JPS6156280A - 被膜形成方法 - Google Patents
被膜形成方法Info
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- JPS6156280A JPS6156280A JP17586984A JP17586984A JPS6156280A JP S6156280 A JPS6156280 A JP S6156280A JP 17586984 A JP17586984 A JP 17586984A JP 17586984 A JP17586984 A JP 17586984A JP S6156280 A JPS6156280 A JP S6156280A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は気相化学反応による被膜形成方法に関するもの
である。
である。
近時、硅素やゲルマニウムの水素化合物気体に水銀蒸気
を混入した光化学反応性ガスを反応容器内に充填すると
ともに、そこに基板を配置し、反応容器外より水銀ラン
プの波長２５ｉ７ｎｍ、 １８４．９ｎｍの紫外線を照
射し、水銀の光増感反応により基板上にアモルファスシ
リコン（以下ａ−８ｉト云う）もしくはゲルマニウムを
堆積させたり、更には酸素原子や窒素原子を含むガスを
添加することにより二酸化硅素や窒化シリコンの絶縁膜
や保睦膜を堆積させることが研究されている。（公開特
許公報昭５４−１６３７９２ 、日経エレクトロニクス
、１９８２年２月１５日号） しかし、この方法で形成されｆｃａ−８ｉや二酸化硅素
、窒化硅素などの被膜をマイクロエレクトロニクス回路
の形成プロセスに適用する際に、光増感剤として使用し
た水銀が悪影響を及ぼす問題点があった。
を混入した光化学反応性ガスを反応容器内に充填すると
ともに、そこに基板を配置し、反応容器外より水銀ラン
プの波長２５ｉ７ｎｍ、 １８４．９ｎｍの紫外線を照
射し、水銀の光増感反応により基板上にアモルファスシ
リコン（以下ａ−８ｉト云う）もしくはゲルマニウムを
堆積させたり、更には酸素原子や窒素原子を含むガスを
添加することにより二酸化硅素や窒化シリコンの絶縁膜
や保睦膜を堆積させることが研究されている。（公開特
許公報昭５４−１６３７９２ 、日経エレクトロニクス
、１９８２年２月１５日号） しかし、この方法で形成されｆｃａ−８ｉや二酸化硅素
、窒化硅素などの被膜をマイクロエレクトロニクス回路
の形成プロセスに適用する際に、光増感剤として使用し
た水銀が悪影響を及ぼす問題点があった。
そこで最近では、水ｅ光増感剤を使用せずに、ジシラン
からなる光化学反応性ガスに低圧水銀灯の波長１Ｂ４．
９ｎｍの紫外線を照射することにより直接分解し、ａ−
８ｉを基板上に堆積させる方法が発表されている。（Ｊ
ａｐ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ２２（１９
８３） Ｌ４６） この方法で形成された被膜は、
前述の水銀の悪影響を除去することができるが、しかし
ながらその被膜形成速度はａ−８ｉの場合で０、０２５
ｎｍ／秒程度と遅く、実用化には程遠いものである。
からなる光化学反応性ガスに低圧水銀灯の波長１Ｂ４．
９ｎｍの紫外線を照射することにより直接分解し、ａ−
８ｉを基板上に堆積させる方法が発表されている。（Ｊ
ａｐ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ２２（１９
８３） Ｌ４６） この方法で形成された被膜は、
前述の水銀の悪影響を除去することができるが、しかし
ながらその被膜形成速度はａ−８ｉの場合で０、０２５
ｎｍ／秒程度と遅く、実用化には程遠いものである。
ところでＣＨＥＭＴＣＡＬ ＰＨＹＳＩＣ８ＬＥＴＴＥ
Ｒ８１（１９８６）、 ５９５〜５９６頁などの文献
によれば、シランや高次水素化シリコンは、１９０ｎｍ
以下、特に１６０ｎｍ以下の波長の紫外線に対して大き
な吸収域をもっているので、もしこのような１６゜ｎｍ
以下の波長を含む紫外線をそれら光化学反応性ガスに直
射できれば、水銀増感剤を利用しなくとも、十分に実用
に供し得る被膜形成速度を有するシリコンの薄膜を基板
に堆積させる被膜形成方法が提供できる可能性がある。
Ｒ８１（１９８６）、 ５９５〜５９６頁などの文献
によれば、シランや高次水素化シリコンは、１９０ｎｍ
以下、特に１６０ｎｍ以下の波長の紫外線に対して大き
な吸収域をもっているので、もしこのような１６゜ｎｍ
