JPS6160844A - 銅、ニツケル、錫、チタンの合金及びその製造方法 - Google Patents
銅、ニツケル、錫、チタンの合金及びその製造方法Info
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- JPS6160844A JPS6160844A JP11197085A JP11197085A JPS6160844A JP S6160844 A JPS6160844 A JP S6160844A JP 11197085 A JP11197085 A JP 11197085A JP 11197085 A JP11197085 A JP 11197085A JP S6160844 A JPS6160844 A JP S6160844A
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- copper alloy
- tin
- nickel
- titanium
- copper
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の製造方法に関する。
同時に提出した特許願(1)に記載の銅、ニッケル、錫
、チタン合金は強さ、及び軟化安定性等の機械的特性に
ついて並びに導電性について右利な組み合せを備えてい
る。
、チタン合金は強さ、及び軟化安定性等の機械的特性に
ついて並びに導電性について右利な組み合せを備えてい
る。
この銅合金はとりわけ非精製半導体2li&として適し
ており、均質な組織のおかげでポンドワイヤを直接取り
付けることができる。
ており、均質な組織のおかげでポンドワイヤを直接取り
付けることができる。
しかしながら、これ迄は半導体基板にはなお相当程度金
属被覆されている。
属被覆されている。
本特許出願は特許願(1)に記載の銅合金をもとにして
,この特許願(1)による有利な44?性の組み合せを
保持しながら、直接ボンディングに適していると同時に
基板材料の欠陥の無い表面精製をも可能にする別の合金
組成を示すことを課題としている。
,この特許願(1)による有利な44?性の組み合せを
保持しながら、直接ボンディングに適していると同時に
基板材料の欠陥の無い表面精製をも可能にする別の合金
組成を示すことを課題としている。
この課題は本発明によれば、0.05〜0.45%,と
りわけ0.1〜0.3%のわずかなりロム添加によって
解決される.(パーセンテージの数字は重量%である.
) クロムの添加によって確かに組織の中に析出が生じるけ
れども,その分布が細かいために直接ボンディングの際
に障害とならぬばかりか、電気メツキ処理のための有利
な条件が作り出せる.その王、クロム含有合金は驚く程
良好な酸化安定性を示す.何故なら、明らかに細かい分
布のおかげで、既に比較的低い温度の下で比較的厚い酸
化物層が形成され,これがそれ以上の酸化を阻止するか
らである。
りわけ0.1〜0.3%のわずかなりロム添加によって
解決される.(パーセンテージの数字は重量%である.
) クロムの添加によって確かに組織の中に析出が生じるけ
れども,その分布が細かいために直接ボンディングの際
に障害とならぬばかりか、電気メツキ処理のための有利
な条件が作り出せる.その王、クロム含有合金は驚く程
良好な酸化安定性を示す.何故なら、明らかに細かい分
布のおかげで、既に比較的低い温度の下で比較的厚い酸
化物層が形成され,これがそれ以上の酸化を阻止するか
らである。
確かにDE−PS2.948.916から0。
5〜1.0%のクロムを添加されたCuN i S n
Ti合金が知られてはいるが、このDE−PSは、特許
願(1)に記;1&.されているCuNiSnTi合金
に対する少量のクロム添加を着想することはできなかっ
た.何故なら上記のDE−PSにはとりわけ酸化安定性
の問題が取扱われていないからである。
Ti合金が知られてはいるが、このDE−PSは、特許
願(1)に記;1&.されているCuNiSnTi合金
に対する少量のクロム添加を着想することはできなかっ
た.何故なら上記のDE−PSにはとりわけ酸化安定性
の問題が取扱われていないからである。
特許請求の範囲第2項から第13項によれば。
本発明にもとづくクロム添加によって,特許願(1)に
記載のニッケル、錫、及びチタンの合金成分の好ましい
範囲の場合と類似の行定的な結果が得られる。
記載のニッケル、錫、及びチタンの合金成分の好ましい
範囲の場合と類似の行定的な結果が得られる。
イ1利な特性の組み合せを達成するために、本発明にも
とづく合金は好ましくは4.7 、;M願(1)の方法
にもとすいて製造される。
とづく合金は好ましくは4.7 、;M願(1)の方法
にもとすいて製造される。
合金は、鋳造の後好ましくは8501i〜950度Cの
温度の下で1時間から24時間の間均質化され、600
@〜800度Cの温度のドで1回又は、数回熱間圧延さ
れ、かつ、1分島たり10度Cから1分当たり2000
度Cまでの冷却速度で室温まで冷却される。
温度の下で1時間から24時間の間均質化され、600
@〜800度Cの温度のドで1回又は、数回熱間圧延さ
れ、かつ、1分島たり10度Cから1分当たり2000
度Cまでの冷却速度で室温まで冷却される。
熱間圧延はとりわけ650度〜7501片Cの温度で、
冷却はとりわけ1分当たり50度Cから1分当たり10
00度Cまでの冷却速度で行なわれることが推奨される
0本方法の1つの好ましい実施1出様によれば、冷却の
