JPS6175307A - 光導波路形成方法 - Google Patents
光導波路形成方法Info
- Publication number
- JPS6175307A JPS6175307A JP59196566A JP19656684A JPS6175307A JP S6175307 A JPS6175307 A JP S6175307A JP 59196566 A JP59196566 A JP 59196566A JP 19656684 A JP19656684 A JP 19656684A JP S6175307 A JPS6175307 A JP S6175307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light guide
- ions
- layer
- optical waveguide
- ion exchange
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1342—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using diffusion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信システム等に用いる光導波路の形成方法
に関する。
に関する。
ＬｉＮｂＣ）５ ｙ ＬｉＴａＯ３等による基板に先導
波路を形成する方法として従来よシ利用されているイオ
ン交換法は、安息香酸、ＡｇＮＯ３等の溶融液中でプロ
トンとリチウムイオンの交換を行うものであシ、このイ
オン交換法は’ Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、
４１（７）１ 、 Ｐ２Ｏ３（’８２） ’、’ Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ４３Ｃ２）１５
、 Ｐ１３１−１３３（’８３） ’、及び１昭和５９
年春季第３１回応用物理関係連合講演会予稿集、 Ｐ１
１８゜３１ａ−に−６“に述べられているように、低温
で処理できること、及び光損傷に強い光導波路が得られ
る等の優れた特徴を有している。
波路を形成する方法として従来よシ利用されているイオ
ン交換法は、安息香酸、ＡｇＮＯ３等の溶融液中でプロ
トンとリチウムイオンの交換を行うものであシ、このイ
オン交換法は’ Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、
４１（７）１ 、 Ｐ２Ｏ３（’８２） ’、’ Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ４３Ｃ２）１５
、 Ｐ１３１−１３３（’８３） ’、及び１昭和５９
年春季第３１回応用物理関係連合講演会予稿集、 Ｐ１
１８゜３１ａ−に−６“に述べられているように、低温
で処理できること、及び光損傷に強い光導波路が得られ
る等の優れた特徴を有している。
しかしながら上述した従来の方法により得られる光導波
路は、基板の結晶表面のごく薄い層で形成され、かつ基
板と光導波路との屈折率差が大きいため、光導波路の単
一モード化が難しく、また光の入射が困難であるという
問題があった。
路は、基板の結晶表面のごく薄い層で形成され、かつ基
板と光導波路との屈折率差が大きいため、光導波路の単
一モード化が難しく、また光の入射が困難であるという
問題があった。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、光導波路の単一モード化を計ることができ、かつ光
の入射が容易な先導波路を得ることができる光導波路形
成方法を実現することを目的とするものである。
で、光導波路の単一モード化を計ることができ、かつ光
の入射が容易な先導波路を得ることができる光導波路形
成方法を実現することを目的とするものである。
上述した目的を達成するため、本発明はイオン交換によ
り基板の結晶内部に取込んだイオンを拡散源として、イ
オン交換時より高温で基板を熱処理することによりイオ
ン交換層を拡散させるものである。
り基板の結晶内部に取込んだイオンを拡散源として、イ
オン交換時より高温で基板を熱処理することによりイオ
ン交換層を拡散させるものである。
上述し次子段によれば、基板表層に形成される先導波路
の断面形状ならびに基板との屈折率差を制御することが
でき、所定の断面形状及び屈折率を有する光導波路を形
成することができる。
の断面形状ならびに基板との屈折率差を制御することが
でき、所定の断面形状及び屈折率を有する光導波路を形
成することができる。
以下図面を参照して実施例を説明する。
第１図は本発明による光導波路形成方法の一実施例を示
す断面図で、同図（、）はイオン交換層が形成された状
態、同図（ｂ）は光導波路が形成された状態をそれぞれ
示している。
す断面図で、同図（、）はイオン交換層が形成された状
態、同図（ｂ）は光導波路が形成された状態をそれぞれ
示している。
まず第１図において、１は例えばＬｉＮｂＯ３による基
板で、この基板１上にホトリソグラフィーあるいは蒸着
等の手段によりマスク層２を形成し、かつ形成すべき光
導波路のパターンと対応した窓３を形成する。
板で、この基板１上にホトリソグラフィーあるいは蒸着
等の手段によりマスク層２を形成し、かつ形成すべき光
導波路のパターンと対応した窓３を形成する。
次に、前記の如くマスク層２及び窓３と形成した基板１
を図示しない例えば安息香酸リチウムの溶融液中に浸し
