JPS6174210A - 繊維分散型Al基超電導線材及びその製造法 - Google Patents
繊維分散型Al基超電導線材及びその製造法Info
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- JPS6174210A JPS6174210A JP59193979A JP19397984A JPS6174210A JP S6174210 A JPS6174210 A JP S6174210A JP 59193979 A JP59193979 A JP 59193979A JP 19397984 A JP19397984 A JP 19397984A JP S6174210 A JPS6174210 A JP S6174210A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は繊維分散型kL基超超電導線材びその製造法に
関する。
関する。
超電導応用の最近の発展は目覚しく、高エネルギー物理
学分野では、加速器を初め、核融合、MT−ID発電、
磁気浮上列車、また電気工学分野では、発電機、エネル
ギー蓄積装置、さらKNM’R−OTなどの医療機器の
分野にも実用化への試みが進められている。一方、エレ
クトロ二−クス関係においては、ジョセフノン素子応用
によるスーパーコンビ−ターを目指した開発研究が進め
られている。このように応用分D7=−広範囲となるに
伴い超電導線材の所望特性も多様化し、各種用途に応じ
た線材が要求されている。
学分野では、加速器を初め、核融合、MT−ID発電、
磁気浮上列車、また電気工学分野では、発電機、エネル
ギー蓄積装置、さらKNM’R−OTなどの医療機器の
分野にも実用化への試みが進められている。一方、エレ
クトロ二−クス関係においては、ジョセフノン素子応用
によるスーパーコンビ−ターを目指した開発研究が進め
られている。このように応用分D7=−広範囲となるに
伴い超電導線材の所望特性も多様化し、各種用途に応じ
た線材が要求されている。
また、価格の低廉化を図るためにも原料の選択と量、量
化の容易さが課題である。
化の容易さが課題である。
従来技術
現在、最も広く使用されている超電導線材は、Nb−T
i系合金線材である。また、強磁界を必要とする場合に
は、臨界磁界の高いNb58nあるいはVs G aの
化合物系の線材が用いられている。
i系合金線材である。また、強磁界を必要とする場合に
は、臨界磁界の高いNb58nあるいはVs G aの
化合物系の線材が用いられている。
また、これらの超電導線材には、実用上の必要性からO
u、 klなどの、いわゆる安定化材が被覆されている
。しかし、合金系あるいは化合物系の1x−j;hも、
主要原料けNbXvあるいはTiなどの活性で高融点の
金属であるため、溶解工程では高真空装置を備えたアー
ク溶解あるいは電子ビーム溶解と言う特殊な溶解法が必
要であり、また、加工工程では熱間静水圧押出し装置、
真空焼鈍炉、その他真空鍍金装置などの特別な装置が必
要である。特にN b s S n及びV、Gaの超電
導線材の場合、これらは化合物で著しく可塑性が欠ける
ために加工工程において種々の工夫と技術を必要とする
問題点がある。
u、 klなどの、いわゆる安定化材が被覆されている
。しかし、合金系あるいは化合物系の1x−j;hも、
主要原料けNbXvあるいはTiなどの活性で高融点の
金属であるため、溶解工程では高真空装置を備えたアー
ク溶解あるいは電子ビーム溶解と言う特殊な溶解法が必
要であり、また、加工工程では熱間静水圧押出し装置、
真空焼鈍炉、その他真空鍍金装置などの特別な装置が必
要である。特にN b s S n及びV、Gaの超電
導線材の場合、これらは化合物で著しく可塑性が欠ける
ために加工工程において種々の工夫と技術を必要とする
問題点がある。
また、超電導特性の点からみると、合金系のNb−Ti
の臨界磁界は約11テスラ、化合物系のN b s S
n及びVs G aの臨界磁界は約22テスラの高い
臨界磁界を有している、しかし、一方、最近注目され始
めているNMR−OT医療機器用マグネットでは、発生
磁界が2テスラ以下でも有効に用いられることが明らか
になっている。
の臨界磁界は約11テスラ、化合物系のN b s S
n及びVs G aの臨界磁界は約22テスラの高い
臨界磁界を有している、しかし、一方、最近注目され始
めているNMR−OT医療機器用マグネットでは、発生
磁界が2テスラ以下でも有効に用いられることが明らか
になっている。
このような低磁界超電導マグネット線材としては、前記
のような溶解及び加工工程に難点のあるNb系またはV
系の超電導線材を用いるよりも、低融点金属であり、室
温でも加工硬化のないpbを主成分とする合金を用いる
方が得策である。
のような溶解及び加工工程に難点のあるNb系またはV
系の超電導線材を用いるよりも、低融点金属であり、室
温でも加工硬化のないpbを主成分とする合金を用いる
方が得策である。
Pb合金の中でもPb−Bi合金は8.9にの最も高い
臨界温度と約2,5テスラの高い臨界磁界を持ち、しか
もこれらの原料が従来のNb、 Vなどの高融点金属よ
りも安価なことから上記の目的に沿った超電導線材とし
ては最も有望でちると考えられる。
臨界温度と約2,5テスラの高い臨界磁界を持ち、しか
もこれらの原料が従来のNb、 Vなどの高融点金属よ
りも安価なことから上記の目的に沿った超電導線材とし
ては最も有望でちると考えられる。
しかしながら、Pb−Bi合金を単独で使用すると機械
的強度が小さく、また、安定化のためのOu+kLとの
複合一体化が困難であり、これらの点が実用化への大き
な障害となっていた。
的強度が小さく、また、安定化のためのOu+kLとの
複合一体化が困難であり、これらの点が実用化への大き
な障害となっていた。
発明の目的
本発明はPb−Bi合金を使用し、機械強度が優れ、加
工も容易で安価な超電導線材を提供せんとするものであ
る。
工も容易で安価な超電導線材を提供せんとするものであ
る。
発明の構成
本発明者らは、前記目的を達成すべく研究の結果、A/
=の中にPb−Bi合金粒子を均一に分散させた複合体
を、溶解法、粉末法あるいは複合加工法で作り、これを
圧延、線引きなどにより、線、テープに加工すると、A
lマトリックス中にPb−Bi合金極細繊維が分散され
た新規な形状の超電導線材が得られることを究明し得た
。この知見に基いて本発明を完成した。
=の中にPb−Bi合金粒子を均一に分散させた複合体
を、溶解法、粉末法あるいは複合加工法で作り、これを
圧延、線引きなどにより、線、テープに加工すると、A
lマトリックス中にPb−Bi合金極細繊維が分散され
た新規な形状の超電導線材が得られることを究明し得た
。この知見に基いて本発明を完成した。
本発明の要旨
Alマトリックス中にPb−Bi合金繊維をPbとBi
の総量で1.2〜75体積チ体積−60原子ヂ)含ませ
たものからなる繊維分散型Al基超超電導線材びその製
造法にか\わる。
の総量で1.2〜75体積チ体積−60原子ヂ)含ませ
たものからなる繊維分散型Al基超超電導線材びその製
造法にか\わる。
このような超電導線材を製造する方法としては、先ずk
lにPb−Biの総量が1.2〜75体積チ体積−60
原子チ)を含む合金体を作る。このとき、Pb−Bi合
金中のBiflk度は1〜70原子俤とする。このよう
な合金体は(1)Al、 Pb及びBiを一液相状態の
高温から急冷凝固させる方法。
lにPb−Biの総量が1.2〜75体積チ体積−60
原子チ)を含む合金体を作る。このとき、Pb−Bi合
金中のBiflk度は1〜70原子俤とする。このよう
な合金体は(1)Al、 Pb及びBiを一液相状態の
高温から急冷凝固させる方法。
(21A4Pb及びBiの混合粉末を焼結処理する方法
などで作ることができる。しかし、後者(2)の方法が
、ytに対しPb−Bi合金骨の含量を太きくし易いこ
とかや合金粒子のサイズの選、究゛オ±易でかつより均
一な合金体が得易い点→鹸記’ii−¥−! ・ の方法より有利である。
などで作ることができる。しかし、後者(2)の方法が
、ytに対しPb−Bi合金骨の含量を太きくし易いこ
とかや合金粒子のサイズの選、究゛オ±易でかつより均
一な合金体が得易い点→鹸記’ii−¥−! ・ の方法より有利である。
得られた合金体を圧延、溝ロールあるid引きなどてよ
し、線、テープあるいは管に加工すると、内部のpb−
Bi合金粒子は容易に繊維状に引伸ばされ、その結果、
htマ) IJワックス中Pb−Bi合金極細嗜雄が分
散されたものが得られる。このときnI椎の直径はlQ
nm以上で10μm以下であることが望オしい(lnm
(ナノメーター)=10−m、1μm(ミクロンメータ
ー)= 10 ’m)。10nm以下だと超電導電子の
リークによって、臨界温度の低下を招き、また、10/
Jm以上の粗大径だと繊維間の間隔が大きくな妙すき゛
線材全体として超電導性を示さなくなる。
し、線、テープあるいは管に加工すると、内部のpb−
Bi合金粒子は容易に繊維状に引伸ばされ、その結果、
htマ) IJワックス中Pb−Bi合金極細嗜雄が分
散されたものが得られる。このときnI椎の直径はlQ
nm以上で10μm以下であることが望オしい(lnm
(ナノメーター)=10−m、1μm(ミクロンメータ
ー)= 10 ’m)。10nm以下だと超電導電子の
リークによって、臨界温度の低下を招き、また、10/
Jm以上の粗大径だと繊維間の間隔が大きくな妙すき゛
線材全体として超電導性を示さなくなる。
Pb−Bi合金の含有量はkAに対し1.2〜75体積
%(t〜60原子チ)の範囲であることが必要であるう
その量が1.2体杷%(1原子%)より少ないとA−t
マトリックス中のPb−Bi合金の繊維密度が小さくな
り、繊維間隔が大きくなって超電導特性が低下する。ま
だ、その量が75体積%(60原子チ)を超えると、溶
解法、粉末法共にAlマ) IJワックス中偏析が現わ
れて品質の優れた線材を作ることが困難となる。なお分
散させるPb−Bi合金中のBi濃度は、1〜70原子
壬の範囲内であることが望ましい。1原子チ以下だと臨
界磁界が低下し、また、70原子チ以上だと臨界温度、
臨界磁界がともに低下するなど超電導特性の劣化を生じ
る。まだ、前記線材を作る際、Pb−Bi合金のほかに
更にGaXZn。
%(t〜60原子チ)の範囲であることが必要であるう
その量が1.2体杷%(1原子%)より少ないとA−t
マトリックス中のPb−Bi合金の繊維密度が小さくな
り、繊維間隔が大きくなって超電導特性が低下する。ま
だ、その量が75体積%(60原子チ)を超えると、溶
解法、粉末法共にAlマ) IJワックス中偏析が現わ
れて品質の優れた線材を作ることが困難となる。なお分
散させるPb−Bi合金中のBi濃度は、1〜70原子
壬の範囲内であることが望ましい。1原子チ以下だと臨
界磁界が低下し、また、70原子チ以上だと臨界温度、
臨界磁界がともに低下するなど超電導特性の劣化を生じ
る。まだ、前記線材を作る際、Pb−Bi合金のほかに
更にGaXZn。
8n、 In及びsbから選ばれ九凰独あるいは2種以
上の金属を含有させると、線材の超電導臨界磁界及び臨
界電流密度を高めることができる。
上の金属を含有させると、線材の超電導臨界磁界及び臨
界電流密度を高めることができる。
これら金属の含有骨はPb−Bi合金に対[2て10〜
30原子鴫であることが必要であり、また、これら金属
とPb−Bi合金の1ll−が入tに対し、1.2〜7
5体積4(1〜60原子チ)であることが必要である。
30原子鴫であることが必要であり、また、これら金属
とPb−Bi合金の1ll−が入tに対し、1.2〜7
5体積4(1〜60原子チ)であることが必要である。
pb−BAおけるこれら金属の含有骨が1.0原子チよ
り少ないと臨界磁界及び臨界電流密度を高める効果が小
さく、また、30原子チを超えると超電導臨界磁界の低
下を招き、かえって高磁界の臨界電流密度を低下させる
。
り少ないと臨界磁界及び臨界電流密度を高める効果が小
さく、また、30原子チを超えると超電導臨界磁界の低
下を招き、かえって高磁界の臨界電流密度を低下させる
。
金属とPb−Bi合金の総景がAlに対して1.2体積
鴫(1原子鴫)より少なく、あるいは75体積チ(60
原子%)を詔えると、Pb−Biの2元合金を含有させ
た場合と同様な欠点が生ずる。
鴫(1原子鴫)より少なく、あるいは75体積チ(60
原子%)を詔えると、Pb−Biの2元合金を含有させ
た場合と同様な欠点が生ずる。
なお、AlとPb−Bi合金を機械的に組込み加工する
複合加工法も適用しうるが、前述の製法に比べて細い繊
維にまで加工する工程用−眸之なる。
複合加工法も適用しうるが、前述の製法に比べて細い繊
維にまで加工する工程用−眸之なる。
発明の効果
本発明の繊維分散型Al基超超電導線材、従来のものと
比べて次のような優れた効果を有する。
比べて次のような優れた効果を有する。
(1)4維分散型の複合線材であるから、機械的特性が
優れ取扱いが容易である。
優れ取扱いが容易である。
(2) マ) IJワックス材AlはPb−Bi合金
極細繊維の超電導特性を安定させる安定化材としてその
まま利用し得る。
極細繊維の超電導特性を安定させる安定化材としてその
まま利用し得る。
(3) Pb−Bi合金及びAlは低融点であるため
、溶解及び粉末製造が容易で、また、室温で加工硬化す
ることがないので、強加工することができ、線材を容易
に子骨生産することができる。
、溶解及び粉末製造が容易で、また、室温で加工硬化す
ることがないので、強加工することができ、線材を容易
に子骨生産することができる。
(4) Al、 Pb 及(j Bi ld従来)N
bXV fx トニ比へて廉価であるため、安価な超電
導線材を提供することができる。
bXV fx トニ比へて廉価であるため、安価な超電
導線材を提供することができる。
以上のことから本発明の線材は低磁界用超電導線材及び
超電導配線材として実用上極めて大きな利点を有する。
超電導配線材として実用上極めて大きな利点を有する。
実施例
実施例l
Al−7原子チPb−7原子チBi合金およびAl−1
5原子チPb−15原子%Bi合金を非消耗電極型アー
ク溶解後、急冷凝固させる方法を用いpb−Bi合金粒
子をAlマトリックス中に均一に分散させた20謀≠の
インゴットを作製した。この場合、Pb−Bi合金の全
体に対する体積率はそれぞれ24%46チとなる。 次
いで、それぞれのインゴットを溝ロールおよび線引によ
って0゜35嘱jの線材に強加工して、Alマトリック
ス中にPb−Bi合金が繊維状に引き伸ばされた繊維分
散型複合線材を得た。
5原子チPb−15原子%Bi合金を非消耗電極型アー
ク溶解後、急冷凝固させる方法を用いpb−Bi合金粒
子をAlマトリックス中に均一に分散させた20謀≠の
インゴットを作製した。この場合、Pb−Bi合金の全
体に対する体積率はそれぞれ24%46チとなる。 次
いで、それぞれのインゴットを溝ロールおよび線引によ
って0゜35嘱jの線材に強加工して、Alマトリック
ス中にPb−Bi合金が繊維状に引き伸ばされた繊維分
散型複合線材を得た。
表1には線材の超電導特性の臨界温度(TC)、臨界磁
界(Hcz)及び1テスラにおける臨界電流密t(Jc
)を示した。
界(Hcz)及び1テスラにおける臨界電流密t(Jc
)を示した。
実施例2
Al−io原子%Pb−8原子%Bi−2原子%Ga合
金及びAl−10原子%Pb−7原子チBi−3原子チ
Zn合金を高周波溶解後、実施例1と同様な方法でPb
−Bi−Ga及びPb Bi Zn合金粒子をAl
マトリックス中に分散させた20m+のインゴットを作
製した。この場合、Pb−Bi−C)aおよびPb−B
i−Zn合金の全体に対する体積率は共に約32チとな
る。これらのインゴットを実施例1と同様な加工によっ
て繊維分散型超電導線材が得られ、壜、↓にそれらの超
電導特性を示した。
金及びAl−10原子%Pb−7原子チBi−3原子チ
Zn合金を高周波溶解後、実施例1と同様な方法でPb
−Bi−Ga及びPb Bi Zn合金粒子をAl
マトリックス中に分散させた20m+のインゴットを作
製した。この場合、Pb−Bi−C)aおよびPb−B
i−Zn合金の全体に対する体積率は共に約32チとな
る。これらのインゴットを実施例1と同様な加工によっ
て繊維分散型超電導線材が得られ、壜、↓にそれらの超
電導特性を示した。
実施例3
あらかじめ、Pb−Bi−8n及びPb−Bi−In
合金を溶製及び機械加工によって直径5.4閣長さ1
0mの棒状として、これを外径8fi内径5.4fiの
Alfに挿入し、単芯の複合体を作製した。次いで、こ
れらを線引などによって0.3m径の細線にし、さらに
、これらを短く切断したものを多数束ねて外径16四、
内径14m長さ5.2副のAl管に挿入して多芯の複合
体を作製した。これらを再び線引などによって直径0.
3 mの細線に加工して、Alマトリックス中にPb−
Bi合金芯が多数分散した超電導線材を作製した。最終
的に線材の組成けAl−10原子チPb−8原子チ旧−
2原子%Sn及びAl−10原子%Pb−7原子%Bi
−3原子%Inの割合いの合金となり、また、Pb−B
i−8n及びPb−Bi−In合金の全体に対する体積
率は共に約33憾となっているう表117Cそれらの超
電導特性を示した。
合金を溶製及び機械加工によって直径5.4閣長さ1
0mの棒状として、これを外径8fi内径5.4fiの
Alfに挿入し、単芯の複合体を作製した。次いで、こ
れらを線引などによって0.3m径の細線にし、さらに
、これらを短く切断したものを多数束ねて外径16四、
内径14m長さ5.2副のAl管に挿入して多芯の複合
体を作製した。これらを再び線引などによって直径0.
3 mの細線に加工して、Alマトリックス中にPb−
Bi合金芯が多数分散した超電導線材を作製した。最終
的に線材の組成けAl−10原子チPb−8原子チ旧−
2原子%Sn及びAl−10原子%Pb−7原子%Bi
−3原子%Inの割合いの合金となり、また、Pb−B
i−8n及びPb−Bi−In合金の全体に対する体積
率は共に約33憾となっているう表117Cそれらの超
電導特性を示した。
実施例4
それぞれ40μmの平均径をもつ人を粉末とPb−13
iあるいはPb−Bi−3b合金粉末を、へL−20原
子%Pb−20原子チBiあるいはAL−20原子壬P
b−16原子%Bi−4原子%Sb合金の組成になるよ
う廻混合したのち、圧縮プレスによって20鰭! す長さ30嘱の圧粉複合体に成型した。この場合、Pb
−BiあるいはPb−Bi−8b合金の全体に対する体
積率は共に約57チとなる。次いで、それぞれの圧粉複
合体を外径24fi、内径20鯖のAl管に挿入して、
実施例1と同様に強加工を行ない繊維分散型超電導線材
を得た。これらの線材におけるPb−Bi h ルイd
Pb−B i −8b合金′aimf) −”Fl’
JiiL直径は100 nmであった9表1にこれらの
線材の超電導特性を示【7た、 表1
iあるいはPb−Bi−3b合金粉末を、へL−20原
子%Pb−20原子チBiあるいはAL−20原子壬P
b−16原子%Bi−4原子%Sb合金の組成になるよ
う廻混合したのち、圧縮プレスによって20鰭! す長さ30嘱の圧粉複合体に成型した。この場合、Pb
−BiあるいはPb−Bi−8b合金の全体に対する体
積率は共に約57チとなる。次いで、それぞれの圧粉複
合体を外径24fi、内径20鯖のAl管に挿入して、
実施例1と同様に強加工を行ない繊維分散型超電導線材
を得た。これらの線材におけるPb−Bi h ルイd
Pb−B i −8b合金′aimf) −”Fl’
JiiL直径は100 nmであった9表1にこれらの
線材の超電導特性を示【7た、 表1
Claims (4)
- (1)Alマトリックス中にPb−Bi合金繊維1.2
〜75体積%(1〜60原子%)含ませ、かつ、Pb−
Bi合金繊維中のBi濃度を1.0〜70原子%とする
繊維分散型Al基超電導線材。 - (2)Alに対しPb−Bi合金の総量を12〜75体
積%(1〜60原子%)の割合とし、かつ、Pb−Bi
合金中のBi濃度を1.0〜70原子%とする混合粉末
を成形して得た複合体を、圧延あるいは溝ロールあるい
は線引きにより加工を行うことを特徴とする繊維分散型
Al基超電導線材の製造法。 - (3)Ga、Zn、Sn、Tn及びSbから選ばれた単
独または2種以上の金属をPb−Bi合金に対し1.0
〜30原子%加えた3元以上の合金繊維を、Alに対し
総量で12〜75体積%(1〜60原子%)含ませ、か
つ、合金繊維中の Bi濃度を1.0〜70原子%とする繊維分散型Al基
超電導線材。 - (4)Alマトリックス中の合金繊維の直径が10nm
(ナノメーター)〜10μm(ミクロンメーター)の範
囲にある特許請求範囲第1項、第2項及び第3項記載の
超電導線材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59193979A JPS6174210A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 繊維分散型Al基超電導線材及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59193979A JPS6174210A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 繊維分散型Al基超電導線材及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6174210A true JPS6174210A (ja) | 1986-04-16 |
JPH0316724B2 JPH0316724B2 (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16316957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59193979A Granted JPS6174210A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 繊維分散型Al基超電導線材及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6174210A (ja) |
-
1984
- 1984-09-18 JP JP59193979A patent/JPS6174210A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0316724B2 (ja) | 1991-03-06 |
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