JPS6043487A - 薄膜の形成方法および形成装置 - Google Patents
薄膜の形成方法および形成装置Info
- Publication number
- JPS6043487A JPS6043487A JP14907183A JP14907183A JPS6043487A JP S6043487 A JPS6043487 A JP S6043487A JP 14907183 A JP14907183 A JP 14907183A JP 14907183 A JP14907183 A JP 14907183A JP S6043487 A JPS6043487 A JP S6043487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- forming
- film
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、放電によって発生する赤外紅、可視光、紫外
光、軟Ｘ線等の電磁、波をガスの励起に利用して順を形
成するＲｆｌＭの形成装置および形成方法に関するもの
である。
光、軟Ｘ線等の電磁、波をガスの励起に利用して順を形
成するＲｆｌＭの形成装置および形成方法に関するもの
である。
光化学反応を利用して薄Ｗ・−を形成する光ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｗ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法による薄膜形成法は、従来の薄膜形成法に比べて、
低温で膜形成が可能であシ、また、任意の位置に選択的
に膜形成ができる等のすぐれた％斧を有している。
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｗ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法による薄膜形成法は、従来の薄膜形成法に比べて、
低温で膜形成が可能であシ、また、任意の位置に選択的
に膜形成ができる等のすぐれた％斧を有している。
従来、光化学反応を肪起させるような波長の光を発生す
るランプ光源のね類は限られておシ水４ｔ１ランプ、Ｘ
８ランプ、等が用いられる。例えば、水銀ランプ（共鳴
線； ２５３’７Ｘ、１８４９Ｘ）を用いる場合、水銀
の共鳴線を吸収するように膜形成用ガスはない。−例と
して、５ｉ０２１ｅを形成する場合は、５ＩＨ４と０２
あるいはＮＯ２ガスに水銀蒸夕ｉを混合し、水銀の共鳴
線で水銀をＦＪＪＪ起、励起された水使とＳｉＨ４との
反応で５ｉＨｄを励起し、膜を形成するような被殻な過
程を得ている。
るランプ光源のね類は限られておシ水４ｔ１ランプ、Ｘ
８ランプ、等が用いられる。例えば、水銀ランプ（共鳴
線； ２５３’７Ｘ、１８４９Ｘ）を用いる場合、水銀
の共鳴線を吸収するように膜形成用ガスはない。−例と
して、５ｉ０２１ｅを形成する場合は、５ＩＨ４と０２
あるいはＮＯ２ガスに水銀蒸夕ｉを混合し、水銀の共鳴
線で水銀をＦＪＪＪ起、励起された水使とＳｉＨ４との
反応で５ｉＨｄを励起し、膜を形成するような被殻な過
程を得ている。
水銀蒸気を混合させるため・に、水銀が不純物として膜
中に取シ込まれ、純度の高い膜を得ることは困難であっ
た。
中に取シ込まれ、純度の高い膜を得ることは困難であっ
た。
そのため、膜形成用反応性ガスが吸収するよう力短波長
の光を発生する希ガスランプ（Ｘｅ。
の光を発生する希ガスランプ（Ｘｅ。
Ｋｒ 、 Ａｔ 、 Ｎｅ ＊ Ｈｅ ） ７ｆ６用い
る膜形成が試みられている。
る膜形成が試みられている。
しかし、上述した水銀ランプ、茹ガスランプのいずれの
方法においても膜形成（て用いるような短波長光の発生
効率は低いため膜形成に寄与する光の強度は低く、さら
にランプのガスと膜形成用ガスとは異なるので、旋形成
用ガスが共鳴励起され分館ｒする短波長光と波長か一致
した光が照射されることキはないので、膜形成用ガスの
光吸収効用は低く光が照射されても充分なしガスの分角
′は生ぜず、良質なｈりが高速に）ｉニ成できないよう
な欠点があった。
方法においても膜形成（て用いるような短波長光の発生
効率は低いため膜形成に寄与する光の強度は低く、さら
にランプのガスと膜形成用ガスとは異なるので、旋形成
用ガスが共鳴励起され分館ｒする短波長光と波長か一致
した光が照射されることキはないので、膜形成用ガスの
光吸収効用は低く光が照射されても充分なしガスの分角
′は生ぜず、良質なｈりが高速に）ｉニ成できないよう
な欠点があった。
本発明は、上記の、事情に鑑みてなされたもので、プラ
ズマの自己収束によシ高鮎・高密度プラズマを形成し、
その高波・窩密度プラズマから発生する赤外舶、可視光
、紫外光、Ｘ線対を反応種の励起に利用して薄膜を形成
する装量と方法に目するものであり、その目的は、低温
で安定にかつ良質な薄Ｂ剪を高速に形成することにある
。
ズマの自己収束によシ高鮎・高密度プラズマを形成し、
その高波・窩密度プラズマから発生する赤外舶、可視光
、紫外光、Ｘ線対を反応種の励起に利用して薄膜を形成