、２００〜２５０℃の温度で１０分〜１０時間程度保持
することによりイオン交換つま ′９プロトンとリチウ
ムイオンの交換を行って前記窓３直下の基板１表層にイ
オン交換層４ｆ：形成する。
を図示しない例えば安息香酸リチウムの溶融液中に浸し
、２００〜２５０℃の温度で１０分〜１０時間程度保持
することによりイオン交換つま ′９プロトンとリチウ
ムイオンの交換を行って前記窓３直下の基板１表層にイ
オン交換層４ｆ：形成する。
Ａｇイオン交換を行う場合には、３００℃前後のＡｇＮ
Ｏ３溶融液中に前述した基板１を浸し、保持すればよい
。
Ｏ３溶融液中に前述した基板１を浸し、保持すればよい
。
いずれの場合にも、基板１の結晶中に注入されるイオン
の量は、溶融液の混合比及び浸漬保持する時間によ多制
御することができる０ そして、前記の如くイオン交換層４を形成した基板を、
イオン交換時の処理温度より高い４００〜６００℃の温
度とした図示しない炉の中で３０分〜４時間程度保持す
ることによりイオン交換層４中のイオンを拡散させて、
第１図（ｂ）に示すようにイオン交換層４より断面積の
広い先導波路５を形成する。
の量は、溶融液の混合比及び浸漬保持する時間によ多制
御することができる０ そして、前記の如くイオン交換層４を形成した基板を、
イオン交換時の処理温度より高い４００〜６００℃の温
度とした図示しない炉の中で３０分〜４時間程度保持す
ることによりイオン交換層４中のイオンを拡散させて、
第１図（ｂ）に示すようにイオン交換層４より断面積の
広い先導波路５を形成する。
つまり、本発明による光導波路は、イオン交換層４を形
成するために基板１の結晶中に注入するイオンの量と、
その後行う熱処理による拡散時間を制御するもので、こ
れにより所定の断面形状及び屈折率を有する光導波路を
形成することができる０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、イオン交換により基板の
表層に注入したイオンを熱拡散させて光導波路を“形成
するため、基板の表層に注入するイオンの量と拡散時間
を制御することにより、所定の断面形状及び屈折率をも
つ光導波路を形成することができ、そのため先導波路の
単一モード化が計れるという効果が得られる。
成するために基板１の結晶中に注入するイオンの量と、
その後行う熱処理による拡散時間を制御するもので、こ
れにより所定の断面形状及び屈折率を有する光導波路を
形成することができる０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、イオン交換により基板の
表層に注入したイオンを熱拡散させて光導波路を“形成
するため、基板の表層に注入するイオンの量と拡散時間
を制御することにより、所定の断面形状及び屈折率をも
つ光導波路を形成することができ、そのため先導波路の
単一モード化が計れるという効果が得られる。
また、熱拡散によフ幅方向にも光導波路が広がるため、
イオン交換層の幅の不整を緩和することができ、かつ光
の入射も容易になるという効果も得られ、更に通常の金
属拡散よりかなり低温で処理ができるので、キュリ一点
の低い結晶、例えばＬｉＴａＯ３にも適用できる等の利
点もある。
イオン交換層の幅の不整を緩和することができ、かつ光
の入射も容易になるという効果も得られ、更に通常の金
属拡散よりかなり低温で処理ができるので、キュリ一点
の低い結晶、例えばＬｉＴａＯ３にも適用できる等の利
点もある。
第１図は本発明による先導波路形成方法の一実施例を示
す断面図で、′同図（、）はイオン交換層を形成した状
態、同図（ｂ）は光導波路を形成した状態を示している
。 １：基板 ２：マスク層 ３：窓 ４：イオン交換層
５：光導波路 特許 出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 金 倉 喬 二 ・角１− （ａ） （ｂ） １、基板 ２：マスク層 ３：窓 ４”イオン交換層 ５ 光導波路
す断面図で、′同図（、）はイオン交換層を形成した状
態、同図（ｂ）は光導波路を形成した状態を示している
。 １：基板 ２：マスク層 ３：窓 ４：イオン交換層
５：光導波路 特許 出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 金 倉 喬 二 ・角１− （ａ） （ｂ） １、基板 ２：マスク層 ３：窓 ４”イオン交換層 ５ 光導波路
Claims (1)
- １、ＬｉＮｂＯ＿３、ＬｉＴａＯ＿３等による基板の表
層にイオン交換によつてイオンを注入し、注入したイオ
ンを熱拡散することにより光導波路を形成すると共に、
前記基板の表層に注入するイオンの量と熱拡散の時間に
より光導波路の断面形状と屈折率を制御することを特徴
