JPS6161378A - 多端子の半田付構造 - Google Patents

多端子の半田付構造

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JPS6161378A
JPS6161378A JP18303384A JP18303384A JPS6161378A JP S6161378 A JPS6161378 A JP S6161378A JP 18303384 A JP18303384 A JP 18303384A JP 18303384 A JP18303384 A JP 18303384A JP S6161378 A JPS6161378 A JP S6161378A
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JP
Japan
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solder
terminals
terminal
soldering
glass substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP18303384A
Other languages
English (en)
Inventor
樺嶋 史朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPS6161378A publication Critical patent/JPS6161378A/ja
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 、庄ILし見料Jわ辷肛 この発明は薄膜ELマトリクス型ディスプレイパネルや
液晶マトリクス型ディスプレイパネルなどに形成された
多数の端子と、この端子と対応する外部のフレキシブル
リード端子とを電気的及び機械的に接続する半田付構造
に関する。
l未二艮五 薄111Lや液晶マトリクス型ディスプレイパネルはマ
トリクス型の多数の電極の外部取出し用端子をガラス基
板上に微小なピッチで一連に形成し、この多数の各端子
に別のフレキシブルリード基板に形成した端子を半田付
けして@極の外部取出しを行うのが一般的である。
例えば薄膜ELマトリクス型ディスプレイパネルの一般
的構造を第10図乃至第13図を参照して説明する。な
お、第10図において左半分はX方向の断面図を示し、
右半分はY方向の断面図を示す。図において、(1)は
透明なガラス基板、(2)はガラス基板(1)上に形成
されたマトリクス型EL素子、(3)はガラス基板(1
)上でEL素子(2)を気密封止するガラスの背面板(
カバーガラス)、(4)はEL!子(2)の電極外部取
出し用フレキシブルリード部材である。EL素子(2)
における(5)はガラス基板 (1)上に1.T、0.
を蒸着法やスパンタ法でX方向に所定ピッチで多数のス
トライプ状に形成した透明電極、(6)は透明電極(5
)上を覆うY203等の透明な第1絶縁層、(7)は第
1絶縁層(6)上に形成したZnS : l’In等の
(螢光体)発光層、(8)は発光層(7)上を覆うY2
03等の透明な第2絶縁層、(9)は第2絶縁層(8)
上に透明電極(5)と直交するY方向に所定ピッチで多
数のストライプ状に形成したAl蒸着膜による背面電極
である。
EL素子(2)の各電極(5)、(9)の一端部はガラ
ス基板(1)の周辺部上まで延ばして形成され、この電
極端部の一部を横切る形で背面板(3)が樹脂の絶縁シ
ール材(10)を介してガラス基板(1)上に固着され
、その後背面板(3)とEL@子(2)の間にシリコン
オイル等の防湿材(11)が充屓される。フレキシブル
リード部材(4)はフレキシブルな絶縁基板(12)の
裏面に多数の導電膜(13)を被着形成したもので、絶
縁基板(12)の裏面周辺の導電膜(13)  (以下
第2端子(b)と称す)はガラス基板(1)の上面周辺
に微小ピッチで一連に並ぶ各電極(5)、(9)の端部
(以下第1第2端子(a)、(b)の各々が半田(14
)で電気的及び機械的に接続固着される。この半田付け
は第13図に示すように第2端子(b)上に定量の予備
半田(14’ )を電気メツキ法などで被着形成してお
いて、この第2端子(b)と第1端子(a)が予備半田
(14’ )を介して重なるようガラス基板(1)上に
フレキシブルリード部材(4)を目合わせして重ね、全
体に均等の力で加圧して、予備半田(14’ )を赤外
線加熱で溶融させることにより行われる(特公昭59−
2157号公報、特公昭59−14872号公報)。
■ <”しよ゛と・る口 占 上記二端子(a)(b)を良好に半田付けするために予
備半田(14’ )の量を少し多口にして、これを加熱
溶融させる時に適当な静圧を加えているが、この半田付
時の加圧力は基板(1)、(12)の反り等で場所によ
ってバラツキがあり、加圧力が小さ過ぎるところでは二
端子(a)(b)の接着強度不足、導電不良が起き易い
そこで、半田付時の加圧力(静圧)を少し太き目にして
いるが、この加圧力の制御が難しくて、加圧力が大き過
ぎるところで二端子(a)(b)の両側から第12図の
鎖線で示すように食み出す半田(14”)の量が多くな
り、この食み出し半田(14゛)が隣接する端子間から
の食み出し半田(14” ”)とショートすることがあ
った。このショート事故は端子配列ピンチが最近0.4
mm以下と益々小さくなる傾向に伴い増大し、層高の歩
留まりを悪くする大きな要因になっていた。
皿”′−るためのm一 本発明の上記問題点を解決する技術的手段は第1、第2
端子を予備半田を介して重ね合わせて加圧加熱して半田
付けしたものにおいて、第1、第2端子の少なくとも一
方に部分的に溶融半田が流入する半田逃げ部を形成した
ことである。この半田逃げ部は端子を部分的に除去した
溝や穴で形成される。
在里 このように端子に半田逃げ部を形成して二端子を予備半
田を介し重ね合わせ加圧加熱して半田付けすると、二端
子間の半田量や加圧力が多少オーバ気味であっても二端
子間の余分な半田は半田逃げ部に流入して、二端子間の
両側から食み出す半田量が少なくできて隣接端子とのシ
ョートi故が防止される。
実思−例一 第10図のMMELマトリクス型ディスプレイパネルの
多端子半田付構造に本発明を適用した一実施例を第1図
乃至第7図に基づ6以下説明する。
第1図乃至第3図において、第10図と同一部分には同
一参照符号を付して説明は省略する。
相違点はフレキシブルリード部材(15)のみで、フレ
キシフ“ル絶縁基板(16)の下面に形成した多数の導
電膜(17)の第1端子(a)と半田fM続される端部
(以下第2端子(C)と称す)に例えば第4図に示すよ
うに、第2@子(c)を二股状に部分する溝状の半田逃
げ部(18)を形成する。この半田逃げ部(18)は第
2端子(C)の中央部をエツチング等で除去して形成す
ればよい。また第2端子(c)の’I’f?i W 2
は第1娼子(a>の幅W1より若干小さ目に設定するこ
とが後述理由により好ましい。
第1端子(a)と対応する第2端子(c)との半田付け
は!85図乃至第7図に示す要領で行う。先ず第2端子
(c)の中央に溝状半田逃げ部(18)を形成したフレ
キシブルリード部材(15)を用息する0次に第6図に
示すように二股状の第2端子<c>上に定量の予備半田
(19’ )を電気メツキ法等で被着形成する。而して
、第7図に示すようにガラス基板(1)上にフレキシブ
ルリード部材(15)を目合わせして被せ、第1端子(
a)上に予備半田(19”)を介してff12端子(c
)を重ね静圧を加えておいて、予備半田(19”)を赤
外線加熱して溶融させ、第1、第2端子(a)(c)を
半田付けする。この半田付は時の加圧力を少し太き目に
し、また予備半田グを少し多口にして半田付けすれば、
第1、第2端子(a)(c)間の半田(19)の余分な
ものは半田逃げ部(18)に流入し、その分だけ第1、
第2端子(a、)  (c)の両側から食み出す半田量
が少な(できる、またw、<w2の関係により第2端子
(C)の両側から溶融半田が少し食み出しても、この食
み出し半田は第1端子(a)の両側端部上に乗るので、
両端子(a)(c)からの半田食み出し量が尚更に少な
くでき、隣接する端子間のショート事故が防止される。
また、このような半田付は作業は静圧にバラツキが多少
あっても良好に行われるので、半田付は作業が容易にな
る。
第8図及び第9図は本発明の第2実施例を示すためのも
ので、この実施例の特徴は第2端子(c)の複数箇所に
丸穴等の穴状半田逃げ部(20)を形成したことである
。このような穴状半田逃げ部(20)も上記溝状半田逃
げ部(1日)と同様の効果を発揮する。
尚、本発明は上記実施例に限らず、例えば第1端子(a
)側に上述同様な半田逃げ部を形成してもよい。また本
発明は液晶ディスプレイパネルやプラズマディスプレイ
パネルなどの多端子半田構造においても同様に適用し得
る。
主玉立殖栗 本発明によれば第1、第2端子両側からの半田食み出し
量が半田逃げ部の付設により抑制されるので、隣接端子
間のショート事故発生率が大幅に減少し、製品の歩留ま
り改善が図れる。
また上記ショート事故減少により第1、第2端子の半田
付作業が容易になり、半田付作業性の向上化が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半田付構造を有する薄膜ELマトリク
ス型ディスプレイパネルの断面図で、左半分はX方向の
断面図、右半分はY方向の断面図、第2図は第1図の一
部拡大平面図、第3図は第1図のT、−’r、線に沿う
拡大断面図、第4図は第1図における第1端子部分の拡
大斜視図、第5図乃至第7図は第1図の半田付構造部分
での具体的組立順序を説明するための各拡大断面図、第
8図及び第9図は本発明の他の実施例を示す部分断面図
及び第2端子部分の斜視図である。第10図は一般的薄
膜ELマトリクス型ディスプレイパネルの断面図で、左
半分はX方向の断面図、右半分はY方向の断面図、第1
1図は第10図のディスプレイパネルの一部拡大平面図
、第12図は第10図の72−72線に沿う拡大断面図
、第13図は第12図の半田付前の断面図である。 (1)・−第1絶縁基板(ガラス基板)、(16)−・
第2絶縁基板、(a ) −・第1端子、< c > 
−・第2端子、(18)  (20)−・半田逃げ部、
(19)・−・−半田。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1絶縁基板上に所定ピッチで多数形成された第
    1端子と、第2絶縁基板上に前記第1端子と対応して多
    数形成された薄膜状の第2端子とを半田付けしたものに
    おいて、前記第1、第2端子の少なくとも一方に部分的
    に溶融半田が流入する半田逃げ部を形成したことを特徴
    とする多端子の半田付構造。
JP18303384A 1984-08-31 1984-08-31 多端子の半田付構造 Pending JPS6161378A (ja)

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JPS6161378A true JPS6161378A (ja) 1986-03-29

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JP (1) JPS6161378A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63162327U (ja) * 1987-04-13 1988-10-24
JP2011008091A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Mitsubishi Electric Corp 画像表示素子及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63162327U (ja) * 1987-04-13 1988-10-24
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