JPS6170430U - - Google Patents

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JPS6170430U
JPS6170430U JP15545684U JP15545684U JPS6170430U JP S6170430 U JPS6170430 U JP S6170430U JP 15545684 U JP15545684 U JP 15545684U JP 15545684 U JP15545684 U JP 15545684U JP S6170430 U JPS6170430 U JP S6170430U
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mos transistors
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mos
conductance
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JP15545684U
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Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例の接続図、第2図
はこの考案の一実施例の説明に用いる波形図、第
3図は従来の台形波発生回路の説明に用いる波形
図である。 1,2,3……Nチヤンネル型トランジスタ、
4……Pチヤンネル型トランジスタ、5……コン
デンサ、7……入力端子、8……出力端子。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 第1の導電形式の第1、第2、第3のMOSト
    ランジスタと、第2の導電形式の第4のMOSト
    ランジスタとを有し、 第1の基準電位点と第2の基準電位点間に上記
    第1及び上記第2のMOSトランジスタが直列接
    続され、上記第1の基準電位点と上記第2の基準
    電位点間に上記第3及び上記第4のMOSトラン
    ジスタが直列接続され、上記第1及び上記第4の
    MOSトランジスタのゲートが方形波が供給され
    る入力端子に接続され、上記第2及び上記第3の
    MOSトランジスタのゲートが共通接続され、こ
    の共通接続点が上記第1及び上記第2のMOSト
    ランジスタの接続点に接続され、上記第4及び上
    記第3のMOSトランジスタの接続点と上記第1
    又は上記第2の基準電位点間にコンデンサが接続
    され、上記第4のMOSトランジスタのコンダク
    タンスを上記第3のMOSトランジスタのコンダ
    クタンスに比べて大としたことを特徴とする台形
    波発生回路。
JP15545684U 1984-10-15 1984-10-15 Expired JPH0346590Y2 (ja)

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JP15545684U JPH0346590Y2 (ja) 1984-10-15 1984-10-15

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Publication Number Publication Date
JPS6170430U true JPS6170430U (ja) 1986-05-14
JPH0346590Y2 JPH0346590Y2 (ja) 1991-10-02

Family

ID=30713467

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JP15545684U Expired JPH0346590Y2 (ja) 1984-10-15 1984-10-15

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JPH0346590Y2 (ja) 1991-10-02

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