JPS6156842B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6156842B2 JPS6156842B2 JP16120880A JP16120880A JPS6156842B2 JP S6156842 B2 JPS6156842 B2 JP S6156842B2 JP 16120880 A JP16120880 A JP 16120880A JP 16120880 A JP16120880 A JP 16120880A JP S6156842 B2 JPS6156842 B2 JP S6156842B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- metal wire
- resistant metal
- tube
- tube electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、衝撃振動及び熱衝撃に対する耐久性
を要求される自動車用の10000℃付近迄の高温用
温度センサとして用いられる高温用温度検出器の
製造法に係り、サーミスタ素子の電極と信号引き
出し用金属線の接続において、接続部に熱衝撃に
よる熱応力の集中や衝撃・振動による応力の集中
がなく、かつ接続部の接続状態が目視にて簡単に
管理できるような接続法を導入することを目的と
する。
を要求される自動車用の10000℃付近迄の高温用
温度センサとして用いられる高温用温度検出器の
製造法に係り、サーミスタ素子の電極と信号引き
出し用金属線の接続において、接続部に熱衝撃に
よる熱応力の集中や衝撃・振動による応力の集中
がなく、かつ接続部の接続状態が目視にて簡単に
管理できるような接続法を導入することを目的と
する。
従来における高温用温度検出器を第1図にて説
明する。図に示すように、Mg(Alx、Cry、
Fez)2O4{ただしx+y+z=1}を組成とした
サーミスタ素体1に埋め込まれたPt、Pt−Pd合
金またはPdを材料とする二本のチユーブ電極2
内に、信号引き出し用として耐熱シース管3の内
部に粉体4とともに収納された二本の耐熱金属線
5を挿入し、サーミスタ素体1の両端に突き出て
いるチユーブ電極2にて、スポツト溶接6を施し
てチユーブ電極2と耐熱金属線5との接続をとつ
ていた。
明する。図に示すように、Mg(Alx、Cry、
Fez)2O4{ただしx+y+z=1}を組成とした
サーミスタ素体1に埋め込まれたPt、Pt−Pd合
金またはPdを材料とする二本のチユーブ電極2
内に、信号引き出し用として耐熱シース管3の内
部に粉体4とともに収納された二本の耐熱金属線
5を挿入し、サーミスタ素体1の両端に突き出て
いるチユーブ電極2にて、スポツト溶接6を施し
てチユーブ電極2と耐熱金属線5との接続をとつ
ていた。
上記構造の場合、スポツト溶接を施すと接続部
は耐熱金属線の円周上の二点であり、溶接部の信
頼性がとぼしく、溶接電流の大部分がチユーブ電
極を通るため、有効電流が小さく非効率的であ
る。また、サーミスタ素体の両端で溶接固定した
場合、チユーブ電極と耐熱金属線の熱膨張係数の
違いにより、熱応力が接続部に集中し、信頼性に
悪影響を及ぼすものであつた。
は耐熱金属線の円周上の二点であり、溶接部の信
頼性がとぼしく、溶接電流の大部分がチユーブ電
極を通るため、有効電流が小さく非効率的であ
る。また、サーミスタ素体の両端で溶接固定した
場合、チユーブ電極と耐熱金属線の熱膨張係数の
違いにより、熱応力が接続部に集中し、信頼性に
悪影響を及ぼすものであつた。
本発明は上記のような従来例における問題点を
除去すべくなされたものであり、以下その一実施
例を第2図及び第3図にて上記と同一箇所には同
一番号を付して説明する。
除去すべくなされたものであり、以下その一実施
例を第2図及び第3図にて上記と同一箇所には同
一番号を付して説明する。
まず、サーミスタ素体1に埋め込まれたPt、Pt
−PdまたはPdを材料とするチユーブ電極2内
に、耐熱シース管3の内部に粉体4とともに収納
された耐熱金属線5をその先端が0.5〜1mm程度
チユーブ電極2より突出するように挿入した後、
耐熱金属線5の先端部7の近辺にプラズマ溶接用
トーチ8を固定し、耐熱金属線5の他端部9を溶
接用電極として、還元雰囲気にてプラズマを発振
させることにより耐熱金属線5の先端部7を溶融
させ、チユーブ電極2と溶接部10を介して接続
するものである。
−PdまたはPdを材料とするチユーブ電極2内
に、耐熱シース管3の内部に粉体4とともに収納
された耐熱金属線5をその先端が0.5〜1mm程度
チユーブ電極2より突出するように挿入した後、
耐熱金属線5の先端部7の近辺にプラズマ溶接用
トーチ8を固定し、耐熱金属線5の他端部9を溶
接用電極として、還元雰囲気にてプラズマを発振
させることにより耐熱金属線5の先端部7を溶融
させ、チユーブ電極2と溶接部10を介して接続
するものである。
以上のように本発明は構成されているものであ
り、耐熱金属線とチユーブ電極の接続部が耐熱金
属線の円周上の全域で接続されるため、溶接部の
信頼性が高いものである。また、溶接部の溶接状
態が目視及びX線透過にて簡単に管理可能であ
り、貴金属よりなるチユーブ電極の長さが短かく
なり、低コスト化ができるものである。さらに、
チユーブ電極の片端だけで溶接するため、熱応力
が溶接部に集中しないものである。
り、耐熱金属線とチユーブ電極の接続部が耐熱金
属線の円周上の全域で接続されるため、溶接部の
信頼性が高いものである。また、溶接部の溶接状
態が目視及びX線透過にて簡単に管理可能であ
り、貴金属よりなるチユーブ電極の長さが短かく
なり、低コスト化ができるものである。さらに、
チユーブ電極の片端だけで溶接するため、熱応力
が溶接部に集中しないものである。
第1図は従来例の高温用温度検出器の側断面
図、第2図は本発明製造法を説明する高温用温度
検出器のプラズマ溶接時の側断面図、第3図は同
温度検出器におけるサーミスタ素子部の溶接後の
側断面図である。 1……サーミスタ素体、2……チユーブ電極、
5……耐熱金属線、7……先端部。
図、第2図は本発明製造法を説明する高温用温度
検出器のプラズマ溶接時の側断面図、第3図は同
温度検出器におけるサーミスタ素子部の溶接後の
側断面図である。 1……サーミスタ素体、2……チユーブ電極、
5……耐熱金属線、7……先端部。
Claims (1)
- 1 サーミスタ素体に、電極として2本のPt、Pt
−Pd合金またはPdを材料とするチユーブを埋め
込んだ構造のサーミスタ素子を用いた高温用温度
検出器の製造法において、信号引出し用として耐
熱金属線の一端を上記チユーブ電極内を貫通する
迄差し込み、上記チユーブ電極の端より貫通した
耐熱金属線の先端部を、該耐熱金属線の他端を電
極としてプラズマ溶接を施すことにより上記チユ
ーブ電極と接続し、信号を引き出すことを特徴と
した高温用温度検出器の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16120880A JPS5784102A (en) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | Method of producing high temperature detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16120880A JPS5784102A (en) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | Method of producing high temperature detector |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5784102A JPS5784102A (en) | 1982-05-26 |
JPS6156842B2 true JPS6156842B2 (ja) | 1986-12-04 |
Family
ID=15730649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16120880A Granted JPS5784102A (en) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | Method of producing high temperature detector |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5784102A (ja) |
-
1980
- 1980-11-14 JP JP16120880A patent/JPS5784102A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5784102A (en) | 1982-05-26 |
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