さ几ているべきマークパターン対（Ｍ
−）（Ｍ−）が隙間さｎている時の゛電子線ビームの振
巾は適正であり、ストライプ間の継ぎ合せ精度は許容範
囲内にある事となる。
光装宙にて描画さｎるのであるが、描画さｎ九フォトマ
スク＋１１の上述した如き１１単位のマークパターン対
（Ｍ＋）（Ｍ＋）、（Ｍ±ＨＭｆ）、（Ｍ−）（Ｍ−）
を光学顕微鏡にて観察ｆｎば、例えば互いに重畳さｎて
いるべきマークパターン対（Ｍ十ン（Ｍ＋）がＭ関して
おｎば継ぎ合せ精度の許容範囲（例えば０．５μｍ）外
で電子線ビームの振巾値は小さすぎる事となり、逆に互
いに離間さｎているべきマークパターン対（Ｍ−）（Ｍ
−）が接触しておｎば継ぎ合せ精度の許容範囲外で電子
線ビームの振巾値は大きすぎる事となる。従って、重畳
さｎているべきマークパターン対（Ｍ＋）（Ｍ＋）が重
畳さｎ１且つ離間さ几ているべきマークパターン対（Ｍ
−）（Ｍ−）が隙間さｎている時の゛電子線ビームの振
巾は適正であり、ストライプ間の継ぎ合せ精度は許容範
囲内にある事となる。
従って、この様な７オトマスクのストライプ間の継ぎ合
せ精度の検出方法を用いて、以下に述べる如（ラスタス
キャン型電子線露光装厘に於ける線ビームの振巾１！を
適正な値に調節する事が可能となゐ・ ここでラスタスキャン梨゛−子ａＸ光表首について筐ず
説明する。該装置は第２因に示す如く、電子疵（４］よ
り放出さｎた゛磁子は′磁子鏡（櫨１と陽稲（５１同で
加速さｎた説、６段の電磁レンズ１ｉｉｋｉｉｉＪＩ釦
にて集束さｎつつ、又ブランキング電極（７）、偏向電
極（８１にてブランキング及び偏向さｎつつステージ（
８１上の７オトマスク（１１上面のレジスト属に入射さ
ｎ。
せ精度の検出方法を用いて、以下に述べる如（ラスタス
キャン型電子線露光装厘に於ける線ビームの振巾１！を
適正な値に調節する事が可能となゐ・ ここでラスタスキャン梨゛−子ａＸ光表首について筐ず
説明する。該装置は第２因に示す如く、電子疵（４］よ
り放出さｎた゛磁子は′磁子鏡（櫨１と陽稲（５１同で
加速さｎた説、６段の電磁レンズ１ｉｉｋｉｉｉＪＩ釦
にて集束さｎつつ、又ブランキング電極（７）、偏向電
極（８１にてブランキング及び偏向さｎつつステージ（
８１上の７オトマスク（１１上面のレジスト属に入射さ
ｎ。
このレジスト′ｔ−感光する事に依って所望の描画像が
侍らｎる。そして、この描画動作の制御は、記憶手段＋
１ｔＩｌＫ記憶さＴＬｆｌチップ単位の主パターンと上
述し７’Ｃ５組単位のマークパターン対（ロ）（補のデ
ータに基づいて、制御部（１１）かブランキング電磁（
７）並びに偏光電植（８］へ印加電圧を供給する事に依
って行なわｎる。
侍らｎる。そして、この描画動作の制御は、記憶手段＋
１ｔＩｌＫ記憶さＴＬｆｌチップ単位の主パターンと上
述し７’Ｃ５組単位のマークパターン対（ロ）（補のデ
ータに基づいて、制御部（１１）かブランキング電磁（
７）並びに偏光電植（８］へ印加電圧を供給する事に依
って行なわｎる。
即ち、斯様な装置の電子線ビームの振巾埴ｔ１節設定す
るには、電子線ビーム偏光の為に偏光型ａ１７１１ｃｌ
−４］加さ２’しているｍｓ状の電圧の電圧Ｉ［ｒ２０
ｒｎｖ車位で質化させて試験用の７オトマスク１１Ｊの
チンゾ１２１列単位を複数本描画すると、チップ列毎に
電子線ビームの嶽巾頭が１μｍ変化した上述ｏ−ｒ−ク
パターン対（に（Ｌつが得らＴＬる憂となる。従って、
この試験用の７万トマスク１１）の各６Ｍ単位のマーク
パターン対（Ｍ）（局を光学顕微鋭にて貌奈して、適正
な電子線ビームの振巾値が侍らｒしている。
るには、電子線ビーム偏光の為に偏光型ａ１７１１ｃｌ
−４］加さ２’しているｍｓ状の電圧の電圧Ｉ［ｒ２０
ｒｎｖ車位で質化させて試験用の７オトマスク１１Ｊの
チンゾ１２１列単位を複数本描画すると、チップ列毎に
電子線ビームの嶽巾頭が１μｍ変化した上述ｏ−ｒ−ク
パターン対（に（Ｌつが得らＴＬる憂となる。従って、
この試験用の７万トマスク１１）の各６Ｍ単位のマーク
パターン対（Ｍ）（局を光学顕微鋭にて貌奈して、適正
な電子線ビームの振巾値が侍らｒしている。
と判定さｎるマークパターン対（Ｍ）（Ｍ）ｆｆｉ検出
する事に依って、ストライプ１３１間の適正な継ぎ合せ
積度を得る事のできる電子線ビームの振巾碩すなわち偏
光型ａｌ！＋７１への印加電圧値を知る事が０Ｊ能であ
る。
する事に依って、ストライプ１３１間の適正な継ぎ合せ
積度を得る事のできる電子線ビームの振巾碩すなわち偏
光型ａｌ！＋７１への印加電圧値を知る事が０Ｊ能であ
る。
又、前述し′ｆ′Ｃ７オトマスク（１］のストライプ間
の継ぎ合せ精度の検出方法に依ｎば、上述の如き電子線
露光装置の調節のみならず、実際のフォトマスクＨ１（
ｉ−ｇ光描画し罠ものについてもストライプ間の継ぎ合
せ積度が許容範囲外にある６組単位のマークパターン対
（ＭＨＭＨｃ検出する事に依ってｔこノマークパターン
対（Ｍ）（１４）にＦ４接する主パターン金不適正と評
価する事ができ、このフォトマスクｉｌｌを用いて侍ら
