JPS6165237A - レジスト材 - Google Patents
レジスト材Info
- Publication number
- JPS6165237A JPS6165237A JP18641084A JP18641084A JPS6165237A JP S6165237 A JPS6165237 A JP S6165237A JP 18641084 A JP18641084 A JP 18641084A JP 18641084 A JP18641084 A JP 18641084A JP S6165237 A JPS6165237 A JP S6165237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trifluoromethylacrylic acid
- chloride
- polymer
- phenyl ester
- resist material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子線又はＸＭに対し、感応性を有するフッ
素原子含有重合体から成るレジスト材に関する。
素原子含有重合体から成るレジスト材に関する。
従来、半導体集積回路製造の際のリソグラフィーとして
は、２５００〜４０００Ａの波長をもつ紫外線を用いた
フォトリソグラフィーが採用されているが、近年、半導
体集積回路の高密度化、高集積化に伴い、電子線、Ｘ線
等を用いたリソグラフィー技術が注目され、実用化され
つつある。これらのリソグラフィー技術は、電子線ある
いはＸ線によって微細レジストパターンを形成させ、そ
ゝれをマスクとしそエツチングを施し、上記パターンを
基板に転写するものである。その際のエツチングにおい
ては、従来よりウェットエツチング方式が用いられてき
たか、転写精度のより高いドライエツチング方式も採用
されつつあり、レジスト材の有すべき性能としては、電
子線、Ｘ線に対する充分な感度、形成されたパターンの
解像性ト共に該方式の工程中における耐性（以下ドライ
エツチング耐性と称す）も必要になりつつある。
は、２５００〜４０００Ａの波長をもつ紫外線を用いた
フォトリソグラフィーが採用されているが、近年、半導
体集積回路の高密度化、高集積化に伴い、電子線、Ｘ線
等を用いたリソグラフィー技術が注目され、実用化され
つつある。これらのリソグラフィー技術は、電子線ある
いはＸ線によって微細レジストパターンを形成させ、そ
ゝれをマスクとしそエツチングを施し、上記パターンを
基板に転写するものである。その際のエツチングにおい
ては、従来よりウェットエツチング方式が用いられてき
たか、転写精度のより高いドライエツチング方式も採用
されつつあり、レジスト材の有すべき性能としては、電
子線、Ｘ線に対する充分な感度、形成されたパターンの
解像性ト共に該方式の工程中における耐性（以下ドライ
エツチング耐性と称す）も必要になりつつある。
レジストパターン形成のために用いられろレジスト材と
しては、電子線、Ｘ線を照射された部分が溶剤に可溶と
なるポジタイプのものと、反対に溶剤に不溶となるネガ
タイプの２種類があるが、レジストパターンの解像性の
点では、ポジタイプの方が優れていると言われている。
しては、電子線、Ｘ線を照射された部分が溶剤に可溶と
なるポジタイプのものと、反対に溶剤に不溶となるネガ
タイプの２種類があるが、レジストパターンの解像性の
点では、ポジタイプの方が優れていると言われている。
ポジタイプのレジスジ材としては、ポリメチルメタアク
リレート（以下ＰＭＭＡと略す）がよく知られている。
リレート（以下ＰＭＭＡと略す）がよく知られている。
ＰＭＭＡは、高解像性を有する材料であるが、電子線、
Ｘ線に対する感度及びドライエツチング耐性が充分でな
く、実用的でない。
Ｘ線に対する感度及びドライエツチング耐性が充分でな
く、実用的でない。
又、ＰＭＭＡの感度を改良するために該重合体中のメチ
ルエステル部分を種々の含フツ素アルキルエステルに変
えた重合体や、又ＰＭＭＡの主鎖に直結したメチル基を
トリフＩＬＩオロメチル基に変えた重合体等も合成され
ており、高感度のポジタイプのレジスト材として知られ
ている。
ルエステル部分を種々の含フツ素アルキルエステルに変
