JPS6174891A - Optical recording method - Google Patents

Optical recording method

Info

Publication number
JPS6174891A
JPS6174891A JP59198300A JP19830084A JPS6174891A JP S6174891 A JPS6174891 A JP S6174891A JP 59198300 A JP59198300 A JP 59198300A JP 19830084 A JP19830084 A JP 19830084A JP S6174891 A JPS6174891 A JP S6174891A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
surface layer
dye
recording
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59198300A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0558915B2 (en
Inventor
Toshiki Aoi
利樹 青井
Kazuo Takahashi
一夫 高橋
Akihiko Kuroiwa
黒岩 顕彦
Shigeru Asami
浅見 茂
Noriyoshi Nanba
憲良 南波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP59198300A priority Critical patent/JPS6174891A/en
Publication of JPS6174891A publication Critical patent/JPS6174891A/en
Publication of JPH0558915B2 publication Critical patent/JPH0558915B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/2467Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes azo-dyes
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/247Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
    • G11B7/2472Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/248Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B7/2542Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins

Abstract

PURPOSE:To enhance sensitivity and a S/N ratio and to reduce an error rate by improving a surface layer, in performing optical recording by irradiating writing light to form a pit, by forming the pit as a recessed part in such a state that surface layer is not substantially destructed. CONSTITUTION:A surface layer is formed of a hard film with high m.p. so as not to form a pit by light irradiated for a definite time or less. In providing the surface layer with high m.p., by adjusting the intensity of writing light, a pulse width and a rotary speed, a pit recessed part is formed in such a state that the surface layer is substantially continuous and not substantially destructed. Therefore, the lowering in a S/N ratio based on the scattering of the crushed piece of the surface layer or the rising in an error rate is prevented while high sensitivity is kept.

Description

【発明の詳細な説明】 ■ 発明の背景 技術分野 本発明は、光記録方法、特にヒートモードの光記録媒体
に対する光記録方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION 1. Background Technical Field of the Invention The present invention relates to an optical recording method, particularly to an optical recording method for a heat mode optical recording medium.

先行技術 光記Q媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘントが
非接触であるので、記Q媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。
Prior art optical recording media have the characteristic that the writing and reading media are not in contact with each other, so that the recording media do not deteriorate due to wear. For this reason, research and development of various optical recording media are being carried out.

このような光記t2媒体のうち、暗室による現像処理が
不要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が
活発になっている。
Among such optical recording T2 media, heat mode optical recording media are being actively developed because they do not require development in a dark room.

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その1例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融IW、除去等して、ビットと
称される小穴を形成して1!jき込みを行い、このビッ
トにより情報を記録し、このビットを読み出し光で検出
して読み出しを行うビット形成タイプのものがある。
This heat mode optical recording medium is an optical recording medium that uses recording light as heat. For example, a part of the medium is melted by IW, removed, etc. with recording light such as a laser, and is called a bit. Form a small hole and 1! There is a bit forming type in which information is recorded using the bits, and the bits are detected with readout light and read out.

このようなど7ト形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Teを下体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。
Most of these types of media, especially those using a semiconductor laser as a light source that allows for miniaturization of the device, have a recording layer made of a Te-based material.

しかじ、近年、Te系材料が有害であること、そ1〜で
より高感度化する必要があること、より製造コストを安
価にする必要があることから、Te系にかえ、色素を主
とした有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案
や報告が増加している。
However, in recent years, due to the fact that Te-based materials are harmful, the need for higher sensitivity, and the need to lower manufacturing costs, we have changed to Te-based materials and started using dyes as the main material. An increasing number of proposals and reports are being made regarding media using recording layers made of organic materials.

1列えば He−Neレーザー用としては。One row is for He-Ne laser.

スクヴリリウム色素〔特開昭56−46221号 V。Scuvrillium dye [JP-A-56-46221 V.

B、 Jipson  and  C,R,Jones
、J、Vac、  Sci。
B.Jipson and C.R.Jones
, J., Vac., Sci.

Technol、、 18 (1) 105 (1,9
81) )や、金属フタコシアニン色素(特開昭57−
82094号、同57−82095号)などを用いるも
のがある。
Technol,, 18 (1) 105 (1,9
81)) and metal phtacocyanine dyes (JP-A-57-
82094, 57-82095), etc.

また、金属フタロンアニン色素を半導体レーザー用とし
て使用した例(特開昭58−86795号)もめる。
An example of using metal phthalonanine dyes for semiconductor lasers (Japanese Patent Application Laid-open No. 86795/1983) is also discussed.

これらは、いずれも色素を蒸着により記録層薄膜とした
ものであり、媒体製造上、Te系と大差はない。
All of these have a recording layer formed into a thin film by vapor deposition of a dye, and there is no major difference from the Te type in terms of medium production.

しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率は一般に
小さく、反射光量のビットによる変化(減少)によって
読み出し信号をうる、現在針われている通常の方式では
、大きなS/N比をうることができない。
However, the reflectance of the dye-deposited film to the laser is generally small, and the current conventional method of obtaining a readout signal by changing (reducing) the amount of reflected light depending on the bit cannot obtain a large S/N ratio.

また、記録層を担持した透明基体を、記録層が対向する
ようにして一体化した、いわゆるエアーサンドインチ構
造の媒体とし、基体をとおして書き込みおよび読み出し
を行うと、書き込み感度を下げずに記録層の保護ができ
、かつ記録密度も大きくなる点で有利であるが、このよ
うな記録再生方式も、色素蒸着膜では困難である。
In addition, if a transparent substrate carrying a recording layer is integrated with the recording layer facing each other, which is a so-called air sand inch structure, and writing and reading are performed through the substrate, the recording can be recorded without reducing the writing sensitivity. Although it is advantageous in that the layer can be protected and the recording density can be increased, such a recording/reproducing method is also difficult with a dye-deposited film.

これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率がある程度
の値をもち(ポリメチルメタクリレートで1 、5) 
、記録層の基体をとおしての反射率が、例えばポリメチ
ルメタクリレートでは半導体レーザーの波長に対して2
5%程度以下になるため、低い反射率しか示さない記録
層では検出できないからである。
This is because a normal transparent resin substrate has a refractive index of a certain value (1.5 for polymethyl methacrylate).
For example, in polymethyl methacrylate, the reflectance through the substrate of the recording layer is 2 for the wavelength of the semiconductor laser.
This is because since the reflectance is about 5% or less, it cannot be detected in a recording layer that exhibits only a low reflectance.

色素蒸着膜からなる記録層の、読み出しのS/N比を向
上させるためには1通常、基体と記録層との間に、A1
等の仄着反射膜を介在させている。
In order to improve the readout S/N ratio of a recording layer made of a dye-deposited film, 1. Usually, A1 is placed between the substrate and the recording layer.
A cross-reflection film such as the following is interposed.

この場合、蒸着反射膜は、反射率を上げてS/N比を向
上させるためのものであり、ビット形成により反射膜が
露出して反射率が増大するものであるが、当然のことな
から、基体をとおしての記録再生はできない。
In this case, the vapor-deposited reflective film is intended to increase the reflectance and improve the S/N ratio, and the reflective film is exposed by bit formation and the reflectance increases, but this is not surprising. , recording and reproduction through the substrate is not possible.

同様に、特開昭55−161Ei90号には、IR−1
32色>’K (コシツク社製)とポリ酢酸ビニルとか
らなる記録層、また、特開昭57−74845号には、
l、1′−ジエチル−2,2’−1リカルボシアニンイ
オタイトと゛ニトロセルロースとからなる記録層、さら
にはに、Y、Law、 et al、、 Appl、 
Phys、Lett、 39 (9) 718 (19
81)には、 3.3′−ジエチル−12−7セチルチ
アテトラカルポシアニンとポリ酢酸ビニルとからなる記
録層など、色素と樹脂とからなる記録層を塗布法によっ
て設層した媒体が開示されている。
Similarly, IR-1
A recording layer consisting of 32 colors>'K (manufactured by Kosikku Co., Ltd.) and polyvinyl acetate.
A recording layer comprising l,1'-diethyl-2,2'-1 lycarbocyanine iotite and nitrocellulose, and furthermore, Y, Law, et al., Appl.
Phys, Lett, 39 (9) 718 (19
81) discloses a medium in which a recording layer made of a dye and a resin is formed by a coating method, such as a recording layer made of 3,3'-diethyl-12-7cetylthiatetracarpocyanine and polyvinyl acetate. ing.

しかし、これらの場合にも、基体と記録層との間に反射
膜を必要としており、基体裏面側からの記録再生ができ
ない点で、色素蒸着膜の場合と同様の欠点をもつ。
However, these cases also have the same drawback as the dye-deposited film in that a reflective film is required between the substrate and the recording layer, and recording and reproduction cannot be performed from the back side of the substrate.

このように、基体をとおしての記録再生が可能である有
機材料系の記録層をもつ媒体を実現するには、有機材料
自身が大きな反射率を示す必要がある。
As described above, in order to realize a medium having an organic material-based recording layer that allows recording and reproduction through the substrate, the organic material itself needs to exhibit a high reflectance.

しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材料の単層に
て高い反射率を示す例はきわめて少ない。
However, conventionally, there are very few examples of a single layer of organic material exhibiting high reflectance without laminating a reflective layer.

わずかに、バナジルフタロシアニンの蒸着膜が高反射率
を示す旨が報告(P、K170s、  atal、、A
ppl、 Phys、 Part A 2G (2) 
+01 (1981)、特開昭55−97033号〕さ
れているが、おそらく昇華温度が高いためであろうと思
われるが、書き込み感度が低い。
It has been reported that the vapor-deposited film of vanadyl phthalocyanine shows slightly high reflectance (P, K170s, atal, A
ppl, Phys, Part A 2G (2)
+01 (1981), JP-A-55-97033], but the writing sensitivity is low, probably due to the high sublimation temperature.

また、チアゾール系やキノリン系等のシアニン色素やメ
ロシアニン色素か報告〔山木他、第77回+5川物理学
会予稿集 IP−P−9(19ao) )されており、
これにもとづく提案が特開昭58−112730号にな
されているが、これら色素は、特に塗j漠として設層し
たときに、溶剤に対する溶解度が小さく、また結晶化し
ゃすぐ、さらには読み出し光に対してきわめて不安定で
ただちに脱色してしまい、実用に供しえない。
In addition, cyanine dyes and merocyanine dyes such as thiazole and quinoline dyes have been reported [Yamaki et al., Proceedings of the 77th + Five Rivers Physical Society IP-P-9 (19ao)].
A proposal based on this was made in JP-A No. 58-112730, but these dyes have low solubility in solvents, do not easily crystallize, and are not sensitive to readout light, especially when deposited as a layer. On the other hand, it is extremely unstable and immediately bleaches, making it unsuitable for practical use.

このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、溶剤に対
する溶解度が高く、結晶化も少なく、かつ熱的に安定で
あって、塗膜の反射率が高いインドレニン系のシアニン
色素を単層11gとして用いる旨を提案している(特願
昭 57−134397号、同 57−134170号
〕。
In view of these circumstances, the present inventors first developed an indolenine-based cyanine dye that has high solubility in solvents, little crystallization, is thermally stable, and has high paint film reflectance. It is proposed to use it as a single layer 11g (Japanese Patent Application Nos. 57-134397 and 57-134170).

また、インドレニン系、あるいはチアゾール系、キノ゛
リン系、セレナゾール系等の他のシアニン色素において
も、長鎖アルキル基を分子中に導入して、溶解性の改善
と結晶化の防止かはかられることを提案している(特願
昭57−182589号、同 57−177778号等
)、。
In addition, in other cyanine dyes such as indolenine, thiazole, quinoline, and selenazole, it is possible to improve solubility and prevent crystallization by introducing long-chain alkyl groups into the molecule. (Japanese Patent Application No. 57-182589, Patent Application No. 57-177778, etc.).

さらに、光安定性をまし、特に読み出し光による脱色(
再生劣化)を防止するために、シアニン色素に遷移金属
化合物クエンチャ−を添加する旨の提案を行っている(
特願昭57−1613832号、同57−188048
号等)。
Furthermore, it has improved photostability, especially decolorization by readout light (
We have proposed adding a transition metal compound quencher to cyanine dyes to prevent regeneration and deterioration.
Patent application No. 57-1613832, No. 57-188048
No. etc.).

さらには1色素とクエンチャ−とのイオン結合体を形成
し、これにより再生劣化をより減少し、かつ安定性を高
める旨の提案も行っている(特願昭58−14848号
、同59−18878号、回59−19715号)。
Furthermore, they have proposed forming an ionic bond between one dye and a quencher, thereby further reducing regeneration deterioration and increasing stability (Japanese Patent Application Nos. 58-14848 and 59-18878). No. 59-19715).

ところで、色素または色素組成物からなる光記録膜は光
照射と同時に照射光の中央部からビットの形成が始まり
、照射光パルスの後半では最もエネルギーの集中してい
る照射光の中央部で吸収されなくなる。 従って、エネ
ルギーの利用効率が低く感度がある値以上に向上しない
原因となっている。
By the way, in an optical recording film made of a dye or a dye composition, bits begin to form from the center of the irradiated light at the same time as the light is irradiated, and in the latter half of the irradiated light pulse, bits are absorbed at the center of the irradiated light where the energy is most concentrated. It disappears. Therefore, the efficiency of energy use is low, which is the reason why the sensitivity cannot be improved beyond a certain value.

そこで、本発明者らは、先に、ケイ素系縮合物のコロイ
ド粒子分散液の塗膜などの高融点の膜を表面層として設
層する旨を提案している(特願昭59−62386号等
)。
Therefore, the present inventors have previously proposed that a film with a high melting point, such as a coating film of a colloidal particle dispersion of a silicon-based condensate, be applied as a surface layer (Japanese Patent Application No. 59-62386). etc).

この提案によれば、ビットは一定時間の照射光によって
は形成されず、その間温度上昇がおこり、十分な温度に
なったのち一気にビットを形成するので、感度はきわめ
て高いものとなる。
According to this proposal, bits are not formed by irradiating light for a certain period of time, but the temperature rises during that time, and once the temperature has reached a sufficient temperature, bits are formed all at once, resulting in extremely high sensitivity.

しかし、このようなビット形成を行うので、得られるコ
ントラスに比較して、Bき込み光強度が高く、媒体走行
速度も低くせざるをえないという欠点がある。
However, since such bit formation is performed, there are disadvantages in that the intensity of the B injected light is higher than the contrast obtained, and the medium running speed must be lowered.

また、このような場合、通常の状態では、ビット形成に
際し、同時にビット部で表面層の新製ないし破砕も生じ
、これが他のトランクに飛散し、S/N比を低下させた
り、エラーレートを大きくしたりする不都合がある。
In addition, in such cases, under normal conditions, when forming the bit, new or broken surface layers also occur at the bit part, which scatters to other trunks, lowering the S/N ratio and increasing the error rate. There is an inconvenience in making it larger.

■1  発明の目的 本発明の目的は、色素または色素組成物からなる記録層
を有する光記録媒体を用いた光記録方法において、その
表面層を改良して、感度が高く、シかもS/N比が高く
、かつエラーレートの少ないものとすることにある。
■1 Purpose of the Invention The purpose of the present invention is to improve the surface layer of an optical recording medium having a recording layer made of a dye or a dye composition, thereby achieving high sensitivity and low S/N. The objective is to have a high ratio and a low error rate.

■ 発明の開示 このような目的は下記の本発明によって達成される。■Disclosure of invention These objects are achieved by the invention described below.

すなわち本発明は、基体上に、色素または色素組成物か
らなる記録層を有し、この記録層上に表面層を有する光
記録媒体に、害き込み光を照射してビットを形成して光
記録を行うにあたり、ビットが、表面層が実質的に破断
しない状IE、にて四部として形成されることを特徴と
する光記録方法である。
That is, the present invention has a recording layer made of a dye or a dye composition on a substrate, and an optical recording medium having a surface layer on this recording layer is irradiated with harmful light to form bits and generate light. This optical recording method is characterized in that during recording, a bit is formed as four parts in an IE in which the surface layer is not substantially broken.