する装量と方法に目するものであり、その目的は、低温
で安定にかつ良質な薄Ｂ剪を高速に形成することにある
。
斜”１図は本発明の一実施例であって、１はコンデンサ
ーパンク、２はコンデンサー１を充電する電源、３は大
電流用スパークギャップスイッチ、４けプラズマ生成用
ガス、５は中心からガスが噴出する電極、６は電極５中
に設置されているガスの尋人孔、７は高速開閉ガスバル
ブ、８は、を極５と放電を生ずる対向電極、９は、電極
５とＹ＜極８の間に放％、によって生ずるプラズマ、１
０はプラズマ９から発生する赤外憩、可視光、紫外光、
軟Ｘ線等の電磁波、１１は膜形成室、１２は真空容器、
１３は排気系接続管である。
ーパンク、２はコンデンサー１を充電する電源、３は大
電流用スパークギャップスイッチ、４けプラズマ生成用
ガス、５は中心からガスが噴出する電極、６は電極５中
に設置されているガスの尋人孔、７は高速開閉ガスバル
ブ、８は、を極５と放電を生ずる対向電極、９は、電極
５とＹ＜極８の間に放％、によって生ずるプラズマ、１
０はプラズマ９から発生する赤外憩、可視光、紫外光、
軟Ｘ線等の電磁波、１１は膜形成室、１２は真空容器、
１３は排気系接続管である。
江・、２図は薄膜形成室２ノ＋７）担て略図であシ、１
４は置版を形成する基板、１５は赤外縁、可＋５，１．
光、紫外光、軟Ｘ線全通過させて、かつ膜形成用ガスを
封入するための光照射用窓、１６は膜形成用ガス、１７
はガス１６用のバルブである。
４は置版を形成する基板、１５は赤外縁、可＋５，１．
光、紫外光、軟Ｘ線全通過させて、かつ膜形成用ガスを
封入するための光照射用窓、１６は膜形成用ガス、１７
はガス１６用のバルブである。
これを動作するＫは、戸窒容舒１２を排気系接続管１３
よシ排気し１０−’Ｔｏｒｒ程度に排気しておく。高速
開閉ガスバルブ７には、膜形成用反応性ガス１６ｆ：有
りｉ＋に分解するのに適合する光を放電によ多発光する
ようカプラダマ生成用ガス４を充てんしておく。放電゛
するには、電源２によりコンデンサ１を充電した移、高
速開閉ガスバルブ７を重１７作さ−ご、ガスん↑人孔６
全通して電極５と電極８の間にプラズマ生成層ガ゛ス４
のガス塊を形成する。ガス株が拡散しない時間内にスイ
ッチ３′ｆｔ−閉じて霜：（″で５と電極８の間に電圧
を印加し放電させる。放電によってガス塊は電離し、１
ｖ、極５と電４＜１８の間にプラズマ９が形成される。
よシ排気し１０−’Ｔｏｒｒ程度に排気しておく。高速
開閉ガスバルブ７には、膜形成用反応性ガス１６ｆ：有
りｉ＋に分解するのに適合する光を放電によ多発光する
ようカプラダマ生成用ガス４を充てんしておく。放電゛
するには、電源２によりコンデンサ１を充電した移、高
速開閉ガスバルブ７を重１７作さ−ご、ガスん↑人孔６
全通して電極５と電極８の間にプラズマ生成層ガ゛ス４
のガス塊を形成する。ガス株が拡散しない時間内にスイ
ッチ３′ｆｔ−閉じて霜：（″で５と電極８の間に電圧
を印加し放電させる。放電によってガス塊は電離し、１
ｖ、極５と電４＜１８の間にプラズマ９が形成される。
プラズマを流れる電流が増加し百ＫＡ程の電離に達っす
ると電流によって生ずる磁場によってプラズマは中心軸
方向に自己収束（ピンチ）シ、商況・茜密度プラズマが
形成される。プラズマがピンチすることにょシコンデン
サパンク１に蓄えられたエネルギーは効率よくプラズマ
９に注入される。
ると電流によって生ずる磁場によってプラズマは中心軸
方向に自己収束（ピンチ）シ、商況・茜密度プラズマが
形成される。プラズマがピンチすることにょシコンデン
サパンク１に蓄えられたエネルギーは効率よくプラズマ
９に注入される。
プラズマ９が自己収束した場合、プラズマから発生する
光は自己収束しない場合に比べて、きわめて発光強度が
強くなる。第３図および第４図は、放電により生成した
プラズマから発生する光強度の時間変化を示した実験結
果で横軸は時間、！２ ａｌｌは光強度を示している。
光は自己収束しない場合に比べて、きわめて発光強度が
強くなる。第３図および第４図は、放電により生成した
プラズマから発生する光強度の時間変化を示した実験結
果で横軸は時間、！２ ａｌｌは光強度を示している。
ここでは、コンデンザパンク１の容量は０．６μＦ１充
ル′電圧は３７ＫＶ、コンデンサパンク１トスイツチ３
を含めたｒ１気回路の全インダクタンスは６０ｎ）Ｉ、
電極５と電析８との電極間距離は１０陥、使用ガスはＫ
ｒである。Ｗ３図はプラズマが自己収束（ピンチ）した
場合の発光強度の時間変化であり、第４図はプラズマが
自己収束しない条件下での発光強度変化である。
ル′電圧は３７ＫＶ、コンデンサパンク１トスイツチ３
を含めたｒ１気回路の全インダクタンスは６０ｎ）Ｉ、
電極５と電析８との電極間距離は１０陥、使用ガスはＫ
ｒである。Ｗ３図はプラズマが自己収束（ピンチ）した
場合の発光強度の時間変化であり、第４図はプラズマが
自己収束しない条件下での発光強度変化である。
第４図に比べて第３図の発光強度は強くな）、光発生効
率が高い。またプラズマが自己収束し匈 た」場合にはプラズマ温度が上カ、シミイオンが形成さ
