JPS6158107A - Ｎｂ３Ｓｎ化合物超電導線 - Google Patents
Ｎｂ３Ｓｎ化合物超電導線Info
- Publication number
- JPS6158107A JPS6158107A JP59148610A JP14861084A JPS6158107A JP S6158107 A JPS6158107 A JP S6158107A JP 59148610 A JP59148610 A JP 59148610A JP 14861084 A JP14861084 A JP 14861084A JP S6158107 A JPS6158107 A JP S6158107A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting wire
- compound
- compound superconducting
- alloy
- present
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、Ｎｂ、Ｓｎ化合物超電導線、特にパルス的あ
るいは交流的に用いられるＮｂ５Ｓｎｌヒ合物超電導線
に関する。
るいは交流的に用いられるＮｂ５Ｓｎｌヒ合物超電導線
に関する。
一般に、Ｎ ｂ ！ ８ ｎ化合物超電導線は、Ｃｕ−
Ｓｎ合全中にＮｂフィラメントを複数本埋設した複合体
を細線加工した後、熱処理を施こしてＣｕ−Ｓｎ合金中
のＳｎをＮｂフィラメント（ζ反応させてＮｂフィラメ
ントの表面にＮｂ、Ｓｎ化合物層を生成させることによ
り製造される。この様にして製造された従来のＮｂ３Ｓ
ｎ化合物超電導線の１例を第３図ζこ示した。
Ｓｎ合全中にＮｂフィラメントを複数本埋設した複合体
を細線加工した後、熱処理を施こしてＣｕ−Ｓｎ合金中
のＳｎをＮｂフィラメント（ζ反応させてＮｂフィラメ
ントの表面にＮｂ、Ｓｎ化合物層を生成させることによ
り製造される。この様にして製造された従来のＮｂ３Ｓ
ｎ化合物超電導線の１例を第３図ζこ示した。
ところで、第３図に示す如（ＮｂｓＳｎ超電導線にあっ
ては、Ｎｂフィラメント３の表面に生成したＮｂ＠Ｓｎ
比合物層４から成るＮｂ１Ｓｎ比合物超電導フィラメン
ト１が高電気抵抗のＣｕ−Ｓｎ合金２中に埋設されるた
め、安定性に乏しい欠点があった。そこで、これを改良
する方法として、従来、第４図に示す如く、複数本のＮ
ｂ、Ｓｎ（ヒ合物超電導フィラメント１が埋設され１；
Ｃｕ −Ｓ ｎ合金２に、加工性の優れたＮｂ隔壁５
を介して安定化材として低電気抵抗のＣｕ６を配置した
構造のＮｂ、ＳΩ超電導線が考案された。この場合、Ｎ
ｂ隔壁５はＮｂ、Ｓｎ化合物層４の生成のための熱処理
時におけるＣｕのＳｎによる汚染を防止する目的で用い
られている。しかしながら、従来の隔壁材ζこＮｂを用
いたＮｂ、Ｓｎ化合物超電導線にあっては、六ルス的あ
るいは交流的に用いると交流損失が非常に大きくなる欠
点があ−）た。これは、第４図に示す如く熱処理時にＮ
ｂフィラメント３と同様にＮｂ隔壁５の表面にＳｎとの
反応で超電導特性を示すＮｂ、Ｓ１化合物層４が生成さ
れることに寄因していることが実験的に確認された。
ては、Ｎｂフィラメント３の表面に生成したＮｂ＠Ｓｎ
比合物層４から成るＮｂ１Ｓｎ比合物超電導フィラメン
ト１が高電気抵抗のＣｕ−Ｓｎ合金２中に埋設されるた
め、安定性に乏しい欠点があった。そこで、これを改良
する方法として、従来、第４図に示す如く、複数本のＮ
ｂ、Ｓｎ（ヒ合物超電導フィラメント１が埋設され１；
Ｃｕ −Ｓ ｎ合金２に、加工性の優れたＮｂ隔壁５
を介して安定化材として低電気抵抗のＣｕ６を配置した
構造のＮｂ、ＳΩ超電導線が考案された。この場合、Ｎ
ｂ隔壁５はＮｂ、Ｓｎ化合物層４の生成のための熱処理
時におけるＣｕのＳｎによる汚染を防止する目的で用い
られている。しかしながら、従来の隔壁材ζこＮｂを用
いたＮｂ、Ｓｎ化合物超電導線にあっては、六ルス的あ
るいは交流的に用いると交流損失が非常に大きくなる欠
点があ−）た。これは、第４図に示す如く熱処理時にＮ
ｂフィラメント３と同様にＮｂ隔壁５の表面にＳｎとの