■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。■Specific structure of the invention Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail.

本発明に用いる光記録媒体の記録層中には色素が含有さ
れる。
A dye is contained in the recording layer of the optical recording medium used in the present invention.

用いる色素には特に制限はなく、シアニン系、フタロシ
アニン系、ナフタロシアニン系、テトラデヒドロコリン
ないしテトラデヒドロコロール系、アントラ午ノン系、
アゾ系、トリフェニルメタン系、ビリリウムないしチア
ピリリウム塩素系等の色素はいずれも使用可能である。
There are no particular restrictions on the dyes to be used, including cyanine, phthalocyanine, naphthalocyanine, tetradehydrocholine or tetradehydrocholor, anthratonone,
Any dye such as azo, triphenylmethane, biryllium or thiapyrylium chlorine can be used.

このような中で、本発明による効果が大きいのは、第1
にシアニン色素である。
Under these circumstances, the main effect of the present invention is the first one.
It is a cyanine dye.

シアニン色素の中では下記式(1)で示されるものが好
ましい。
Among the cyanine dyes, those represented by the following formula (1) are preferred.

式(I〕 Φ−L=ψ  (X−)m 上記式(I)において、!およびΦは、芳香族環、例え
ばベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環等が綿
合してもよいインドール環、ナアンール環、オキサゾー
ル環、セレナゾール環、イミダゾール環、ピリジン環等
をあられす。
Formula (I) Φ-L=ψ (X-)m In the above formula (I), ! and Φ are an indole ring to which an aromatic ring, for example, a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, etc. may be incorporated; Includes naanl ring, oxazole ring, selenazole ring, imidazole ring, pyridine ring, etc.

これらΦおよびψは、同一でも異なっていてもよいが1
通常は同一のものであり、これらの環には1種々の置換
基が結合していてもよい。
These Φ and ψ may be the same or different, but 1
They are usually the same, and one variety of substituents may be bonded to these rings.

なお、Φは、環中の窒素原子が十電荷をもち。Note that in Φ, the nitrogen atom in the ring has ten charges.

重は、環中の窒素原子が中性のものである。Heavy is one in which the nitrogen atom in the ring is neutral.

これらのΦおよびψの骨格環としては、下記式〔ΦI〕
〜〔Φ店〕で示されるものであることが好ましい。
The skeleton rings of these Φ and ψ are represented by the following formula [ΦI]
~ [Φ store] is preferable.

なお、下記においては、構造はΦの形で示される。In addition, in the following, the structure is shown in the form of Φ.

(R4) q 〔Φ■〕(R4)Q (Ra ) q 〔Φ”)                 (R4)
を揚 〔Φ潤〕 このような各種層において、環中の窒素原子(イミダツ
ール環では2個の窒素原子)に結合する基R+  (R
+  、R+  ′)は、置換または非置換のアルキル
基またはアリール基である。
(R4) q [Φ■] (R4) Q (Ra) q [Φ”) (R4)
[ΦJun] In these various layers, the group R+ (R
+, R+') is a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group.

このような環中の、窒素原子に結合する基R,,R,′
の炭素原子数には、特に制限はない。 また、この基が
さらに置換基を有するものである場合、置換基としては
、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキ
ルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコキシカ
ルボニル基、アルキルアミノ靭、アルキルカルバモイル 水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子等いずれであって
もよい。
Groups R,,R,′ bonded to the nitrogen atom in such a ring
There is no particular restriction on the number of carbon atoms in . In addition, when this group further has a substituent, examples of the substituent include a sulfonic acid group, an alkylcarbonyloxy group, an alkylamido group, an alkylsulfonamide group, an alkoxycarbonyl group, an alkylamino toughness, an alkylcarbamoyl hydroxyl group, It may be a carboxy group, a halogen atom, or the like.

なお、後述のmが0である場合、Φ中の窒素原子に結合
する基R1は、置換アルキルまたはアリール基であり、
かつ−電荷をもつ。
In addition, when m described below is 0, the group R1 bonded to the nitrogen atom in Φ is a substituted alkyl or aryl group,
and - has an electric charge.

さらに、Φおよびψの垣が、縮合ないし非縮合のインド
ール環(式〔Φ工〕〜〔ΦIV))である場合、その3
位には,2つの置換基R2  。
Furthermore, if the fences of Φ and ψ are fused or non-fused indole rings (formulas [Φ] to [ΦIV)], the 3
At the position, two substituents R2.

R3が結合することが好ましい。 この場合、3位に結
合する2つの置換基R2,R3としては、アルキル基ま
たはアリール基であることが好ましい。 そして、これ
らのうちでは、炭素原子数1または2、特に1の非置換
アルキル基であることが好ましい。
Preferably, R3 is bonded. In this case, the two substituents R2 and R3 bonded to the 3-position are preferably an alkyl group or an aryl group. Among these, unsubstituted alkyl groups having 1 or 2 carbon atoms, particularly 1, are preferred.

一方、Φおよびψで表わされる環中の所定の位置には、
さらに他の置換基R4が結合していてもよい。 このよ
うな置換基としては、アルキル基、アリール基、複素環
残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルボニル
基、アリールカルボニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルアミド
基,アリールアミド基、アルキルカルバモイル イル 基,カルボン酸基、アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、アルキルスルホンアミド基,アリールスル
ホンアミド基、アルキルスルファモイル基,アリールス
ルファモイル基、シアン基、ニトロ基等、種々の置換基
であってよい。
On the other hand, at a given position in the ring represented by Φ and ψ,
Furthermore, another substituent R4 may be bonded. Such substituents include alkyl groups, aryl groups, heterocyclic residues, halogen atoms, alkoxy groups, aryloxy groups,
Alkylthio group, arylthio group, alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkylamide group, arylamido group, alkylcarbamoyl group, carboxylic acid group , an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, an alkylsulfonamide group, an arylsulfonamide group, an alkylsulfamoyl group, an arylsulfamoyl group, a cyan group, a nitro group, and the like.

七して、これらの置換基の数(p.q.r。7 and the number of these substituents (p.q.r.

s,t)は、通常,0または1〜4程度とされる。 な
お、p,q,r,s,tが2以上であるとき、複数のR
4は互いに異なるものであってよい。
s, t) are usually about 0 or about 1 to 4. In addition, when p, q, r, s, and t are 2 or more, multiple R
4 may be different from each other.

なお、これらのうちでは、式〔Φ工〕〜〔Φ■〕の縮合
ないし非縮合のインドール環を有するものが好ましい。
Among these, those having a fused or non-fused indole ring of the formulas [Φ] to [Φ■] are preferred.

これらは溶剤に対する溶解度,塗膜性,安定性にすぐれ
、きわめて高い反射率を示し、読み出しのS/N非がき
わめて高くなるのである。
These have excellent solubility in solvents, coating properties, and stability, exhibit extremely high reflectance, and have extremely high readout S/N ratios.

他方,Lは、モノ、シ,トリまたはテトラカルボシアニ
ン色素を形成するだめの連結基を表わすが,特に式(L
I)〜〔L■〕のいずれかであることが好ましい。
On the other hand, L represents a linking group that forms a mono-, cy-, tri- or tetracarbocyanine dye, and in particular, a linking group of the formula (L
Any one of I) to [L■] is preferable.

式(LI) CH=CH−CH=CH−C=CH−CH=CH−CH
エ 式〔Lτ)    CH=C−CH 式CI、 IX)    C ここに、Yは、水素原子または1価の基を表わす。 こ
の場合、1価の基としては、メチル基等の低級アルキル
基、メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、モ
ルホリノ基、イミグソリジン基、エトキシカルボニルピ
ペラジン基などのジ置換アミン基、アセトキシ基等のフ
ルキルカルボニルオキシ オ基等のアルキルチオ基、シアン基、ニトロ基,Br,
CJI等のハロゲン原子などであることが奸ましい。
Formula (LI) CH=CH-CH=CH-C=CH-CH=CH-CH
Formula [Lτ) CH=C-CH Formula CI, IX) C Here, Y represents a hydrogen atom or a monovalent group. In this case, monovalent groups include lower alkyl groups such as methyl groups, lower alkoxy groups such as methoxy groups, dimethylamino groups, diphenylamino groups, methylphenylamino groups, morpholino groups, imigsolidine groups, ethoxycarbonylpiperazine groups, etc. dis-substituted amine groups, alkylthio groups such as fulkylcarbonyloxy groups such as acetoxy groups, cyan groups, nitro groups, Br,
It is dangerous to use a halogen atom such as CJI.

なお、これら式(LI”l〜〔L■〕の中では,トリカ
ルボシアニン連結基、特に式%式% さらに、X−は陰イオンであり、その好ましい例として
は、 1−、Br−、Cu04−、BF4−。
In addition, in these formulas (LI"l~[L■], tricarbocyanine linking groups, especially formula% formula%, Cu04-, BF4-.

CH3 <> SO3 − 、Cl−C> S03 −
等を挙げることができる。
CH3<>SO3-, Cl-C>S03-
etc. can be mentioned.

なお、mはOまたは1であるが、mがOであるときには
、通常,ΦのR1が一電荷をもち、分子内塩となる。
Note that m is O or 1, but when m is O, R1 of Φ usually has one charge and becomes an inner salt.

次に、本発明のシアニン色素の具体例を挙げるか,本発
明はこれらのみに限定されるものではない。
Next, specific examples of the cyanine dye of the present invention will be given, but the present invention is not limited to these.

