JPS6158280A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS6158280A JPS6158280A JP59182081A JP18208184A JPS6158280A JP S6158280 A JPS6158280 A JP S6158280A JP 59182081 A JP59182081 A JP 59182081A JP 18208184 A JP18208184 A JP 18208184A JP S6158280 A JPS6158280 A JP S6158280A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
- H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors the device being a bipolar phototransistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体装置を用いて波長検知を行なう光半導体
装置に関するものである。
装置に関するものである。
〈従来技術〉
従来、半導体装置を用いた光検知を行なう光半導体装置
として本発明者等によって次のような装置が開発されて
いる。即ち半導体基板の厚さ方向における光吸収の度合
が照射光の波長に依存する性質を利用し、半導体基板内
部に深さを相違させて少なくとも２個のＰＮ接合部を形
成し、各ＰＮ接合部での光電流出力を照射光の波長と対
応させるものである。第２図は本発明者等によって開発
された光半導体装置１の断面図で、例えばＰ型シリコン
基板２にＮ型導電性を示すエピタキシャル層３が設けら
れ、更に該Ｎ型エピタキシャル層３中に比較的浅くＰ＋
拡散が施こされてＰ型頭域４が設けられ、Ｐ型基板２と
Ｎ型エピタキシャル層３との間で深く位置する第１のＰ
Ｎ接合５が形成され、Ｎ型エピタキシャル層３とＰ＋領
域４との間で浅く位置する第２のＰＮ接合６が形成され
ている。従来のホトトランジスタにおいては、上記第２
のＰＮ接合に相当するベース・エミッタ間のＰＮ接合は
直ちに光電変換に寄与する処がないため半導体領域の極
めて限られた領域に設けられていたが、上記開発された
光半導体装置ｌにおいては第２のＰＮ接合６からも光電
流か取り出されるため、Ｎ型エピタキシャル領域３内の
比較的広い範囲に第２のＰＮ接合６が生じるように拡散
領域のパターンが設計されている。
として本発明者等によって次のような装置が開発されて
いる。即ち半導体基板の厚さ方向における光吸収の度合
が照射光の波長に依存する性質を利用し、半導体基板内
部に深さを相違させて少なくとも２個のＰＮ接合部を形
成し、各ＰＮ接合部での光電流出力を照射光の波長と対
応させるものである。第２図は本発明者等によって開発
された光半導体装置１の断面図で、例えばＰ型シリコン
基板２にＮ型導電性を示すエピタキシャル層３が設けら
れ、更に該Ｎ型エピタキシャル層３中に比較的浅くＰ＋
拡散が施こされてＰ型頭域４が設けられ、Ｐ型基板２と
Ｎ型エピタキシャル層３との間で深く位置する第１のＰ
Ｎ接合５が形成され、Ｎ型エピタキシャル層３とＰ＋領
域４との間で浅く位置する第２のＰＮ接合６が形成され
ている。従来のホトトランジスタにおいては、上記第２
のＰＮ接合に相当するベース・エミッタ間のＰＮ接合は
直ちに光電変換に寄与する処がないため半導体領域の極
めて限られた領域に設けられていたが、上記開発された
光半導体装置ｌにおいては第２のＰＮ接合６からも光電
流か取り出されるため、Ｎ型エピタキシャル領域３内の
比較的広い範囲に第２のＰＮ接合６が生じるように拡散
領域のパターンが設計されている。
７はＮ型エピタキシャル層３を貫通して設けられたＰ＋
アイソレーション領域である。上記Ｐ型基板２、Ｎ型エ
ピタキシャル領域３及びＰ＋領域４には夫々オーミック
コンタクトがとられた電極８．９．１０が設けられ、少