反応で超電導特性を示すＮｂ、Ｓ１化合物層４が生成さ
れることに寄因していることが実験的に確認された。
本発明は、上述した従来のＮｂ３Ｓｎ比会物超電導線の
欠点を改良したもので、パルス的あるいは交流的に用い
ても安定で交流損失の小さいＮｂ、Ｓ０化合物超電導線
を提供することを目的としている。
欠点を改良したもので、パルス的あるいは交流的に用い
ても安定で交流損失の小さいＮｂ、Ｓ０化合物超電導線
を提供することを目的としている。
本発明は、熱処理時にＣｕ−Ｓｎ合金中のＳｎとの反応
によって液体ヘリウム温度でＮｂ、Ｓｎ等の超電導（ヒ
合物層を生成させないＶまたはその合金、化合物を隔壁
材として用いることにより上記目的を達成した。
によって液体ヘリウム温度でＮｂ、Ｓｎ等の超電導（ヒ
合物層を生成させないＶまたはその合金、化合物を隔壁
材として用いることにより上記目的を達成した。
〔発明の効果〕
本発明によれば、パルス的あるいは交流的に用いた場合
、従来のＮｂ隔壁を用いたＮｂ、ＳΩ化合物超電導線に
比べ交流損失が大幅に減小することが判った。また、安
定性に関しては従来品と同等に得られることが判った。
、従来のＮｂ隔壁を用いたＮｂ、ＳΩ化合物超電導線に
比べ交流損失が大幅に減小することが判った。また、安
定性に関しては従来品と同等に得られることが判った。
以下に本発明の実施例について具体的に説明する。
まず、従来法により、直径約７００μｍのＣｕ −１３
ｗｔ１０Ｓｎ合金中に直径約１０μｍのＮｂフィラメン
トが９２５本埋設された外側に内径約７００μｍ外径的
８００μｍのＮｂ隔壁と内径約８００μｍ外径的１ｍｍ
の安定比Ｃｕが同心円筒状に配置されたＮｂ３Ｓｎ化合
物超電導線の未熱処理線材を製造し、７００’ＣＸ５０
ｈｒの熱処理を施こし、第４図に示す如く断面構造のＮ
ｂ、Ｓｎ化合物超電導線を得た。。
ｗｔ１０Ｓｎ合金中に直径約１０μｍのＮｂフィラメン
トが９２５本埋設された外側に内径約７００μｍ外径的
８００μｍのＮｂ隔壁と内径約８００μｍ外径的１ｍｍ
の安定比Ｃｕが同心円筒状に配置されたＮｂ３Ｓｎ化合
物超電導線の未熱処理線材を製造し、７００’ＣＸ５０
ｈｒの熱処理を施こし、第４図に示す如く断面構造のＮ
ｂ、Ｓｎ化合物超電導線を得た。。
次に、本発明法により、直径約７００μｍのＣｕ−１３
ｗｔ ７６ ＳΩ合金中に直径約１０μｍのＮｂフィラ
メントが９２５本埋設された外側に内径約７００μｍ外
径的８００μｍのＶ隔壁と内径的８００μｍと外径的１
ｍｍ の安定化Ｃｕが同心円筒状に配置されたＮｂ、ｆ
１３ｎ化合物超電導線の未熱処理線材を製遺し、７００
℃Ｘ５０ｈｒの熱処理を施こし、第１図に示Ｔ如く断面
構造のＮｂ５Ｓｎ化合物超電導線を得た。
ｗｔ ７６ ＳΩ合金中に直径約１０μｍのＮｂフィラ
メントが９２５本埋設された外側に内径約７００μｍ外
径的８００μｍのＶ隔壁と内径的８００μｍと外径的１
ｍｍ の安定化Ｃｕが同心円筒状に配置されたＮｂ、ｆ
１３ｎ化合物超電導線の未熱処理線材を製遺し、７００
℃Ｘ５０ｈｒの熱処理を施こし、第１図に示Ｔ如く断面
構造のＮｂ５Ｓｎ化合物超電導線を得た。
次に、本発明の効果を調べる目的で、従来法で得たＮｂ
隔壁を用いたＮｂ、Ｓｎ化合物超電導線（５）と本発明
法で得た■隔壁を用いたＮｂ５Ｓｎ化合物超電導＋ｉ０
（均の交流損失を磁化測定法により求めた。
隔壁を用いたＮｂ、Ｓｎ化合物超電導線（５）と本発明
法で得た■隔壁を用いたＮｂ５Ｓｎ化合物超電導＋ｉ０
（均の交流損失を磁化測定法により求めた。
第２図にその１１吉果を示す。第２図は樅軸に各Ｎｂ、
Ｓｎ化合物超電導線の単位長さ及び１サイ・クル当りの
損失ｔ Ｑ （Ｊ ／ｍ ｃｙｃｌｅ ）を示し、横軸
には各Ｎｂ３Ｓｎ比合物超電導線への印加磁場の最大量
ａｍ（Ｔ）を示す。なお、交流損失を求めるに当っての
磁化測定は、液体ヘリウム温度（４，２Ｋ）で、各Ｎｂ
、Ｓｎ化合物超電導線に０ （１’）→Ｂｍ（１）→Ｏ
■と変化するパルス磁場を、磁場変化率Ｂ −０，０５
（Ｔ／Ｓ ’）一定として、Ｂｍを１■〜４■の範囲で
変化させて行なった。
Ｓｎ化合物超電導線の単位長さ及び１サイ・クル当りの