とする光導波路形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196566A JPS6175307A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 光導波路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196566A JPS6175307A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 光導波路形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175307A true JPS6175307A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16359863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59196566A Pending JPS6175307A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 光導波路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175307A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03505005A (ja) * | 1989-03-27 | 1991-10-31 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレーション | アクティブ集積光学装置および光学集積装置の製作方法 |
| JPH063383A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Nippon Denki Keiki Kenteishiyo | 電子式電力量計 |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59196566A patent/JPS6175307A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03505005A (ja) * | 1989-03-27 | 1991-10-31 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレーション | アクティブ集積光学装置および光学集積装置の製作方法 |
| JPH063383A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Nippon Denki Keiki Kenteishiyo | 電子式電力量計 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4886538A (en) | Process for tapering waveguides | |
| JPH04234005A (ja) | イオン交換法による光導波管の製造方法 | |
| Olivares et al. | Guided modes with ordinary refractive index in proton exchanged LiNbO3 waveguides | |
| US5221310A (en) | Method of manufacturing wavelength conversion device | |
| US3997687A (en) | Method of preparing optical waveguides | |
| JPS6175307A (ja) | 光導波路形成方法 | |
| EP0302043B1 (en) | Process of tapering waveguides | |
| JP3898585B2 (ja) | 光導波路付き部材の製造方法 | |
| JPH0749428A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS62293206A (ja) | 光素子の形成方法 | |
| JPH0688913A (ja) | 光導波路 | |
| EP0425076A2 (en) | Process for making intergrated optics chips having high electro-optic coefficients | |
| JPS62293208A (ja) | 光素子の形成方法 | |
| JPS60133405A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPH0731289B2 (ja) | テ−パ状光導波路の作製方法 | |
| JP2590807B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS63158505A (ja) | テ−パ状導波路の作製方法 | |
| Canali et al. | Planar Waveguides Formation Process in Linbo3 by Ti IN-Diffusion and H-Li Ion Exchange: A Structural Study (o) | |
| JPH05333224A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS6319620A (ja) | 光導波路の形成方法 | |
| JPH11258440A (ja) | 光導波路素子およびその製造方法 | |
| Onoe et al. | Fabrication of periodic domain-inversion in x-cut LiTaO3 by heat treatment technique in an electric field | |
| JPH079494B2 (ja) | 光導波管の製造方法 | |
| JPH0232305A (ja) | Ｔｉ拡散導波路光方向性結合器の製作方法 | |
| JPH05113513A (ja) | 導波路型光デバイスおよびその製造方法 |