以下の波長を含む紫外線をそれら光化学反応性ガスに直
射できれば、水銀増感剤を利用しなくとも、十分に実用
に供し得る被膜形成速度を有するシリコンの薄膜を基板
に堆積させる被膜形成方法が提供できる可能性がある。
そこで本発明の王たる目的は、マイクロエレクトロニク
ス回路の形成プロセスに適用した際に、水銀の悪影響の
ないａ−８ｉや二酸化硅素、窒化硅素などの被膜を実用
化可能な、十分に早い速度で形成する方法を提供するも
のである。そしてその構成は、主成分として稀ガスもし
くは水素もしくは重水素又はそれらの混合ガスから選ば
れた紫外線放射用放電ガスを、噴射プラズマに形成し、
この噴射プラズマから放射される紫外線を基板近傍の元
化学反厄ガスに照射してそれを光分解し、光化学反応性
ガスの分解生成物よりなる膜を基板表面に形成させるこ
とを特徴とするものである。
ス回路の形成プロセスに適用した際に、水銀の悪影響の
ないａ−８ｉや二酸化硅素、窒化硅素などの被膜を実用
化可能な、十分に早い速度で形成する方法を提供するも
のである。そしてその構成は、主成分として稀ガスもし
くは水素もしくは重水素又はそれらの混合ガスから選ば
れた紫外線放射用放電ガスを、噴射プラズマに形成し、
この噴射プラズマから放射される紫外線を基板近傍の元
化学反厄ガスに照射してそれを光分解し、光化学反応性
ガスの分解生成物よりなる膜を基板表面に形成させるこ
とを特徴とするものである。
以下に図面に基いて本発明の実施例のいくつかを説明す
る。
る。
第１図において、容器１の内部が放電領域４であって、
その一端にプラズマヂエット用電極２が配設され、他端
から放電ガスＧ１が排出されるようになっている。中央
部の下方にはフッ化リチウムからなる窓３が設けられて
いる。容器１け、例えば４０ ｅｙｎ Ｘ ２０ ｃｍ
Ｘ ２５ ｃｍの略扁平な箱型をしており、窓３は約
２０ｃｒｎの直径を有する。プラズマヂエット用の放電
ガスＧ、としてｄ、アルゴンを用いると１０６．７ｎｍ
、１０４．８ｎｍ等の紫外線が放射され、噴出前の圧力
を０．１気圧、噴出後の圧力を００１気圧に制御すると
噴射プラズマＰの大きさは、大略、ｆＭ径５ｃｒｎ、長
さ５０ｃｒｎ程度になり、放電の消費電力が３ＫＷであ
ると、プラズマ陽光柱中心から約７ｃｒｎ離れた窓６の
位置で、例えば１６０ｎｍ以下のＩＪり射光で約５ｍＷ
／ｃｄの強度が得られる。後に述べる基板７として使用
するシリコンウェハーは、大きなもので１０〜１２ｍの
直径を有するから、その全域を均一照射したい時は、噴
射プラズマＰを２〜５本並列にして、面光源が形成され
るように作れば良い。
その一端にプラズマヂエット用電極２が配設され、他端
から放電ガスＧ１が排出されるようになっている。中央
部の下方にはフッ化リチウムからなる窓３が設けられて
いる。容器１け、例えば４０ ｅｙｎ Ｘ ２０ ｃｍ
Ｘ ２５ ｃｍの略扁平な箱型をしており、窓３は約
２０ｃｒｎの直径を有する。プラズマヂエット用の放電
ガスＧ、としてｄ、アルゴンを用いると１０６．７ｎｍ
、１０４．８ｎｍ等の紫外線が放射され、噴出前の圧力
を０．１気圧、噴出後の圧力を００１気圧に制御すると
噴射プラズマＰの大きさは、大略、ｆＭ径５ｃｒｎ、長
さ５０ｃｒｎ程度になり、放電の消費電力が３ＫＷであ
ると、プラズマ陽光柱中心から約７ｃｒｎ離れた窓６の
位置で、例えば１６０ｎｍ以下のＩＪり射光で約５ｍＷ
／ｃｄの強度が得られる。後に述べる基板７として使用
するシリコンウェハーは、大きなもので１０〜１２ｍの
直径を有するから、その全域を均一照射したい時は、噴
射プラズマＰを２〜５本並列にして、面光源が形成され
るように作れば良い。
他方、反応容器５内の中央部には支持台乙に支持されて
基板７が配置されてお９、反応容器５の一方からシラン
やジシランもしくはゲルマニウムの水素化物やハロゲン
化物等の光化学反応性ガスＧ、が供給され、基板７は光
化学反応性ガスＧ。
基板７が配置されてお９、反応容器５の一方からシラン
やジシランもしくはゲルマニウムの水素化物やハロゲン
化物等の光化学反応性ガスＧ、が供給され、基板７は光
化学反応性ガスＧ。
によって覆れた状態となっている。そして反応容器５の
中央部上方にはフッ化リチウムからなる窓８が設けられ
ているが、この窓８と窓６とは距離ｄだけ離間して対向
しており、噴射プラズマＰにより放射される紫外線が窓
６．８を透過して基板７に照射されるようになっている
。従って光化学反応性ガスＧ、が反応領域９である反応