なくともＰ＋領域４を被う半導体層上に反射防止膜等の
透光性絶縁膜１１（例えばＳ ｉ０２膜）が被着されて
いる。
アイソレーション領域である。上記Ｐ型基板２、Ｎ型エ
ピタキシャル領域３及びＰ＋領域４には夫々オーミック
コンタクトがとられた電極８．９．１０が設けられ、少
なくともＰ＋領域４を被う半導体層上に反射防止膜等の
透光性絶縁膜１１（例えばＳ ｉ０２膜）が被着されて
いる。
第３図は上記光半導体装置ｌの等価回路図で、Ｐ型基板
２とＮ型エピタキシャル領域３で第１のホトダイオード
ＰＤ、が形成され、Ｎ型エピタキシャル領域３とＰ＋領
域４とで第２のホトダイオードＰＤ２が形成される。
２とＮ型エピタキシャル領域３で第１のホトダイオード
ＰＤ、が形成され、Ｎ型エピタキシャル領域３とＰ＋領
域４とで第２のホトダイオードＰＤ２が形成される。
第４図は上記構造の光半導体装置ｌにおける分光感度特
性を示す図で、曲線Ａは深いＰＮ接合をもつ第１のホト
ダイす−ドＰＤ、か、ら、曲線Ｂは浅いＰＮ接合をもつ
第２のホトダイオードＰＤ２から得られた照射光の波長
（λｍμ）と感度との関係を夫々示し、第１のホトダイ
オードＰＤ、では長波長成分が吸収され、第２のホトダ
イオードＰＤ２では短波長成分が吸収されている。
性を示す図で、曲線Ａは深いＰＮ接合をもつ第１のホト
ダイす−ドＰＤ、か、ら、曲線Ｂは浅いＰＮ接合をもつ
第２のホトダイオードＰＤ２から得られた照射光の波長
（λｍμ）と感度との関係を夫々示し、第１のホトダイ
オードＰＤ、では長波長成分が吸収され、第２のホトダ
イオードＰＤ２では短波長成分が吸収されている。
第５図は上記光半導体装置ｌを用いてなる波長検知回路
で、第１ホトダイオードＦＤ、及び第２ホトダイオード
ＰＤ２の光出力電流ＩＰＤＩ 、 ＩＰＤ２が夫々導
出されて入力インピーダンスの高い演算増幅回路ａｐｌ
及びｏｐ２に入力される。該演算増幅回路ＯＰｌ及びＯ
Ｆ２にはいずれもフィードバック路に対数圧縮特性を備
えた対数圧縮ダイオードＤＩ＋Ｄ２が接続され、入力さ
れたホトダイオードＰＤＩ。
で、第１ホトダイオードＦＤ、及び第２ホトダイオード
ＰＤ２の光出力電流ＩＰＤＩ 、 ＩＰＤ２が夫々導
出されて入力インピーダンスの高い演算増幅回路ａｐｌ
及びｏｐ２に入力される。該演算増幅回路ＯＰｌ及びＯ
Ｆ２にはいずれもフィードバック路に対数圧縮特性を備
えた対数圧縮ダイオードＤＩ＋Ｄ２が接続され、入力さ
れたホトダイオードＰＤＩ。
ＦＤ２の光出力電流が対数圧縮されて出力される。
両演算増幅回路ＯＰ、 、 ｏｐ、、から導出された出
力信号ＶＯＰＩ 、 ＶＯＰ２は続いて夫々抵抗Ｒ１或
いは抵抗Ｒ２を介してオペアンプＯＦ、のｅ端子或いは
ｅ端子に入力される。ここでオペアンプＯＰａに接続さ
れた抵抗Ｒ＋ ＋Ｒ２、Ｒ３＋Ｒ４を各抵抗値が予めＲ
１”Ｒ２１Ｒ３＝Ｒ４の関係になるように設計すること
により、オペアンプ出力として上記ＶＯＰＩとＶ ＯＦ
２を減算した値に比例するＶ ＯＵＴが得られる。
力信号ＶＯＰＩ 、 ＶＯＰ２は続いて夫々抵抗Ｒ１或
いは抵抗Ｒ２を介してオペアンプＯＦ、のｅ端子或いは
ｅ端子に入力される。ここでオペアンプＯＰａに接続さ
れた抵抗Ｒ＋ ＋Ｒ２、Ｒ３＋Ｒ４を各抵抗値が予めＲ
１”Ｒ２１Ｒ３＝Ｒ４の関係になるように設計すること
により、オペアンプ出力として上記ＶＯＰＩとＶ ＯＦ
２を減算した値に比例するＶ ＯＵＴが得られる。
即ち出力Ｖ ＯＵＴは両ホトダイオードＰＤ、、ＰＤ２
の光出力電流ＩＰＤＩ ＋ ＩＰＤ２の比を対数圧縮
した値ｌｏｇ ＩＰＤ２／ＩＰＤＩに比例した値として
得られる。
の光出力電流ＩＰＤＩ ＋ ＩＰＤ２の比を対数圧縮
した値ｌｏｇ ＩＰＤ２／ＩＰＤＩに比例した値として
得られる。
第６図の実線データは上記波長検知回路出力■。旧と照
射光の波長（λｍμ）との関係を示す図で、はぼ直線関
係が得られ、照射光の波長に応じた値の出力信号を得る
ことができることがわかる。
射光の波長（λｍμ）との関係を示す図で、はぼ直線関
係が得られ、照射光の波長に応じた値の出力信号を得る