えた重合体や、又ＰＭＭＡの主鎖に直結したメチル基を
トリフＩＬＩオロメチル基に変えた重合体等も合成され
ており、高感度のポジタイプのレジスト材として知られ
ている。
しかしながら、これら重合体もＰＭＭＡと同様、ドライ
エツチング耐性が不充分である。
エツチング耐性が不充分である。
又、ポリフェニルメタアクリレート（以下ＰＰｈＭＡと
略す）も電子線、Ｘ線により、崩壊反応を起こすことが
知られている。
略す）も電子線、Ｘ線により、崩壊反応を起こすことが
知られている。
該重合体は、ドライエツチング耐性はＰＭＭＡに比べ改
良されているものの、ＰＭＭＡと同様、電子線、Ｘ線に
対する感度が充分でない。
良されているものの、ＰＭＭＡと同様、電子線、Ｘ線に
対する感度が充分でない。
従って、サブミクロンレベルの微細加工に用いる実用的
なポジタイプのレジスト材として、電子線、Ｘ線に対し
て感度及び解像度が高く、かつドライエツチング耐性を
有する材料の提供が求められている。
なポジタイプのレジスト材として、電子線、Ｘ線に対し
て感度及び解像度が高く、かつドライエツチング耐性を
有する材料の提供が求められている。
本発明者らは、このような要求性能を満足するレジスト
材に関して鋭意研究を行った結果、フッ素原子を含有し
、かつベンゼン環を含む特殊な化学構造をもつ重合体が
満足できる性能を有することを見出し本発明に至った。
材に関して鋭意研究を行った結果、フッ素原子を含有し
、かつベンゼン環を含む特殊な化学構造をもつ重合体が
満足できる性能を有することを見出し本発明に至った。
すなわち、本発明は、式（１）により示される繰返し単
位により構成されるフッ素原子含有重合体からなるレジ
スト材を提供するものである。
位により構成されるフッ素原子含有重合体からなるレジ
スト材を提供するものである。
０１Ｆ。
−ａ駅ａ−
ａ＝ｏ ｊＩ）
〔作 用〕
本発明のレジスジ材である式（１）で示される繰返し単
位により構成されるフッ素原子含有重合体は。
位により構成されるフッ素原子含有重合体は。
α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステルは
例えば以下に示す方法で製造する事ができる。
例えば以下に示す方法で製造する事ができる。
すなわち、α−トリフルオロメチルアクリル酸をチオニ
ルクロライド、五塩化リン、オキザリルクロライド、オ
キシ塩化リンとジメチルホルムアミドの混合物等の塩素
化剤と反応させるか、あるいはトリフルオロメチルアク
リル酸ナトリウム塩をベンゾイルクロライド、ペンシト
リクロライドあるいはフタロイルクロライド等と反応さ
せ、α−トリフルオロメチルアクリル酸クロライドを合
成し、更に該化合物を塩基の存在下に７エノールと反応
させる事により、目的とするα−トリフルオロメチルア
クリル酸フェニルエステルを合成できる。
ルクロライド、五塩化リン、オキザリルクロライド、オ
キシ塩化リンとジメチルホルムアミドの混合物等の塩素
化剤と反応させるか、あるいはトリフルオロメチルアク
リル酸ナトリウム塩をベンゾイルクロライド、ペンシト
リクロライドあるいはフタロイルクロライド等と反応さ
せ、α−トリフルオロメチルアクリル酸クロライドを合
成し、更に該化合物を塩基の存在下に７エノールと反応
させる事により、目的とするα−トリフルオロメチルア
クリル酸フェニルエステルを合成できる。
α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステルを
単独重合するにあたり、該化合物はラジカルによる単独
重合性を有しないのでイオン重合法を用いる必要があり
、特にアニオン重合が有効である。
単独重合するにあたり、該化合物はラジカルによる単独
重合性を有しないのでイオン重合法を用いる必要があり
、特にアニオン重合が有効である。
本発明のレジスト材は、分子量が数千から数百万の範囲
にあることが好ましい。その分子量が数千以下であると
、レジスト材により形成された膜の機械的強度及び耐熱
性が劣るようになる。又、数百万以上であると、レジス
ト材を用いて膜の形成を行う際、レジスト材溶液の粘度
が高くなりすぎて、所定の膜厚に制御することが困難に
なったり、取扱い上の困難さを生じたりする。又、その