れるため強い真空紫外光や軟Ｘ線が放射される。
率が高い。またプラズマが自己収束し匈 た」場合にはプラズマ温度が上カ、シミイオンが形成さ
れるため強い真空紫外光や軟Ｘ線が放射される。
これは、プラズマが収束することにより、コンデンサと
プラズマの短気的結合が強くなシコンデンサに充電され
ているエネルギーが効率よくプラズマに注入されること
によシ、プラズマの密度と温度が上ってプラズマから発
生する光の強度が高くなシ、波長の短い光が発生するこ
とによる。以上の自己収束作用によ膜形成した高温・高
密度プラズマから発生した光を、れ３ＭＳ形成室１１に
照射する。？・・！膜形成室１１には般形成用Ｉスノ６
が充電されておシ、光によシ分解し基板１４に胆が形成
される。プラズマから発生する光には、上述したように
可動、光の他にエネルギーの高い紫外線、軟Ｘ趙が大螢
に含オれるので、氷ｙ形成用ガス１６の分子＋１が促進
されるだけでなく基板１４の表面が活性化され、月か形
成が容易になる。さらに、刀（・形成用ガス１６０分解
に距も適するような波長の光を発生するようにプラズマ
生成用ガス４を自在に変えることができる。例えば、ν
゛「形成用ガス種１６とプラズマ生成用ガスオ・２４を
同じにすることにょシ触形成用ガス１６の吸収共鳴波長
と同じ波長の光がプラズマの励起発光よ）発生し、膜形
成用ガス１６に照射でき、効率よく膜形成用ガス１６が
分解され、良質な膜を高速に形成できる。
プラズマの短気的結合が強くなシコンデンサに充電され
ているエネルギーが効率よくプラズマに注入されること
によシ、プラズマの密度と温度が上ってプラズマから発
生する光の強度が高くなシ、波長の短い光が発生するこ
とによる。以上の自己収束作用によ膜形成した高温・高
密度プラズマから発生した光を、れ３ＭＳ形成室１１に
照射する。？・・！膜形成室１１には般形成用Ｉスノ６
が充電されておシ、光によシ分解し基板１４に胆が形成
される。プラズマから発生する光には、上述したように
可動、光の他にエネルギーの高い紫外線、軟Ｘ趙が大螢
に含オれるので、氷ｙ形成用ガス１６の分子＋１が促進
されるだけでなく基板１４の表面が活性化され、月か形
成が容易になる。さらに、刀（・形成用ガス１６０分解
に距も適するような波長の光を発生するようにプラズマ
生成用ガス４を自在に変えることができる。例えば、ν
゛「形成用ガス種１６とプラズマ生成用ガスオ・２４を
同じにすることにょシ触形成用ガス１６の吸収共鳴波長
と同じ波長の光がプラズマの励起発光よ）発生し、膜形
成用ガス１６に照射でき、効率よく膜形成用ガス１６が
分解され、良質な膜を高速に形成できる。
また、胛形成時に２秤以上のガスわを角いる場合、肌形
成反応を律速しているガス種をプラズマ形成用ガス種に
用いれば効率よく反応種が分解され良質な股が高速に形
成できる。
成反応を律速しているガス種をプラズマ形成用ガス種に
用いれば効率よく反応種が分解され良質な股が高速に形
成できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、プラズマの自己収束作用を用い高
温高密度プラズマを形成することによシ、真空紫外線、
軟Ｘ線等の短波長の光を効率よく発生させることが可能
であシ、また膜形防用ガスの分解反応に適する光を発生
するようなガスを用いて自己収束したプラズマを生成し
発光させることによシ、膜形成用ガスの分解に適する光
の照射が可能となるのであるから、良質の膜が高速で形
成できる利点がある。
温高密度プラズマを形成することによシ、真空紫外線、
軟Ｘ線等の短波長の光を効率よく発生させることが可能
であシ、また膜形防用ガスの分解反応に適する光を発生
するようなガスを用いて自己収束したプラズマを生成し
発光させることによシ、膜形成用ガスの分解に適する光
の照射が可能となるのであるから、良質の膜が高速で形
成できる利点がある。
館′３図は自己収束したプラズマから発生する光強度め
時間変化の一例１であシ、縦１”、：：１が光強度、横
軸が時間の特性を示す写真、旭４図は、自己、、収束し
ないプラズマから発生する光迎度のｌ′ｌ：、−間□
変化の一例でｈｈ、＋琥＠！１がプロ強度、！ ’Ｗ’
ｉが時間の特性を示す写真である。 １・・・コンデンザパンク、２・・・充電１”ｊ、 Ｆ
Ａ 、３・・・スパークギヤ、ｆスイッチ、４・・・プ
ラズマ生成用ガス、５・・・ガス噴出電極、６・・・ガ
ス説、入孔、７・−・高速開閉ガスパルプ、８・・・対
向ＩＥ：４（Ｈ１９・・・プラズマ、１０・・・プラズ
マから発生する光、Ｘ線等の電磁波、１１・・・膜形成
室、１２・・・真壁容器、１．９・・・排気系接新管、
１４・・・基ｉｐ’、Ｊ ５・・・光照射用窓、１６・
・・成形成用ガス、１７・・・パルプ。
時間変化の一例１であシ、縦１”、：：１が光強度、横
軸が時間の特性を示す写真、旭４図は、自己、、収束し
ないプラズマから発生する光迎度のｌ′ｌ：、−間□
変化の一例でｈｈ、＋琥＠！１がプロ強度、！ ’Ｗ’
ｉが時間の特性を示す写真である。 １・・・コンデンザパンク、２・・・充電１”ｊ、 Ｆ
Ａ 、３・・・スパークギヤ、ｆスイッチ、４・・・プ
ラズマ生成用ガス、５・・・ガス噴出電極、６・・・ガ
