JPS6157696B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6157696B2 JPS6157696B2 JP53156142A JP15614278A JPS6157696B2 JP S6157696 B2 JPS6157696 B2 JP S6157696B2 JP 53156142 A JP53156142 A JP 53156142A JP 15614278 A JP15614278 A JP 15614278A JP S6157696 B2 JPS6157696 B2 JP S6157696B2
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- JP
- Japan
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- temperature
- melt
- crystal substrate
- crystal
- heating furnace
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 7
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキシヤル成長法の、特にデ
イツピング法による液相エピタキシヤル成長法の
改良に関するものである。
イツピング法による液相エピタキシヤル成長法の
改良に関するものである。
一般に半導体結晶、磁気バブル結晶等はデイツ
ピング法と称される液相エピタキシヤル成長法に
よつて作成される。
ピング法と称される液相エピタキシヤル成長法に
よつて作成される。
デイツピング法による結晶育成装置は第１図に
示すような構造となつている。図において１は抵
抗加熱用コイル、２は加熱炉、３は白金ルツボ、
４は白金よりなる熱反射板、５は回転しながら下
降上昇するつり下げ治具、６は結晶基板、７は育
成温度制御用の温度検知器、例えば熱電対であ
る。
示すような構造となつている。図において１は抵
抗加熱用コイル、２は加熱炉、３は白金ルツボ、
４は白金よりなる熱反射板、５は回転しながら下
降上昇するつり下げ治具、６は結晶基板、７は育
成温度制御用の温度検知器、例えば熱電対であ
る。
磁気バブル磁性膜を結晶基板上に育成する場合
について説明する。先ず白金ルツボ３の中にガー
ネツトを含んだフラツクスを入れ、飽和点より50
〜100℃上の温度で十分に溶解してメルトを作
る。このときルツボ３の上から白金板でかく拌し
完全な溶解を助けることもしばしば行なわれる。
次にこの白金板を取り除いた後ルツボ３内のメル
トの保持温度を下げて過冷却状態とする。尚この
ときルツボ３の上の温度分布を均一にするため、
白金の熱反射板（バツフル）４が加熱炉２の内壁
に形成されている。結晶基板６は、つり下げ治具
５により加熱炉２内に回転しながら下降せられル
ツボ３内の過冷却されたメルトに入れられ、基板
６上に磁性膜を育成させる。基板６は水平に保持
され、育成される膜厚の均一性を良好なものとす
るために回転しながらデイツピングされる。磁性
膜を育成したのち基板６をルツボ３内のメルトか
ら引き上げ、つり下げ治具を介して基板６を高速
回転させ以て基板６上に残留するフラツクスを振
り切る。
について説明する。先ず白金ルツボ３の中にガー
ネツトを含んだフラツクスを入れ、飽和点より50
〜100℃上の温度で十分に溶解してメルトを作
る。このときルツボ３の上から白金板でかく拌し
完全な溶解を助けることもしばしば行なわれる。
次にこの白金板を取り除いた後ルツボ３内のメル
トの保持温度を下げて過冷却状態とする。尚この
ときルツボ３の上の温度分布を均一にするため、
白金の熱反射板（バツフル）４が加熱炉２の内壁
に形成されている。結晶基板６は、つり下げ治具
５により加熱炉２内に回転しながら下降せられル
ツボ３内の過冷却されたメルトに入れられ、基板
６上に磁性膜を育成させる。基板６は水平に保持
され、育成される膜厚の均一性を良好なものとす
るために回転しながらデイツピングされる。磁性
膜を育成したのち基板６をルツボ３内のメルトか
ら引き上げ、つり下げ治具を介して基板６を高速
回転させ以て基板６上に残留するフラツクスを振
り切る。
しかし従来の結晶育成装置の構造では、特につ
り下げ治具にホールドされた結晶基板の熱反射率
が大きい場合、結晶基板を炉内に挿入した際炉内
の温度分布が変化し結晶育成時に必要な所定温度
からメルト温度が変動してしまう。従つて育成さ
れた後の結晶の特性がバラツキ易いという欠点を
有する。
り下げ治具にホールドされた結晶基板の熱反射率
が大きい場合、結晶基板を炉内に挿入した際炉内
の温度分布が変化し結晶育成時に必要な所定温度
からメルト温度が変動してしまう。従つて育成さ
れた後の結晶の特性がバラツキ易いという欠点を
有する。
本発明は上述の欠点に鑑みなされたもので、結
晶育成に際してメルト温度を高精度に所定温度に
保持できる。従つて再現性の良好な液相エピタキ
シヤル成長法を実現することを目的とする。
晶育成に際してメルト温度を高精度に所定温度に
保持できる。従つて再現性の良好な液相エピタキ
シヤル成長法を実現することを目的とする。
本発明の目的は、加熱されたメルトを有する加
熱炉内につり下げ治具により保持された結晶基板
を下降させて該結晶基板上に結晶を成長させるデ
イツピング法によるエピタキシヤル成長法におい
て、上記結晶基板上の上記つり下げ治具に加熱炉
内径よりわずかに小さい熱反射板をほぼ水平状態