分子量分布も目的に応じて選ぶことができ、重量平均分
子量／数平均分子量（以下、ｕｗ／ｉ２ｎと記す）で表
わされる値が１．０〜１．１の範囲にある狭いものから
、２０〜５０の範囲にある広いものまで適宜に使用でき
る。Ｍｙ／Ｙｎが１．０〜１．１の範囲以下のレジスト
材は、事実上合成が不可能であり、又、Ｍｙ／１２ｎが
２０〜５０の範囲以上のレジスト材では、該レジスト材
からなる膜上に電子線あるいはＸｉにより描画し形成し
たパターンの解像性が充分でなくなりてくる。
にあることが好ましい。その分子量が数千以下であると
、レジスト材により形成された膜の機械的強度及び耐熱
性が劣るようになる。又、数百万以上であると、レジス
ト材を用いて膜の形成を行う際、レジスト材溶液の粘度
が高くなりすぎて、所定の膜厚に制御することが困難に
なったり、取扱い上の困難さを生じたりする。又、その
分子量分布も目的に応じて選ぶことができ、重量平均分
子量／数平均分子量（以下、ｕｗ／ｉ２ｎと記す）で表
わされる値が１．０〜１．１の範囲にある狭いものから
、２０〜５０の範囲にある広いものまで適宜に使用でき
る。Ｍｙ／Ｙｎが１．０〜１．１の範囲以下のレジスト
材は、事実上合成が不可能であり、又、Ｍｙ／１２ｎが
２０〜５０の範囲以上のレジスト材では、該レジスト材
からなる膜上に電子線あるいはＸｉにより描画し形成し
たパターンの解像性が充分でなくなりてくる。
〔発明の効果〕
本発明のレジスト材を構成する式（１）で示される繰返
し単位から成る重合体は、電子線やＸ線の照射により主
鎖崩壊反応を起こし、被照射部は照射されていない部分
に比べて溶剤に対しての溶解性が大きく向上する。
し単位から成る重合体は、電子線やＸ線の照射により主
鎖崩壊反応を起こし、被照射部は照射されていない部分
に比べて溶剤に対しての溶解性が大きく向上する。
ＰＭＭＡやＰＰｈＭＡにおいても、これら放射線により
主鎖崩壊を起こすが、本発明のレジスト材の方が、崩壊
反応を起こし易く、その結果感度も上昇する。
主鎖崩壊を起こすが、本発明のレジスト材の方が、崩壊
反応を起こし易く、その結果感度も上昇する。
又、本発明のレジスト材は、ドライエツチング耐性にす
ぐれている。これらの効果は、重合体の構造が、トリフ
ルオロメチル基とベンゼン環を分子中に同時に有する特
殊な構造である所から発現してきたものと推定される。
ぐれている。これらの効果は、重合体の構造が、トリフ
ルオロメチル基とベンゼン環を分子中に同時に有する特
殊な構造である所から発現してきたものと推定される。
以下に本発明の効果を列挙すると
＆）感度が数μｃ／ａｔｌ〜数十μＣμと高い値を示し
、十分利用可能な範囲に入っている。またγ値も２．５
以上となっており解像性にも優れている。
、十分利用可能な範囲に入っている。またγ値も２．５
以上となっており解像性にも優れている。
ｂ） ドライエツチング耐性にすぐれている。
ここで、感度（以下、Ｓ値という）とは、放射ｉｎと現
像後の残膜厚との関係を描いた感度曲線図において残膜
厚がゼロとなる照射量の値で示されるもので、小さい程
感度が高い。又、解像度（以下、γ値という）とは、感
度曲線のＳ値に対応する接線上で膜厚が減少しはじめる
点に対する照射量をＤｌ としたときｓ ｌ ｌｏｇ
Ｄｉ ｌ−’の値で示されるもので大きい程解像度が
高い。〔詳細は「フッ素化合物の最先端応用技術」■シ
ーエムシー昭和５６年４月２４日発行、１３９〜１４０
頁を参照〕。
像後の残膜厚との関係を描いた感度曲線図において残膜
厚がゼロとなる照射量の値で示されるもので、小さい程
感度が高い。又、解像度（以下、γ値という）とは、感
度曲線のＳ値に対応する接線上で膜厚が減少しはじめる
点に対する照射量をＤｌ としたときｓ ｌ ｌｏｇ
Ｄｉ ｌ−’の値で示されるもので大きい程解像度が
高い。〔詳細は「フッ素化合物の最先端応用技術」■シ
ーエムシー昭和５６年４月２４日発行、１３９〜１４０
頁を参照〕。
以上のことから、本発明のレジスト材は、光応用部品、
磁気バルブ素子、半導体製造等の微細、＜タン形成用レ
ジスト材として有効である事が分る。
磁気バルブ素子、半導体製造等の微細、＜タン形成用レ
ジスト材として有効である事が分る。
以下に合成例及び実施例により、本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
合成例
α−トリフルオロメチルアクリル酸クりリドα−トリフ
ルオロメチルアクリル酸１４．６９（１０４ｍｍｏｌ）
に塩化チオニル９ ｒｒＬｔ（１２４ｍｍｏｌ ）を加
え、２４時間加熱還流した。常圧蒸留によりα−トリフ
ルオロメチルアクリル酸クロリド１α２りを得た。収率
６２％ α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル ５ ｖｔ％の水酸化ナトリウム６２ｄに７エノール五６
４９（３α７ｍｍｏｌ）を溶解させる。該溶液を氷冷し
、ここへα−トリフルオロメチルアクリル酸クロリド４
７５９ （３α７ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、１０
分間攪拌した後、酢酸エチル抽出により油相を分離した
。次に該酢酸エチル溶液を水洗浄、飽和食塩水洗浄し、
更に硫酸す） ＩＪウムによす脱水した。エバポレータ
により、酢酸エチルを蒸発除失し、残った油状物を、ベ
ンゼンを展開溶媒としてシリカゲルカラムにかけ、α−
トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル五！１
０ｇ（１５，３ｍｍｏｌ）を油状物として得た。
ルオロメチルアクリル酸１４．６９（１０４ｍｍｏｌ）
に塩化チオニル９ ｒｒＬｔ（１２４ｍｍｏｌ ）を加
え、２４時間加熱還流した。常圧蒸留によりα−トリフ
ルオロメチルアクリル酸クロリド１α２りを得た。収率
６２％ α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル ５ ｖｔ％の水酸化ナトリウム６２ｄに７エノール五６
４９（３α７ｍｍｏｌ）を溶解させる。該溶液を氷冷し
、ここへα−トリフルオロメチルアクリル酸クロリド４
７５９ （３α７ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、１０
分間攪拌した後、酢酸エチル抽出により油相を分離した
。次に該酢酸エチル溶液を水洗浄、飽和食塩水洗浄し、
更に硫酸す） ＩＪウムによす脱水した。エバポレータ
により、酢酸エチルを蒸発除失し、残った油状物を、ベ
ンゼンを展開溶媒としてシリカゲルカラムにかけ、α−
トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル五！１
０ｇ（１５，３ｍｍｏｌ）を油状物として得た。
該油状物が、目的とするα−トリフルオロメチルアクリ
ル酸フェニルエステルである事は以下に示すスペクトル
データより明らかである。
ル酸フェニルエステルである事は以下に示すスペクトル
データより明らかである。
１）’Ｈ−ＮＭＲａｌＬ９〜７．４ｐｐｍ ５Ｈ，（
ｍ）１威ａＤｏｌ、 ＆７８ ｐｐｍ ＩＨ，
（ｍ）内部標準ＴＭＳ） ＆４５ ｐｐｍ
Ｉ Ｈ，（ｍ）２）″”？ ＮＭＲ−６６，０６ｐｐ
Ｉ！１ （８）（溶媒０ＤＯＩ。
ｍ）１威ａＤｏｌ、 ＆７８ ｐｐｍ ＩＨ，
（ｍ）内部標準ＴＭＳ） ＆４５ ｐｐｍ
Ｉ Ｈ，（ｍ）２）″”？ ＮＭＲ−６６，０６ｐｐ
Ｉ！１ （８）（溶媒０ＤＯＩ。
内部標準０１１０１．）
３）質量スペクトル ｍ／ｅ Ｍ” ２１６ 、１２３
、９５ 、６９４）赤外スペクトル（ｍｅａｔ）１７
５ｙ’（ａ＝ｏ伸縮振動）１６５鱒−（ａ＝ａ伸縮振動
） 実施例１ （ａ） ポリα−トリフルオロメチルアク
リル酸フェニルエステルノ製造 α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル４
．５７９をフラスコにとり、ドライアイス−エタノール
により冷却した。これにピリジンの無水’］’ＨＰ溶液
λ４６−（ピリジンを１．２０ Ｘ１０′″４モル含む
）を加えた後、該フラスコを水浴中に移し攪拌を開始し
た。５．６分後に溶液は薄黄色の粘ちょう液体となり攪
拌が困難となった。
、９５ 、６９４）赤外スペクトル（ｍｅａｔ）１７
５ｙ’（ａ＝ｏ伸縮振動）１６５鱒−（ａ＝ａ伸縮振動
） 実施例１ （ａ） ポリα−トリフルオロメチルアク
リル酸フェニルエステルノ製造 α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル４
．５７９をフラスコにとり、ドライアイス−エタノール
により冷却した。これにピリジンの無水’］’ＨＰ溶液
λ４６−（ピリジンを１．２０ Ｘ１０′″４モル含む
）を加えた後、該フラスコを水浴中に移し攪拌を開始し
た。５．６分後に溶液は薄黄色の粘ちょう液体となり攪
拌が困難となった。
引続き水浴中で２０時間反応後、ニーブタノールを２ｍ
ｌ添加した。反応生成物をクロロホルムに溶かし、続い
てメタノール中に該クロロホルム溶液をそそぎ込み、重
合物を再沈でんさせた。沈でん物を濾過、乾燥し、白色
性でんを２−６５９得た。
ｌ添加した。反応生成物をクロロホルムに溶かし、続い
てメタノール中に該クロロホルム溶液をそそぎ込み、重
合物を再沈でんさせた。沈でん物を濾過、乾燥し、白色
性でんを２−６５９得た。
収率５８％。
得られた重合体が目的とするポリα−トリフルオロメチ
ルアクリル酸フェニルエステルである事を以下の方法で
確認した。
ルアクリル酸フェニルエステルである事を以下の方法で
確認した。
１）赤外スペクトル（ｘＢｒ法）
第１図に本実施例で得られた重合体の赤外スペクトルを
示す。該スペクトルでは、α−トリフルオロメチルアク
リル酸フェニルエステルの赤外スペクトルに見られた炭
素−炭素２重結合の伸縮振動による１ ６５０ ｃ！ｎ
−１の吸収が消失し、又、炭素−酸素２種結合の吸収も
α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステルの
場合に比べ２０ ｃｍ−’高波敵側にシフトしている。
示す。該スペクトルでは、α−トリフルオロメチルアク
リル酸フェニルエステルの赤外スペクトルに見られた炭
素−炭素２重結合の伸縮振動による１ ６５０ ｃ！ｎ
−１の吸収が消失し、又、炭素−酸素２種結合の吸収も
α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステルの
場合に比べ２０ ｃｍ−’高波敵側にシフトしている。
この事は、本実施例で得られた重合体が、七ツマ−であ
るα−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル
の炭素−炭素２重結合部分が反応して生成したものであ
る事を示している。
るα−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル
の炭素−炭素２重結合部分が反応して生成したものであ
る事を示している。
２）１リ−ＮＭＲ（溶媒０ＤＯ１４、内■枠ｏｐａｌ）
−６４，８ｐｐｍ 〜−６７，２ｐｐｍの範囲にトリフ
ルオロメチル基による吸収が現わレタ。
−６４，８ｐｐｍ 〜−６７，２ｐｐｍの範囲にトリフ
ルオロメチル基による吸収が現わレタ。
３）熱分解生成物
得られた白色重合体を加熱して行くと約５００℃で分解
し始めた。分解生成物をマススペクトルにより分析する
と、その全てがα−トリフルオロメチルアクリル酸フェ
ニルエステルであった。
し始めた。分解生成物をマススペクトルにより分析する
と、その全てがα−トリフルオロメチルアクリル酸フェ
ニルエステルであった。
この事は、重合体中に式（Ｉ）で表わされる繰返し単位
が存在する事を示す。
が存在する事を示す。
伺、本実施例で得られた重合体の重量平均分子量をＧＰ
Ｏで測定するとボリスチシン換算で１、 Ｉ Ｘ １０
’であった。
Ｏで測定するとボリスチシン換算で１、 Ｉ Ｘ １０
’であった。
実施例１ （ｂ） （電子線感応性試験〕実施例１（ａ
）で得られたポリα−トリフルオロメチルアクリル酸フ
ェニルエステル１．２０ ｇをキシレン１０ｍ１に溶解
し、該溶液をシリコンウェーハ上にスピンコード法で塗
布して、更に該ウェーハを１２０℃の乾燥話中で２５分
間処理（プレベーク）した。
）で得られたポリα−トリフルオロメチルアクリル酸フ
ェニルエステル１．２０ ｇをキシレン１０ｍ１に溶解
し、該溶液をシリコンウェーハ上にスピンコード法で塗
布して、更に該ウェーハを１２０℃の乾燥話中で２５分
間処理（プレベーク）した。
こうしてシリコンウェーハ上にＬＬ５７μｍのポリα−
トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル薄膜を
形成させた。
トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステル薄膜を
形成させた。
次いで、プレベークされた該塗膜の所望部分に加速電圧
２０ ＩＴの電子線を種々のドーズ蓋で照射した。その
後、メチルイソブチルケトンとインプロパツールの混合
溶媒を現像液として現像処理を行い、電子線照射部分を
溶解除去せしめ、ウェーハ上にレジストパターンを形成
した。この時の電子線ドーズ量と塗膜残厚との関係を第
２図中の実線で示す。以下、同様の関係を示す曲線を感
度曲線という。又、重量平均分子量約１． ＯＸ １０
’のＰＰｈＭＡについても同様にして感度曲線を描いた
。それを第２図に点線で示す。
２０ ＩＴの電子線を種々のドーズ蓋で照射した。その
後、メチルイソブチルケトンとインプロパツールの混合
溶媒を現像液として現像処理を行い、電子線照射部分を
溶解除去せしめ、ウェーハ上にレジストパターンを形成
した。この時の電子線ドーズ量と塗膜残厚との関係を第
２図中の実線で示す。以下、同様の関係を示す曲線を感
度曲線という。又、重量平均分子量約１． ＯＸ １０
’のＰＰｈＭＡについても同様にして感度曲線を描いた
。それを第２図に点線で示す。
第２図に示すように、実施例１（ａ）で得られた本発明
重合体であるポリα−トリフルオロメチルアクリル酸フ
ェニルエステルは、ＰＰｈＭＡに比べ明らかに感度が向
上している事が分り、レジスト材の性能を表わすパラメ
ータであるＳ値及びγ値がそれぞれ２−３×１０−’Ｏ
／ｄ及び五５であるポジタイプのレジスト材として利用
できる事が分った。
重合体であるポリα−トリフルオロメチルアクリル酸フ
ェニルエステルは、ＰＰｈＭＡに比べ明らかに感度が向
上している事が分り、レジスト材の性能を表わすパラメ
ータであるＳ値及びγ値がそれぞれ２−３×１０−’Ｏ
／ｄ及び五５であるポジタイプのレジスト材として利用
できる事が分った。
実施例１ （Ｑ） （ドライエツチング耐性試験〕ドラ
イエツチング装置ＤＩＭ−４５ｊＭ型〔日電アネルバ社
製〕を用い０１Ｆ４ガスによる反応性スパッタリングに
対する耐性を観察した。下記表１に示すように、ポリシ
リコン基板のエツチング速度が１４００Ａ／ｍｌｎなの
に比べ、実施例１（ａ）で得られた本発明重合体の場合
は、６８０Ａ／ｗｉｎと約１／２のエツチング速度にな
りており、更にこの値はＰＭＭＡの１４倍とならでおり
、ドライエツチング耐性がすぐれている事は明らかであ
る。
イエツチング装置ＤＩＭ−４５ｊＭ型〔日電アネルバ社
製〕を用い０１Ｆ４ガスによる反応性スパッタリングに
対する耐性を観察した。下記表１に示すように、ポリシ
リコン基板のエツチング速度が１４００Ａ／ｍｌｎなの
に比べ、実施例１（ａ）で得られた本発明重合体の場合
は、６８０Ａ／ｗｉｎと約１／２のエツチング速度にな
りており、更にこの値はＰＭＭＡの１４倍とならでおり
、ドライエツチング耐性がすぐれている事は明らかであ
る。
実施例２ （ａ） ホ”すα−トリフルオロメチルア
クリル酸フェニルエステルの製造及び同 定 α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステルを
１５５９．ピリジンの無水ＴＨＦ溶液を五５２ｍ７（ピ
リジンを２．、９ Ｘ １ ｏ−ｉモル含む）用実施例
１（＆）で行ったと同じ分析の結果、本実施例で得られ
た重合体は、式（１）で表わされる繰返し単位で構成さ
れる重量平均分子ｉ＆５×１０’を有する重合体である
事が分った。
クリル酸フェニルエステルの製造及び同 定 α−トリフルオロメチルアクリル酸フェニルエステルを
１５５９．ピリジンの無水ＴＨＦ溶液を五５２ｍ７（ピ
リジンを２．、９ Ｘ １ ｏ−ｉモル含む）用実施例
１（＆）で行ったと同じ分析の結果、本実施例で得られ
た重合体は、式（１）で表わされる繰返し単位で構成さ
れる重量平均分子ｉ＆５×１０’を有する重合体である
事が分った。
実施例２ （ｂ） （電子線感応試験及びドライエツチ
ング耐性試験） 実施例２（ａ）で得られた重合体につき実施例１（ｂ）
と同様な方法で電子板感応性試験を行った。
ング耐性試験） 実施例２（ａ）で得られた重合体につき実施例１（ｂ）
と同様な方法で電子板感応性試験を行った。
その結果、該重合体はＳ値及びγ値がそれぞれ５．５Ｘ
１０−’ Ｏ／ＣｒＩｔ、 ｌ １ テア７；）ホシ
３ｘイフ＋７）ｌ／シスト材として利用できる事が分っ
た。
１０−’ Ｏ／ＣｒＩｔ、 ｌ １ テア７；）ホシ
３ｘイフ＋７）ｌ／シスト材として利用できる事が分っ
た。
又、実施例１（ｃ）と同様にしてドライエツチング耐性
試験を行った。その結果、実施例１（ａ）で得られた重
合体に同じ（６８０Ｘ／ ｍ１ｚｒのスパッタエツチン
グ速度であり、充分なドライエツチング耐性を有してい
た。
試験を行った。その結果、実施例１（ａ）で得られた重
合体に同じ（６８０Ｘ／ ｍ１ｚｒのスパッタエツチン
グ速度であり、充分なドライエツチング耐性を有してい
た。
第１図は本発明重合体であるポリα−トリフルオロメチ
ルアクリル醐フェニルエステルの赤外吸収スペクトルチ
ャートである。 第２図は電子線照射量と塗膜残厚の関係を示す感度曲線
の図である。 特許出願人 東洋曹達工業株式会社 Ｏ＾ ０
０任 ０ 承 叩 宅 虐 千 ５ １’０ ９’０ ９’Ｏｔ”０ ９’０
１’ＯＭＯ（ｕｔｙｙ） ５瘍ぼ≧
ルアクリル醐フェニルエステルの赤外吸収スペクトルチ
ャートである。 第２図は電子線照射量と塗膜残厚の関係を示す感度曲線
の図である。 特許出願人 東洋曹達工業株式会社 Ｏ＾ ０
０任 ０ 承 叩 宅 虐 千 ５ １’０ ９’０ ９’Ｏｔ”０ ９’０
１’ＯＭＯ（ｕｔｙｙ） ５瘍ぼ≧
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下式（ I ）により示される繰返し単位により構成
されるフッ素原子含有重合体からなるレジスト材。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18641084A JPS6165237A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | レジスト材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18641084A JPS6165237A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | レジスト材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165237A true JPS6165237A (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=16187926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18641084A Pending JPS6165237A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | レジスト材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4752635A (en) * | 1985-12-25 | 1988-06-21 | Toyo Soda Manufacturing Co., Ltd. | Halogen-containing polyacrylate derivatives |
| JPS63212714A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-05 | Kubota Ltd | エンジンのシリンダヘツド油冷装置 |
| JP2007182423A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Chisso Corp | 側方α−置換アクリレート化合物およびその重合体 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP18641084A patent/JPS6165237A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4752635A (en) * | 1985-12-25 | 1988-06-21 | Toyo Soda Manufacturing Co., Ltd. | Halogen-containing polyacrylate derivatives |
| JPS63212714A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-05 | Kubota Ltd | エンジンのシリンダヘツド油冷装置 |
| JP2007182423A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Chisso Corp | 側方α−置換アクリレート化合物およびその重合体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4025956B2 (ja) | 感光膜共重合体、感光膜共重合体の製造方法、感光膜、感光膜の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPS6326653A (ja) | フオトレジスト材 | |
| JP2907144B2 (ja) | 酸誘導体化合物、高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 | |
| KR100301103B1 (ko) | 레지스트물질 | |
| TWI429665B (zh) | 感光性樹脂及感光性組成物 | |
| JP2619358B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP2540199B2 (ja) | デバイスの製造方法 | |
| KR0171653B1 (ko) | 에스아이 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물 | |
| JPS59208547A (ja) | 半導体装置の製造プロセス | |
| EP0675409A1 (en) | Heat-resistant negative photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming negative pattern | |
| JPS6165237A (ja) | レジスト材 | |
| JP2606652B2 (ja) | 珪素含有高分子化合物及びそれを用いたレジスト材料 | |
| JPS62240956A (ja) | ポジ型レジストパタ−ン形成方法 | |
| TWI573782B (zh) | 新穎鋶鹽化合物、其製造方法及光酸產生劑 | |
| JPH01103611A (ja) | 有機金属含有ポリマー及び画像を形成するためのそれらの使用方法 | |
| JPH03148257A (ja) | 光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩 | |
| JPH01215812A (ja) | ポリアクリル酸誘導体 | |
| CN112142955A (zh) | 金刚烷－多酚寡聚物及其光刻胶组合物和应用 | |
| JPS61210332A (ja) | 非線形光学素子用材料及びパタ−ンの形成方法 | |
| US6596830B2 (en) | Silicon-containing polymer and bilayer resist composition based thereon | |
| JPH0635199A (ja) | レジスト組成物およびパターン形成方法 | |
| Bonetti | Preparation and Characterization of Light Sensitive Tetrafluoro-λ⁶-Sulfanyl-Containing Polymers | |
| JPS62150345A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| WO2007029442A1 (ja) | アダマンタン誘導体及びその製造方法 | |
| JPH02202904A (ja) | 含フツ素メタクリル酸エステル系重合体及びレジスト材料 |