ス説、入孔、７・−・高速開閉ガスパルプ、８・・・対
向ＩＥ：４（Ｈ１９・・・プラズマ、１０・・・プラズ
マから発生する光、Ｘ線等の電磁波、１１・・・膜形成
室、１２・・・真壁容器、１．９・・・排気系接新管、
１４・・・基ｉｐ’、Ｊ ５・・・光照射用窓、１６・
・・成形成用ガス、１７・・・パルプ。
Claims (4)
- （１）真空中の対向した１対の電極間にプラズマ生成用
ガスを漕大してガスの塊を形成し、この電極間に電圧を
印加して放電することだよシ、対向した電極間にプラズ
マを生成し、プラズマを流れる電流がつくる自己磁場に
よシプラズマを自己収束させて、高温１・高密度プラズ
マを形成し、その高温・高密度プラズマから発生する赤
外線、可視光、紫外光、遠紫外光、Ｘかメ等の電磁波を
、膜形成用ガスの反応性ガスに照射することによって薄
膜を形成することを特徴とする荷摩の形成方法。 - （２） プラズマ生成、用ガス種が膜形成用ガス種と同
一であることを特徴とするＩ］″Ｉ−許請求の範囲第１
項記載の次・盾の形成方法。 - （３）複数の膜形成用ガス種を用いる場合に、プラズマ
生成用ガス種の少なくても一種以上が膜形成用ガスわと
同一であるとを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜の形成方法。 - （４） 真空容器内に対向して設けられた１対の電極と
、この１対の電極間にプラズマ生成用ガスを導入するガ
ス導入孔と、前記１対の賃ｉ板間にスイッチを介して電
圧を印加して放電することによりプラズマを生成しこの
プラズマを流れる電流がつくる自己磁場によりプラズマ
を自己収束させて高温・高密度プラズマを生成するコン
デンサおよび充ｇｉ電淵と、前記１対の電極間に生成さ
れた高温・高密度プラズマから発生する赤外線、可視光
、紫外光、遠紫外光、Ｘ線等の電磁波が照射され膜形成
用ガスが充填された薄膜形成室とを具イ１ジすることを
特往イとする薄膜の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14907183A JPS6043487A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 薄膜の形成方法および形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14907183A JPS6043487A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 薄膜の形成方法および形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043487A true JPS6043487A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=15467049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14907183A Pending JPS6043487A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 薄膜の形成方法および形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043487A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156280A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 被膜形成方法 |
| US4919077A (en) * | 1986-12-27 | 1990-04-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus |
| US5149377A (en) * | 1989-06-15 | 1992-09-22 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Coating apparatus |
| JP2008121115A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Applied Materials Inc | Ｐｅｃｖｄ放電処理において電磁放射線を制御するためのシステム及び方法 |
-
1983
- 1983-08-15 JP JP14907183A patent/JPS6043487A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156280A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 被膜形成方法 |
| JPH0563552B2 (ja) * | 1984-08-25 | 1993-09-10 | Yasuo Tarui | |
| US4919077A (en) * | 1986-12-27 | 1990-04-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus |
| US5149377A (en) * | 1989-06-15 | 1992-09-22 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Coating apparatus |
| JP2008121115A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Applied Materials Inc | Ｐｅｃｖｄ放電処理において電磁放射線を制御するためのシステム及び方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1121069A (en) | Electron beam-capillary plasma flash x-ray device | |
| US3911318A (en) | Method and apparatus for generating electromagnetic radiation | |
| Frolov et al. | Potential barrier effects in high-order harmonic generation by transition-metal ions | |
| Zhidkov et al. | Direct spectroscopic observation of multiple-charged-ion acceleration by an intense femtosecond-pulse laser | |
| JPH0227718A (ja) | プラズマ処理方法およびそれに用いるプラズマ処理装置 | |
| Milošević | Low-frequency approximation for high-order harmonic generation by a bicircular laser field | |
| Hay et al. | High-order harmonic generation in cyclic organic molecules | |
| JPS6043487A (ja) | 薄膜の形成方法および形成装置 | |
| Lan et al. | Phase-locked high-order-harmonic and sub-100− as pulse generation from stretched molecules | |
| Kohno et al. | Ion-Molecule Reaction between Ionized Photochemical Intermediates of Acetophenone and Alcohol Following Multiphoton Excitation in a Liquid Beam | |
| JPS5852827A (ja) | ドライエツチング方法および装置 | |
| JP3508079B2 (ja) | プラズママイクロアンジュレーターの形成方法 | |
| JPH04193953A (ja) | 硬質カーボン膜の形成方法及び形成装置 | |
| JPH0831417B2 (ja) | プラズマ加工堆積装置 | |
| Cheng et al. | Frequency-domain interpretation of the plateaus in laser-assisted recombination and high-order harmonic generation | |
| JPH07169743A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPH1145684A (ja) | 放電ランプおよび処理装置 | |
| JPH0684835A (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| Borisov et al. | Hydrogen fluoride chemical laser initiated by a discharge creeping on the surface of a dielectric | |
| JPS6226752A (ja) | 高強度軟ｘ線発生方法 | |
| Skalyga et al. | New developments in the field of high current ECR ion sources at the IAP RAS | |
| JPH08248199A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JPH01279761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS5946034A (ja) | 光化学気相生成方法および装置 | |
| JPS59108249A (ja) | Ｘ線発生方法及びｘ線発生装置 |