ことができることがわかる。
従って光半導体装置の分光感度特性が予め決定されれば
、光出力と波亘の関係は一義的に決定され。
、光出力と波亘の関係は一義的に決定され。
波長が不明な光が光半導体装置に照射された場合に、波
長検知回路の出力によって波長を測定することができる
。
長検知回路の出力によって波長を測定することができる
。
しかし、上記実線のデータは照射光が光半導体装置ｌの
中央部に入射した時のデータであって、照射光が光半導
体装置１の周辺部や側面部に入射した場合、特性は上記
実線のデータからずれ、破線で示すようになる。つまり
照射光の入射する位置により光電流比が異なるのである
。
中央部に入射した時のデータであって、照射光が光半導
体装置１の周辺部や側面部に入射した場合、特性は上記
実線のデータからずれ、破線で示すようになる。つまり
照射光の入射する位置により光電流比が異なるのである
。
さて、光半導体装置Ｉをハーメチックシールでシールし
表面にレンズ付キャップを設けた場合。
表面にレンズ付キャップを設けた場合。
照射光は光半導体装置ｌの中央部分に集まるので比較的
問題が少ない。しかし光半導体装置１を樹脂モールドし
た場合は照射光は中央部のみならず周辺部或いは側面部
からも入射する度合が大きくなり、この様な場合は照射
光の入射位置によって光電流比が異なる為信頼性の高い
波長検出が難しくなる。
問題が少ない。しかし光半導体装置１を樹脂モールドし
た場合は照射光は中央部のみならず周辺部或いは側面部
からも入射する度合が大きくなり、この様な場合は照射
光の入射位置によって光電流比が異なる為信頼性の高い
波長検出が難しくなる。
く目的〉
本発明は以上の従来点に鑑みなされたものであり照射光
が中央部のみならず周辺部或いは側面部から入射しても
信頼性の高い波長検出を行なうことのできる光半導体装
置を提供することをその目的とする。
が中央部のみならず周辺部或いは側面部から入射しても
信頼性の高い波長検出を行なうことのできる光半導体装
置を提供することをその目的とする。
〈実施例〉
以下本発明に係る光半導体装置の一実施例について図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光半導体装置の一実施例の側断面
図である。光半導体装置ｌの基板としてＰ型シリコン基
板２が用いられ、該Ｐ型シリコン基板２にＮ型導電性を
示すエピタキシャル層３が設けられ、更に該Ｎ型エピタ
キシャル層３中に比較的浅くＰ＋拡散が施こされてＰ型
領域４が設けられる。この構造によればＰ型基板２とＮ
型エピタキシャル層３との間で深く位置する第１のＰＮ
接合５が形成され、Ｎ型エピタキシャル層３と飲領域４
との間で浅く位置する第２のＰＮ接合６が形成されてい
る。７はＮ型エピタキシャル層３を貫通して設けられた
Ｐ＋アイソレーション領域でである。上記Ｐ型基板２、
Ｎ型エピタキシャル領域３及びＰ＋領域４には夫々オー
ミックコンタクトがとられた電極８，９．１０が設けら
れ、少な（ともＰ＋領域４を被う半導体層上に反射防止
膜等の透光性絶縁膜１１（例えば５ｉ０２膜）が被着さ
れている。更に上記電極９は上記透光性絶縁膜ｌｌ上に
おいてＰ型領域４の周辺部、Ｐ型領域４の周辺のＮ型エ
ピタキシャル領域３部、Ｐ＋アイソレーション領域７を
被うように延出して被着される。又Ｐ＋アイソレーショ
ン領域７は従来の構造に比へて大きくしている。以下Ｐ
＋アイソレーション領域７の構成について説明する。
図である。光半導体装置ｌの基板としてＰ型シリコン基
板２が用いられ、該Ｐ型シリコン基板２にＮ型導電性を
示すエピタキシャル層３が設けられ、更に該Ｎ型エピタ
キシャル層３中に比較的浅くＰ＋拡散が施こされてＰ型
領域４が設けられる。この構造によればＰ型基板２とＮ
型エピタキシャル層３との間で深く位置する第１のＰＮ
接合５が形成され、Ｎ型エピタキシャル層３と飲領域４
との間で浅く位置する第２のＰＮ接合６が形成されてい
る。７はＮ型エピタキシャル層３を貫通して設けられた