損失ｔ Ｑ （Ｊ ／ｍ ｃｙｃｌｅ ）を示し、横軸
には各Ｎｂ３Ｓｎ比合物超電導線への印加磁場の最大量
ａｍ（Ｔ）を示す。なお、交流損失を求めるに当っての
磁化測定は、液体ヘリウム温度（４，２Ｋ）で、各Ｎｂ
、Ｓｎ化合物超電導線に０ （１’）→Ｂｍ（１）→Ｏ
■と変化するパルス磁場を、磁場変化率Ｂ −０，０５
（Ｔ／Ｓ ’）一定として、Ｂｍを１■〜４■の範囲で
変化させて行なった。
第２図に見られる如し、本発明によるＮｂ、ＳΩ化合物
超電導線の交流損失は、従来のＮｂ、Ｓｎ化合物超電導
線に比べ約１／２以下となり、交流損失が充分低減され
ることが判った。また、直流的特性、例えば、臨界電流
値や安定性の基準として用いられている回復電流につい
ても測定した結果、従来のＮｂ、Ｓｎ化合物超電導線と
ほとんど変わらないことも判った。従って、本発明のＮ
ｂ、Ｓｎ化合物超電導線は、パルス的あるいは交流的に
用いた場合に、従来のＮｂ、Ｓｎ化合物超電導線に比べ
交流損失の低減した安定なＮ ｂ、 Ｓ ｎ化合物超電
導線を提供できると言える。
超電導線の交流損失は、従来のＮｂ、Ｓｎ化合物超電導
線に比べ約１／２以下となり、交流損失が充分低減され
ることが判った。また、直流的特性、例えば、臨界電流
値や安定性の基準として用いられている回復電流につい
ても測定した結果、従来のＮｂ、Ｓｎ化合物超電導線と
ほとんど変わらないことも判った。従って、本発明のＮ
ｂ、Ｓｎ化合物超電導線は、パルス的あるいは交流的に
用いた場合に、従来のＮｂ、Ｓｎ化合物超電導線に比べ
交流損失の低減した安定なＮ ｂ、 Ｓ ｎ化合物超電
導線を提供できると言える。
なお、本発明の実施例では、複数のＮｂ５Ｓｎ化合物超
電導フィラメント１を埋設したＣｕ−８口合金の外側に
安定化用Ｃｕ６が配置されているが本発明の目的として
いるところは隔壁にＮＪＳｎ比合物化合の如く８口との
反応で超電導化合物を生成させないことにあり、その配
置に左右されるものではない。また、製造方法等に関し
ても同様で、基本的には、Ｎｂ、Ｓｎ化合物超電導フィ
ラメントが埋設されたＣｕ−Ｓｎ合金と安定化用Ｃｕの
間にＶから本質的になる隔壁７が介在したことを特徴と
する特
電導フィラメント１を埋設したＣｕ−８口合金の外側に
安定化用Ｃｕ６が配置されているが本発明の目的として
いるところは隔壁にＮＪＳｎ比合物化合の如く８口との
反応で超電導化合物を生成させないことにあり、その配
置に左右されるものではない。また、製造方法等に関し
ても同様で、基本的には、Ｎｂ、Ｓｎ化合物超電導フィ
ラメントが埋設されたＣｕ−Ｓｎ合金と安定化用Ｃｕの
間にＶから本質的になる隔壁７が介在したことを特徴と
する特
第１図及び第２図は、従来法によるＮ ｂ、 Ｓ ｎ化
合物超電導線の断面図を横町的に示す。第１図は７本発
明によるＮｂ５Ｓｉ化合物超電導線の断面図、第２図は
、本発明のＮｂ、Ｓｎ化合物超゛４導線と従来のＮｂ、
ａｎｎ化合物超電導線交流損失測定結果を示す特性図、
第３図、第４図は従来のＮ１ｇＳｎ化合物超電導線の断
面図を示す。 １・・・Ｎｂ３Ｓｉ比合物超電導フィラメント、２・・
・Ｃｕ−８Ω合金、３・Ｎｂフィラメント、４・・・Ｎ
ｂｉ８０比合物化合６・・・安定ｆヒ用Ｃｕ、７・−
■隔壁。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１ 図 第２ 図 ８ｍ（Ｔ）
合物超電導線の断面図を横町的に示す。第１図は７本発
明によるＮｂ５Ｓｉ化合物超電導線の断面図、第２図は
、本発明のＮｂ、Ｓｎ化合物超゛４導線と従来のＮｂ、
ａｎｎ化合物超電導線交流損失測定結果を示す特性図、
第３図、第４図は従来のＮ１ｇＳｎ化合物超電導線の断
面図を示す。 １・・・Ｎｂ３Ｓｉ比合物超電導フィラメント、２・・
・Ｃｕ−８Ω合金、３・Ｎｂフィラメント、４・・・Ｎ
ｂｉ８０比合物化合６・・・安定ｆヒ用Ｃｕ、７・−
■隔壁。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１ 図 第２ 図 ８ｍ（Ｔ）
Claims (1)
- 複数のＮｂ＿３Ｓｎ化合物超電導フィラメントが埋設さ