匹五か  免=!   lL工J上′      シ、
」ユDI    (ΦI)      CH3(H2O
2CΦI)     CH3CH2 O3(OI )      C2Ha  OHCH3O
4(Φ I)    ((CH2)  3  SO3二
        CH3(CH2)3 503   N
a4 D5    (ΦII)      CH3CH3O6
(001)    (CH2>3503−      
CH3’ (CH2)3503− Na” D7    (9丁)      CH2CH20HC
H:ID 8    (OIII)     (CH2
)20COCH3CH2O9(OIII)     (
CH2)2 0COCH3CH3014CΦIII) 
     CH3CH3O11〔Φ01)      
CH3CH3O12(ΦI)    C,8Ha7  
       CH3O13〔ΦI)      C4
H9CH3014(OI)    C8H,80COC
H5CH3O15〔ΦI)   C7H,、CH,、O
HCH3FLLL        y       x
    x−−(LII)        HI −(Lll)        HCl04−    (
L[[[)        HI     Br−(L
ll)         H− −CLII)       HCl04−    (L
II)         H−−(LSI)     
  HCl0a−(Lll)       HBr −(Lm)   −N (Cs Hs ) 2   1
    C9,04−(Lll)       1(0
文04−    (Lm)   −N (Cs Hs 
) 2   1   0文04−    (L■)  
      HI−(Lll)        HCl
04−    (LI[+)   −N(CaHs)2
   1    Cu04−    (Lm)    
   H7匹1轡 先−’l’   RLLiL’  
        LL工1工 LLD18  (ΦII
)   C8H170H3−DI7  (Φm)   
C8H17CH3−018〔Φm)  、C7H,CO
O−CH3−C7HI4COOH D19  (OIII)   C7H,4COOC2H
5CH3−D20 〔9丁)   C4H9CH:t 
   −021(OIII)   C,8H3□CH3
−D22 〔Φ0]:I   C4H9CH3−D23
 〔ΦI)    CHCOOCH3CH3−D24 
〔ΦI)    CHOCOCH3CH3−8l5 D25 (ΦI)   C8H,C2H5−D26 〔
ΦI)   C7H15C2Hs   −D27 〔Φ
II)   CHCOOCH3CH3−D28 〔ΦI
l)    CHCHOCOCH3CH3D29 〔Φ
II)   C,□H35CH3−L        
  Y−且 −五一(L II )         
 H0文04(L II )           H
−〔Lm〕 −N  N−COOC2Ha  1〔L■
)         HBF4 CLIII)     −N(C8H5)2   1 
 Cl04〔L■)          H0文04C
LII)          HCl04(L II 
)          HI(LII+)     −
N(C8H5)2   1    I(L II ) 
         Hr(LIT)         
 Hr (LII)          HCCl0aCL〕−
N  N−COOC2Ha  1   I””〕−N 
 N−COOC2Ha  1  ””匹1轡 先−呈 
 1L−1上’          Lw−七=LLD
30 〔ΦII)   CHCOOCH3C2H5−C
31(Φ[II]   C7H,、CH20HCH3へ
C32(Om)   CHCH0COC2H5CH3−
C33C0III)   C17H34COOC2H5
CH3−C34(OH)   C,H2S      
    CH3−C35〔ΦIII)   C7H15
C2H5−C36〔ΦrV )    CH3CHa 
    −C37〔Φff)    CH3CH3−C
38〔ΦIV)    C4Hg          
     (:)13   −C39〔ΦIV)   
(CH2)20COCH3CH3−C40〔ΦV)  
  Cz Hs                  
 4−CH5D41   ((>V〕   CH3−4
−CHsD42  〔Φ■〕    C2H5−−C4
3〔ΦV’l)    C2H5−5−CID44  
〔ΦVT)    C2H5−5−0CH3D45 〔
Φ■)    C2H5−5−OCR3L−−ヱ一  
 −l−x− 〔L■)       HC見04 (L II )       HC交04(L II 
)       H1 (L[([)   −N (C8H5)2  1   
  I(LIV)       HI     I(L
 II )       HI (L II )       HI 〔L■)       HC文04 (Lrl)       HC見04 (L II )       H1 (L H)       )(I (L II )       HI (Lll)        HBr (LI[I)   −N(CaHs)z   I   
  Br〔L■)       HCH3C6H,5O
3(Lll)       HBr 色1掬 免よ!   1L−1工′    LL工1工
 LLL−C46〔ΦVl)   C,、H5−−(L
IT)C47〔ΦVT)   C2H5−−(LII)
C48〔Φ■)   C2H5−−(LI)C49〔Φ
VD   C2H5−−(L■〕−−(L’V) C50〔ΦVT)   C2H5 −−(LV) C51〔Φ■〕   C2H5 −−(LVT) C52〔Φ’1lT)    C2H3D53  (O
VII)   CCH)OCOCH3−−(Lm)C5
4〔ΦVT)   CH2CH20H−5−CI  (
LIT)−−(Lll) C55〔Φ■〕   C2H5 −−(Lll) C56〔ΦIX)    C2H5 −−(Llll) C57〔Φ■〕   C2H5 −−(L[[I) C58〔Φ[X)   C2H5 −−(Lll) C53〔ΦX)   C2H5 −−(LII) C60(Φ℃)    CH2CH,、OH−ヱ一  
   fX− −I      Br HBr HBr CH3Er 1(I      Br HI      Br −I      Br −N (Cs H5) 2    1   C83G、
)I、5o3HC)13C6H,5O3 HBr HBr OCH31I )(I HBr 匹り迷 e’P   jl工」二′      七−」
ユ 江DSL  (Φ刈)    C2H5−−D62
 〔Φ■)   (CH2)30COCH3−−D63
 〔Φに)    C2H5−−D64 〔ΦXl) 
  CH2C:H2CH2So3H−−D65 〔Φに
)   C2H5−− D66 〔Φm〕   C2H3 D67 〔Φ双)   C2H5−− D68〔ΦVT)   C8H,□        −
4−CH5D69 〔ΦV’l)   C,8H3□ 
         −−D70 〔Φl    C8H
,□          −−D71〔ΦW)   C
8H,□        −5−C又D72 〔Φ■〕
Cl8H3□        −5−C交D73 〔Φ
■)    C8H,□          −(=二
g3旧D74 (ΦVT)   C8H,□     
   −5−0CH3D75 〔Φ■)   C8H,
7−5−C見L    土    工 工 (L II )      HI (LII)      H,I (LDI)  −N (Ca Hs ) 2  1  
 C9,04(LIII)  −N (Cal H5)
2   1   1〔LH)     HBr (Lll)     H、Br (Lll)     H、I (Lm)  −N(CaHs)z    l    B
r(LH)     HCl0a (LIII:l  −N(C8H5)2   1   
C交04(LII)     H1 (LII)     HI 〔L■〕    −l   I (LII[)  −N (C6H5)2   1   
 Br山  O’l’  七−」工′シー」ユ 紅D7
6〔ΦVl )   c 18 H37S  C文D7
7  〔ΦVl)    C8H,。     −D7
8  〔ΦVl)    C8H,□     −D7
9〔ΦVl)   C,8H3□    −5−C愛D
80〔Φ■)  ’C,8H37−5−C交D81  
 (Φ■〕   C8H17−DBP  〔Φ■〕  
 C8H17−D83  〔ΦVl)    C8H,
−D84  〔Φ冗)    C3H1□     −
−D85  〔Φ■〕C11lH37− D86  〔Φ■)    C13H2□     −
D87  〔Φ■〕C13H27−− D88  〔Φ■)   C8H17−D89  (Φ
■)    C8H17−D30  〔Φ■)    
Cl8H3□     −−L    工     f
LX (Lm)   −N (C6Hs ) 2   1  
  B r(Lll に〕HI (L II )     HC1(3C:6)14So
3(L II )     HC見C3)14SO3(
LV)     Ht    T (Lm)     HI    Br 工 〔L■〕       − (L[II)   −N(C8H5)2   1  、
   BrCL II )     H、co3c6n
4so3(LII)      HBr (Lll)      HBr (Lnl)−N○c o o c 2H51,CI O
4(LIII)     OCH31I (L II )      HcH3c6n、so3山
 LΔ Lユ几−′     シ、」ニジ−091(Φ
■)   C8H17−− D32  〔Φ■〕  Cl8H3□        
  −−D33  〔Φ尺)   C3HI7    
     −  −D34  〔Φ■)   C3H1
□          −−D95  〔Φ刈)   
C8H17−−D36〔ΦX1l)   CHH27−
5−C旦D97  〔Φ店)   C8H,□    
       −D98  〔Φ■)   Cl8H3
7−−D39  〔ΦW)   C8H17−−Dlo
o   (Φ双)   C8H17−−DIOI   
(Φv)   C8H17−−0102(Φ−)   
 C8H,□ 0103   (Φに)   C8H,□      
    −−D104  (ΦI)   CH2CH,
、OCOCH3CH3−0+05  (ΦI)   C
H2CH20HCH3−0108(OtlI)   C
H3CH3−L   工L    文   X (L II )     Hctt3c6)I4so3
(Lm)  −N (Ca Hs ) 2 1CH3C
6H4SO3(Lll)     HBr CL II )     I(I CLII)     HI (LIII)  −N (COHs)2 1     
Br(LIII)  −N(C8H5)2 1    
 Br(LII)     HBr (Lll)     HBr CLU)    HBr (LLI)     HBr (LII)     HBr (L n)     H0文04 〔L■〕HBr (LvI)     Br      l    Cl
O2山 L」 L工」二′   シ、」上  上D+0
7   CΦI)    CH3CH3−DIQ8  
 (Φ口)    CH3c)+3    −D109
  (ΦVl)   C2H5’       −6−
C文DIIO(Φl)   CaH17” −C免o+
r+   (Φ扇)   C2Hs        −
DI12   (ΦVl )    (H3CH3−D
I13   (Φ■)    CH3(:H3−1−−
ニー  」二  −X− (LV[[)    H−C104 〔L■)     H−Cl0a (LII[)  N(G、)+5)21   0文04
(LII)    H−C交04 〔L■)     H−Cu04 (Lln)  N(C6H5)20   Cu04(L
 !r )    H−CI O4さらに、本発明によ
る効果が大きいのは、第2にフタロンアニン色素である
Five or so! LL engineering J upper 'shi,
” UDI (ΦI) CH3(H2O
2CΦI) CH3CH2 O3(OI) C2Ha OHCH3O
4(Φ I) ((CH2) 3 SO32 CH3(CH2)3 503 N
a4 D5 (ΦII) CH3CH3O6
(001) (CH2>3503-
CH3' (CH2) 3503- Na'' D7 (9 pieces) CH2CH20HC
H: ID 8 (OIII) (CH2
)20COCH3CH2O9(OIII) (
CH2)2 0COCH3CH3014CΦIII)
CH3CH3O11 [Φ01]
CH3CH3O12(ΦI) C,8Ha7
CH3O13 [ΦI) C4
H9CH3014 (OI) C8H, 80COC
H5CH3O15 [ΦI) C7H,,CH,,O
HCH3FLLL y x
x--(LII) HI-(Lll) HCl04- (
L[[[) HI Br-(L
ll) H- -CLII) HCl04- (L
II) H--(LSI)
HCl0a-(Lll) HBr-(Lm)-N (Cs Hs) 2 1
C9,04-(Lll) 1(0
Sentence 04- (Lm) -N (Cs Hs
) 2 1 0 Sentence 04- (L■)
HI-(Lll) HCl
04- (LI[+) -N(CaHs)2
1 Cu04- (Lm)
H 7 animals 1 bag ahead - 'l'RLLiL'
LL work 1 work LLD18 (ΦII
) C8H170H3-DI7 (Φm)
C8H17CH3-018 [Φm), C7H, CO
O-CH3-C7HI4COOH D19 (OIII) C7H,4COOC2H
5CH3-D20 [9 guns] C4H9CH:t
-021 (OIII) C, 8H3□CH3
-D22 [Φ0]:I C4H9CH3-D23
[ΦI) CHCOOCH3CH3-D24
[ΦI) CHOCOCH3CH3-8l5 D25 (ΦI) C8H, C2H5-D26 [
ΦI) C7H15C2Hs -D27 [Φ
II) CHCOOCH3CH3-D28 [ΦI
l) CHCHOCOCH3CH3D29 [Φ
II) C, □H35CH3-L
Y-and-Goichi (L II)
H0 sentence 04 (L II) H
-[Lm] -N N-COOC2Ha 1[L■
) HBF4 CLIII) -N(C8H5)2 1
Cl04〔L■) H0 sentence 04C
LII) HCl04(L II
) HI(LII+) −
N(C8H5)2 1 I(L II )
Hr(LIT)
Hr (LII) HCCl0aCL]-
N N-COOC2Ha 1 I””]-N
N-COOC2Ha 1 ””1 animal 1 bag first-presentation
1L-1 top' Lw-7=LLD
30 [ΦII) CHCOOCH3C2H5-C
31 (Φ [II] C7H,, to CH20HCH3 C32 (Om) CHCH0COC2H5CH3-
C33C0III) C17H34COOC2H5
CH3-C34(OH) C,H2S
CH3-C35 [ΦIII) C7H15
C2H5-C36 [ΦrV ) CH3CHa
-C37 [Φff] CH3CH3-C
38 [ΦIV] C4Hg
(:)13-C39 [ΦIV]
(CH2)20COCH3CH3-C40 [ΦV]
Cz Hs
4-CH5D41 ((>V) CH3-4
-CHsD42 [Φ■] C2H5--C4
3 [ΦV'l) C2H5-5-CID44
[ΦVT) C2H5-5-0CH3D45 [
Φ■) C2H5-5-OCR3L--Eichi
-l-x- [L■) HC view 04 (L II) HC cross 04 (L II
) H1 (L[([) -N (C8H5)2 1
I(LIV) HI I(L
II ) HI (L II ) HI [L■) HC sentence 04 (Lrl) HC look 04 (L II ) H1 (L H) ) (I (L II) HI (Lll) HBr (LI[I) -N( CaHs)z I
Br〔L■) HCH3C6H,5O
3 (Lll) HBr color 1 scoop I'm sorry! 1L-1 work' LL work 1 work LLL-C46 [ΦVl] C,, H5--(L
IT) C47 [ΦVT) C2H5--(LII)
C48 [Φ■) C2H5--(LI) C49 [Φ
VD C2H5--(L■]--(L'V) C50[ΦVT) C2H5--(LV) C51[Φ■] C2H5--(LVT) C52[Φ'1lT) C2H3D53 (O
VII) CCH)OCOCH3--(Lm)C5
4 [ΦVT) CH2CH20H-5-CI (
LIT) --(Lll) C55[Φ■] C2H5 --(Lll) C56[ΦIX) C2H5 --(Lllll) C57[Φ■] C2H5 --(L[[I) C58[Φ[X] C2H5 -- -(Lll) C53[ΦX] C2H5 --(LII) C60(Φ℃) CH2CH,,OH-E1
fX- -I Br HBr HBr CH3Er 1 (I Br HI Br -I Br -N (Cs H5) 2 1 C83G,
)I,5o3HC)13C6H,5O3 HBr HBr OCH31I)
Yue DSL (Φkari) C2H5--D62
[Φ■) (CH2)30COCH3--D63
[to Φ] C2H5--D64 [ΦXl]
CH2C:H2CH2So3H--D65 [to Φ] C2H5-- D66 [Φm] C2H3 D67 [Φtwin] C2H5-- D68 [ΦVT) C8H, □ -
4-CH5D69 [ΦV'l) C,8H3□
--D70 [Φl C8H
,□ --D71 [ΦW) C
8H, □ -5-C or D72 [Φ■]
Cl8H3□ -5-C intersection D73 [Φ
■) C8H,□ -(=2g3 old D74 (ΦVT) C8H,□
-5-0CH3D75 [Φ■) C8H,
7-5-C View L Earthwork (L II) HI (LII) H, I (LDI) -N (Ca Hs) 2 1
C9,04(LIII)-N (Cal H5)
2 1 1 [LH) HBr (Lll) H, Br (Lll) H, I (Lm) -N(CaHs)z l B
r(LH) HCl0a (LIII:l-N(C8H5)2 1
C intersection 04 (LII) H1 (LII) HI [L■] -l I (LII[) -N (C6H5)2 1
Br Mountain O'l'7-"Eng'shi" Yu Beni D7
6 [ΦVl) c 18 H37S C sentence D7
7 [ΦVl) C8H,. -D7
8 [ΦVl) C8H, □ -D7
9 [ΦVl) C, 8H3□ -5-C love D
80 [Φ■) 'C, 8H37-5-C intersection D81
(Φ■] C8H17-DBP [Φ■]
C8H17-D83 [ΦVl) C8H,
-D84 [Φredacted] C3H1□ -
-D85 [Φ■] C11lH37- D86 [Φ■) C13H2□ -
D87 [Φ■] C13H27-- D88 [Φ■) C8H17-D89 (Φ
■) C8H17-D30 [Φ■)
Cl8H3□ --L Engineering f
LX (Lm) -N (C6Hs) 2 1
B r (to Lll) HI (L II ) HC1 (3C:6)14So
3(L II) HC C3) 14SO3(
LV) Ht T (Lm) HI Br 〔L■〕 − (L[II) −N(C8H5)2 1 ,
BrCL II) H, co3c6n
4so3(LII) HBr (Lll) HBr (Lnl)-N○c o o c 2H51, CI O
4 (LIII) OCH31I (L II) HcH3c6n, so3 mountain LΔ
■) C8H17-- D32 [Φ■] Cl8H3□
--D33 [Φ scale] C3HI7
− −D34 [Φ■) C3H1
□ --D95 [Φ cut]
C8H17--D36 [ΦX1l) CHH27-
5-Cdan D97 [Φ store] C8H, □
-D98 [Φ■) Cl8H3
7--D39 [ΦW) C8H17--Dlo
o (Φ twin) C8H17--DIOI
(Φv) C8H17--0102 (Φ-)
C8H,□ 0103 (to Φ) C8H,□
--D104 (ΦI) CH2CH,
, OCOCH3CH3-0+05 (ΦI) C
H2CH20HCH3-0108 (OtlI) C
H3CH3-L Engineering L Text X (L II) Hctt3c6)I4so3
(Lm) -N (Ca Hs) 2 1CH3C
6H4SO3 (Lll) HBr CL II ) I (I CLII) HI (LIII) -N (COHs)2 1
Br(LIII)-N(C8H5)2 1
Br (LII) HBr (Lll) HBr CLU) HBr (LLI) HBr (LII) HBr (L n) H0 sentence 04 [L ■] HBr (LvI) Br l Cl
O2 mountain L" L engineering "2'shi," upper upper D+0
7 CΦI) CH3CH3-DIQ8
(Φ mouth) CH3c)+3 -D109
(ΦVl) C2H5' -6-
C sentence DIIO (Φl) CaH17” -C exemption +
r+ (Φ fan) C2Hs −
DI12 (ΦVl) (H3CH3-D
I13 (Φ■) CH3(:H3-1--
Knee "2 -X- (LV[[) H-C104 [L■) H-Cl0a (LII[) N(G,)+5)21 0 sentence 04
(LII) H-C intersection 04 [L■) H-Cu04 (Lln) N(C6H5)20 Cu04(L
! r) H-CI O4 Furthermore, the second phthalonanine dye has the greatest effect according to the present invention.

用いるフタロシアニンには、特に制限はなく、中心原子
としては、Cu、Fe、Co。
There are no particular restrictions on the phthalocyanine used, and examples of the central atom include Cu, Fe, and Co.

N、In、Ga、AM、In(:Jl、InBr。N, In, Ga, AM, In(:Jl, InBr.

I nI 、GaC1,GaBr、GaI 。InnI, GaCl, GaBr, GaI.

AMCM、AQBr、Ti、TiO,Si。AMCM, AQBr, Ti, TiO, Si.

Ge、H,H2、Pb、Vo、Mn、Sn等が+1丁能
である。
Ge, H, H2, Pb, Vo, Mn, Sn, etc. have +1 power.

また、フタロシアニンのヘンゼン環には、直接または適
当な連結基を介して、−OH,ハロケア、−COOH,
NH2、−Cocu、−Co○R′、−0COR′ (
ただし、R′は各種アルキルないしアリール等)、 −502C1,−503H,−CONH2、−CN、−
NO2、−3CN、−5H1−CH2C旦等の種々の置
換基が結合したものであってよい。
In addition, the Hensen ring of phthalocyanine has -OH, halokea, -COOH,
NH2, -Cocu, -Co○R', -0COR' (
However, R' is various alkyl or aryl), -502C1, -503H, -CONH2, -CN, -
Various substituents such as NO2, -3CN, -5H1-CH2C, etc. may be bonded.

次に、本発明の光吸収色素の具体例を挙げるが、本発明
はこれらのみに限定されるものではない。
Next, specific examples of the light-absorbing dye of the present invention will be given, but the present invention is not limited to these.

このような色素は、大有機化学(朝食書店)含窒素複素
環化合物I432ページ等に記載された方法に準じて容
易に合成することができる。
Such dyes can be easily synthesized according to the method described in Nitrogen-Containing Heterocyclic Compounds I, page 432, Dai Organic Chemistry (Breakfast Shoten).

すなわち、まず対応するΦ′−CH3(Φ′は前記Φに
対応する環を表わす。)を、過剰のR,I (R,はア
ルキル基またはアリール基)とともに加熱して、R,を
Φ′中の窒素原子に導入してΦ−CH5r−を得る。 
次いで、これを、不飽和ジアルデヒド、不飽和とドロキ
シアルデヒド、ペンタジェンジアリルまたはイソホロン
などと、ピペリジン、トリアルキルアミンなどアルカリ
触媒または無水酢酸等を用いて脱水縮合すればよい。
That is, first, the corresponding Φ'-CH3 (Φ' represents the ring corresponding to the above Φ) is heated with excess R, I (R is an alkyl group or an aryl group), and R, becomes Φ' to obtain Φ-CH5r-.
Next, this may be subjected to dehydration condensation with unsaturated dialdehyde, unsaturated and droxyaldehyde, pentadiene diallyl, isophorone, etc. using an alkali catalyst such as piperidine or trialkylamine, or acetic anhydride.