Ｐ＋アイソレーション領域でである。上記Ｐ型基板２、
Ｎ型エピタキシャル領域３及びＰ＋領域４には夫々オー
ミックコンタクトがとられた電極８，９．１０が設けら
れ、少な（ともＰ＋領域４を被う半導体層上に反射防止
膜等の透光性絶縁膜１１（例えば５ｉ０２膜）が被着さ
れている。更に上記電極９は上記透光性絶縁膜ｌｌ上に
おいてＰ型領域４の周辺部、Ｐ型領域４の周辺のＮ型エ
ピタキシャル領域３部、Ｐ＋アイソレーション領域７を
被うように延出して被着される。又Ｐ＋アイソレーショ
ン領域７は従来の構造に比へて大きくしている。以下Ｐ
＋アイソレーション領域７の構成について説明する。
基板を構成するシリコンの光の吸収係数は光の波長が長
波長である程小さい。従って長波長の光はシリコン中に
深く侵入することができる。ここで異なる波長λの光が
シリコン中で吸収され−にまで減衰する距離Ｘは次の様
になる。
波長である程小さい。従って長波長の光はシリコン中に
深く侵入することができる。ここで異なる波長λの光が
シリコン中で吸収され−にまで減衰する距離Ｘは次の様
になる。
一方入射した光の吸収によって発生した少数キャリアが
ＰＮ接合まで再結合せずに移動した時にそのキャリアが
光電流となるが、その移動距離は少数キャリアの拡散長
しに比例する（空乏層幅は一般に無視できる。）。そし
てＰ型半導体中における拡散長りは半導体の比抵抗をρ
とした時代の様になる。
ＰＮ接合まで再結合せずに移動した時にそのキャリアが
光電流となるが、その移動距離は少数キャリアの拡散長
しに比例する（空乏層幅は一般に無視できる。）。そし
てＰ型半導体中における拡散長りは半導体の比抵抗をρ
とした時代の様になる。
上記した入射光の吸収深さと入射光の吸収によって発生
した少数キャリアの拡散長を考慮して第１図のｄｌとｄ
２の値を決定すればよいが、一般＋ にＰ アイソレーション領域７における不純物濃度はＰ
全領域２の不純物濃度より格段に高くその為拡散長は極
めて短い。更にＰ＋アイソレーション領域７の厚みは略
Ｎ型エピタキシャル層３の底面近く迄存在する為、光半
導体装置１の周辺部や側面部に入射した光の検出出力に
対する影響の度合は第１図のｄｌの値によってほとんど
決まる。
した少数キャリアの拡散長を考慮して第１図のｄｌとｄ
２の値を決定すればよいが、一般＋ にＰ アイソレーション領域７における不純物濃度はＰ
全領域２の不純物濃度より格段に高くその為拡散長は極
めて短い。更にＰ＋アイソレーション領域７の厚みは略
Ｎ型エピタキシャル層３の底面近く迄存在する為、光半
導体装置１の周辺部や側面部に入射した光の検出出力に
対する影響の度合は第１図のｄｌの値によってほとんど
決まる。
尚、上記ｄｉの値はアセンブリー後（つまりウェハー状
態ではなく分割後のチップ状態）での値である。−例と
して波長λ＝９００ ｎｍ程度の光を処理し、又Ｐ型基
板の比抵抗ρ＝１Ω・■とすると式ｆｉｌ 、 ［２）
よりｄ、＝２９＋８５＝１１４（（９）程度にすれば十
分である。但し処理する入射光の波長が変われば上述し
た如く光の吸収深さが大きく変わる為処理する入射光に
応じて上記ｄ１の値を調整する必要がある。
態ではなく分割後のチップ状態）での値である。−例と
して波長λ＝９００ ｎｍ程度の光を処理し、又Ｐ型基
板の比抵抗ρ＝１Ω・■とすると式ｆｉｌ 、 ［２）
よりｄ、＝２９＋８５＝１１４（（９）程度にすれば十
分である。但し処理する入射光の波長が変われば上述し
た如く光の吸収深さが大きく変わる為処理する入射光に
応じて上記ｄ１の値を調整する必要がある。
次に第７図にチップ周辺部或いは側面部からの入射光の
影響を効率良く低減する改良構造の実施例の側断面図を
示す。同図において、Ｐ型領域４の周辺に第３のホトダ
イオード１２が形成される。
影響を効率良く低減する改良構造の実施例の側断面図を
示す。同図において、Ｐ型領域４の周辺に第３のホトダ
イオード１２が形成される。
該第３のホトダイオード１２は短絡状態に保たれる。即
ちチップ周辺部においてＮ型エピタキシャル層１３とＰ