ｎる牛辱坏チップの内不艮品を予め知る事が可能となる
。
の継ぎ合せ精度の検出方法に依ｎば、上述の如き電子線
露光装置の調節のみならず、実際のフォトマスクＨ１（
ｉ−ｇ光描画し罠ものについてもストライプ間の継ぎ合
せ積度が許容範囲外にある６組単位のマークパターン対
（ＭＨＭＨｃ検出する事に依ってｔこノマークパターン
対（Ｍ）（１４）にＦ４接する主パターン金不適正と評
価する事ができ、このフォトマスクｉｌｌを用いて侍ら
ｎる牛辱坏チップの内不艮品を予め知る事が可能となる
。
（ト）発明の効果
本発明のフォトマスクは、牛辱俸チップの主ノ（ターン
と共に主パターン以外の領域にてストライプ間に跨って
一対のマークパターンか互いに近接 ゛あるい
は連接して配置さｎるべくラスタスキャン梨電子線蕗光
袋厘にて描画されたものであるので、一連のマークパタ
ーンの連接あるいは離開を目視して確実にしかも短時間
に確昭丁ゐ事が可能となり、こｎｔｌ（依ってストライ
プ間の継ぎ合せ誤差を簡単［判定する事ができる。従っ
て、この抽電子ｍ、嬉光装血での電子線ビームの振巾埴
を適正な値に調節できるばかりか、得らｎ ｆＣ７オト
マスクを並びに最終的に製造さｎる半導体チップの評価
ｔも可能とする事ができる。
と共に主パターン以外の領域にてストライプ間に跨って
一対のマークパターンか互いに近接 ゛あるい
は連接して配置さｎるべくラスタスキャン梨電子線蕗光
袋厘にて描画されたものであるので、一連のマークパタ
ーンの連接あるいは離開を目視して確実にしかも短時間
に確昭丁ゐ事が可能となり、こｎｔｌ（依ってストライ
プ間の継ぎ合せ誤差を簡単［判定する事ができる。従っ
て、この抽電子ｍ、嬉光装血での電子線ビームの振巾埴
を適正な値に調節できるばかりか、得らｎ ｆＣ７オト
マスクを並びに最終的に製造さｎる半導体チップの評価
ｔも可能とする事ができる。
第１図（ａ）、（１））、（０）、［ｄ）は、本発明の
７オトマスクの一実施例’ｆ、７ｆ、丁全体平面凶、部
分平■凶、要部拡大平面図、及び他の実施例の要部拡大
平面図、第２図は電子＃線光装置の概略構成図、第６凶
は露光方法を示す模式図である。 ｉｌ＋−７オトマスク、（２）・・・チップ、１１１・
・・ストライプ、（ロ）・・・マイクパターン。
７オトマスクの一実施例’ｆ、７ｆ、丁全体平面凶、部
分平■凶、要部拡大平面図、及び他の実施例の要部拡大
平面図、第２図は電子＃線光装置の概略構成図、第６凶
は露光方法を示す模式図である。 ｉｌ＋−７オトマスク、（２）・・・チップ、１１１・
・・ストライプ、（ロ）・・・マイクパターン。
Claims (1)
- １）ラスタスキャン型電子線露光装置にて描画されるフ
ォトマスクに於いて、半導体チップの主パターンと共に
主パターン以外の領域にてストライプ間に跨つて一対の
マークパターンが互いに近接あるいは連接して描画配置
された事を特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19750584A JPS6175519A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19750584A JPS6175519A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175519A true JPS6175519A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16375587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19750584A Pending JPS6175519A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025407A (ja) * | 1988-06-22 | 1990-01-10 | Nec Corp | 電子線描画用接続精度測定方法 |
| JP2004200508A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19750584A patent/JPS6175519A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025407A (ja) * | 1988-06-22 | 1990-01-10 | Nec Corp | 電子線描画用接続精度測定方法 |
| JP2004200508A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク |
| JP4604443B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク |
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