に固定して取付け、前記メルトの温度を検出しな
がら該検出温度に応じて前記結晶基板の下降スピ
ードを制御することにより前記メルトを所定温度
に維持させ、この状態で結晶成長を行う液相エピ
タキシヤル成長法により達成することができる。
熱炉内につり下げ治具により保持された結晶基板
を下降させて該結晶基板上に結晶を成長させるデ
イツピング法によるエピタキシヤル成長法におい
て、上記結晶基板上の上記つり下げ治具に加熱炉
内径よりわずかに小さい熱反射板をほぼ水平状態
に固定して取付け、前記メルトの温度を検出しな
がら該検出温度に応じて前記結晶基板の下降スピ
ードを制御することにより前記メルトを所定温度
に維持させ、この状態で結晶成長を行う液相エピ
タキシヤル成長法により達成することができる。
以下本発明を図面により説明する。
第２図は本発明にかかる液相エピタキシヤル成
長法にて使用される結晶育成装置の構造を示す。
長法にて使用される結晶育成装置の構造を示す。
図において、第１図と同一箇所には同一番号を
付し、８はつり下げ治具５の回転軸にその中心が
固定された円板状の白金からなる第１の熱反射
板、９は加熱炉２の内壁に貼付けられた白金板か
らなる第２の熱反射板である。
付し、８はつり下げ治具５の回転軸にその中心が
固定された円板状の白金からなる第１の熱反射
板、９は加熱炉２の内壁に貼付けられた白金板か
らなる第２の熱反射板である。
第２図の第１図に示す結晶育成装置と異なると
ころは、第１図の熱反射板４に代えて、結晶基板
６直上のつり下げ治具５に加熱炉２の内径よりわ
ずかに小さい白金板の第１の熱反射板８、及び加
熱炉２の内壁の全周にわたつて貼付けられた白金
からなる第２の熱反射板９を配備したことであ
る。
ころは、第１図の熱反射板４に代えて、結晶基板
６直上のつり下げ治具５に加熱炉２の内径よりわ
ずかに小さい白金板の第１の熱反射板８、及び加
熱炉２の内壁の全周にわたつて貼付けられた白金
からなる第２の熱反射板９を配備したことであ
る。
第３図は本発明にかかる温度制御回路を示す。
図中１０はメルト温度を順次プロツトする記録
計、１１は予め設定された基準値と、熱電対７に
よる実測値との偏差を求めてメルト温度を常に一
定に保つべく結晶基板すなわちこれと一体となつ
ている熱反射板の下降スピードを制御する制御回
路、１２は制御回路１１からの制御信号のもとに
所定の熱反射板下降スピードを設定する昇降機駆
動回路、１３は昇降機である。
図中１０はメルト温度を順次プロツトする記録
計、１１は予め設定された基準値と、熱電対７に
よる実測値との偏差を求めてメルト温度を常に一
定に保つべく結晶基板すなわちこれと一体となつ
ている熱反射板の下降スピードを制御する制御回
路、１２は制御回路１１からの制御信号のもとに
所定の熱反射板下降スピードを設定する昇降機駆
動回路、１３は昇降機である。
メルト温度の制御は次のようにして行なわれ
る。
る。
第２図における熱電対７から得られる検出出力
は記録計１０に入力されてその温度を紙面にプロ
ツトする一方、この検出出力は制御回路１１に入
力され、該出力が基準値より大きければ（記録計
１０内のの状態）熱反射板８の下際スピードが
遅くなるように昇降機駆動回路１２を制御し、該
出力が基準値より小さければ（記録計１０内の
の状態）熱反射板８の下降スピードが速くなるよ
うに昇降機駆動回路１２を制御する。熱反射板８
の下降スピードが速いと該熱反射板８によりふた
をされた状態の炉内の体積は速く小さくなり、当
然炉内の温度は上昇し、メルト温度もこれに伴い
上昇することになる。
は記録計１０に入力されてその温度を紙面にプロ
ツトする一方、この検出出力は制御回路１１に入
力され、該出力が基準値より大きければ（記録計
１０内のの状態）熱反射板８の下際スピードが
遅くなるように昇降機駆動回路１２を制御し、該
出力が基準値より小さければ（記録計１０内の
の状態）熱反射板８の下降スピードが速くなるよ
うに昇降機駆動回路１２を制御する。熱反射板８
の下降スピードが速いと該熱反射板８によりふた
をされた状態の炉内の体積は速く小さくなり、当
然炉内の温度は上昇し、メルト温度もこれに伴い
上昇することになる。
第２図、第３図により説明した方法によると第
１図に示す装置を用いた時に比べ温度偏差△Ｔを
大幅に小さくすることができ、従つてメルト温度
をさらに精度良く目標値に維持することが可能と
なる。
１図に示す装置を用いた時に比べ温度偏差△Ｔを
大幅に小さくすることができ、従つてメルト温度
をさらに精度良く目標値に維持することが可能と
なる。
尚、熱電対７の出力をコイル１に電流を供給す
る電流供給回路に帰還して、コイル１に供給する
電流値を制御し、これを併用することによりさら
に高精度な温度制御を行なうことができる。
る電流供給回路に帰還して、コイル１に供給する
電流値を制御し、これを併用することによりさら
に高精度な温度制御を行なうことができる。
尚第２図におて熱電対７の取付け位置が第１図
の場合と異なるが、第２図のものは温度検知素子
を被測定物であるメルトにできる限り近接し且つ
温度変動の最も少ない位置であるルツボ３の底部
に設けている。
の場合と異なるが、第２図のものは温度検知素子
を被測定物であるメルトにできる限り近接し且つ
温度変動の最も少ない位置であるルツボ３の底部
に設けている。
以上説明したように本発明によれば、メルト温
度を高精度に所定温度に維持することができる。
度を高精度に所定温度に維持することができる。
第１図は従来の結晶育成装置を示し、第２図は
本発明に適用される結晶育成装置を示す。第３図
は第２図の結晶育成装置に接続される温度制御回
路示す。 図において、１はコイル、２は加熱炉、３はル
ツボ、５はつり下げ治具、６は結晶基板、８，９
は熱反射板である。
本発明に適用される結晶育成装置を示す。第３図
は第２図の結晶育成装置に接続される温度制御回
路示す。 図において、１はコイル、２は加熱炉、３はル
ツボ、５はつり下げ治具、６は結晶基板、８，９
は熱反射板である。
Claims (1)
- １ 加熱されたメルトを有する加熱炉内につり下
げ治具により支持された結晶基板を下降させて該
結晶基板上に結晶を成長させるデイツピング法に
よるエピタキシヤル成長法において、上記結晶基
板上の上記つり下げ治具に加熱炉内径よりわずか
に小さい熱反射板をほぼ水平状態に固定して取付
け、前記メルトの温度を検出しながら該検出温度
に応じて前記結晶基板の下降スピードを制御する
ことにより前記メルトを所定温度に維持させ、こ
の状態で結晶成長を行なうことを特徴とする液相
エピタキシヤル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15614278A JPS5582434A (en) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Method of epitaxial growth at liquid phase |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15614278A JPS5582434A (en) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Method of epitaxial growth at liquid phase |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5582434A JPS5582434A (en) | 1980-06-21 |
| JPS6157696B2 true JPS6157696B2 (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=15621233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15614278A Granted JPS5582434A (en) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Method of epitaxial growth at liquid phase |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5582434A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235792A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-22 | Hitachi Cable Ltd | 液相成長装置 |
| JPS62197393A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Hitachi Cable Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
| JP3250365B2 (ja) * | 1994-04-07 | 2002-01-28 | 株式会社村田製作所 | 液相エピタキシャル成長装置 |
| JP4807914B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-11-02 | シャープ株式会社 | シリコンシートとそれを含む太陽電池 |
| CN103985657A (zh) * | 2014-05-19 | 2014-08-13 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 桶式炉和半导体制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919767A (ja) * | 1972-06-14 | 1974-02-21 | ||
| JPS5166498A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-09 | Fujitsu Ltd | Ekisoepitakisharuseichosochi |
-
1978
- 1978-12-15 JP JP15614278A patent/JPS5582434A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919767A (ja) * | 1972-06-14 | 1974-02-21 | ||
| JPS5166498A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-09 | Fujitsu Ltd | Ekisoepitakisharuseichosochi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5582434A (en) | 1980-06-21 |
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