後95%までの変形度で1回又は数回の冷間圧送が行な
われる。冷間圧延の間に合金は、好ましくは本発明にも
とづく析出相の均一な分散を達成するために、最高10
時間までの間焼きなましをすることができる。
冷却はとりわけ1分当たり50度Cから1分当たり10
00度Cまでの冷却速度で行なわれることが推奨される
0本方法の1つの好ましい実施1出様によれば、冷却の
後95%までの変形度で1回又は数回の冷間圧送が行な
われる。冷間圧延の間に合金は、好ましくは本発明にも
とづく析出相の均一な分散を達成するために、最高10
時間までの間焼きなましをすることができる。
希望する特性を達成するためには、焼きなましはベル型
焼きなまし炉の中で、束にして350度〜500度Cの
温度の下で、あるいはI!l!続的に連お“シ炉の中で
450度〜600度Cの温度の下で行なわれることが推
奨される。
焼きなまし炉の中で、束にして350度〜500度Cの
温度の下で、あるいはI!l!続的に連お“シ炉の中で
450度〜600度Cの温度の下で行なわれることが推
奨される。
最後の冷間圧延の後に好ましくは焼戻し処理が上述の温
度の下で行なわれる。
度の下で行なわれる。
本発明による合金は半導体、とりわけトランジスタ又は
集積回路のための基板材料として有利に利用される。
集積回路のための基板材料として有利に利用される。
本発明が以下の実施例にもとづいて詳しく説明される。
例:
ff51表は特許願(1)にもとづくクロムを含んでい
ない対照合金CuNi 1snlTi (No 。
ない対照合金CuNi 1snlTi (No 。
1)及び2つの合金(N0.2及び3)並びにDE−P
S2.948.916によって知られているクロム含有
の対照合金CuNi1SΩlTiC第1表:合金の!l
成(データは重量%)n、n=検出不能 これらの合金l特許願(1)の実施例に従って製造され
た。1時間/400度C(合金1:1時間1500度C
)で焼戻しだ後、試料がその機械的及び電気的特性につ
いて1組織の均質性について、又その酸化安定性につい
て調へられた。
S2.948.916によって知られているクロム含有
の対照合金CuNi1SΩlTiC第1表:合金の!l
成(データは重量%)n、n=検出不能 これらの合金l特許願(1)の実施例に従って製造され
た。1時間/400度C(合金1:1時間1500度C
)で焼戻しだ後、試料がその機械的及び電気的特性につ
いて1組織の均質性について、又その酸化安定性につい
て調へられた。
強さ、弾性曲げ限界、及び導電性についての値第2表:
焼戻された状態の0.3mmの帯状試料の機械的及び電
気的特性 降伏点、引っ張り強さ、及び硬さの値はクロム含有率が
増えると共に増加して行くのに対して、驚くことに、本
発明にもとづく合金2及び3でりi外曲げ限界の最大値
が生じている。
焼戻された状態の0.3mmの帯状試料の機械的及び電
気的特性 降伏点、引っ張り強さ、及び硬さの値はクロム含有率が
増えると共に増加して行くのに対して、驚くことに、本
発明にもとづく合金2及び3でりi外曲げ限界の最大値
が生じている。
第1図は本発明にもとづく合金2の均質化された組織の
研摩面を200 : 1の倍率で示している直接ポンデ
ィングの際にも電気メツキ処理の際にも障害とならない
、Aで支持された細かい分布がはっきりと認められる。
研摩面を200 : 1の倍率で示している直接ポンデ
ィングの際にも電気メツキ処理の際にも障害とならない
、Aで支持された細かい分布がはっきりと認められる。
合金lから4までの酸化安定性は空気中で20O;W〜
500度Cの1−5度範囲で焼きなましすることによっ
て調へられた。その際、試料はそれぞれ30分間200
廉C1250度C13001安C等に保持された。この
ために、第2図の中に試ネ゛1の全重量増加が記載され
ている。これによって、本発明にもとづくクロム含有が
−を持つ合金2及び3が最も少ないm−%増加を示して
いることか解る。
500度Cの1−5度範囲で焼きなましすることによっ
て調へられた。その際、試料はそれぞれ30分間200
廉C1250度C13001安C等に保持された。この
ために、第2図の中に試ネ゛1の全重量増加が記載され
ている。これによって、本発明にもとづくクロム含有が
−を持つ合金2及び3が最も少ないm−%増加を示して
いることか解る。
第1図は本発明にもとづく合金の一実施例の均質化され
た組織の研摩面を200 : lの倍率で示す拡大正面
図、第2図は試料の全重量増加を示すグラフである。 A・・・細かい分布 特許出願人 ヴイーラント ヴエルケ アクチーエンゲ
ゼルシャフト
た組織の研摩面を200 : lの倍率で示す拡大正面
図、第2図は試料の全重量増加を示すグラフである。 A・・・細かい分布 特許出願人 ヴイーラント ヴエルケ アクチーエンゲ
ゼルシャフト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)銅、ニッケル、錫、チタンの合金にして、0.2
5〜3.0%のニッケル、0.25〜3.0%の錫、0
.12〜1.5%のチタン、残りは銅及び通常の不純物
から成り立っている銅合金において、更に0.05〜0
.45%のクロムを含んでいることを特徴とする銅合金
。 (2)0.1〜0.3%のクロムを含んでいることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の銅合金。 (3)0.3〜2.8%のニッケルを含んでいることを