容器５内部で光分解されて、その光分解生成物が基板７
上に堆積され、被膜が形成される。上記数値例であると
、結局プラズマＰの中心から基板７までの距離が１０副
であって、しかも水釦増感反応を利用しなくても、シラ
ンやジシランは効率よく光分解されて基板７−ヒにおよ
そ１ｎｍ、ｚ秒の速度で被膜が形成される。勿論水銀汚
染が問題とならない場合は、反応性ガスの中に水銀が混
入されていても良い。前記例では、噴射プラズマ用の放
電ガスＧ１としてアルゴンを使用したが、同様にクリプ
トンの場合、１２３．６ｎｍ、 １１６．５ｎｍ、キ
セノンの場合、１４７０ｍ、１２９．６ｎｍ、 水素の
場合、１２１．６ｎｍ、１０Ｚ６ｎｍの紫外線が放射さ
れる。そして１１０ ｎｍ以上の波長の紫外線はフッ化
リチウムを透過して、基板上もしくはその近傍のシラン
を直接光分解する。上記以外の稀ガスも、１１００ｎ以
下の波長の紫外線を放射し、これらも、シランの直接光
分解に寄与するものと推定される。また放電ガスＧ、の
圧力が高ければ、輝線以外にも連続スペクトルも放射さ
れる。
中央部上方にはフッ化リチウムからなる窓８が設けられ
ているが、この窓８と窓６とは距離ｄだけ離間して対向
しており、噴射プラズマＰにより放射される紫外線が窓
６．８を透過して基板７に照射されるようになっている
。従って光化学反応性ガスＧ、が反応領域９である反応
容器５内部で光分解されて、その光分解生成物が基板７
上に堆積され、被膜が形成される。上記数値例であると
、結局プラズマＰの中心から基板７までの距離が１０副
であって、しかも水釦増感反応を利用しなくても、シラ
ンやジシランは効率よく光分解されて基板７−ヒにおよ
そ１ｎｍ、ｚ秒の速度で被膜が形成される。勿論水銀汚
染が問題とならない場合は、反応性ガスの中に水銀が混
入されていても良い。前記例では、噴射プラズマ用の放
電ガスＧ１としてアルゴンを使用したが、同様にクリプ
トンの場合、１２３．６ｎｍ、 １１６．５ｎｍ、キ
セノンの場合、１４７０ｍ、１２９．６ｎｍ、 水素の
場合、１２１．６ｎｍ、１０Ｚ６ｎｍの紫外線が放射さ
れる。そして１１０ ｎｍ以上の波長の紫外線はフッ化
リチウムを透過して、基板上もしくはその近傍のシラン
を直接光分解する。上記以外の稀ガスも、１１００ｎ以
下の波長の紫外線を放射し、これらも、シランの直接光
分解に寄与するものと推定される。また放電ガスＧ、の
圧力が高ければ、輝線以外にも連続スペクトルも放射さ
れる。
ところで、紫外線は空気中での透過度が極めて悪いため
、第１図に示す実施例では窓６と窓８の間隙ｄは出来る
だけ小さい方が良く、実質上ｄ−〇になるように近接さ
せである。従って他の実施例として、第２図に示すよう
に、放電領域４と反応領域９とを一つの反応容器５内に
設けると更に効率を上げることができる。この実施例で
は放電領域４と反応領域９とがフン化リチウムの窓３を
有する区画板１０で区画されているが、窓３はシール１
５を介して締付金具１６により７ランク１フ間に挟圧保
持されており、締付金具１６をゆるめることにより窓６
を交換自在として、これにａ−８ｉが堆積すると交換し
、常に紫外線が容易に透過し得る状態にすることができ
る。
、第１図に示す実施例では窓６と窓８の間隙ｄは出来る
だけ小さい方が良く、実質上ｄ−〇になるように近接さ
せである。従って他の実施例として、第２図に示すよう
に、放電領域４と反応領域９とを一つの反応容器５内に
設けると更に効率を上げることができる。この実施例で
は放電領域４と反応領域９とがフン化リチウムの窓３を
有する区画板１０で区画されているが、窓３はシール１
５を介して締付金具１６により７ランク１フ間に挟圧保
持されており、締付金具１６をゆるめることにより窓６
を交換自在として、これにａ−８ｉが堆積すると交換し
、常に紫外線が容易に透過し得る状態にすることができ
る。
次に第６図は更に別の実施例を示すが、この実施例では
、噴射プラズマＰが形成される放電領域４と光化学反応
性ガスＧ２が光分解する反応領域９とが区画されること
なく、従って紫外線がフッ化リチウムの窓などの物体を
透過することなく光化学反応性ガスＧ、を直射するよう
にしたものである。第５図において、支持台６は上下方
向に可動に構成されていて、基板７であるシリコンウェ
ハーは、噴射プラズマＰとの距離が可変できるよう構成
されている。光化学反応性ガスＧ、は、基板７の位置に
より、パイプ１１ａまたは１１ｂより導入される。すな
わち基板７が噴射プラズマＰ中あるいけ近傍に位置する