このような色素は、単独で記録層を形成することもでき
る。
Such a dye can also form a recording layer alone.

あるいは樹脂とともに記録層を形成する。Alternatively, a recording layer is formed together with resin.

用いる樹脂としては、自己酸化性のもの、あるいは熱可
塑性樹脂が好適である。
The resin used is preferably a self-oxidizing resin or a thermoplastic resin.

記録層に含有される自己酸化性の樹脂は、昇温したとき
、醇化的な分解を生じるものであるが、これらのうち、
特にニトロセルロースが好適である。
The self-oxidizing resin contained in the recording layer undergoes liquefied decomposition when the temperature rises, and among these,
Particularly suitable is nitrocellulose.

また、熱可塑性樹脂は、記録光を吸収した色素の昇温に
より軟化するものであり、熱可塑性樹脂としては、公知
の種々のものを用いることができる。
Further, the thermoplastic resin is softened by increasing the temperature of the dye that has absorbed the recording light, and various known thermoplastic resins can be used as the thermoplastic resin.

これらのうち、特に好適に用いることができる熱可塑性
樹脂には、以下のようなものがある。
Among these, thermoplastic resins that can be particularly preferably used include the following.

1)ポリオレフィン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ4−メチルペンテ
ン−1など。
1) Polyolefin polyethylene, polypropylene, poly4-methylpentene-1, etc.

白)ポリオレフィン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ア
クリル酸エステル共七合体、エチレン−アクリル酸共重
合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテ
ン−1共東合体、エチレン−無水マレイン酸共用合体、
エチレンプロピレンターホリマー(EFT)など。
White) Polyolefin copolymers, such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid ester co-septapolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene-1 copolymer, ethylene -maleic anhydride co-combined,
Ethylene propylene terformer (EFT), etc.

この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。
In this case, the polymerization ratio of the comonomers can be arbitrary.

1ii)塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−無水マレイン
酸共重合体、アクリル酸エステルないしメタアクリル酸
エステルと1!化ビニルとの共重合体、アクリロニトリ
ル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体
、エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合体、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフトi
合したものなど。
1ii) Vinyl chloride copolymer, such as vinyl acetate-vinyl chloride copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-maleic anhydride copolymer, acrylic ester or methacrylic ester, and 1! Copolymers with vinyl chloride, acrylonitrile-vinyl chloride copolymers, vinyl chloride ether copolymers, ethylene or propylene-vinyl chloride copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers with vinyl chloride grafted
such as combined ones.

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。In this case, the copolymerization ratio can be arbitrary.

iマ)塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−7クリロニトリル共爪合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共東合体など。
i) Vinylidene chloride copolymer Vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride-7-crylonitrile copolymer, vinylidene chloride-butadiene-vinyl halide copolymer, etc.

この場合、共重合比は、任意のものとすることかできる
In this case, the copolymerization ratio can be set arbitrarily.

V)ポリスチレン vi)スチレン共重合体 4列えば、スチレン−アクリロニトリル共重合(4(A
S樹脂)、スチレン−アクリロニトリル−ブタジェン共
重合体(ABS樹脂)、スチレン−無水マレイン酸共重
合体(SMA樹脂)、スチレン−アクリル酸エステル−
アクリルアミド共重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体(SBR)、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、ス
チレン−メチルメタアクリレート共重合体など。
V) Polystyrene vi) Styrene copolymer 4 rows For example, styrene-acrylonitrile copolymer (4(A
S resin), styrene-acrylonitrile-butadiene copolymer (ABS resin), styrene-maleic anhydride copolymer (SMA resin), styrene-acrylic acid ester-
Acrylamide copolymer, styrene-butadiene copolymer (SBR), styrene-vinylidene chloride copolymer, styrene-methyl methacrylate copolymer, etc.

この場合、共重合比は任意のものとすることかできる。In this case, the copolymerization ratio can be set arbitrarily.

vll)スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、P−メチルスチレン、2
,5−ジグロルスチレン、α。
vll) Styrene type polymers such as α-methylstyrene, P-methylstyrene, 2
, 5-diglorstyrene, α.

β−ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセナフ
テン、ビニルアントラセンなど、あるいはこれらの共重
合体、例えば、α−メチルスチレンとメタクリル酸エス
テルとの共重合体。
β-vinylnaphthalene, α-vinylpyridine, acenaphthene, vinylanthracene, etc., or copolymers thereof, such as copolymers of α-methylstyrene and methacrylic acid ester.

viii)クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの共重合体。viii) Coumarone-indene resin Coumarone-indene-styrene copolymer.

ix)テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂や、β−ピネンから得られるピコライト
ix) Terpene resin or picolite For example, terpene resin which is a polymer of limonene obtained from α-pinene, or picolite obtained from β-pinene.

X)アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。X) Acrylic resin Particularly preferred are those containing an atomic group represented by the following formula.

式         RIn 「 CH−C− 「 −0R20 上記式において、R10は、水素原子またはアルキル基
を表わし、R20は、置換または非置換のアルキル基を
表わす。 この場合、上記式において、RIflは、水
素原子または炭素原子31〜4の低級アルキル基、特に
水素原子またはメチル基であることが好ましい。
Formula RIn "CH-C-" -0R20 In the above formula, R10 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and R20 represents a substituted or unsubstituted alkyl group. In this case, in the above formula, RIfl is a hydrogen atom Alternatively, it is preferably a lower alkyl group having 31 to 4 carbon atoms, particularly a hydrogen atom or a methyl group.

また、R2[Iは、置換、非置換いずれのアルキル基で
あってもよいが、アルキル基の炭素原子数は1〜8であ
ることが好ましく、また、R2+]が置換アルキル基で
あるときには、アルキル基を置換する置換基は、水酸基
、ハロゲン原子またはアミ7基(特に、ジアルキルアミ
ノ基)であることが好ましい。
Further, R2[I may be a substituted or unsubstituted alkyl group, but the alkyl group preferably has 1 to 8 carbon atoms, and when R2+] is a substituted alkyl group, The substituent for the alkyl group is preferably a hydroxyl group, a halogen atom, or an amide group (particularly a dialkylamino group).

このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが、通常は、上記式で示される原子団
の1種または2種以上をくりかえし単位とする単独重合
体または共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。
The atomic group represented by the above formula may form a copolymer with other repeating atomic groups to constitute various acrylic resins, but usually one type of atomic group represented by the above formula is used. Alternatively, an acrylic resin is formed by forming a homopolymer or copolymer having two or more repeating units.

xi)ポリアクリロニトリル 111)アクリロニトリル共重合体 例えば、アクリロニトリル−酢酸ビニル共重合体、アク
リロニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリロニトリル
−スチレン共重合体、アクリロニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリロニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリロニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、
アクリロニトリル−ブタジェン共重合体、アクリロニト
リルニアクリル酸ブチル共重合体など。
xi) Polyacrylonitrile 111) Acrylonitrile copolymer, for example, acrylonitrile-vinyl acetate copolymer, acrylonitrile-vinyl chloride copolymer, acrylonitrile-styrene copolymer, acrylonitrile-vinylidene chloride copolymer, acrylonitrile-vinylpyridine copolymer , acrylonitrile-methyl methacrylate copolymer,
Acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile butyl diacrylate copolymer, etc.

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。In this case, the copolymerization ratio can be arbitrary.

xiii)ダイア七トンアクリルアミドポリマーアクリ
ロニトリルにア七トンを作用させたダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー。
xiii) Dia-7ton acrylamide polymer Dia-7ton acrylamide polymer obtained by reacting acrylonitrile with a7ton.

xiマ)ポリ酢酸ビニル xv)酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビ°ニル等との共重合体など。
xi) Polyvinyl acetate xv) Vinyl acetate copolymers, such as copolymers with acrylic esters, vinyl ethers, ethylene, vinyl chloride, etc.

共重合比は任意のものであってよい。The copolymerization ratio may be arbitrary.

2マ1)ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。
2) Polyvinyl ethers such as polyvinyl methyl ether, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl butyl ether, etc.

!マii)ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン6、ナイロン
6−6、ナイロン6−10、ナイロン6−12.ナイロ
ン9.ナイロン11、ナイロン12、ナイロン13等の
通常のホモナイロンの他、ナイロン6/6−676−1
0、ナイロン6/6−6/12、ナイロン6/6−6/
11等の重合体や、場合によっては変性ナイロンであっ
てもよい。
! ii) Polyamide In this case, the polyamide includes nylon 6, nylon 6-6, nylon 6-10, nylon 6-12. Nylon9. In addition to regular homonylons such as nylon 11, nylon 12, and nylon 13, nylon 6/6-676-1
0, nylon 6/6-6/12, nylon 6/6-6/
Polymers such as No. 11 or modified nylon may be used as the case may be.

xvi目)ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸
、セバステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフタ
ル酸、テレフタル酸などの芳香族二塩基酸などの各種二
塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類との
縮合物や、共縮合物が好適である。
xvi) Polyesters For example, various dibasic acids such as aliphatic dibasic acids such as oxalic acid, succinic acid, maleic acid, adipic acid, and sebastenic acid, or aromatic dibasic acids such as isophthalic acid and terephthalic acid, and ethylene. Condensates and co-condensates with glycols such as glycol, tetramethylene glycol and hexamethylene glycol are suitable.

そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
との共縮合物は、特に好適である。
Among these, condensates of aliphatic dibasic acids and glycols and cocondensates of glycols and aliphatic dibasic acids are particularly suitable.

さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリンとの縮合物
であるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステ
ル化変性した変性グリブタル樹脂等も好適に使用される
Furthermore, for example, a modified glybutal resin obtained by esterifying and modifying glybutal resin, which is a condensation product of phthalic anhydride and glycerin, with a fatty acid, a natural resin, etc., is also suitably used.

xix)ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リビニルホルマール、ポリビニルアセクール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。
xix) Polyvinyl acetal resin Both polyvinyl formal and polyvinyl acetic resin obtained by acetalizing polyvinyl alcohol are preferably used.

この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。
In this case, the degree of acetalization of the polyvinyl acetal resin can be arbitrary.

xx)ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂。xx) Polyurethane resin Thermoplastic polyurethane resin with urethane bonds.

特に、グリコール類とジイソシアナート類との縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂、とりわけ、アルキレン
グリコールとアル槃レンジイソシアナートとの縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂が好適である。
Particularly suitable are polyurethane resins obtained by condensation of glycols and diisocyanates, particularly polyurethane resins obtained by condensation of alkylene glycol and alkali diisocyanate.

zxi)ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開環重合物
、−ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリエ
チレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキサ
イド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレンオ
キサイドなど。
zxi) Polyether styrene formalin resins, ring-opening polymers of cyclic acetals, -polyethylene oxides and glycols, polyethylene oxides and glycols, propylene oxide-ethylene oxide copolymers, polyphenylene oxides, etc.

xxii)セルロース誘導体 例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、エチ
ルセルロース、アセチルブチルセルロース、とドロキシ
エチルセルロース。
xxii) Cellulose derivatives such as nitrocellulose, acetylcellulose, ethylcellulose, acetylbutylcellulose, and droxyethylcellulose.

ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、エ
チルヒドロキシエチルセルロースなど、セルロースの各
種エステル、エーテルないしこれらの混合体。
Various esters and ethers of cellulose, such as hydroxypropylcellulose, methylcellulose, and ethylhydroxyethylcellulose, or mixtures thereof.

xziii)ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ジオキシジフェニルプロパンカーポネート等の各種ポリ
カーボネート。
xziii) polycarbonates such as polydioxydiphenylmethane carbonate,
Various polycarbonates such as dioxydiphenylpropane carbonate.

zxiマ)アイオノマー メタクリル酸、アクリル酸などのNa。zxima) ionomer Na such as methacrylic acid and acrylic acid.

Li、Zn、Mg塩など。Li, Zn, Mg salts, etc.

!Xマ)ケトン樹脂 例エバ、シクロヘキサノンやアセトフェノン等の環状ケ
トンとホルムアルデヒドとの縮合物。
! X Ma) Ketone resin examples Eva, condensates of cyclic ketones such as cyclohexanone and acetophenone and formaldehyde.

!!マl)キシレン樹脂 例えば、m−キシレンまたはメシチレンとホルマリンと
の縮合物、あるいはその変性体。
! ! m) Xylene resin, for example, a condensate of m-xylene or mesitylene with formalin, or a modified product thereof.

xxマ目)石油樹脂 C5系、C9系、C5−Cq、共重合系、ジシクロペン
タジェン系、あるいは、これらの共重合体ないし変性体
など。
XX) Petroleum resins C5 type, C9 type, C5-Cq, copolymer type, dicyclopentadiene type, or copolymers or modified products thereof.

xxviii)上記i) 〜xrvii)の2種以上の
ブレンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド
体。
xxviii) A blend of two or more of the above i) to xrvii), or a blend with other thermoplastic resins.

なお、自己酸化性または熱可塑性の樹脂の分子ψ等は種
々のものであってよい・ このような自己酸化性化合物または熱可塑性樹脂樹脂と
、前記の色素とは、通常、正量比で1対0.1〜100
の広範な量比にて設層される。
Note that the self-oxidizing compound or thermoplastic resin may have various molecules ψ, etc.. The auto-oxidizing compound or thermoplastic resin and the above-mentioned dye are usually in a stoichiometric ratio of 1. vs. 0.1-100
The layers will be laid in a wide range of quantity ratios.

このような記録層中には、さらに、クエンチャ−が含有
されることが好ましい。
Preferably, such a recording layer further contains a quencher.

これにより、再生劣化が減少し、耐光性が向上する。This reduces reproduction deterioration and improves light resistance.

クエンチャ−としては、種々のものを用いることができ
るが、特に、色素が励起して一重項酸素が生じたとき、
−重積酸素から電子移動ないしエネルギー移動をうけて
励起状態となり、自ら基底状態にもどるとともに、−重
積酸素を三重項状態に変換する一重項酸素クエンチャー
であることが好ましい。
Various quenchers can be used, but especially when the dye is excited and singlet oxygen is generated,
- It is preferably a singlet oxygen quencher that undergoes electron transfer or energy transfer from stacked oxygen to become excited, returns to the ground state by itself, and - converts stacked oxygen to a triplet state.

一重項酸素クエンチャーとしても、種々のものを用いる
ことができるが、特に、酸性劣化が減少すること、そし
て色素との相溶性が良好であることなどから、遷移金属
キレート化合物であることが好ましい。 この場合、中
心金属としては、Ni、Co、Cu、Mn、Pd、Pt
等が好ましく、特に下記の化合物が好適である。
Various singlet oxygen quenchers can be used, but transition metal chelate compounds are particularly preferred because they reduce acidic deterioration and have good compatibility with dyes. . In this case, the central metal is Ni, Co, Cu, Mn, Pd, Pt.
etc. are preferred, and the following compounds are particularly preferred.

1) アセチルアセトナートキレート系Ql−I  N
1(II)アセチルアセトナートQl−2Cu(II)
アセチルアセトナートQl−3Mn(III)アセチル
アセトナートQl−4Co(II)アセチルアセトナー
ト2) 下記式で示されるビスジチオ−α−ジケトン系 ここに、R−Rは、置換ないし非置 換のアルキル基またはアリール基を表わし、Mは、Ni
、Co、Cu、Pd、Pt等のM移金屈原子を表わす。
1) Acetylacetonate chelate Ql-IN
1(II) Acetylacetonate Ql-2Cu(II)
Acetylacetonate Ql-3Mn(III) Acetylacetonate Ql-4Co(II) Acetylacetonate 2) Bisdithio-α-diketone system represented by the following formula, where R-R is a substituted or unsubstituted alkyl group or represents an aryl group, M is Ni
, Co, Cu, Pd, Pt, etc. M represents a transferable atom.

この場合1Mは一電荷をもち、4級アンモニウムイオン
等のカチオン(Cat)と塩を形成してもよい。
In this case, 1M has a single charge and may form a salt with a cation (Cat) such as a quaternary ammonium ion.

なお、以下の記載において、phはフェニル基、φは1
.4−フェニレン基、φ′は1.2−フェニレン基、b
enzは環上にてとなりあう基が互いに結合して縮合ベ
ンゼン環を形成することを表わすものである。
In addition, in the following description, ph is a phenyl group, and φ is 1
.. 4-phenylene group, φ' is 1,2-phenylene group, b
enz represents that adjacent groups on the ring are bonded to each other to form a condensed benzene ring.

R1R2R3 Q2−1    ph        Ph     
  phQ2−2    C83COC)13(1:O
CH3C0Q2−3  φN(C2H5)2ph   
  φN(C2H5)2Q2−4  φN(C)l )
    p h     φN(C)13)2Q 2−
5    p h        p h      
 p hR4M    Ca t ph      Ni      − CH5CONi      − ph      Ni      − ph      Ni      = p h    N iN ” (fll:<83)43
) 下記式で示されるビスフェニルジチオール系 ここに、RないしR8は、水素またはメチル基、エチル
基などのアルキル基、CfLなどのハロゲン原子、ある
いはジメチルアミノ基、ジエチルアミ/基などの7ミノ
基を表わし、Mは、Ni 、Co、Cu、Pd、Pt等
ノa移金属原子を表わす。
R1R2R3 Q2-1 ph Ph
phQ2-2 C83COC)13(1:O
CH3C0Q2-3 φN(C2H5)2ph
φN(C2H5)2Q2-4 φN(C)l )
ph φN(C)13)2Q 2-
5 p h p h
phR4M Cat ph Ni - CH5CONi - ph Ni - ph Ni = ph N iN ” (fll:<83)43
) A bisphenyldithiol system represented by the following formula, where R to R8 are hydrogen, an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, a halogen atom such as CfL, or a 7-mino group such as a dimethylamino group or a diethylamide group. where M represents a metal atom such as Ni, Co, Cu, Pd, or Pt.

また、上記構造のMは一電荷をもって、4級アンモニウ
ムイオン等のカチオン(Cat)と塩を形成してもよく
、さらにはMの上下には、さらに他の配位子が結合して
もよい。
Furthermore, M in the above structure has a single charge and may form a salt with a cation (Cat) such as a quaternary ammonium ion, and further, other ligands may be bonded above and below M. .

このようなものとしては、下記のものかある。Examples of this include the following.

R5R8R7R8 Q3−I   HHHH Q3−2’   HCH3HH Q3−3   HC2C交    H Q3−4    CH3HHCH3 Q3−5    CH3CH3CH3CH3Q3−6 
   H0文    HH Q3−7    C立   C!;L    0文  
  C立Q3−8    HC交    C立    
c9゜Q3−9    HHHH Q3−10   HCH3CH3H M      Ca t Nj    N”(C2H5)4 Ni    N”  (n−C4Hg)4Ni    
N÷ (n−CaR9)4N I   N”  (CR
3)3C18H33Ni    N”  (n−C4H
g)4Ni    N”  (n−C4Hg)4Ni 
   N”  (n−C4Hg)4Ni    N÷ 
(n−CaR9)4Co    N”  (n−C4H
9)4Co    N”  (n−C4R9)4R5R
6R7R8 Q3−11   HCH3CH3H Q3−12   HCH3c)(3H Q3−13   C見  C又    0文    C
文Q3−14   H0文    C又    C立Q
3−15   HN(CH3) 2    HHQ3−
IS   HN(CH3) 2  N(CH3) 2 
  HQ3−1?   HN(CH3) 2   CH
3HQ3−18   HN(C:R3)2    HH
Q3−+9   HN(CH3) 2    C見  
  HQ3−20   HN(CH3)2    HH
M      Ca t Ni    N”  (n−C4Hg)4NiN+(c
 R3)3c 16H33Nt   N+(c R3)
3c 16H33N iN ”  (CH3)3Cts
H33Ni    N”  (n−C4Hg)4N i
    N”  (n−C7Hts) 4Ni   N
◆ (C8H17)(C2H5)3Ni       
   − Ni    N÷ (n−C4H9)4Ni   N”
  (CH)(CH3)3この他、特開昭50−450
27号や特願昭58−163080号に記載したものな
ど。
R5R8R7R8 Q3-I HHHH Q3-2' HCH3HH Q3-3 HC2C Cross H Q3-4 CH3HHCH3 Q3-5 CH3CH3CH3CH3Q3-6
H0 sentence HH Q3-7 C standing C! ;L 0 sentences
C standing Q3-8 HC crossing C standing
c9゜Q3-9 HHHH Q3-10 HCH3CH3H M Cat Nj N"(C2H5)4 Ni N" (n-C4Hg)4Ni
N÷ (n-CaR9)4N I N” (CR
3) 3C18H33Ni N” (n-C4H
g)4Ni N” (n-C4Hg)4Ni
N” (n-C4Hg)4Ni N÷
(n-CaR9)4Co N” (n-C4H
9) 4Co N” (n-C4R9)4R5R
6R7R8 Q3-11 HCH3CH3H Q3-12 HCH3c) (3H Q3-13 C seen C or 0 sentences C
Sentence Q3-14 H0 sentence C again C standing Q
3-15 HN(CH3) 2 HHQ3-
IS HN(CH3) 2 N(CH3) 2
HQ3-1? HN(CH3) 2 CH
3HQ3-18 HN(C:R3)2HH
Q3-+9 HN(CH3) 2 C look
HQ3-20 HN(CH3)2 HH
M Cat Ni N” (n-C4Hg)4NiN+(c
R3) 3c 16H33Nt N+(c R3)
3c 16H33N iN” (CH3)3Cts
H33Ni N” (n-C4Hg)4N i
N” (n-C7Hts) 4Ni N
◆ (C8H17) (C2H5)3Ni
− Ni N÷ (n-C4H9)4Ni N”
(CH) (CH3)3 In addition, JP-A-50-450
No. 27 and those described in Japanese Patent Application No. 163080/1983.

4) 下記式で示されるジチオカル、< ミン酸キレー
ト系 ここに R9およびR10はアルキル基を表わす。
4) Dithiocal represented by the following formula < mic acid chelate system where R9 and R10 represent an alkyl group.

また、MはNi、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属
を表わす。
Further, M represents a transition metal such as Ni, Co, Cu, Pd, or Pt.

5) 下記式で示されるもの ここに、Mは、遷移金属原子を表わし。5) What is shown by the following formula Here, M represents a transition metal atom.

Qlは、 を表わし、Catは、カチオンを表わす。Ql is and Cat represents a cation.

性−λ−Cat Q5−I   Ni    Ql2   2CHN→ 
(CH3)3Q 5−2  N i   Q 12  
2C(04H9)4N”Q 5−3   COQ 12
   2C(C4Ha)4N÷Q 5−4   Cu 
   Q 12   2C:(C:4H9)4N”Q 
5−5   P d    Q 12   2C(02
H8)4N”この他、特願昭58−125654号に記
載したもの。
Sex-λ-Cat Q5-I Ni Ql2 2CHN→
(CH3)3Q 5-2 N i Q 12
2C (04H9) 4N”Q 5-3 COQ 12
2C(C4Ha)4N÷Q 5-4 Cu
Q 12 2C: (C:4H9)4N"Q
5-5 P d Q 12 2C (02
H8) 4N" and others described in Japanese Patent Application No. 125654/1983.

6) 下記式で示されるもの ここに、 Mは遷移金原子を表わし、 RIIおよびR12は、それぞれcN、coR”7c 
o OR’9c ON R”HE11または5O2R1
7を表わし、 R13ないしR17は、それぞれ水素原子または置換も
しくは非置換のアールキル基も°しくはアリール基を表
わし、 Q2は、5員または6員環を形成するのに必要な原子群
を表わし。
6) Those represented by the following formula, where M represents a transition gold atom, RII and R12 are cN and coR''7c, respectively.
o OR'9c ON R"HE11 or 5O2R1
7, R13 to R17 each represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group, and Q2 represents an atomic group necessary to form a 5- or 6-membered ring.

Catは、カチオンを表わし、 nは1または2である。Cat represents a cation; n is 1 or 2.

M            A Q 6− I      N i       5Q6
−2NiS Q6−4     Ni       C(CN)2Q
6−5     Ni       C(CN) 2a
t 2  (n−C4R9) 4  N 2 (n  C16H33(CR33)  N)Na 2  ((n−C4R9) 4  N)2  ((n−
c1oH2、o(cH,、)3)(CH3)3N)2(
n−CH(CH)   N) +133333 この他、特願昭58−127074号に記載したもの。
M A Q 6- I N i 5Q6
-2NiS Q6-4 Ni C(CN)2Q
6-5 NiC(CN) 2a
t 2 (n-C4R9) 4 N 2 (n C16H33(CR33) N)Na 2 ((n-C4R9) 4 N) 2 ((n-
c1oH2, o(cH,,)3)(CH3)3N)2(
n-CH(CH) N) +133333 In addition, those described in Japanese Patent Application No. 127074/1982.

7) 下記式で示される化合物 ここに、Mは遷移金属原子を表わし、 Catは、カチオンを表わし。7) Compound represented by the following formula Here, M represents a transition metal atom, Cat represents a cation.

nlま1または2である。nl is 1 or 2.

M       Ca t Q 7  1    N +    2 ((n−C4
Hg)3N)Q 7−2   N i    2 (n
−c、5u3a(cHa)3N)この他、特願昭58−
127075号に記載したもの。
M Cat Q 7 1 N + 2 ((n-C4
Hg)3N)Q7-2Ni2(n
-c, 5u3a(cHa)3N) In addition, patent application 1983-
As described in No. 127075.

8)  ビスフェニルチオール系 Q 8− I   N i−ビス(オクチルフェニル)
サルファイド 9) 下記式で示されるチオカテコールキレート系 ここに、Mは、Ni、Co、Cu、Pd、P等の遷移金
属原子を表わす。
8) Bisphenylthiol-based Q 8-IN i-bis(octylphenyl)
Sulfide 9) Thiocatechol chelate system represented by the following formula, where M represents a transition metal atom such as Ni, Co, Cu, Pd, P, etc.

また、Mは一電荷をもち、カチオン (Cat)と塩を
形成してもよく、ベンゼン環は置換基を有していてもよ
い。
Further, M has a single charge and may form a salt with a cation (Cat), and the benzene ring may have a substituent.

M    Ca t Q9 1   N i   N”  (C4H9) 4
10) 下記式で示される化合物 ここに、R18は、1価の基を表わし、文は、O〜6で
あり、 Mは、遷移金属原子を表わし、 Catは、カチオンな表わす。
M Cat Q9 1 N i N” (C4H9) 4
10) Compound represented by the following formula, where R18 represents a monovalent group, O to 6, M represents a transition metal atom, and Cat represents a cation.

1日 MR父    Cat Q lOi    N iHO5(n−c4Hq)aQ
 to−2N i   CH31N(n−C4H9)4
特願昭58−143531号に記載したもの。
1 day MR father Cat Q lOi N iHO5(n-c4Hq)aQ
to-2N i CH31N(n-C4H9)4
What is described in Japanese Patent Application No. 143531/1983.

11) 下記の両式で示される化合物 ここに、上記式において、 R、R、RおよびR23は、それぞれの水素原子または
1価の基を表わし、 R、R、RおよびR27は、水素原子ま24    2
5    2B たは1価の基を表わすが、 RとR、RとR、R26とR27 2425252B は、互いに結合して6員環を形成してもよい。
11) Compounds represented by the following formulas: In the above formula, R, R, R and R23 each represent a hydrogen atom or a monovalent group, and R, R, R and R27 represent a hydrogen atom or a monovalent group. 24 2
5 2B represents a monovalent group, but R and R, R and R, R26 and R27 2425252B may be bonded to each other to form a 6-membered ring.

また、Mは、遷移全屈原子を表わす。Moreover, M represents a transition totally bent atom.

一式−1L  亡 亡 Qll−1CI) n−CH48Hn −C4H3Q 
11−2  (I )  C2H5COOC2H5CO
OC2H3COOL  旦24 旦25 旦28 旦2
7 ¥HHHHHNi C2H3Coo  HHHHNi この他、特願昭58−145294号に記載したもの。
Complete set-1L deceased Qll-1CI) n-CH48Hn -C4H3Q
11-2 (I) C2H5COOC2H5CO
OC2H3COOL Dan 24 Dan 25 Dan 28 Dan 2
7 ¥HHHHHHNi C2H3Coo HHHHNi In addition, those described in Japanese Patent Application No. 145294/1982.

12)  下記式で示される化合物 ここに1Mは、Pt、NiまたはPdを表わし、X+ 
 、N2  、X:l  、N4は、J:れぞれ0また
はSを表わす。
12) A compound represented by the following formula, where 1M represents Pt, Ni or Pd, and X+
, N2, X:l, N4 represent J:0 or S, respectively.

L  各」−X」−人工 各」− Q12−1   Ni   OOO0 Q12−2   Ni   S   S   S   
Sこの他、特願昭58−145295号に記載したもの
L Each"-X"-Artificial Each"-Q12-1 Ni OOO0 Q12-2 Ni S S S
S In addition, those described in Japanese Patent Application No. 58-145295.

13)  下記式で示される化合物 ここに、 31は、置換もしくは非置換のアルキル基ま
たはアリール基であり。
13) A compound represented by the following formula, where 31 is a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group.

R、R、RおよびR35は、水素原子 または1価の基を表わすが、 32とR33、R33と
R34、R34とR35は、互いに結合して6員環を形
成してもよい。
R, R, R and R35 represent a hydrogen atom or a monovalent group, but 32 and R33, R33 and R34, and R34 and R35 may be bonded to each other to form a 6-membered ring.

また、Mは、遷移金属原子を表わす。Moreover, M represents a transition metal atom.

RRRRP!     M Q13−1  nC4H3HHHHN1HCHHNi Q13−2  C6)15H25 Q13−3  n(:4H9HH,benz    X
iこの他、特願昭58−151928号に記載したもの
RRRRP! M Q13-1 nC4H3HHHHN1HCHHNi Q13-2 C6)15H25 Q13-3 n(:4H9HH, benz X
iOthers are described in Japanese Patent Application No. 58-151928.

14)  下記両式で示される化合物 R41,R41,R43およびR44は、それぞれ水素
原子または1価の基を表わすが、 RとR42、R42とR43、R43とR44は、互い
に結合して6員環を形成してもよい。
14) Compounds R41, R41, R43 and R44 shown in both formulas below each represent a hydrogen atom or a monovalent group, but R and R42, R42 and R43, R43 and R44 are bonded to each other to form a 6-membered ring. may be formed.

また、R45およびR48は、水素原子または1価の基
を表わす。
Moreover, R45 and R48 represent a hydrogen atom or a monovalent group.

ざらに、Mは、遷移金属原子を表わす。    −B 
 RRR”R””  R”’M Q14−IHHHHH−N1 Q14−2  HHC;HOCOHI(−Niこの他、
特願昭58−151929号に記載したもの。
Roughly speaking, M represents a transition metal atom. -B
RRR"R""R"'M Q14-IHHHHH-N1 Q14-2 HHC; HOCOHI (-Ni other,
The one described in Japanese Patent Application No. 151929/1983.

15)  下記式で示される化合物 、51 ここに、R、R、R、R、R。15) Compound represented by the following formula , 51 Here, R, R, R, R, R.

R、R、およびR58は、それぞれ、水素原子または1
価の基を表わすが。
R, R, and R58 are each a hydrogen atom or 1
It represents the base of valence.

RとR、RとR、RとR、 RとR、RとRおよびR57とR58はqいに結合して
6員環を形成してもよい。
R and R, R and R, R and R, R and R, R and R, and R57 and R58 may be bonded to each other to form a 6-membered ring.

