JPS6170784A - レ−ザダイオ−ド - Google Patents
レ−ザダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6170784A JPS6170784A JP19298284A JP19298284A JPS6170784A JP S6170784 A JPS6170784 A JP S6170784A JP 19298284 A JP19298284 A JP 19298284A JP 19298284 A JP19298284 A JP 19298284A JP S6170784 A JPS6170784 A JP S6170784A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- laser diode
- difference
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、横方向の屈折率分布を対称な形にしたレー
ザダイオードの構造忙関するものであろう〔従来の技術
〕 従来のレーザダイオードの断面図を第４図に示す。
ザダイオードの構造忙関するものであろう〔従来の技術
〕 従来のレーザダイオードの断面図を第４図に示す。
第４９忙おいて、半絶縁性ＧａＡ ｍ基板１上Ｋｎ屋の
ＡＩ、Ｇａ＋−１）Ａｓ層２（ｘ＝ｏ、３．キャリア濃
度３ Ｘ １０” ａｍ−’ ＃厚さ１．５μｍ）！設
け、この上Ｋ、活性層となるｎ型のＧａＡｓ層３（キャ
リア濃度３Ｘ１０ ａｍ 、厚さ０．１μｍＬｎｌ
ｌのＡＩ！Ｇａｍ−、Ａｍ層４（ｘ＝０．３．キャリア
濃度３×１０” ａｍ−” ＊厚さＬＯμｍ）、ｎ型の
ＧａＡｓ層５（キャリア濃度１ｘｔｏ”ｅｒｎ”ｌ厚さ
３．０μｍ）を順次成長させる。
ＡＩ、Ｇａ＋−１）Ａｓ層２（ｘ＝ｏ、３．キャリア濃
度３ Ｘ １０” ａｍ−’ ＃厚さ１．５μｍ）！設
け、この上Ｋ、活性層となるｎ型のＧａＡｓ層３（キャ
リア濃度３Ｘ１０ ａｍ 、厚さ０．１μｍＬｎｌ
ｌのＡＩ！Ｇａｍ−、Ａｍ層４（ｘ＝０．３．キャリア
濃度３×１０” ａｍ−” ＊厚さＬＯμｍ）、ｎ型の
ＧａＡｓ層５（キャリア濃度１ｘｔｏ”ｅｒｎ”ｌ厚さ
３．０μｍ）を順次成長させる。
コｎ Ｋ Ｓｉｘ Ｎａ 膜を拡散マスクとして６９０
℃でＺｎの選択拡散を半絶縁性ＧａＡｓ基板ＩＫ違する
深さまで行い、前記各成長層の牛分ヲｐ＋層６ａ（キャ
リア濃度的Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−勺に変える（斜線を
施した部分ン。さら忙熱処理？行い、ｎ＠に拡散フロン
）Ｙ２〜３μｍ移動させ、９層６ｂ（キャリア濃度Ｉ
Ｘ １０” ｃｍ−”） ？：影形成せる。その結果ｐ
” −ｐの境界でキャリア濃度は４ＸｌＯ”ａｍ−”程
度、ｐ−ｎの境界Ｙ” ３ Ｘ ｌ Ｏ” ａｍ−”程
度になつ工いる。７，８．９はＫｇである。
℃でＺｎの選択拡散を半絶縁性ＧａＡｓ基板ＩＫ違する
深さまで行い、前記各成長層の牛分ヲｐ＋層６ａ（キャ
リア濃度的Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−勺に変える（斜線を
施した部分ン。さら忙熱処理？行い、ｎ＠に拡散フロン
）Ｙ２〜３μｍ移動させ、９層６ｂ（キャリア濃度Ｉ
Ｘ １０” ｃｍ−”） ？：影形成せる。その結果ｐ
” −ｐの境界でキャリア濃度は４ＸｌＯ”ａｍ−”程
度、ｐ−ｎの境界Ｙ” ３ Ｘ ｌ Ｏ” ａｍ−”程
度になつ工いる。７，８．９はＫｇである。
いま、電極７に正の電圧、電極８に負の電圧ン印加する
と、ＡｌｘＧａｌ−、Ａｓ 層２，４のＡｌ濃度がＧ’
ａＡｓ層３のそれより高いこと忙よる電位障壁差によっ
て、ＧａＡｓ層３の中の９層６ｂとの重畳部分１０に集
中して電流が流九る。上下方向の元の閉じ込メハ、ｎ型
のＡＩ！Ｑａｌ 、Ａｓ層２，４と９層６ｂとの重畳部
分１０ｍ、１０ｂとｆｉ瓜のＧａＡｓ層３と９層６ｂと
の重畳部分１０とのＡｌ濃度差によって、重畳部分１Ｇ
が重畳部分１０ａ、１０ｂイ よりも屈折率
が高くなることＫよって行う。横方向は、第６図に示す
キャリア濃度と屈折率の関係により、第５図のような屈
折率分布となる。第６図は横軸がキャリア濃度、縦軸が
屈折率χ示乙ており、図中の実＃Ｊばｐ型を破線はｎ型
？示している。
と、ＡｌｘＧａｌ−、Ａｓ 層２，４のＡｌ濃度がＧ’
ａＡｓ層３のそれより高いこと忙よる電位障壁差によっ
て、ＧａＡｓ層３の中の９層６ｂとの重畳部分１０に集
中して電流が流九る。上下方向の元の閉じ込メハ、ｎ型
のＡＩ！Ｑａｌ 、Ａｓ層２，４と９層６ｂとの重畳部
分１０ｍ、１０ｂとｆｉ瓜のＧａＡｓ層３と９層６ｂと
の重畳部分１０とのＡｌ濃度差によって、重畳部分１Ｇ
が重畳部分１０ａ、１０ｂイ よりも屈折率
が高くなることＫよって行う。横方向は、第６図に示す
キャリア濃度と屈折率の関係により、第５図のような屈
折率分布となる。第６図は横軸がキャリア濃度、縦軸が
屈折率χ示乙ており、図中の実＃Ｊばｐ型を破線はｎ型
？示している。
第５間圧おいて、１）は第４図の活性層であるｎ型のＧ
ａＡｓ層３中のｐ＋層６ａＫ属する部分を示し、１２は
同じく活性層中のｐ層ＳｂＫ属する部分、つまり重量部
分１０ｔ−示し、１３は同じ（活性層中のｎ型領域に属
する部分？示す。第５図から明らかなように、この屈折
率分布により、横方向の光の閉じ込め七行うことができ
る。
ａＡｓ層３中のｐ＋層６ａＫ属する部分を示し、１２は
同じく活性層中のｐ層ＳｂＫ属する部分、つまり重量部
分１０ｔ−示し、１３は同じ（活性層中のｎ型領域に属
する部分？示す。第５図から明らかなように、この屈折
率分布により、横方向の光の閉じ込め七行うことができ
る。
〔発明が解決しようとする問題点３
元ディスクメモリのよう忙元ビームを微小なスポットに
絞り込む必要がある場合、その光源であるレーザダイオ
ードには、高出力であること、横モードが安定であるこ
と、先出力の直緩性が良いこと、非点隔差が小さいこと
等が要求さｎる。
絞り込む必要がある場合、その光源であるレーザダイオ
ードには、高出力であること、横モードが安定であるこ
と、先出力の直緩性が良いこと、非点隔差が小さいこと
等が要求さｎる。
第７図は第４図の従来例の遠視野像を示したもので、非
対称なパターンが示さｎており、片側にサグピークが多
数発生している。こｒＬは第５図に示したよう忙屈折率
分布が非対称であり、ｎ型である部分１３の側の屈折率
差が小さいため忙生じるもので応用上問題がある。また
、高出力動作ｔねらって温度特性を改善させるＫけアッ
プサイドダワン忙組立て、放熱を良くてることが望まし
いが、従来例では上面（正負両電極がある定め忙アンプ
サイドダフンに組み立てることは困難であるという問題
点がある。
対称なパターンが示さｎており、片側にサグピークが多
数発生している。こｒＬは第５図に示したよう忙屈折率
分布が非対称であり、ｎ型である部分１３の側の屈折率
差が小さいため忙生じるもので応用上問題がある。また
、高出力動作ｔねらって温度特性を改善させるＫけアッ
プサイドダワン忙組立て、放熱を良くてることが望まし
いが、従来例では上面（正負両電極がある定め忙アンプ
サイドダフンに組み立てることは困難であるという問題
点がある。
この発明は、上記のような問題点を解決するため忙なさ
ｎ７ｚもので、横方向の屈折率分布を対称な形にするこ
とにより、対称形の遠視野像ｔもち、横モード安定で、
非点隔差が小さいレーザダイオードを提供すること金目
的とする。
ｎ７ｚもので、横方向の屈折率分布を対称な形にするこ
とにより、対称形の遠視野像ｔもち、横モード安定で、
非点隔差が小さいレーザダイオードを提供すること金目
的とする。
この発明のレーザダイオードは、ダブルへテロ接合構造
に持つ半導体材゛料忙活性層より深く選択的忙拡散した
複数の不純物導入領域と、この不純物導入領域で挟まれ
た中間領域？励起領域とし、この中間領域に近接して電
流挟片機ａ’Ｊｒ’設けたものである。
に持つ半導体材゛料忙活性層より深く選択的忙拡散した
複数の不純物導入領域と、この不純物導入領域で挟まれ
た中間領域？励起領域とし、この中間領域に近接して電
流挟片機ａ’Ｊｒ’設けたものである。
この発明においては、中間領域が不純物導入領域で挾ま
れており、しかも近接して電流挟片機構が投げらｎてい
るので、電流は中間領域に集中して流ｎる。
れており、しかも近接して電流挟片機構が投げらｎてい
るので、電流は中間領域に集中して流ｎる。
第１図はこの発明の一実施例であろレーザダイオードの
横断面図である。
横断面図である。
第１図に示すよう忙、ｎ型のＧａＡｓ基板２１（キャリ
ア濃度３ Ｘ １０” ｅｍ−” ）上に、ｐ型のＧａ
Ａｓ層２２（キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ａｍ−”
ｅ厚さ！”” ）＋ ｎ型のＡｌｘＧｍ、−ｚＡｓ層２
３（ｘ ＝０．４゜キャリア濃度１．５×１０１８ａｍ
六厚さ３μｍ］。
ア濃度３ Ｘ １０” ｅｍ−” ）上に、ｐ型のＧａ
Ａｓ層２２（キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ａｍ−”
ｅ厚さ！”” ）＋ ｎ型のＡｌｘＧｍ、−ｚＡｓ層２
３（ｘ ＝０．４゜キャリア濃度１．５×１０１８ａｍ
六厚さ３μｍ］。
活性層であるｐｍのＧａＡｓ層２４（キャリア濃度ｌＸ
ｌ０ ｅｆｎ ｌ厚さ０．１μｍｔｔｐｍのＡｌ！
Ｇａ１−！Ａｓ層２５（ｘ＝０．４．キャリア濃度ｌ×
１０１８ ｅｒｎ−” ＊厚さ１μｍ）ｌ ｐ型のＧａ
Ａｓ層２６（キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ｅｒｎ
ａ厚さ１μｍ）の計５層χ順次積層する。
ｌ０ ｅｆｎ ｌ厚さ０．１μｍｔｔｐｍのＡｌ！
Ｇａ１−！Ａｓ層２５（ｘ＝０．４．キャリア濃度ｌ×
１０１８ ｅｒｎ−” ＊厚さ１μｍ）ｌ ｐ型のＧａ
Ａｓ層２６（キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ｅｒｎ
ａ厚さ１μｍ）の計５層χ順次積層する。
こｒＬＶｃストライプ状の５ｉｓＮｉ ｍＶマスクとし
てＺｎの選択拡散ｔＡｌｚ Ｇ ａ １−２ Ａ ｙＩ
層２３＆を違する深さまで行い、ｐ型のＧａＡｓ層
２４０幅がたとえば３μｍＫなるよう制御して、前記各
成長層の外側斜線部分を不純物導入領域のｐ＋型の拡散
層２７Ｋかえる。２８は中間領域で、２つのｐ＋型の拡
散層２７に挟まｒＬｋＧａＡＩＩ層２４の部分である。
てＺｎの選択拡散ｔＡｌｚ Ｇ ａ １−２ Ａ ｙＩ
層２３＆を違する深さまで行い、ｐ型のＧａＡｓ層
２４０幅がたとえば３μｍＫなるよう制御して、前記各
成長層の外側斜線部分を不純物導入領域のｐ＋型の拡散
層２７Ｋかえる。２８は中間領域で、２つのｐ＋型の拡
散層２７に挟まｒＬｋＧａＡＩＩ層２４の部分である。
この実施例のチップの上下両端の層ＶＣはそｎぞｎｆｉ
極２９．．３Ｇが設けられる。ｐｍのＧａＡｓ層２２は
中央部がストライプ状忙除去され、その部分はｎ型のＡ
ｌｚ Ｇ ＆Ｉ−ｘ Ａ ’層２３で埋め込まｎており
、電流挟片機構２２Ａとなる。
極２９．．３Ｇが設けられる。ｐｍのＧａＡｓ層２２は
中央部がストライプ状忙除去され、その部分はｎ型のＡ
ｌｚ Ｇ ＆Ｉ−ｘ Ａ ’層２３で埋め込まｎており
、電流挟片機構２２Ａとなる。
いま、順バイアスの電圧を電極２９．３０間に印加する
と、ｎｕのＡｌ、ＧＪＬｔ−２Ａｓ層２３−ｐ型のＧａ
Ａｓ層２４のへテロ接合の方が、ｎＷのＡｌ！Ｇ ａ
Ｉ−ｘ Ａ ｓ 層２３−ｐ＋型の拡散層２７のホモ
接合よりも７１７１．ｎ易いので、電ａはストライプ状
のｐｆｉＧａＡｓ層２４に集中する。光導波路に関して
は、上下方向はｐ型のＡ１８Ｇａｐ−３Ａａ層２５−ｐ
ｍのＧａＡｓ層２４−ｎ型のＡＩ！ Ｇａ＋−１Ａ ｓ
層２３どＡＩ 濃暉 度差圧よる屈折率差がある。横方向ｆｔｐ＋ｆｌｊＪの
拡散層２７−ｐ型のＧａＡｓ層２４−ｐ＋梨の拡散層２
７とい５キャリア濃度差による屈折率差があり、しかも
対称型となっていることは第２図から明らかであ７：Ｉ
ｃ。
と、ｎｕのＡｌ、ＧＪＬｔ−２Ａｓ層２３−ｐ型のＧａ
Ａｓ層２４のへテロ接合の方が、ｎＷのＡｌ！Ｇ ａ
Ｉ−ｘ Ａ ｓ 層２３−ｐ＋型の拡散層２７のホモ
接合よりも７１７１．ｎ易いので、電ａはストライプ状
のｐｆｉＧａＡｓ層２４に集中する。光導波路に関して
は、上下方向はｐ型のＡ１８Ｇａｐ−３Ａａ層２５−ｐ
ｍのＧａＡｓ層２４−ｎ型のＡＩ！ Ｇａ＋−１Ａ ｓ
層２３どＡＩ 濃暉 度差圧よる屈折率差がある。横方向ｆｔｐ＋ｆｌｊＪの
拡散層２７−ｐ型のＧａＡｓ層２４−ｐ＋梨の拡散層２
７とい５キャリア濃度差による屈折率差があり、しかも
対称型となっていることは第２図から明らかであ７：Ｉ
ｃ。
第２因はｐ＋呈の拡散層２７−Ｇ＆Ａ８層２４−ｐ＋型
の拡散層２１の屈折率χ示す。従って、ｐ＋塁の拡散層
２７−ＧａＡｓ層２４−ｐ＋型の拡散層２７により構成
される励起部分のストライプ幅を制御すること忙よって
横基本モードで発振可能であり、第３図に示すよ５に遠
視野像も対称となる。
の拡散層２１の屈折率χ示す。従って、ｐ＋塁の拡散層
２７−ＧａＡｓ層２４−ｐ＋型の拡散層２７により構成
される励起部分のストライプ幅を制御すること忙よって
横基本モードで発振可能であり、第３図に示すよ５に遠
視野像も対称となる。
また、Ａ ｌ ｘ Ｇ ａ ｔ−ｘ Ａ ｓ層２５、Ｇ
ａＡｓ層２４による元導波層がこのレーザダイオードの
共振器端面まで伸びているので非点隔差も非常に小さい
。さらに、電極２９．３０は全面電極であるからチップ
の製造上も容易であり、放熱効果をあげるためアップサ
イドダワンに組み立てることも容易である。
ａＡｓ層２４による元導波層がこのレーザダイオードの
共振器端面まで伸びているので非点隔差も非常に小さい
。さらに、電極２９．３０は全面電極であるからチップ
の製造上も容易であり、放熱効果をあげるためアップサ
イドダワンに組み立てることも容易である。
なお、上記実施例ではクラッド層であるＡ１８Ｇａｐ−
、Ａｓｓ層３．２５の間に活性層であるＧａＡｓ層２４
’Ｙ挾んだ構造を示したが、より高出力化χねらってキ
ャリアを閉じ込める活性層と元を閉じ込める導波層とｔ
別々に設け、この２層ｔクラッド層で挾んだ大共振器構
造にしても同様の効果が得らｎる。
、Ａｓｓ層３．２５の間に活性層であるＧａＡｓ層２４
’Ｙ挾んだ構造を示したが、より高出力化χねらってキ
ャリアを閉じ込める活性層と元を閉じ込める導波層とｔ
別々に設け、この２層ｔクラッド層で挾んだ大共振器構
造にしても同様の効果が得らｎる。
また、活性層としてＧａＡａ Ｙ：例にあげたが、Ａｌ
ＧｍＡｇでもよい。さらに−ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎｐ等
四元ダブルへチー接合材料にも容易忙適用できることは
勿論である。
ＧｍＡｇでもよい。さらに−ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎｐ等
四元ダブルへチー接合材料にも容易忙適用できることは
勿論である。
以上説明したように、この発明はダブルへテロ接合構造
ｔもつ半導体材料忙活性層より深く拡散して複数の不純
物導入領域を設け、この不純物導入領域で挟まれた活性
層の中間領域を励起領域とし、この中間領域忙近接して
電流挟片機構を設けた構成としたので、拡散によって導
波路幅ン制御することができ、上下方向のみならず横方
向についても屈折率導波構造ｔもつため、横モード安定
で、対称な遠視野像ｔもち、非点隔差の小さいレーザダ
イオードが容易忙得られる効果がある。
ｔもつ半導体材料忙活性層より深く拡散して複数の不純
物導入領域を設け、この不純物導入領域で挟まれた活性
層の中間領域を励起領域とし、この中間領域忙近接して
電流挟片機構を設けた構成としたので、拡散によって導
波路幅ン制御することができ、上下方向のみならず横方
向についても屈折率導波構造ｔもつため、横モード安定
で、対称な遠視野像ｔもち、非点隔差の小さいレーザダ
イオードが容易忙得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の構造を示す断面図、第２
図はこの発明の一実施例の屈折率分布を示す図、第３図
はこの発明の一実施例の遠視野像を示す図、第４図は従
来のレーザダイオードの断面図、第５因は第４図のレー
ザダイオードの屈折率分布を示す図、第６図はキャリア
濃度と屈折率との関係図、第７図は第４図のレーザダイ
オードの遠視野像を示す図である。 図中、２１はＧａＡｓ基板、２２はＧａＡｓ層、２２Ａ
は電流挟片機構、２３はＡ Ｉ！Ｇ ＆ｒ−ｔ ”層、
２４はＧａＡ ｓ層、２５はＡＩ、 Ｇａｌ、Ａ ｓ層
、２６はＧａＡｓ層、２７はｐ＋型の拡散層、２８は中
間領域、２９．３０は電極である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分χ示す。 代理人 大岩増雄 （外２名λ ２１ ： ＧＡＡｓ墨硫 ２２： ＧａＡｓ １ ２３：ＡｌｘＧａ＋−ｘＡＳ眉 ２４ ： ＧａＡｓ １ ２５ ： ＡＩｇＧａ＋−ｘ Ａｓ眉 ２６： ＧａＡｓ層 第 １ 図 ２７：ｐゝ形の１ム散眉２８；中
間層１歳 ９Ｉ：１ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭５９−１９２９８２号２、
発明の名称 レーザダイオード３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 」を、「電流慢窄機構として動作し、２２Ａは電流通過
路となる。」と補正する。 （２）同じく第７頁１０行のｒ２９，３０Ｊを、ｒ３０
，２９Ｊと補正する。 （３）同じく第１０頁７〜８行の「２２Ａは電流狭理機
構」を、「２２Ａは電流通過路」と補正する。 （４）図面の第１図、第５図を別紙のように補正する。 以 上
図はこの発明の一実施例の屈折率分布を示す図、第３図
はこの発明の一実施例の遠視野像を示す図、第４図は従
来のレーザダイオードの断面図、第５因は第４図のレー
ザダイオードの屈折率分布を示す図、第６図はキャリア
濃度と屈折率との関係図、第７図は第４図のレーザダイ
オードの遠視野像を示す図である。 図中、２１はＧａＡｓ基板、２２はＧａＡｓ層、２２Ａ
は電流挟片機構、２３はＡ Ｉ！Ｇ ＆ｒ−ｔ ”層、
２４はＧａＡ ｓ層、２５はＡＩ、 Ｇａｌ、Ａ ｓ層
、２６はＧａＡｓ層、２７はｐ＋型の拡散層、２８は中
間領域、２９．３０は電極である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分χ示す。 代理人 大岩増雄 （外２名λ ２１ ： ＧＡＡｓ墨硫 ２２： ＧａＡｓ １ ２３：ＡｌｘＧａ＋−ｘＡＳ眉 ２４ ： ＧａＡｓ １ ２５ ： ＡＩｇＧａ＋−ｘ Ａｓ眉 ２６： ＧａＡｓ層 第 １ 図 ２７：ｐゝ形の１ム散眉２８；中
間層１歳 ９Ｉ：１ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭５９−１９２９８２号２、
発明の名称 レーザダイオード３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 」を、「電流慢窄機構として動作し、２２Ａは電流通過
路となる。」と補正する。 （２）同じく第７頁１０行のｒ２９，３０Ｊを、ｒ３０
，２９Ｊと補正する。 （３）同じく第１０頁７〜８行の「２２Ａは電流狭理機
構」を、「２２Ａは電流通過路」と補正する。 （４）図面の第１図、第５図を別紙のように補正する。 以 上
Claims (4)
- （１）ダブルヘテロ接合構造を持つ半導体材料に活性層
より深く不純物を拡散して複数の不純物導入領域を設け
、この不純物導入領域で挟まれた前記活性層の中間領域
を励起領域としさらにこの中間領域に近接して電流狭搾
機構を形成したことを特徴とするレーザダイオード。 - （２）活性層において、中間領域に属する部分の屈折率
は不純物導入領域の屈折率よりも高いことを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載のレーザダイオード。 - （３）活性層は、励起層と導波層とからなることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載のレーザダイオー
ド。 - （４）活性層のキャリア濃度を５×１０＾１＾８ｃｍ＾
−＾３未満、不純物導入領域のキャリア濃度を５×１０
＾１＾８ｃｍ＾−＾３以上とすることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）または第（２）項記載のレーザダイ
オード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298284A JPS6170784A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | レ−ザダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298284A JPS6170784A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | レ−ザダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170784A true JPS6170784A (ja) | 1986-04-11 |
Family
ID=16300265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19298284A Pending JPS6170784A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | レ−ザダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170784A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999031735A1 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-24 | Honeywell, Inc. | Bandgap isolated light emitter |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP19298284A patent/JPS6170784A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999031735A1 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-24 | Honeywell, Inc. | Bandgap isolated light emitter |
| US6064683A (en) * | 1997-12-12 | 2000-05-16 | Honeywell Inc. | Bandgap isolated light emitter |
| EP1315216A2 (en) * | 1997-12-12 | 2003-05-28 | Honeywell Inc. | Bandgap isolated light emitter |
| EP1315216A3 (en) * | 1997-12-12 | 2003-10-22 | Honeywell Inc. | Bandgap isolated light emitter |
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