場合はパイプ１１ａより導入し、基板７の（ｓｒ ＃が
プラズマ陽光柱中心より下方へ十分離しである場合は、
パイプ１１ｂより導入される。この光化学反応性ガスＧ
２は、ポンプ１６で排出しても良いし、放電ガスＧ、と
一緒に排気しても良い。このように反応性ガスＧ、の流
し方、排出の方法は種々設計可能である。すなわち膜質
の向上を考慮するならば、基板７は噴射プラズマＰよシ
十分離した方が良いし、膜質が多少悪くても良いのであ
れば、受ける紫外線強度を大きくする意味で、基板７け
前記プラズマＰ近傍もしくはプラズマＰ中に配置しても
良く、この場合は、膜形成速度が大きい。
、噴射プラズマＰが形成される放電領域４と光化学反応
性ガスＧ２が光分解する反応領域９とが区画されること
なく、従って紫外線がフッ化リチウムの窓などの物体を
透過することなく光化学反応性ガスＧ、を直射するよう
にしたものである。第５図において、支持台６は上下方
向に可動に構成されていて、基板７であるシリコンウェ
ハーは、噴射プラズマＰとの距離が可変できるよう構成
されている。光化学反応性ガスＧ、は、基板７の位置に
より、パイプ１１ａまたは１１ｂより導入される。すな
わち基板７が噴射プラズマＰ中あるいけ近傍に位置する
場合はパイプ１１ａより導入し、基板７の（ｓｒ ＃が
プラズマ陽光柱中心より下方へ十分離しである場合は、
パイプ１１ｂより導入される。この光化学反応性ガスＧ
２は、ポンプ１６で排出しても良いし、放電ガスＧ、と
一緒に排気しても良い。このように反応性ガスＧ、の流
し方、排出の方法は種々設計可能である。すなわち膜質
の向上を考慮するならば、基板７は噴射プラズマＰよシ
十分離した方が良いし、膜質が多少悪くても良いのであ
れば、受ける紫外線強度を大きくする意味で、基板７け
前記プラズマＰ近傍もしくはプラズマＰ中に配置しても
良く、この場合は、膜形成速度が大きい。
ところで、光化学反応性ガスＧ、が光分解して生成され
るａ−８ｉは、基板７以外の場所にも堆積するが、長時
間にわたって装置を作動させると電極２にも堆積し、電
極２の性能を劣化させることがあるが、プラズマヂエッ
ト用の電極の場合は、放電ガスＧ１が、同時に電極保護
の役目をしているので、第３図の例であっても電極２の
性能劣化の問題が生じない。さらにこの場合、噴射プラ
ズマＰを用いるために、放電発光を光化学反応と同一気
圧で行う場合よりも、放電発光に用いるガスＧ、の成分
を、光化学反応に用いるガスＧ、とは比較的独立に制御
できるなどの利点を有する。
るａ−８ｉは、基板７以外の場所にも堆積するが、長時
間にわたって装置を作動させると電極２にも堆積し、電
極２の性能を劣化させることがあるが、プラズマヂエッ
ト用の電極の場合は、放電ガスＧ１が、同時に電極保護
の役目をしているので、第３図の例であっても電極２の
性能劣化の問題が生じない。さらにこの場合、噴射プラ
ズマＰを用いるために、放電発光を光化学反応と同一気
圧で行う場合よりも、放電発光に用いるガスＧ、の成分
を、光化学反応に用いるガスＧ、とは比較的独立に制御
できるなどの利点を有する。
更に他の実施例を述べるならば、放電用ガスＧ。
もしくは光化学反応性ガスＧ、に砒素、燐もしくは硼素
の水素化合物やハロゲン化物を混入しておくと、ａ−８
ｉの被膜に、砒素や、燐、硼素をドープしたものが得ら
れる。
の水素化合物やハロゲン化物を混入しておくと、ａ−８
ｉの被膜に、砒素や、燐、硼素をドープしたものが得ら
れる。
上記実施例は、いづｔも太Ｖ＠電池や半導体素子に利用
されるａ−８ｉや、或は、他の元素がドープされたａ−
８ｉの被膜形成であるが、窒化硅素や二酸化硅素のよう
な絶縁膜の形成もできる。例えば、第２図において、光
化学反応性ガスＧ、としてシランを２°Ｃ／分、ヒドラ
ジンを５ＣＣ／分の流量で混合して流すと、基板７には
窒化硅素の被膜が約１．５１ｍ／秒の速度で形成される
。このとき噴射プラズマＰを作るためのエネルギーは３
ＫＷであって、インプットされたエネルギーから考えて
その被膜形成速度Ｃ非常に優れたものである。
されるａ−８ｉや、或は、他の元素がドープされたａ−
８ｉの被膜形成であるが、窒化硅素や二酸化硅素のよう
な絶縁膜の形成もできる。例えば、第２図において、光
化学反応性ガスＧ、としてシランを２°Ｃ／分、ヒドラ
ジンを５ＣＣ／分の流量で混合して流すと、基板７には
窒化硅素の被膜が約１．５１ｍ／秒の速度で形成される
。このとき噴射プラズマＰを作るためのエネルギーは３
ＫＷであって、インプットされたエネルギーから考えて
その被膜形成速度Ｃ非常に優れたものである。
同様に、二酸化硅素のような絶縁被膜を形成する場合は
、光化学反応性ガスＧ２として、シランを２°０／分の
流量で、Ｎ、０ガスを４°０／分の流量で流す。
、光化学反応性ガスＧ２として、シランを２°０／分の
流量で、Ｎ、０ガスを４°０／分の流量で流す。
なお、第６図による実施例は被膜形成速度が大きい長所
を有するが、プラズマ中のイオンや電子による荷電粒子
損傷によって、被膜特性を低下させることがあり、この
ような低下が問題となる場合は、被膜形成速度を多少犠
牲にしても、プラズマ陽光柱中心と基板７との距離を十
分大きく取れば良い。
を有するが、プラズマ中のイオンや電子による荷電粒子
損傷によって、被膜特性を低下させることがあり、この
ような低下が問題となる場合は、被膜形成速度を多少犠
牲にしても、プラズマ陽光柱中心と基板７との距離を十
分大きく取れば良い。
以上幾つかの実施例に基いて説明したが、更にシリコン
ウェハー７の方を、赤外線照射による加熱とか、基板保
持台乙にヒーターを附加しておくとか等で、昇温可能な
状態としておけば、ａ−８ｉの薄膜だけでなく、シリコ
ンの多結晶の薄膜や単結晶の薄膜も得られる。例えば、
７００〜８００ ℃以上に基板を保っておくと、シリコ
ンの単結晶薄膜もできるが、多結晶の場合は、もう少し
低い温度で良い。
ウェハー７の方を、赤外線照射による加熱とか、基板保
持台乙にヒーターを附加しておくとか等で、昇温可能な
状態としておけば、ａ−８ｉの薄膜だけでなく、シリコ
ンの多結晶の薄膜や単結晶の薄膜も得られる。例えば、
７００〜８００ ℃以上に基板を保っておくと、シリコ
ンの単結晶薄膜もできるが、多結晶の場合は、もう少し
低い温度で良い。
本発明は、以上説明したように、プラズマヂエット用の
電極を使って、噴射プラズマを作り出し、このプラズマ
からの紫外光、特に、１６０ｎｒｎ以下の短波長の紫外
光で、何もさえぎることなく、基板近傍の光化学反応性
ガスを直射するところに主たる特徴があり、電極部分が
小型に設計できること、電極は放電ガスに保護されてい
るから、アモルファス物質の耐着あるいけ反応による電
極の性能劣化がないこと、放電ガスの成分と、反応性ガ
スの成分とは比較的独立に制御できること、必要に応じ
て、基板は、プラズマに極〈接近させることができるな
どの数々の長所を有する。
電極を使って、噴射プラズマを作り出し、このプラズマ
からの紫外光、特に、１６０ｎｒｎ以下の短波長の紫外
光で、何もさえぎることなく、基板近傍の光化学反応性
ガスを直射するところに主たる特徴があり、電極部分が
小型に設計できること、電極は放電ガスに保護されてい
るから、アモルファス物質の耐着あるいけ反応による電
極の性能劣化がないこと、放電ガスの成分と、反応性ガ
スの成分とは比較的独立に制御できること、必要に応じ
て、基板は、プラズマに極〈接近させることができるな
どの数々の長所を有する。
第１図、第２図、第６図Ｖ」それぞれ本発明の実施例に
使用される装置の断面図である。
使用される装置の断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、主成分として、稀ガスもしくは水素もしくは重水素
もしくはそれ等の混合ガスから選ばれた紫外線放射用放
電ガスを、噴射プラズマに形成し、この噴射プラズマか
ら放射される紫外線を基板近傍の光化学反応性ガスに照
射してそれを光分解し、光化学反応性ガスの分解生成物
よりなる膜を基板表面に形成させることを特徴とする被
膜形成方法。 ２、生成分として稀ガスもしくは水素もしくは重水素も
しくはその組合せから選ばれた紫外線放射用放電ガスは
、前記紫外線が物体によってさえぎられることなく基板
近傍の光化学反応性ガスを直射するよう構成された１つ
の容器内で噴射プラズマに形成される特許請求の範囲第
１項記載の被膜形成方法。 ３、主成分として稀ガスもしくは水素もしくは重水素も
しくはそれ等の混合ガスが噴射プラズマに形成される領
域を含む空間と、基板近傍の光化学反応性ガスが光分解
する反応領域を含む空間とが区画されている特許請求の
範囲第１項記載の被膜形成方法。 ４、前記光化学反応性ガスと基板とが噴射プラズマ内も
しくはその近傍に位置した特許請求の範囲第２項記載の
被膜形成方法。 ５、基板が、荷電粒子損傷を受けない程度に噴射プラズ
マの陽光柱中心より十分に離れて配置される特許請求の
範囲第２項記載の被膜形成方法。 ６、前記光化学反応性ガスがシリコンもしくはゲルマニ
ウムの、水素化合物もしくはハロゲン化合物を含む特許
請求の範囲第１項記載の被膜形成方法。 ７、前記放電ガス中又は前記光化学反応性ガス中に、砒
素、燐、硼素、インジウム、アンチモンの内から選ばれ
た、水素化合物もしくはハロゲン化合物の少なくとも一
種を混入した特許請求の範囲第１項記載の被膜形成方法
。 ８、前記光化学反応性ガス中にシリコンの水素化合物も
しくはハロゲン化合物と、窒素もしくはアンモニアもし
くはヒドラジンとを含む特許請求の範囲第１項記載の被
膜形成方法。 ９、前記光化学反応性ガス中に、シリコンの水素化合物
もしくはハロゲン化合物と、酸素もしくは酸素の化合物
とを含む特許請求の範囲第１項記載の被膜形成方法。 １０、前記光化学反応性ガスがシランもしくはジシラン
である特許請求の範囲第１項記載の被膜形成方法。 １１、前記放電ガスもしくは光化学反応性ガスに水銀が
含まれている特許請求の範囲第１項記載の被膜形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17586984A JPS6156280A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17586984A JPS6156280A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 被膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156280A true JPS6156280A (ja) | 1986-03-20 |
| JPH0563552B2 JPH0563552B2 (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=16003624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17586984A Granted JPS6156280A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156280A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0300217A2 (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
| JP2016039257A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | ウシオ電機株式会社 | 紫外光照射装置及び紫外光照射処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043487A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜の形成方法および形成装置 |
-
1984
- 1984-08-25 JP JP17586984A patent/JPS6156280A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043487A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜の形成方法および形成装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0300217A2 (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
| US4842686A (en) * | 1987-07-17 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Wafer processing apparatus and method |
| JP2016039257A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | ウシオ電機株式会社 | 紫外光照射装置及び紫外光照射処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563552B2 (ja) | 1993-09-10 |
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