れたＣｕ−Ｓｎ合金と安定化用Ｃｕを具備したＮｂ＿３
Ｓｎ化合物超電導線において、上記Ｃｕ−Ｓｎと安定化
用Ｃｕとの間にＶまたはＶ基合金、Ｖ基化合物なる隔壁
が介在することを特徴とするＮｂ＿３Ｓｎ化合物超電導
線。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59148610A JPS6158107A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | Ｎｂ３Ｓｎ化合物超電導線 |
| EP85305169A EP0169078A3 (en) | 1984-07-19 | 1985-07-19 | Superconductor prepared from nb3sn compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59148610A JPS6158107A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | Ｎｂ３Ｓｎ化合物超電導線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158107A true JPS6158107A (ja) | 1986-03-25 |
Family
ID=15456626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59148610A Pending JPS6158107A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | Ｎｂ３Ｓｎ化合物超電導線 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0169078A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6158107A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9014979D0 (en) * | 1990-07-06 | 1990-08-29 | Walters Colin R | Method of fabricating an elongated artefact |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1394724A (en) * | 1972-08-04 | 1975-05-21 | Atomic Energy Authority Uk | Superconducting members and methods of mahufacture thereof |
| US3958327A (en) * | 1974-05-01 | 1976-05-25 | Airco, Inc. | Stabilized high-field superconductor |
| FR2334182A1 (fr) * | 1975-12-03 | 1977-07-01 | Furukawa Electric Co Ltd | Cable comportant un compose supraconducteur et procede de fabrication d'un tel cable |
-
1984
- 1984-07-19 JP JP59148610A patent/JPS6158107A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-19 EP EP85305169A patent/EP0169078A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0169078A2 (en) | 1986-01-22 |
| EP0169078A3 (en) | 1988-11-17 |
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