Xは、ハロゲンを表わす。X represents halogen.

Mは、遷移金属原子を表わす。M represents a transition metal atom.

R51R52R53R54 Q+5−I   HnC4H9HH Q15−2   HHnC4H30G0  HE11 
R56R57R58R59X  MHHHHHC文  
N1 HHHHHC文  Ni この他、特願昭58−153392号に記載したもの。
R51R52R53R54 Q+5-I HnC4H9HH Q15-2 HHnC4H30G0 HE11
R56R57R58R59X MHHHHHHC sentence
N1 HHHHHC text Ni Other items described in Japanese Patent Application No. 153392/1982.

16)  下記式で示されるサリチルアルデヒドオキシ
ム系 ここに、RおよびR61は、アルキル基を表わし、Mは
、Ni、Co、Cu、Pd。
16) Salicylaldehyde oxime system represented by the following formula, where R and R61 represent an alkyl group, and M is Ni, Co, Cu, or Pd.

Pt等の遷移金属原子を表わす。Represents a transition metal atom such as Pt.

R60R61M Q L 6−1 1−C3H71−C3N7   N 
1Q16−2  (OH)  OH(C)l)  CH
Ni2113   2+13 Q L 6−3  (C[)  OH(OH2)、、0
H3C。
R60R61M Q L 6-1 1-C3H71-C3N7 N
1Q16-2 (OH) OH(C)l) CH
Ni2113 2+13 Q L 6-3 (C[) OH(OH2),,0
H3C.

Q l 6−4  (CH)  OH(OH2)、、C
N3C0Ql6−5  C6N5    C6N5  
  N1Q16−8  C6N5    C6N5  
  C。
Q l 6-4 (CH) OH(OH2),,C
N3C0Ql6-5 C6N5 C6N5
N1Q16-8 C6N5 C6N5
C.

Ql  6−7   C6N5       Cs  
N5      CuQ  1 6−8   NHCs
  Hら   NHC6H5N1Q16−9  0HO
HNi 17)  下記式で示されるチオヒスフェルレートキレ
ート系 ハq ここに1Mは前記と同じであり、R65およびR66は
、アルキル基を表わす。 また、Mは一電荷をもち、カ
チオン(Cat)と塩とを形成していてもよい。
Ql 6-7 C6N5 Cs
N5 CuQ 1 6-8 NHCs
H et al. NHC6H5N1Q16-9 0HO
HNi 17) Thiohisferrate chelate system haq represented by the following formula, where 1M is the same as above, and R65 and R66 represent an alkyl group. Further, M has one charge and may form a salt with a cation (Cat).

RM □ □   Cat Q l 7−1  t−CHN i  N”N3(C:
4H3)Q 17−2  t−CHCON”N3(04
H9)Ql7−3  t−CHNi   − 18)  下記式で示される亜ホスホン酩キレート系 ここに、Mは前記と同じであり、R71およびR72は
、アルキル基、水酸基等の置換基を表わす。
RM □ □ Cat Q l 7-1 t-CHN i N”N3(C:
4H3)Q 17-2 t-CHCON”N3(04
H9) Ql7-3 t-CHNi - 18) Subphosphonic chelate system represented by the following formula, where M is the same as above, and R71 and R72 represent a substituent such as an alkyl group or a hydroxyl group.

RRxvi Q 18−1  3−t−(: H、5−j−C:4H
9,6−OHNi;3)  下記名式で示される氾合物 ここに、R、R、RおよびR84は、水素原子または1
価の基を表わすが。
RRxvi Q 18-1 3-t-(: H, 5-j-C: 4H
9,6-OHNi; 3) Flood compound represented by the following formula, where R, R, R and R84 are hydrogen atoms or 1
It represents the base of valence.

R、!−R、RとR、RとRは、互 いに結合して、6d環を形成してもよい。R,! -R, R and R, R and R are mutually may be bonded to form a 6d ring.

RおよびR2Oは、それぞれ、水素原子または置換もし
くは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わす。
R and R2O each represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group.

R86は、水素原子、水酸基または置換もしくは非置換
のアルキル基もしくはアリール基を表わす。
R86 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group.

R87は、置換または非置換のアルキル基または7リー
ル基を表わす。
R87 represents a substituted or unsubstituted alkyl group or 7-aryl group.

Zは 5員または6員の環を形成するのに必要な非金属
原子群を表わす。
Z represents a group of nonmetallic atoms necessary to form a 5- or 6-membered ring.

Mは、遷移金属原子を表わす。M represents a transition metal atom.

R818283 RRR” Q19−I    HOHHH QI9−2HOHtc4HgH Q18−2    tc4H90HH0HR8588 RZM nc5H1H−N1 nc9H19H−Ni CN3       0 HN i この他、特願昭58−153393号に記載したもの。R818283 RRR” Q19-I HOHHH QI9-2HOHtc4HgH Q18-2 tc4H90HH0HR8588 RZM nc5H1H-N1 nc9H19H-Ni CN3 0 HN i In addition, those described in Japanese Patent Application No. 58-153393.

20)  下記式で示される化合物 ここに、R81およびR92は、それぞれ、水素原子、
置換または非置換のアルキル基、アリール基、アシル基
、N−フルキルカル八モイル基、N−7リールカルパモ
イル基、N−フルキルスルファモイル基、N−7リール
スルフアモイル基、アルコキシカルボニル基またはアリ
ーロキン力ルポニル基を表わし、 Mは、遷移金属原子を表わす。
20) Compound represented by the following formula, where R81 and R92 are each a hydrogen atom,
Substituted or unsubstituted alkyl group, aryl group, acyl group, N-furkylcarpamoyl group, N-7lylcarpamoyl group, N-furkylsulfamoyl group, N-7lylsulfamoyl group, alkoxycarbonyl group, or represents an aryloquine group; M represents a transition metal atom;

Q20−1   nC4R9CH3N 1Q2(12C
R3(R30−φ−NHCONiこの他、特願昭58−
155359号に記載したもの。
Q20-1 nC4R9CH3N 1Q2 (12C
R3 (R30-φ-NHCONi and others, patent application 1982-
As described in No. 155359.

この他、他のクエンチャ−としては、下記のようなもの
がある。
In addition, other quenchers include the following.

21)ベンゾエート系 Q211  既存化学物質3−3040 (チヌビン−
120(チバガイギー社製)〕 22)ヒンダードアミン系 Q22−1  既存化学物質5−3732(SANOL
IS−770(三共製 薬社製)〕 これら各クエンチャ−は、色素1モルあたり0.01〜
12モル、特に0.05〜1.2モル程度含有される。
21) Benzoate Q211 Existing chemical substance 3-3040 (tinuvin-
120 (manufactured by Ciba Geigy)] 22) Hindered amine Q22-1 Existing chemical substance 5-3732 (SANOL
IS-770 (manufactured by Sankyo Pharmaceutical Co., Ltd.)] Each of these quenchers has a concentration of 0.01 to 1 mole of dye.
It is contained in an amount of about 12 moles, particularly about 0.05 to 1.2 moles.

なお、クエンチャ−の極大吸収波長は、用いる色素の極
大吸収波長以上であることが好ましl/)。
The maximum absorption wavelength of the quencher is preferably greater than or equal to the maximum absorption wavelength of the dye used.

これにより、再生および劣化はきわめて小さくなる。This results in extremely low regeneration and deterioration.

この場合、両者の差はOか、350nm以下であること
が好ましい。
In this case, the difference between the two is preferably 0 or 350 nm or less.

なお、装置を小型化するためには、書き込みおよび読み
出しの光源として、好ましくは750.780.830
nmの半導体レーザーあるいは633nmのHe−NE
レーザー等オニ用いることが好ましいので、−重項酸素
クエンチャーの吸収極大波長は680nm以上、特に6
80〜1500.より一層好ましくは、800 = 1
500 n mにあることが好ましい。
In order to miniaturize the device, it is preferable to use 750.780.830 as a light source for writing and reading.
nm semiconductor laser or 633 nm He-NE
Since it is preferable to use a laser or the like, the maximum absorption wavelength of the doublet oxygen quencher is 680 nm or more, especially 680 nm or more.
80-1500. Even more preferably, 800 = 1
Preferably it is at 500 nm.

さらに、読み出し光の波長における用いる色素(2種以
上用いるときにはその実効値)および−重項酸素クエン
チャーの吸収係数をそれぞれεDおよびεQとしたとき
、εD/εQは3以上であることが好ましい。
Further, when the absorption coefficients of the dye used (the effective value when two or more types are used) and the -multiplet oxygen quencher at the wavelength of the readout light are εD and εQ, respectively, εD/εQ is preferably 3 or more.

なお、色素を2種以上併用して用いることには1色素の
吸収極大波長とεDとは、濃度に応じた相加平均実効値
である。
Note that when two or more types of dyes are used in combination, the maximum absorption wavelength of one dye and εD are an arithmetic average effective value depending on the concentration.

このような値となることにより、読み出し光の照射時の
クエンチャ−の励起がきわめて小さくなり、−重項酸素
による再生劣化はきわめて小さくなる。
With such a value, the excitation of the quencher during irradiation with readout light becomes extremely small, and the deterioration of regeneration due to doublet oxygen becomes extremely small.

さらに、クエンチャ−は、色素とイオン結合体を形成し
てもよい。
Furthermore, the quencher may form an ionic bond with the dye.

クエンチャ−色素イオン結合体としては、特願昭59−
14848号に記載したものを用いてもよい。
As a quencher-dye ion conjugate, patent application No. 59-
Those described in No. 14848 may also be used.

ただ、より好適に用いることのできるのは、特願昭59
−18878号、同59−19715号に記載したシア
ニン色素カチオンとクエンチャ−アニオンとの結合体で
ある。
However, what can be used more suitably is the patent application filed in 1983.
It is a conjugate of a cyanine dye cation and a quencher anion described in No. 18878 and No. 59-19715.

用いるシアニン色素カチオンとしては、上記したものの
カチオン体いずれであってもよい。
The cyanine dye cation used may be any of the cations listed above.

また、クエンチャ−アニオンは、上記3)、5)、6)
、7)、9)、10)、17)のうちのいずれのアニオ
ン体であってもよい。
In addition, the quencher anion is 3), 5), and 6) above.
, 7), 9), 10), and 17).

以下にその具体例をあげる。A specific example is given below.

なお、下記において、D÷は対応するDのカチオン、ま
た、Q−は対応するクエンチャ−のアニオンである。
In addition, in the following, D÷ is the corresponding cation of D, and Q- is the corresponding anion of quencher.

D+         灸ニー− 3DL           D”    l    
   Q−3−83D2           D” 
   l       Q−3−15SD3     
      D”    l       Q’−3−
153D4           D”    10 
     Q−3−3SD5          D”
    10      Q−3−155D6    
       D  +   17      Q−3
−83D7          D”    21  
    Q−3−83D8          D” 
   11      Q−3−8SD9      
    D ÷   8      Q−3−8SDI
OD”    8       Q−3−250110
”    9       Q−3−15SDI2  
              D”、    106 
         Q−3−15SDI3      
   0”    10    ’  Q−3−155
D 14         D +   5     
  Q−3−15SD15         ’D+ 
   to      Q−3−7S018     
、    0”、   22      Q−3−15
SDL?                D”   
 105         Q−3−113S  D 
 18          D +   7     
  Q−3−17SD19          D” 
   20      Q−3−18SD20    
       D “   l       Q−3−
ISD21           D  ◆   l 
      −Q−3−2SD22         
  D”    l       Q−3−18SD2
3           D”    l      
 Q−3−17SD24           D” 
   10      Q−3−7SD25     
      D”   106       Q−3−
8SD  26          D”   108
       Q−3−73D27         
  D”   +08       Q−3−2SD2
8           D  +  1OEi   
    Q−3−163D2!]          
D ÷   5       Q−3−83D30  
        D”    5       Q−3
−25D 31           D  ÷   
5       Q”−3−7SD32       
    D”    5       Q−3−1[1
SD34           D”    l   
    Q−3−8SD35          D”
    I       Q−3−3SD3S    
            D”      10   
       Q−3−LSD37         
  D”    17       Q−17−ISD
38    D噌 11   Q−10−l5D39 
         D”    21      Q−
7−25D40                D”
      9           Q−10−LS
  D41          D”、  101  
   Q−6−l5D42          D、+
    5       Q−j−3S 043   
       D”    42      Q−3−
8SD44          D”   109  
     Q−3−8S D 45         
D 1 70     Q″ 3−8S D 48  
        D”   110      Q−3
−85D 47         D “   70 
     Q−3−15SD48          
D”   42      Q−3−1?S 049 
         D”   43      Q−3
−7SD50          D “   !31
      Q−3−8S D 51        
  D ”   111      Q−3−8SD5
2          D “  112      
Q−3−2SD53          D”   1
13      Q−3−85D54        
  D  +   7QQ−2−3このような吸収特性
をもつクエンチャ−は、用いる光源および色素に応じ、
適宜選択して使用される。
D+ Moxibustion Knee- 3DL D"l
Q-3-83D2 D”
l Q-3-15SD3
D"l Q'-3-
153D4 D" 10
Q-3-3SD5 D”
10 Q-3-155D6
D + 17 Q-3
-83D7 D” 21
Q-3-83D8 D”
11 Q-3-8SD9
D ÷ 8 Q-3-8SDI
OD” 8 Q-3-250110
” 9 Q-3-15SDI2
D", 106
Q-3-15SDI3
0"10' Q-3-155
D 14 D + 5
Q-3-15SD15'D+
to Q-3-7S018
, 0”, 22 Q-3-15
SDL? D”
105 Q-3-113S D
18D + 7
Q-3-17SD19D”
20 Q-3-18SD20
D “l Q-3-
ISD21 D ◆ l
-Q-3-2SD22
D”l Q-3-18SD2
3D”l
Q-3-17SD24D”
10 Q-3-7SD25
D" 106 Q-3-
8SD 26D” 108
Q-3-73D27
D” +08 Q-3-2SD2
8D + 1OEi
Q-3-163D2! ]
D ÷ 5 Q-3-83D30
D” 5 Q-3
-25D 31D ÷
5 Q”-3-7SD32
D” 5 Q-3-1[1
SD34 D"l
Q-3-8SD35D”
I Q-3-3SD3S
D” 10
Q-3-LSD37
D” 17 Q-17-ISD
38 D 11 Q-10-l5D39
D” 21 Q-
7-25D40D”
9 Q-10-LS
D41 D", 101
Q-6-l5D42 D, +
5 Q-j-3S 043
D” 42 Q-3-
8SD44D” 109
Q-3-8S D 45
D 1 70 Q″ 3-8S D 48
D” 110 Q-3
-85D 47D “ 70
Q-3-15SD48
D” 42 Q-3-1?S 049
D” 43 Q-3
-7SD50 D “ !31
Q-3-8S D 51
D” 111 Q-3-8SD5
2 D “ 112
Q-3-2SD53 D" 1
13 Q-3-85D54
D + 7QQ-2-3Quenchers with such absorption characteristics can vary depending on the light source and dye used.
It is selected and used as appropriate.

このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよい。
In order to form such a recording layer, it is generally necessary to apply it by coating according to a conventional method.

そして、記録層の厚さは、通常、0.03〜2g、m程
度とされる。 あるいは色素とクエンチャ−のみで記録
層を形成するとくには、蒸着、スパフタリング等によっ
てもよい。
The thickness of the recording layer is usually about 0.03 to 2 g, m. Alternatively, when forming a recording layer using only a dye and a quencher, vapor deposition, sputtering, etc. may be used.

記録層の厚みは、0.04〜O,12gm、特に0.0
5〜0.08gmであることが好ましい。
The thickness of the recording layer is 0.04~0.12 gm, especially 0.0
It is preferable that it is 5-0.08 gm.

0.04gm、特に0.03pm以下では吸収着反射昔
とも小さく書き込み感度、再生感度とも大きく取ること
ができない。
Below 0.04 gm, particularly 0.03 pm, the absorption and adsorption reflection is as small as before, making it impossible to obtain large write and playback sensitivities.

0.124m以上では、プリグループが埋没してしまい
、トラッキング信号を得ることが困炸となる。 また、
ビット形成が容易でなき、書き込み感度が低下する。
If the distance is 0.124 m or more, the pre-group will be buried, making it difficult to obtain a tracking signal. Also,
Bit formation is not easy, and writing sensitivity decreases.

なお、このような記Q層には、この他、他の色素や、他
のポリマーないしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性剤
、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、酸化防
止剤、そして架橋剤等が含有されていてもよい。
In addition, the Q layer may contain other dyes, other polymers or oligomers, various plasticizers, surfactants, antistatic agents, lubricants, flame retardants, stabilizers, dispersants, and antioxidants. A crosslinking agent, a crosslinking agent, etc. may be contained.

このような記録層を設層するには、基体上に、所定の溶
媒を用いて塗布、乾燥すればよい。
To form such a recording layer, it may be applied onto the substrate using a predetermined solvent and dried.

なお、塗布に用いる溶媒としては、例えばメチルエチル
ケトン、メチルインブチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトールア
セテート、ブチルカルピトールアセテート等のエステル
系、メチルセロソルブ、メチルセロソルブ等のエーテル
系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロ
エタン等のハロゲン化アルキル系、アルコール系などを
用いればよい。
Examples of solvents used for coating include ketones such as methyl ethyl ketone, methyl imbutyl ketone, and cyclohexanone, esters such as butyl acetate, ethyl acetate, carpitol acetate, and butyl carpitol acetate, and ethers such as methyl cellosolve and methyl cellosolve. or aromatic systems such as toluene and xylene, halogenated alkyl systems such as dichloroethane, alcohol systems, etc. may be used.

このような記録層を設層する基体は樹脂製である。The substrate on which such a recording layer is provided is made of resin.

樹脂の材質としては、種々のものが可能である。Various materials are possible for the resin.

ただ、このような樹脂中、特に上記したような各種塗布
用の溶媒、特にケトン系、エステル系、ハロゲン化アル
キル等におかされやすく、本発明の下地層による効果が
特に大きいのは、アクリル樹脂またはポリカーボネート
樹脂である。
However, among such resins, acrylic resins are particularly susceptible to the various coating solvents mentioned above, especially ketones, esters, alkyl halides, etc., and the effect of the base layer of the present invention is particularly large. Or polycarbonate resin.

そして、これらでは、書き込みおよび読み出し光に対し
、実質的に透明であるので、書き込みおよび読み出しを
基体裏面側から行うことができ1感度、S/N比等の点
で有利であり、またホコリ対策等の実装上の点でも有利
である。
Since these are substantially transparent to writing and reading light, writing and reading can be performed from the back side of the substrate, which is advantageous in terms of sensitivity, S/N ratio, etc., and is also effective against dust. It is also advantageous in terms of implementation.

さらに、成形性も良好であるので、トラッキング用の溝
の形成も容易である。
Furthermore, since the moldability is good, it is easy to form tracking grooves.

アクリル樹脂としては、ポリメチルメタクリレート等、
炭票原子数1〜8の鎖状ないし環状のアルキル基をもつ
メタクリル酸エステルを主体とするコポリマーないしホ
モポリマーが好ましい。
Acrylic resins include polymethyl methacrylate, etc.
A copolymer or homopolymer mainly composed of a methacrylic acid ester having a chain or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is preferred.

また、ポリカーボネート樹口旨としては、ビスフェノー
ルAタイプが好ましい。
Furthermore, as the polycarbonate resin, bisphenol A type is preferred.

そして、これらアクリル樹脂またはポリカーボネート樹
脂は、射出成形によって形成されたものであるとき、本
発明の下地層の効果はより大きなものとなる。
When these acrylic resins or polycarbonate resins are formed by injection molding, the effect of the base layer of the present invention becomes even greater.

なお、これらアクリル樹脂またはボッカーボネート樹脂
の数平均重合度は、800〜6000程度であることが
好ましい。
Note that the number average degree of polymerization of these acrylic resins or bocker carbonate resins is preferably about 800 to 6,000.

記録層ヒに設層される表面層は、高融点で硬度の高い膜
であればよい。
The surface layer provided on the recording layer H may be a film having a high melting point and high hardness.

従って、各種酸化物系、窒化物系、炭化物系等の無機物
質、例えば酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム
、酸化マクネシウム、酸化ジルコン、窒化ケイ素、炭化
ケイXh4の気相被着11見であってもよい。
Therefore, the vapor phase deposition of various oxide-based, nitride-based, and carbide-based inorganic substances, such as silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, silicon nitride, and silicon carbide Good too.

あるいは、いわゆる架橋剤として知られるキレート化合
物等から形成される酸化ケイ素、酸化チタン、酸ジルコ
ン、酸化アルミニウム等から主として形成される加水分
解塗膜であってもよい。
Alternatively, it may be a hydrolyzed coating film mainly formed from silicon oxide, titanium oxide, acid zirconium, aluminum oxide, etc. formed from a chelate compound known as a so-called crosslinking agent.

ただ、これらの中で、もつとも右動なのは、ケイ素系縮
合物のコロイド粒子分散液の塗膜である。
However, among these, the most right-handed is the coating film of a colloidal particle dispersion of a silicon-based condensate.

ケイ素系縮合物のコロイド粒子は、/\ロゲン化ケイ素
、特に四塩化ケイ素、ないレアルキルケイ酸、特に四低
級アルキル(メチル、エチル)ケイ酸の加水分解縮合物
が好適である。
The colloidal particles of the silicon-based condensate are preferably hydrolyzed condensates of silicon halogenide, especially silicon tetrachloride, or realkyl silicic acid, especially tetra-lower alkyl (methyl, ethyl) silicic acid.

そして、コロイド粒子径は、30〜100人、特に50
〜80人程度とされる。
And the colloid particle size is 30 to 100, especially 50
~80 people.

また、分散媒としては、アルコール、特に1個の脂肪族
アルコール、あるいは酢酸アルキル、あるいはこれらと
芳香族炭化水素との混合溶媒等が用いられる。
Further, as the dispersion medium, an alcohol, particularly one aliphatic alcohol, an alkyl acetate, or a mixed solvent of these and an aromatic hydrocarbon is used.

また、加水分解のためには、必要に応じ鉱酸が添加され
る。
Moreover, for hydrolysis, a mineral acid is added as necessary.

そして、必要に応じエチレングリコール等の安定剤や界
面活性剤等が添加される。
Then, a stabilizer such as ethylene glycol, a surfactant, etc. are added as necessary.

このようなコロイド粒子分散液の1例としては、特公昭
31−8533号に記載された四塩化ケイ素(Si0M
4)と1価の脂肪族アルコールとを酢酸アルキルエステ
ル中に溶解させたものがある。
An example of such a colloidal particle dispersion is silicon tetrachloride (Si0M) described in Japanese Patent Publication No. 31-8533.
4) and a monohydric aliphatic alcohol are dissolved in acetic acid alkyl ester.

また、特公昭3Ei−4740号に記載された四アルキ
ルケイ酸と1価の脂肪族アルコール、酢酸アルキルおよ
び鉱酸よりなる溶液に、1〜20wt%のエチレングリ
コールを添加したものでもよい。
Alternatively, 1 to 20 wt% of ethylene glycol may be added to a solution of tetraalkyl silicic acid, monovalent aliphatic alcohol, alkyl acetate, and mineral acid described in Japanese Patent Publication No. 3Ei-4740.

さらには、特公昭45−35435号に記載された四低
級アルキルケイ酸のアルコール溶液でもよい。
Furthermore, an alcohol solution of tetra-lower alkyl silicic acid described in Japanese Patent Publication No. 45-35435 may also be used.

このような場合、使用する1価の脂肪族アルコールとし
ては、メチルアルコール、エチルアルコール、変性アル
コール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールあ
るいはそれらの混合物。
In such a case, the monohydric aliphatic alcohol used is methyl alcohol, ethyl alcohol, denatured alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol or a mixture thereof.

酢酸アルキルとしては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
アミル、酢酸ブチルあるいはこれら゛の混合物を用い、 鉱酸としては、塩酸、硫酸の水溶液等で、普通工業的に
用いられているものを用いればよい。
As the alkyl acetate, methyl acetate, ethyl acetate, amyl acetate, butyl acetate, or a mixture thereof may be used, and as the mineral acid, an aqueous solution of hydrochloric acid or sulfuric acid, etc., which is commonly used in industry may be used. .

なお、これらの分散液の塗布は、常法に従い、スピンナ
ーコート等の塗布にすればよい。
Incidentally, these dispersions may be applied by spinner coating or the like according to a conventional method.

この場合、希釈溶媒としては1例えば炭化水素系とアル
コール系との混合溶媒がある。
In this case, the diluting solvent includes, for example, a mixed solvent of a hydrocarbon type and an alcohol type.

そして、乾燥は、40〜80℃にて、20分〜2時間程
度行えばよい。
Then, drying may be performed at 40 to 80°C for about 20 minutes to 2 hours.

このようにして形成される塗膜は、水酸基を含む酸化ケ
イ素塗膜である。
The coating film thus formed is a silicon oxide coating film containing hydroxyl groups.

以上の第1表面層の厚さは、0.005〜0.03pm
である。 特に好ましくは、0.008〜0.012g
mであることが好ましい。
The thickness of the above first surface layer is 0.005 to 0.03 pm.
It is. Particularly preferably 0.008 to 0.012g
It is preferable that it is m.

第1表面層が、0.003牌m未満であれば、光記録媒
体としての書き込み読み出しの感度向上の効果が得られ
ない。
If the first surface layer is less than 0.003 m, the effect of improving writing and reading sensitivity as an optical recording medium cannot be obtained.

第1表面層が0.03ILmを超えると、光記録媒体と
しての書き込み読み出しの感度は、かえって、低下して
しまう。
When the first surface layer exceeds 0.03 ILm, the writing/reading sensitivity of the optical recording medium is rather reduced.

色素組成物からなる光記録膜は光照射と同時にビットが
形成されてしまい、その後の照射光は最もエネルギーの
集中している中央部で吸収されなくなる。 従ってエネ
ルギーの利用効率が低く、感度がある値以上向上しない
原因となっている。
In an optical recording film made of a dye composition, bits are formed at the same time as the film is irradiated with light, and the subsequent irradiated light is no longer absorbed at the center where the energy is most concentrated. Therefore, the energy use efficiency is low, which is the reason why the sensitivity cannot be improved beyond a certain value.

本発明の表面層は高融点の固い膜で、一定時間以下の照
射光に対してビットを形成しないようにしている。
The surface layer of the present invention is a hard film with a high melting point, and is designed to prevent the formation of bits when exposed to light that is irradiated for a certain period of time or less.

そして、高融点の表面層を設けるときでも、書き込み光
の強度、パルス巾、回転速度等を調整することにより、
表面層が実質的に連続した状態で、かつ実質的に破断す
ることなく、ビット四部が形成されることになる。
Even when providing a surface layer with a high melting point, by adjusting the intensity, pulse width, rotation speed, etc. of the writing light,
Four bits are formed with the surface layer being substantially continuous and without substantial breakage.

従って、高い感度を維持した上で、表面層破砕片の飛散
にもとづ< S/N比の低下やエラーレートの上昇が防
止される。
Therefore, while maintaining high sensitivity, a decrease in the S/N ratio and an increase in the error rate due to the scattering of surface layer fragments can be prevented.

なお、このような書き込み条件は、容易に実験的に求め
ることができる。
Note that such writing conditions can be easily determined experimentally.

なお、実質的に表面層が連続しかつ破断しないとは、ビ
ット径に対し無視しうるピンホールの発生は許容するも
のである。
Note that the fact that the surface layer is substantially continuous and does not break means that the occurrence of pinholes that can be ignored with respect to the bit diameter is allowed.

また、このような表面層は複合積層膜であってもよい。Moreover, such a surface layer may be a composite laminated film.

さらに、このような表面層には、上層として高分子膜が
積層されていてもよい。
Furthermore, a polymer film may be laminated as an upper layer on such a surface layer.

そして、このような高分子膜の設層によっても1表面層
の破断が防止されるのである。
The provision of such a polymer film also prevents breakage of one surface layer.

用いる高分子としては種々のものが適用できるが、特に
上記の表面層を侵して色素を溶解しないこと、密着性の
よいこと、均一性のよいこと、塗布性のよいこと、低粘
度のあること等の点で、水または水−アルコール混合溶
媒に可溶で、かつ水酸基を含有する高分子化合物の塗膜
からなるものが好ましいに の場合、水または水−アルコール混合溶媒に可溶である
とは、水あるいは後述のような水−アルコール混合溶媒
に1%程度以上溶解するものであればよい。
Various polymers can be used, but in particular, the polymer should not invade the above-mentioned surface layer and dissolve the dye, should have good adhesion, good uniformity, good coatability, and low viscosity. For these reasons, it is preferable to use a coating film of a polymer compound that is soluble in water or a water-alcohol mixed solvent and contains hydroxyl groups. may be one that can be dissolved in water or a water-alcohol mixed solvent as described below to an extent of about 1% or more.

このような高分子化合物としては、アラビアゴム、アル
ギン酸、トラガントガム等の多糖類であってもよいが、
特に下記のようなセルロース誘導体や、ビニルアルコー
ル単位含有樹脂が好適である。
Such polymeric compounds may be polysaccharides such as gum arabic, alginic acid, gum tragacanth, etc.
In particular, cellulose derivatives and vinyl alcohol unit-containing resins as shown below are suitable.

1)セルロース誘導体 ニトロレルロース、アセチルセルロース、エチルセルロ
ース、アセチルブチルセルロース、ヒドロキシエチルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセル
ロース、エチルヒドロキシエチルセルロースなど。
1) Cellulose derivatives nitrorelulose, acetylcellulose, ethylcellulose, acetylbutylcellulose, hydroxyethylcellulose, hydroxypropylcellulose, methylcellulose, ethylhydroxyethylcellulose, etc.

この場合、水酸基は、くりかえし単位あたり、平均1以
上含有されることが好ましい。
In this case, it is preferable that one or more hydroxyl groups are contained on average per repeating unit.

2)ビニルアルコール単位含有樹脂 ポリビニルアルコール、 ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体などの
完全ないし部分加水分解物。
2) Completely or partially hydrolyzed resins containing vinyl alcohol units, such as polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate, and ethylene-vinyl acetate copolymers.

この場合、ビニルアルコール単位は、70モル%以上、
好ましくは、80モル%以上含有されるものが好ましい
In this case, the vinyl alcohol unit is 70 mol% or more,
Preferably, the content is 80 mol% or more.

なお、このような高分子化合物の数平均分子量について
は、特に制限はない。
Note that there is no particular restriction on the number average molecular weight of such a polymer compound.

このような高分子化合物は、通常、水−アルコール混合
溶媒に溶解されて塗布設層される。
Such a polymer compound is usually dissolved in a water-alcohol mixed solvent and applied as a layer.

この場合、アルコールとしては、メタノール、エタノー
ル、プロパツール、ブタノール等の単独または複合系が
好適である。 そして、水とアルコールとの混合比は、
1:0.5〜3程度とする。
In this case, the alcohol is preferably methanol, ethanol, propatool, butanol, etc. alone or in combination. The mixing ratio of water and alcohol is
1: about 0.5 to 3.

なお、塗布溶媒としては、水を単独、で用いることもで
きるが、樹脂製の基体に対する塗布性の点では、水−ア
ルコール混合溶媒がすぐれている。
Although water can be used alone as the coating solvent, a water-alcohol mixed solvent is superior in terms of coating properties on resin substrates.

このような下地層の塗設に際しては、塗布液中に架橋剤
を添加して、塗膜中の高分子化合物を架橋することもで
きる。
When coating such an underlayer, a crosslinking agent may be added to the coating solution to crosslink the polymer compound in the coating film.

このとき、耐溶剤性、耐水性、耐熱性が改良され、記録
層の安定性が向上する。
At this time, solvent resistance, water resistance, and heat resistance are improved, and the stability of the recording layer is improved.

、この場合、下地層の塗布液中には、ピンホールの発生
を防止し、脱泡を完全に行い、しかも粘度を下げるため
に、界面活性剤、消泡剤、帯電防止剤等を添加してもよ
い。
In this case, surfactants, antifoaming agents, antistatic agents, etc. are added to the coating solution for the base layer in order to prevent the formation of pinholes, completely defoaming, and lower the viscosity. It's okay.

用いる架橋剤としては、チタン、ジルコニウムもしくは
アルミニウムの有機化合物もしくはキレート化物、ある
いは、アルデヒド、オキシカルボン酸またはメチロール
含有オリゴマーであることが好ましい。
The crosslinking agent used is preferably an organic compound or chelate of titanium, zirconium, or aluminum, or an aldehyde, oxycarboxylic acid, or methylol-containing oligomer.

このような高分子膜は、0.002〜0.8Bmより好
ましくは0.005〜0.5pm(7)厚さとすること
が好ましい。
Such a polymer membrane preferably has a thickness of 0.002 to 0.8 Bm, more preferably 0.005 to 0.5 pm (7).

0.002pm未満では、飛散防止の実効がなく、0.
8Bmをこえると逆に感度が減少するからである。
If it is less than 0.002 pm, there is no effective scattering prevention;
This is because, if it exceeds 8 Bm, the sensitivity decreases.

さらに本発明の表面層を有する記録層は、基体上に直接
形成されてもよく、あるいは、下地層を介して設層され
てもよい。
Furthermore, the recording layer having the surface layer of the present invention may be formed directly on the substrate, or may be provided via an underlayer.

下地層としては、公知の種々のものであってよいか、す
でに述べた第1表面層ないし高分子膜と全く同様にして
作製されたものであることが好ましい。
The underlayer may be of various known types, or is preferably prepared in exactly the same manner as the first surface layer or polymer film described above.

下地層の厚みはo 、oos〜0.05牌mである。 
特にo 、ooa〜0.03ルmであることが好ましい
The thickness of the base layer is o, oos to 0.05 m.
In particular, it is preferably o, ooa to 0.03 m.

下地層が0.005給m未満となると、基体への耐溶剤
性付与効果および耐熱性付与効果が不充分である。  
0.05pmを超えると、感度が低下する。
When the thickness of the underlayer is less than 0.005 m, the effect of imparting solvent resistance and heat resistance to the substrate is insufficient.
If it exceeds 0.05 pm, sensitivity decreases.

以上のような下地層を設置することによって、光記録媒
体としての感度がさらにあがり、S/N比がさらに向上
する。
By providing the underlayer as described above, the sensitivity as an optical recording medium is further increased and the S/N ratio is further improved.

下地層上には、通常直接記録層が設層されるものである
が、必要に応じ場合によっては、下地層と記録層との間
に、他の中間層を設層することもできる。
Usually, a recording layer is directly formed on the underlayer, but if necessary, another intermediate layer may be formed between the underlayer and the recording layer.

同様に表面層上に、さらに各種最上層保護層、ハーフミ
ラ一層などを設けることもできる。 ただし反射層は積
層しないことが望ましい。
Similarly, various uppermost protective layers, a half-mirror layer, etc. can be further provided on the surface layer. However, it is preferable not to stack the reflective layer.

本発明の媒体は、このような基体の一面上に下地層を介
して、上記の記録層を有するものであってもよく、その
両面に下地層を介して記録層を有するものであってもよ
い。
The medium of the present invention may have the above recording layer on one side of such a substrate with an underlayer interposed therebetween, or may have recording layers on both sides thereof with an underlayer interposed therebetween. good.

また基体の一面上に下地層を介して記録層を塗設したも
のを2つ用い、それらを記録層が向かいあうようにし゛
C1所定の間隙をもって対向させ、それを密閉し、ホコ
リやキズがつかないようにすることもできる。
In addition, two recording layers are coated on one surface of the substrate with an underlayer interposed between them, and the recording layers are placed facing each other with a predetermined gap between them. You can also choose not to have one.

なお、記録層には反射層を積層しないことが好まし、い
Note that it is preferable not to laminate a reflective layer on the recording layer.

本発明の記録方法においては、媒体に対し。In the recording method of the present invention, for the medium.

その走行ないし回転下において、記録光をパルス状に照
射する。
While it is running or rotating, recording light is irradiated in a pulsed manner.

このとき、記録層中の色素の発熱により、自己酸化性の
樹脂が分解するか、あるいは熱可塑性樹脂や色素が融解
し、ピ、ントが形成される。
At this time, due to the heat generated by the dye in the recording layer, the self-oxidizing resin decomposes or the thermoplastic resin and the dye melt, forming pints.

この場合、書き込みは気体裏面側から行うことが好まし
い。
In this case, writing is preferably performed from the gas back side.

特に、トリないしテトラカルボシアニン色素を用いると
きには、750.780.830nm波長の記録半導体
レーザーダイオードなどを用いたとき、きわめて良好な
書き込みを行うことができる。
In particular, when a tri- or tetracarbocyanine dye is used, extremely good writing can be achieved when a recording semiconductor laser diode with a wavelength of 750.780.830 nm is used.

また、フタロシアニン色素を用いるときには、730〜
760nm、波長の記録半導体レーザーダイオードなど
を用いたときに、非常に良好な書き込みを行うことがで
きる。
In addition, when using phthalocyanine dye, 730~
When using a recording semiconductor laser diode with a wavelength of 760 nm, very good writing can be performed.

このようにして形成されたビットは、やはり媒体の走行
ないし回転下、上記の波長の読み出し光の反射光ないし
透過光、特に反射光を検出することにより読み出される
The bits formed in this way are read out by detecting the reflected or transmitted light, especially the reflected light, of the readout light of the above-mentioned wavelength while the medium is running or rotating.

この場合、読み出し光は、やはり基体裏面側から照射し
て、その反射光を検知するようにすることが好ましい。
In this case, it is preferable that the readout light is irradiated from the back side of the substrate and the reflected light is detected.

なお、記録層に熱可塑性樹脂を用いるときには、一旦記
録層に形成したビットを光ないし熱で消去し、再書さ込
みを行うこともできる。
Note that when a thermoplastic resin is used for the recording layer, the bits once formed on the recording layer can be erased with light or heat and then rewritten.

また、記録ないし読み出し光としては He−N eレ
ーザー等を用いることもできる。
Further, a He-Ne laser or the like can also be used as the recording or reading light.

このような場合において、本発明に従い、表面層を実質
的に破断しない状態でビットの形成を行うには、上記し
たように、通常の高融点の表面層を形成するときには、
書き込み条件を調整する。 すなわち、光強度を若干低
くシ、かつ記録媒体の照射光に対する通過速度を速くす
ればよい。 このとき同時に高速の記録ができることに
なる。
In such a case, in order to form a bit without substantially breaking the surface layer according to the present invention, as described above, when forming a normal high melting point surface layer,
Adjust writing conditions. That is, the light intensity may be slightly lowered and the speed at which the irradiated light passes through the recording medium may be increased. At this time, high-speed recording can be performed at the same time.

また、表面層上に高分子膜を形成して、ビット部の表面
層の破断を防1トしてもよい。
Furthermore, a polymer film may be formed on the surface layer to prevent the surface layer of the bit portion from breaking.

■ 発明の具体的効果 本発明は、色素または色素組成物からなる記録層に、高
融点の表面層を有する光記録媒体を用い、これに対し表
面層が破断しないような状態でビットを形成するので、
同一コントラストをうるための書き込み光の強度が低下
し、媒体走行速度を上げることができる。
■Specific Effects of the Invention The present invention uses an optical recording medium having a surface layer with a high melting point in the recording layer made of a dye or a dye composition, and forms bits in such a state that the surface layer does not break. So,
The intensity of the writing light required to obtain the same contrast is reduced, and the medium running speed can be increased.

そして、高分子膜の設層や書き込み条件の設定により、
ビット形成の際の表面層の破断とそれにともなう飛散が
防IFされるので、S/N比が向上し、エラーレートが
減少する。
Then, by setting the polymer film layer and writing conditions,
Since breakage of the surface layer during bit formation and accompanying scattering are prevented by IF, the S/N ratio is improved and the error rate is reduced.

■ 発明の具体的実施例 以下、本発明の°実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。
(2) Specific Examples of the Invention The present invention will now be described in more detail by way of Examples.

実施例 基体直径30cmのPMMA (MF I = 2)射
出成形基板に、 四エチル塩酸     4.2部 エチルアルコール    43部 酢酸エチル       42都 濃塩酸        5,4部 エチレングリコール  5.4部 を混和し、50〜80人のコロイド分散液とし、n−プ
ロパツールで希釈して塗布液とした。
Example 4.2 parts of tetraethyl hydrochloric acid 43 parts of ethyl alcohol 42 parts of ethyl acetate 5.4 parts of concentrated hydrochloric acid 5.4 parts of ethylene glycol were mixed into a PMMA (MFI = 2) injection molded substrate having a diameter of 30 cm. A colloidal dispersion of 80 people was prepared and diluted with n-propertool to prepare a coating liquid.

これをスピンニートしたのち、60℃、30分間処理し
た。 膜厚は0 、01 pmである。
This was spin-neat and then treated at 60°C for 30 minutes. The film thickness is 0.01 pm.

次いで、色素D−10およびクエンチェーQ3−8 (
5: 2)の色素1%溶液(ジクロロエタン、ジクロヘ
キサノン(6: 5) )かうする記録層をスピンナー
で設層した。
Then, dye D-10 and quencher Q3-8 (
A recording layer containing a 1% dye solution (dichloroethane, dichlorohexanone (6:5)) of 5:2) was formed using a spinner.

さらに、この記録層上に上記コロイド分散液をn−へキ
サンで希釈した溶液をスピンナー塗布によって表面層を
設層した。 膜厚は約0.0部6用mであった。
Furthermore, a surface layer was formed on this recording layer by applying a solution prepared by diluting the colloidal dispersion liquid with n-hexane using a spinner. The film thickness was approximately 0.0 part 6 m.

以上を試料1とする。The above is designated as sample 1.

そして、試料1において、表面層のないものを試料2と
する。
Sample 1 without a surface layer is designated as sample 2.

さらに、試料1において、表面層の上に、ポリビニルア
ルコールPVA (クラレ社製205加水分散率88%
)をメタノール−水(1゜1)中に1部濃度にて溶解し
たものを塗布、設層して、約0 、 OL 8部m厚と
したものを試料3とする。
Furthermore, in sample 1, polyvinyl alcohol PVA (manufactured by Kuraray Co., Ltd. 205 with a hydrodispersion rate of 88%) was added on the surface layer.
) dissolved in methanol-water (1°1) at a concentration of 1 part was coated and applied to form a layer with a thickness of about 0.8 parts OL.

以上の試料について、830nm半導体レーザを用い、
集光部強度8 mW〜101−、パルス幅100nsで
、所定の媒体速度にて基板裏面側から書き込み、信号の
コントラストを測定した。
For the above samples, using an 830 nm semiconductor laser,
Writing was performed from the back side of the substrate at a predetermined medium speed with a condensing part intensity of 8 mW to 10<1>-, a pulse width of 100 ns, and the contrast of the signal was measured.

また、電子顕微鏡にて、ビット部での表面層の破断の有
無および表面層の飛散の有無を観察した。
In addition, the presence or absence of breakage of the surface layer at the bit portion and the presence or absence of scattering of the surface layer were observed using an electron microscope.

結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.

表1に示される結果から本発明の効果があきらかである
From the results shown in Table 1, the effects of the present invention are clear.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基体上に、色素または色素組成物からなる記録層
を有し、この記録層上に表面層を有する光記録媒体に、
書き込み光を照射してビットを形成して光記録を行うに
あたり、ビットか、表面層が実質的に破断しない状態に
て凹部として形成されることを特徴とする光記録方法。
(1) An optical recording medium having a recording layer made of a dye or a dye composition on a substrate and a surface layer on this recording layer,
1. An optical recording method characterized in that, in performing optical recording by forming bits by irradiating writing light, the bits or the surface layer are formed as recesses in a state where they are not substantially broken.
JP59198300A 1984-09-21 1984-09-21 Optical recording method Granted JPS6174891A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59198300A JPS6174891A (en) 1984-09-21 1984-09-21 Optical recording method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59198300A JPS6174891A (en) 1984-09-21 1984-09-21 Optical recording method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6174891A true JPS6174891A (en) 1986-04-17
JPH0558915B2 JPH0558915B2 (en) 1993-08-27

Family

ID=16388836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59198300A Granted JPS6174891A (en) 1984-09-21 1984-09-21 Optical recording method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6174891A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997023354A1 (en) * 1995-12-25 1997-07-03 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Optical recording material and optical recording medium

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53107854A (en) * 1977-03-03 1978-09-20 Canon Inc Recording medium
JPS56124136A (en) * 1980-02-01 1981-09-29 Thomson Csf Reversible memory structure
JPS56124135A (en) * 1980-02-01 1981-09-29 Thomson Csf Thermal optical writing permanent memory structure and optically reading and writing method
JPS58146040A (en) * 1982-02-24 1983-08-31 Pioneer Video Kk Optical system information recording original disk
JPS595097A (en) * 1982-07-02 1984-01-11 Nec Corp Optical recording system
JPS5919253A (en) * 1982-07-23 1984-01-31 Sony Corp Information recording medium

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53107854A (en) * 1977-03-03 1978-09-20 Canon Inc Recording medium
JPS56124136A (en) * 1980-02-01 1981-09-29 Thomson Csf Reversible memory structure
JPS56124135A (en) * 1980-02-01 1981-09-29 Thomson Csf Thermal optical writing permanent memory structure and optically reading and writing method
JPS58146040A (en) * 1982-02-24 1983-08-31 Pioneer Video Kk Optical system information recording original disk
JPS595097A (en) * 1982-07-02 1984-01-11 Nec Corp Optical recording system
JPS5919253A (en) * 1982-07-23 1984-01-31 Sony Corp Information recording medium

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997023354A1 (en) * 1995-12-25 1997-07-03 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Optical recording material and optical recording medium
US5820962A (en) * 1995-12-25 1998-10-13 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Optical recording material and optical recording medium
CN1070783C (en) * 1995-12-25 2001-09-12 东洋油墨制造株式会社 Optical recording material and optical recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0558915B2 (en) 1993-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0176601B1 (en) Optical recording medium
EP0181941B1 (en) Optical recording medium
JPH0532231B2 (en)
JPS6019586A (en) Optical recording medium
JPS6019587A (en) Optical recording medium
JPS6174891A (en) Optical recording method
JPS60234886A (en) Optical recording medium
JP2523448B2 (en) Optical recording medium and optical recording method
JPS60203489A (en) Optical recording medium
JPS60204395A (en) Optical recording medium
JPS60204396A (en) Optical recording medium
JPH0441671B2 (en)
JPS6071296A (en) Optical recording medium
JPS6174890A (en) Optical recording medium
JPS6111292A (en) Optical recording medium
JPS6092893A (en) Optical recording medium
JPS6111294A (en) Optical recording medium
JPH0441068B2 (en)
JPS60162691A (en) Optical recording medium
JPS60203488A (en) Optical recording medium
JPH0139917B2 (en)
JPS62160285A (en) Optical recording medium
JPS6073892A (en) Optical recording medium
JPS618384A (en) Optical recording medium
JPH0448639B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees