JPS6170783A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS6170783A JPS6170783A JP19284084A JP19284084A JPS6170783A JP S6170783 A JPS6170783 A JP S6170783A JP 19284084 A JP19284084 A JP 19284084A JP 19284084 A JP19284084 A JP 19284084A JP S6170783 A JPS6170783 A JP S6170783A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- ridges
- semiconductor laser
- ohmic electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザアレイ装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体レーザの性能向上（低しきい値化、高出力
化など）と、それにともなう応用分野の広がりには目を
みはるものがある。現在開発が進められている光デイス
ク装置等の機器には半導体レーザを実装することを前提
としたものが数多くあるが、その中でも特に、記録しで
ある情報と消去するのに有効な方法としてビームの楕円
率の太きな半導体レーザを用いる方式がある。この原理
図を第１図に示す。情報を記録する時には円形ビームの
半導体レーザを用い、加熱・急冷されるためにその部分
がアモルファス状態になり、記録ビットとなる。また記
録ピットを消去するには、記録用とは別の長楕円形のビ
ームをもつ半導体レーザを用いる。記碌部のアモルファ
ス状態はビームの長手方向に加熱後、徐冷されるので、
結晶化する。
化など）と、それにともなう応用分野の広がりには目を
みはるものがある。現在開発が進められている光デイス
ク装置等の機器には半導体レーザを実装することを前提
としたものが数多くあるが、その中でも特に、記録しで
ある情報と消去するのに有効な方法としてビームの楕円
率の太きな半導体レーザを用いる方式がある。この原理
図を第１図に示す。情報を記録する時には円形ビームの
半導体レーザを用い、加熱・急冷されるためにその部分
がアモルファス状態になり、記録ビットとなる。また記
録ピットを消去するには、記録用とは別の長楕円形のビ
ームをもつ半導体レーザを用いる。記碌部のアモルファ
ス状態はビームの長手方向に加熱後、徐冷されるので、
結晶化する。
この消去用に用いられる半導体レーザは１×２０μｍ程
度の長楕円形のスポット形状をもちしかも２０ｍＷ程度
の高出力が得られることが要求される。ところが、現在
実用化されている高出力半導体レーザのスポット形状は
せいぜいＩＸ４μｍ程度であり、この要求を満たすこと
はできない。
度の長楕円形のスポット形状をもちしかも２０ｍＷ程度
の高出力が得られることが要求される。ところが、現在
実用化されている高出力半導体レーザのスポット形状は
せいぜいＩＸ４μｍ程度であり、この要求を満たすこと
はできない。
発明の目的
本発明は、従来の半導体レーザ装置の上記欠点に鑑み、
スポットの楕円率の大きい高出力半導体レーザアレイ装
置を提供するものである。
スポットの楕円率の大きい高出力半導体レーザアレイ装
置を提供するものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の半導体装置ザアレイ
装置は、３本以上の平行なリッジが形成された基板表面
に活性層を含む各層が形成され、前記リッジ間の溝部直
上にストライプ状の電流注入領域が形成されたことを特
徴とする半導体レーザアレイ装置である。
装置は、３本以上の平行なリッジが形成された基板表面
に活性層を含む各層が形成され、前記リッジ間の溝部直
上にストライプ状の電流注入領域が形成されたことを特
徴とする半導体レーザアレイ装置である。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例における半導
体レーザアレイ装置の作製方法の各工程における断面図
である。
体レーザアレイ装置の作製方法の各工程における断面図
である。
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１の（１ｏｏ ）面上に（０１
１）方向にエツチングによシ、高さ１．５μｍの５本の
平行なリッジを、それぞれ幅３μｍの溝をはさんで形成
する。リッジの幅は、両端のリッジのみ１８μｍとし、
その他は３μｍとする。（第２図（ａ））。
１）方向にエツチングによシ、高さ１．５μｍの５本の
平行なリッジを、それぞれ幅３μｍの溝をはさんで形成
する。リッジの幅は、両端のリッジのみ１８μｍとし、
その他は３μｍとする。（第２図（ａ））。
このようにリッジを形成した基板１の表面に液相エピタ
キシャル法によって第１層のｎ型Ｇａ１−アＡＪ ｙ
Ａ ｓクラッド層２をリッジの上での厚さが約０−２１
１ｍ５第２層のノンドープＧａ４．ＡＩ、Ａｓ活性層３
を同じ場所で約０．０６μｍ１第３層ｐ型Ｇａ１−７Ａ
ＪｙＡｓクラッド層４を同じ場所で約１．５μｍ、第４
層ｎ型Ｇ ａ Ａ ｇキヤツプ層５を約０．５ｐｒｎの
厚さになるように連続成長を行なう（第２図（ｂ））。
キシャル法によって第１層のｎ型Ｇａ１−アＡＪ ｙ
Ａ ｓクラッド層２をリッジの上での厚さが約０−２１
１ｍ５第２層のノンドープＧａ４．ＡＩ、Ａｓ活性層３
を同じ場所で約０．０６μｍ１第３層ｐ型Ｇａ１−７Ａ
ＪｙＡｓクラッド層４を同じ場所で約１．５μｍ、第４
層ｎ型Ｇ ａ Ａ ｇキヤツプ層５を約０．５ｐｒｎの
厚さになるように連続成長を行なう（第２図（ｂ））。
なお上記実施例においてはｘ＝ｏ、ＯＢ、ｙ＝０．４３
である。次に成長表面よりｐ型不純物を基板上のリッジ
間の溝部直上にストライプ状に選択拡散して亜鉛拡散領
域８を形成し、拡散フロントが第３屠ｐ型Ｇａ１−アＡ
ｌ ｙ Ａ ｓクラッド層４に達するようにする。そ
の後、成長表面にｐ側電極用金属を蒸着し、合金処理を
行なってｐ側オーミック電極６を形成する。基板側には
ｎ側オーミック電極を蒸着し、合金処理を行なってｎ側
オーミック電極７を形成する（第２図（Ｃ））。
である。次に成長表面よりｐ型不純物を基板上のリッジ
間の溝部直上にストライプ状に選択拡散して亜鉛拡散領
域８を形成し、拡散フロントが第３屠ｐ型Ｇａ１−アＡ
ｌ ｙ Ａ ｓクラッド層４に達するようにする。そ
の後、成長表面にｐ側電極用金属を蒸着し、合金処理を
行なってｐ側オーミック電極６を形成する。基板側には
ｎ側オーミック電極を蒸着し、合金処理を行なってｎ側
オーミック電極７を形成する（第２図（Ｃ））。
以上のように構成された半導体レーザアレイ装置につい
て、以下その動作を説明する。
て、以下その動作を説明する。
亜鉛拡散領域８よシ流入された電流は、溝部上の活性層
３に注入される。この電流により活性層横モード発振が
得られる。各層の間の距離は溝幅と同程度と非常に短い
ので、各層の上にできるビームスポットはお互いにすそ
が重なシ合う状態となシ、実効的に細長い形状のビーム
スポットが得られる（第３図）。
３に注入される。この電流により活性層横モード発振が
得られる。各層の間の距離は溝幅と同程度と非常に短い
ので、各層の上にできるビームスポットはお互いにすそ
が重なシ合う状態となシ、実効的に細長い形状のビーム
スポットが得られる（第３図）。
本実施例の半導体レーザアレイ装置により、ビーム形状
は１×２４μｍと細長くなり、全党出力が６０ ｍ Ｗ
という高出力が実現できた。
は１×２４μｍと細長くなり、全党出力が６０ ｍ Ｗ
という高出力が実現できた。
発明の効果
以上のように本発明は、基板の上に３本以上のたがいに
平行なリッジを設け、前記リッジ間の溝部直上にストラ
イプ状の電流注入領域を設けることにより、スポットの
楕円率の大きい高出力半導体レーザアレイ装置を得るこ
とができ、その実用的効果は大なるものがある。
平行なリッジを設け、前記リッジ間の溝部直上にストラ
イプ状の電流注入領域を設けることにより、スポットの
楕円率の大きい高出力半導体レーザアレイ装置を得るこ
とができ、その実用的効果は大なるものがある。
第１図は、光デイスクファイル装置における長楕円形ビ
ームを用いた、情報の消去・記録方法の原理図、第２図
（，１〜（ｃ）は本発明の実施例の半導体レーザアレイ
装置の各製造工程における断面図、第３図は同装置のレ
ーザビームの発光強度の分布を示した図である。 １・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ型Ｇａ１−アＡ ｌｙ Ａ ｓクラッド層、３・・
・・・・ノンドープＧａ１−１ＡＩ３ｅＡｓ活性層、４
・−−−−・ｐ型Ｇａ１ 、ＡｌｙＡｓクラッド層、
６・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層、６・・
・・・・ｐ側オーミフク電極、７・−・・・・ｎ側オー
ミック電極、８−・・・・亜鉛拡散領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
ームを用いた、情報の消去・記録方法の原理図、第２図
（，１〜（ｃ）は本発明の実施例の半導体レーザアレイ
装置の各製造工程における断面図、第３図は同装置のレ
ーザビームの発光強度の分布を示した図である。 １・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ型Ｇａ１−アＡ ｌｙ Ａ ｓクラッド層、３・・
・・・・ノンドープＧａ１−１ＡＩ３ｅＡｓ活性層、４
・−−−−・ｐ型Ｇａ１ 、ＡｌｙＡｓクラッド層、
６・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層、６・・
・・・・ｐ側オーミフク電極、７・−・・・・ｎ側オー
ミック電極、８−・・・・亜鉛拡散領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- ３本以上の平行なリッジが形成された基板表面に活性層
を含む各層が形成され、前記リッジ間の溝部直上にスト
ライプ状の電流注入領域が形成されたことを特徴とする
半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19284084A JPS6170783A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19284084A JPS6170783A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170783A true JPS6170783A (ja) | 1986-04-11 |
Family
ID=16297851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19284084A Pending JPS6170783A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170783A (ja) |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP19284084A patent/JPS6170783A/ja active Pending
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