特徴とする特許請求の範囲第1項、又は第2項に記載の
銅合金。 (4)0.5〜1.5%のニッケルを含んでいることを
特徴とする特許請求の範囲第3項に記載の銅合金。 (5)0.9〜1.1%のニッケルを含んでいることを
特徴とする特許請求の範囲第3項、又は第4項に記載の
銅合金。 (6)0.3〜2.8%の錫を含んでいることを特徴と
する特許請求の範囲第1項乃至第5項に記載の銅合金。 (7)0.5〜1.5%の錫を含んでいることを特徴と
する特許請求の範囲第6項に記載の銅合金。 (8)0.9〜1.1%の錫を含んでいることを特徴と
する特許請求の範囲第6項、又は第7項に記載の銅合金
。 (9)0.2〜1.4%のチタンを含んでいることを特
徴とする特許請求の範囲第1項乃至第8項に記載の銅合
金。 (10)0.25〜0.75%のチタンを含んでいるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第9項に記載の銅合金。 (11)0.45〜0.55%のチタンを含んでいるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第9項、又は第10項に
記載の銅合金。 (12)ニッケル、錫、チタンの合金成分がa:b:c
の関係にあり、その際a=1.8〜202;b=1.8
〜2.2、又、c=0.9〜1.1であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項乃至第11項に記載の銅合金
。 (13)ニッケル、錫、チタンの合金成分が2:2:1
の関係にあることを特徴とする特許請求の範囲第12項
に記載の銅合金。 (L4)銅、ニッケル、錫、チタン合金の製造方法にし
て、この合金が850度〜950度Cの温度の下で1時
間から24時間の間均質化され、600度〜800度C
の温度の下で1回又は数回熱間圧延され、かつ、1分当
たり10度Cから1分当たり2000度Cまでの冷却速
度で室温にまで冷却されることを特徴とする方法。 (15)650度〜750度Cの温度の下で熱間圧延さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第14項に記載の
方法。 (16)1分当たり50度Cから1分当たり1000度
Cまでの冷却温度で冷却されることを特徴とする特許請
求の範囲第14項、又は第15項に記載の方法。 (17)冷却の後で95%までの変形度で1回又は数回
冷間圧延されることを特徴とする特許請求の範囲第14
項乃至第16項に記載の方法。 (18)冷間圧延の間にそれぞれ10時間以下の間焼き
なまされることを特徴とする特許請求の範囲第17項に
記載の方法。 (19)最後の冷間圧延の後に焼戻し処理が行なわれる
ことを特徴とする特許請求の範囲第17項、又は第18
項に記載の方法。 (20)半導体、特にトランジスタ又は集積回路の為の
基板材料として使用することを特徴とする特許請求の範
囲第1項乃至第13項に記載の銅合金。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3432226A DE3432226C1 (de) | 1984-06-07 | 1984-09-01 | Kupfer-Nickel-Zinn-Titan-Legierung,Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung |
DE3432226.4 | 1984-09-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6160844A true JPS6160844A (ja) | 1986-03-28 |
Family
ID=6244455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11197085A Pending JPS6160844A (ja) | 1984-09-01 | 1985-05-24 | 銅、ニツケル、錫、チタンの合金及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6160844A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5315217A (en) * | 1976-07-29 | 1978-02-10 | Toshiba Corp | Lead wire |
JPS60181250A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-14 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP11197085A patent/JPS6160844A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5315217A (en) * | 1976-07-29 | 1978-02-10 | Toshiba Corp | Lead wire |
JPS60181250A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-14 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
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