＋アイソレーション領域７及びＰ全領域２よりなる第３
のホトダイオード１２が形成され、更にＰ＋拡散による
Ｐ型領域１４及びＮ＋拡散によるＮ型領域１５が形成さ
れアルミニウム電極１６によって両者が短絡（短絡部は
一箇所でよい）されている。尚、上記Ｐ型領域１４及び
Ｎ型領域１５はＰ型領域４及びＮ型領域１７と同時に形
成すれば効率的である。上記第３のホトダイオード１２
の有効受光領域は第７図の１点鎖線（４）。
ちチップ周辺部においてＮ型エピタキシャル層１３とＰ
＋アイソレーション領域７及びＰ全領域２よりなる第３
のホトダイオード１２が形成され、更にＰ＋拡散による
Ｐ型領域１４及びＮ＋拡散によるＮ型領域１５が形成さ
れアルミニウム電極１６によって両者が短絡（短絡部は
一箇所でよい）されている。尚、上記Ｐ型領域１４及び
Ｎ型領域１５はＰ型領域４及びＮ型領域１７と同時に形
成すれば効率的である。上記第３のホトダイオード１２
の有効受光領域は第７図の１点鎖線（４）。
（６）の外側である。即ち第２のＰＮ接合６によるホト
ダイオードと上記第３のホトダイオード１２との有効受
光領域の境界線が上記１点鎖線囚、ノ）である。以上の
第７図の構造によれば光半導体装置１の周辺部や側面部
に入射した光によって発生した少数キャリアは第３のホ
トダイオード１２によって多く吸収される。この構造の
場合第１図の構造の如く少数キャリアの拡散長を考慮す
る必要か無く、よってｄ、の値を小さくできるので装置
全体の大きさを小型化できるという利点を有する。
ダイオードと上記第３のホトダイオード１２との有効受
光領域の境界線が上記１点鎖線囚、ノ）である。以上の
第７図の構造によれば光半導体装置１の周辺部や側面部
に入射した光によって発生した少数キャリアは第３のホ
トダイオード１２によって多く吸収される。この構造の
場合第１図の構造の如く少数キャリアの拡散長を考慮す
る必要か無く、よってｄ、の値を小さくできるので装置
全体の大きさを小型化できるという利点を有する。
次に第８図に第７図を更に改良した構造の実施例の側断
面図を示す。同図において、１８はリンガラス、ポリイ
ミド系樹脂等からなる層間絶縁物であり、該層間絶縁物
を介してアルミニウム膜１９を被覆し、該アルミニウム
膜１９によって電極９゜１６の隙間部分を遮光している
。上記アルミニウム膜１９を設けることにより電極配線
の自由度を増加せしめることができる。
面図を示す。同図において、１８はリンガラス、ポリイ
ミド系樹脂等からなる層間絶縁物であり、該層間絶縁物
を介してアルミニウム膜１９を被覆し、該アルミニウム
膜１９によって電極９゜１６の隙間部分を遮光している
。上記アルミニウム膜１９を設けることにより電極配線
の自由度を増加せしめることができる。
く効果〉
以上の本発明によれば光半導体装置の周辺部或いは側面
部から入射した光の悪影響を防止できる。
部から入射した光の悪影響を防止できる。
第１図は本発明に係る光半導体装置の一実施例の側断面
図、第２図は従来の光半導体装置の側断面図、第３図は
等価回路図、第４図は分光感度特性のグラフ図、第５図
は波長検知回路の回路図、第６図は波長検知回路出力と
照射光の波長の関係を示すグラフ図、第７図及び第８図
は本発明に係る光半導体装置の他の実施例の側断面図を
示す。 図中、１：光半導体装置 ２：基板３：Ｎ型エピタ
キシャル層 ４：Ｐ型頭域 ５二第１のＰＮ接合６：第２の
ＰＮ接合 ７：Ｐ＋アイソレーション領域 ８．９，１０：電極 ｌｌ：透光性絶縁膜１２：第３の
ホトダイオード １３：Ｎ型エピタキシャル層 １４ ： Ｐ型頭域 １５：Ｎ型領域１６：アル
ミニウム電極１７：Ｎ型領域１８：層間絶縁物
１９ニアルミニウム膜代理人 弁理士 福 士 愛 彦
（他２名）第 １ 図 ７・２ 図 償 長 １輪） 第４ 図 第５ 図 丙！ （″） 第６ 習 第８ 図
図、第２図は従来の光半導体装置の側断面図、第３図は
等価回路図、第４図は分光感度特性のグラフ図、第５図
は波長検知回路の回路図、第６図は波長検知回路出力と
照射光の波長の関係を示すグラフ図、第７図及び第８図
は本発明に係る光半導体装置の他の実施例の側断面図を
示す。 図中、１：光半導体装置 ２：基板３：Ｎ型エピタ
キシャル層 ４：Ｐ型頭域 ５二第１のＰＮ接合６：第２の
ＰＮ接合 ７：Ｐ＋アイソレーション領域 ８．９，１０：電極 ｌｌ：透光性絶縁膜１２：第３の
ホトダイオード １３：Ｎ型エピタキシャル層 １４ ： Ｐ型頭域 １５：Ｎ型領域１６：アル
ミニウム電極１７：Ｎ型領域１８：層間絶縁物
１９ニアルミニウム膜代理人 弁理士 福 士 愛 彦
（他２名）第 １ 図 ７・２ 図 償 長 １輪） 第４ 図 第５ 図 丙！ （″） 第６ 習 第８ 図
Claims (1)
- １．半導体基板の中央位置において厚さ方向に深さを相
違させて複数のＰＮ接合が形成され、光が照射された状
態で各ＰＮ接合に生じた光電流を夫々導出する電極が設
けられた光半導体装置であって、 上記半導体基板の周辺部或いは側面部から入射した光の
吸収によって発生した少数キャリアが上記中央位置の複
数のＰＮ接合に達することを防止する防止手段を具備し
たことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182081A JPS6158280A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182081A JPS6158280A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158280A true JPS6158280A (ja) | 1986-03-25 |
| JPH0329193B2 JPH0329193B2 (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16112018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59182081A Granted JPS6158280A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158280A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51138185A (en) * | 1975-05-26 | 1976-11-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semi-conductor device |
| JPS55150280A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Sharp Corp | Device for correcting light semiconductor device |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59182081A patent/JPS6158280A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51138185A (en) * | 1975-05-26 | 1976-11-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semi-conductor device |
| JPS55150280A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Sharp Corp | Device for correcting light semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0329193B2 (ja) | 1991-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |