JPS615613A - ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 - Google Patents
ピンダイオ−ド・ドライバ−回路Info
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- JPS615613A JPS615613A JP12680184A JP12680184A JPS615613A JP S615613 A JPS615613 A JP S615613A JP 12680184 A JP12680184 A JP 12680184A JP 12680184 A JP12680184 A JP 12680184A JP S615613 A JPS615613 A JP S615613A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、ピンダイオード−ドライバー回路に関し、特
にビンダイオードを用いる可変減衰器における減衰制御
特性を改善する、ビンダイオード壷ドライバー回路に関
する。
にビンダイオードを用いる可変減衰器における減衰制御
特性を改善する、ビンダイオード壷ドライバー回路に関
する。
（従来技術）
従来、例えば中間周波数帯における信号のレベルを調整
する可変減衰器においては、ピンダイオードを減衰用素
子として用い、ピンダイオードに対するバイアス電圧を
減衰量制御用の電圧として加えてやることによシ、減衰
量を制御調整する方法が用いられている。第１図（ａｌ
およびｔｂ）に示されるのは、従来よく用いられている
ピンダイオードによる可変減衰回路例を示し、第１図＋
ａ＋の場合においては、端子１０１から入力される信号
入力は、ピンダイオードＸ１の呈するインピーダンスに
対応して減衰され、端子１０３よシ出力される。この場
合、端子１０２からは、電圧制御モードによシビンダイ
オードＸｌのバイアス電圧を制御する、従来よく用いら
れているピンダイオード偉ドライバー回路の制御電圧が
入力されておル、抵抗Ｒ１およびＲ１を介してピンダイ
オードＸｌには前記制御電圧に対応するバイアス電圧が
加えられ、所−〇減衰量が設定される。第１図（ｂ）の
場合においては、減衰用素子として、ピンダイオードＸ
！およびＸｓが、相互に逆極性となるように接続されて
おシ、電圧制御モードによるピンダイオード・ドライバ
ー回路から、端子１０５を経由して入力されるプラス・
マイナス両極性制御電圧に対応して、抵抗Ｒ３およびＲ
４を介してそれぞれのピンダイオードにバイアス電圧が
加えられ、第１図（ａ）の場合と同様に、信号の入出力
端子１０４および１０５の間の伝送減衰量が設定される
。
する可変減衰器においては、ピンダイオードを減衰用素
子として用い、ピンダイオードに対するバイアス電圧を
減衰量制御用の電圧として加えてやることによシ、減衰
量を制御調整する方法が用いられている。第１図（ａｌ
およびｔｂ）に示されるのは、従来よく用いられている
ピンダイオードによる可変減衰回路例を示し、第１図＋
ａ＋の場合においては、端子１０１から入力される信号
入力は、ピンダイオードＸ１の呈するインピーダンスに
対応して減衰され、端子１０３よシ出力される。この場
合、端子１０２からは、電圧制御モードによシビンダイ
オードＸｌのバイアス電圧を制御する、従来よく用いら
れているピンダイオード偉ドライバー回路の制御電圧が
入力されておル、抵抗Ｒ１およびＲ１を介してピンダイ
オードＸｌには前記制御電圧に対応するバイアス電圧が
加えられ、所−〇減衰量が設定される。第１図（ｂ）の
場合においては、減衰用素子として、ピンダイオードＸ
！およびＸｓが、相互に逆極性となるように接続されて
おシ、電圧制御モードによるピンダイオード・ドライバ
ー回路から、端子１０５を経由して入力されるプラス・
マイナス両極性制御電圧に対応して、抵抗Ｒ３およびＲ
４を介してそれぞれのピンダイオードにバイアス電圧が
加えられ、第１図（ａ）の場合と同様に、信号の入出力
端子１０４および１０５の間の伝送減衰量が設定される
。
第３図（ａｌに示されるのは、従来の電圧制御モードに
よるピンダイオード・ドライバーを用いて減衰量を制御
する場合の、可変減衰回路における減衰量制御特性の１
例である。図において、横軸はピンダイオード・ドライ
バーに対する制御電圧を、縦軸は可変減衰回路における
減衰量を示している。
よるピンダイオード・ドライバーを用いて減衰量を制御
する場合の、可変減衰回路における減衰量制御特性の１
例である。図において、横軸はピンダイオード・ドライ
バーに対する制御電圧を、縦軸は可変減衰回路における
減衰量を示している。
なお、可変減衰回路として、第１図ｔｂ＞に対応する回
路を用いる場合には、制御電圧のプラス−マイナス両極
性に対応して、縦軸に対して対象性を有する減衰特性を
呈するが、第３図＋ａｌにおいては、プラスの制御電圧
に対する減衰量制御特性のみを示している。第３図（ａ
ｌよシ明らかなように、制御電圧入力に対応して、ピン
ダイオードに対する直流バイアス電圧の立上シの状態に
おいては、信号入力に対する減衰量が急激に変化し、こ
のため、制御電圧値に対応する減衰量制御精度が著しく
劣化するという欠点があ）、また、上記の減衰特性に起
因して、減衰特性の温度依存性が高くなシ、温度変化に
ともなう減衰量制御精度の低下をも生しるという欠点も
介在している。
路を用いる場合には、制御電圧のプラス−マイナス両極
性に対応して、縦軸に対して対象性を有する減衰特性を
呈するが、第３図＋ａｌにおいては、プラスの制御電圧
に対する減衰量制御特性のみを示している。第３図（ａ
ｌよシ明らかなように、制御電圧入力に対応して、ピン
ダイオードに対する直流バイアス電圧の立上シの状態に
おいては、信号入力に対する減衰量が急激に変化し、こ
のため、制御電圧値に対応する減衰量制御精度が著しく
劣化するという欠点があ）、また、上記の減衰特性に起
因して、減衰特性の温度依存性が高くなシ、温度変化に
ともなう減衰量制御精度の低下をも生しるという欠点も
介在している。
（発明の目的）
本発明の目的は上記の欠点を除去し、ピンダイオードを
減衰用素子として用いる可変減衰回路に対する減衰量制
御電圧に対応して、前記ピンダイ １１
゛オードに対する制御ドライブを、電圧制御モードがら
電流制御モードに変換する作用と、前記減衰量制御電圧
における所定の制御電圧範囲において、前記電流制御モ
ードにおける制御電流を抑制する制御作用とを併有する
ことによシ、前記可変減衰回路に対する減衰量制御精度
を著しく改善するピンダイオード・ドライバー回路を提
供することにある。
減衰用素子として用いる可変減衰回路に対する減衰量制
御電圧に対応して、前記ピンダイ １１
゛オードに対する制御ドライブを、電圧制御モードがら
電流制御モードに変換する作用と、前記減衰量制御電圧
における所定の制御電圧範囲において、前記電流制御モ
ードにおける制御電流を抑制する制御作用とを併有する
ことによシ、前記可変減衰回路に対する減衰量制御精度
を著しく改善するピンダイオード・ドライバー回路を提
供することにある。
（発明の構成）
本発明のピンダイオード・ドライバー回路は、所定の減
衰量制御電圧に対応して、可変直流バイアス電圧をピン
ダイオードに加えることにより、所定の信号に対する伝
送減衰量を制御調整するビンダイオード−ドライバー回
路において、前記減衰量制御電圧入力に対応して、前記
ピンダイオードに対する制御ドライブを電流モードによ
シ行うだめの電圧電流変換回路と、前記減衰量制御電圧
入力における所定の制御電圧の範囲においては、前記電
圧電流変換回路から出力される制御電流を調整し、前記
所定の信号に対する伝送減衰量を制御するよりに作用す
る制御電流制御回路とを備えて構成される。
衰量制御電圧に対応して、可変直流バイアス電圧をピン
ダイオードに加えることにより、所定の信号に対する伝
送減衰量を制御調整するビンダイオード−ドライバー回
路において、前記減衰量制御電圧入力に対応して、前記
ピンダイオードに対する制御ドライブを電流モードによ
シ行うだめの電圧電流変換回路と、前記減衰量制御電圧
入力における所定の制御電圧の範囲においては、前記電
圧電流変換回路から出力される制御電流を調整し、前記
所定の信号に対する伝送減衰量を制御するよりに作用す
る制御電流制御回路とを備えて構成される。
（発明の実施例）
以下、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第２図（ａ）は、本発明の一実施例と、対応する可変減
衰回路との、それぞれの要部を示すブロック図である。
衰回路との、それぞれの要部を示すブロック図である。
図において、本発明のピンダイオード・ドライバー回路
３は、差動増幅器１および２と、ツェナ、−・ダイオー
ドＸｓと、抵抗器Ｒ７〜ＲＩ３とを備え、対応する可変
減衰器は、ピンダイオードＸ４と、コンデンサＣ１１お
よびＣ６と、抵抗器Ｒ１，およびＲ６とを備えている。
３は、差動増幅器１および２と、ツェナ、−・ダイオー
ドＸｓと、抵抗器Ｒ７〜ＲＩ３とを備え、対応する可変
減衰器は、ピンダイオードＸ４と、コンデンサＣ１１お
よびＣ６と、抵抗器Ｒ１，およびＲ６とを備えている。
第２図（ａｌにおいて、端子１０９からは減衰量制御電
圧が入力されるが、この制御電圧をＶｉ、Ｒ７＝＝ Ｒ
１＝ Ｒ＠ ＝ Ｒ１６＝Ｒｓ差動増幅器１の出力電圧
を■０と定義し、抵抗器几、＋１と抵抗器Ｒ１，および
ツェナー・ダイオードＸｓよ）成るインピーダンスＲｅ
とし、このＲｅを流れる電流をＩｏとすると、電圧Ｖｉ
および■０と、電流ＩＯ％電圧Ｖｉおよびインピーダン
スＲｃとの間には、それぞれ次式の関係が成立つ。
圧が入力されるが、この制御電圧をＶｉ、Ｒ７＝＝ Ｒ
１＝ Ｒ＠ ＝ Ｒ１６＝Ｒｓ差動増幅器１の出力電圧
を■０と定義し、抵抗器几、＋１と抵抗器Ｒ１，および
ツェナー・ダイオードＸｓよ）成るインピーダンスＲｅ
とし、このＲｅを流れる電流をＩｏとすると、電圧Ｖｉ
および■０と、電流ＩＯ％電圧Ｖｉおよびインピーダン
スＲｃとの間には、それぞれ次式の関係が成立つ。
Ｖｏ ＝ Ｖｉ １１）Ｉｏ
＝ Ｖｉ ／ Ｒｃ （２）従って、減衰量
の制御電圧ｖ１に対して、制御電流ＩｏはＶｉ／Ｒｅと
して表わされ、工０は制御電圧Ｖｉに比例し、インピー
ダンスＲｃに反比例している。
＝ Ｖｉ ／ Ｒｃ （２）従って、減衰量
の制御電圧ｖ１に対して、制御電流ＩｏはＶｉ／Ｒｅと
して表わされ、工０は制御電圧Ｖｉに比例し、インピー
ダンスＲｃに反比例している。
また、インピーダンス几Ｃは、第２図（ａ）における場
合には、抵抗器Ｒ１２とツェナー・ダイオードＸ、の直
列インピーダンスと抵抗器ＲＬＩとの並列接続により形
成されておシ、抵抗器Ｒ１１と凡Ｉ２との関係としてＲ
１１＞＞ Ｒｘｘとなるように選定し、且つＲ１、の値
を適当な抵抗値に選ぶことによシ、ツェナー・ダイオー
ドＸｓにおけるツェナー電圧との対応関係において、前
記制御電圧Ｖｉに対する制御電流Ｉｏの関係を修正し、
結果的に可変減衰回路における減衰量制御特性を改善す
ることが可能となる。すなわち、減衰量に対する制御電
圧Ｖｉが低電圧の領域においては、電圧Ｖｏ（Ｖｏ＝−
２Ｖｉ）に対して、ツェナー拳ダイオードＸＳにおける
バイアス電圧は、ツェナー電圧よシも低電位でアシ、従
って、インピーダンスＲｅは、ツェナー・ダイオードＸ
５を含む側路が開放状態となるため、実効的に抵抗器Ｒ
１１として作用する。すなわち、前記（２）式よシ明ら
かなように、制御電流はＩｏ＝Ｖｆ／Ｒ１１となシ、制
御電圧Ｖｉに対する制御電流Ｉｏの関係は抵抗器Ｒ，１
の抵抗値によって規定される。このことは、抵抗器Ｒ１
１の抵抗値を適当に選択することによシ、ツェナー−ダ
イオードＸ５のバイアス電圧が、所定のツェナー電圧以
下となる制御電圧の領域においては、Ｖｉ−Ｉ。
合には、抵抗器Ｒ１２とツェナー・ダイオードＸ、の直
列インピーダンスと抵抗器ＲＬＩとの並列接続により形
成されておシ、抵抗器Ｒ１１と凡Ｉ２との関係としてＲ
１１＞＞ Ｒｘｘとなるように選定し、且つＲ１、の値
を適当な抵抗値に選ぶことによシ、ツェナー・ダイオー
ドＸｓにおけるツェナー電圧との対応関係において、前
記制御電圧Ｖｉに対する制御電流Ｉｏの関係を修正し、
結果的に可変減衰回路における減衰量制御特性を改善す
ることが可能となる。すなわち、減衰量に対する制御電
圧Ｖｉが低電圧の領域においては、電圧Ｖｏ（Ｖｏ＝−
２Ｖｉ）に対して、ツェナー拳ダイオードＸＳにおける
バイアス電圧は、ツェナー電圧よシも低電位でアシ、従
って、インピーダンスＲｅは、ツェナー・ダイオードＸ
５を含む側路が開放状態となるため、実効的に抵抗器Ｒ
１１として作用する。すなわち、前記（２）式よシ明ら
かなように、制御電流はＩｏ＝Ｖｆ／Ｒ１１となシ、制
御電圧Ｖｉに対する制御電流Ｉｏの関係は抵抗器Ｒ，１
の抵抗値によって規定される。このことは、抵抗器Ｒ１
１の抵抗値を適当に選択することによシ、ツェナー−ダ
イオードＸ５のバイアス電圧が、所定のツェナー電圧以
下となる制御電圧の領域においては、Ｖｉ−Ｉ。
特性を所望の特性に設定できることを意味している。制
御電圧Ｖｉの増大にともない、ツェナー・ダイオードＸ
Ｓに対するバイアス電圧がツェナー電圧を上廻る状態に
なると、ツェナーダイオードＸ５を含む側路は導通状態
となシ、制御電流工０は、前述の抵抗器Ｒ１１のみによ
る規制を離れて、抵抗器Ｒ７室によシ規制され、ＶｉＫ
’［する変化量が増大する傾向となる。
御電圧Ｖｉの増大にともない、ツェナー・ダイオードＸ
Ｓに対するバイアス電圧がツェナー電圧を上廻る状態に
なると、ツェナーダイオードＸ５を含む側路は導通状態
となシ、制御電流工０は、前述の抵抗器Ｒ１１のみによ
る規制を離れて、抵抗器Ｒ７室によシ規制され、ＶｉＫ
’［する変化量が増大する傾向となる。
制御電流ＩＯは、原理的に、インピーダンスＲｅに接続
されている抵抗器Ｒ夏３と、可変減衰回路における抵抗
器ＲいビンダイオードＸ４および抵抗器Ｒ６とを含む負
荷回路のインピーダンスに関係なく、一義的に、制御電
圧ＶｉとインピーダンスＲｃとによシ定まる電流値であ
シ、この制御電流■０による電流モードの制御ドライブ
によシ、ビンダイオードＸ４のバイアス電圧が制御され
て、可変減衰回路における端子１０７から１０８に対応
する伝送減衰量が制御調整される。従って、ビンダイオ
ード・ドライバー回路３の端子１０９から入力される。
されている抵抗器Ｒ夏３と、可変減衰回路における抵抗
器ＲいビンダイオードＸ４および抵抗器Ｒ６とを含む負
荷回路のインピーダンスに関係なく、一義的に、制御電
圧ＶｉとインピーダンスＲｃとによシ定まる電流値であ
シ、この制御電流■０による電流モードの制御ドライブ
によシ、ビンダイオードＸ４のバイアス電圧が制御され
て、可変減衰回路における端子１０７から１０８に対応
する伝送減衰量が制御調整される。従って、ビンダイオ
ード・ドライバー回路３の端子１０９から入力される。
減衰量に対する制御電圧Ｖｉに対応する減衰量制御特性
は、第３図（ｂｌに示されるように、制御電圧Ｖｉのｏ
−ｖｂの領域においては、はぼ直線的な特性となシ、電
圧ｖｂを境界点として、Ｖｉに対する変化率が増大する
特性に移行する。言うまでもなく、前述の電圧値ｖｂは
、ツェナー・ダイオードＸ５におけるバイアス電圧が、
所定のツェナ７電圧に到達する時点の制御電圧に対応し
ている。
は、第３図（ｂｌに示されるように、制御電圧Ｖｉのｏ
−ｖｂの領域においては、はぼ直線的な特性となシ、電
圧ｖｂを境界点として、Ｖｉに対する変化率が増大する
特性に移行する。言うまでもなく、前述の電圧値ｖｂは
、ツェナー・ダイオードＸ５におけるバイアス電圧が、
所定のツェナ７電圧に到達する時点の制御電圧に対応し
ている。
第３図（ａｌおよび（ｂ）を比較対応させて見て明らか
なように、本発明のビンダイオード会ドライバー回路を
用いる場合には、制御電圧Ｖｉに対応する減衰量制御特
性が、Ｖｉ＝Ｏ〜ｖｂの領域においては、前述のように
抵抗器ａｌｌに規制されて低勾配の特性に改善され、ま
た、Ｖｉがｖｂを越える領域においては、抵抗器Ｒ１２
によシ規制されて比較的急勾配の特性に移行してゆくこ
とが分る。従って、制御電圧Ｖｉの入力に対応する減衰
量の変化が低勾配の特性に改善されるために、Ｖｉにお
ける変化量△Ｖｉに対応する減衰量の変化量△Ｌを相対
的に小さい量に抑制し、△Ｖｉ ／△Ｌの値を大きくす
ることができるため、制御電圧Ｖｉに対応する、可変減
衰回路に対する減衰量制御精度を、前記△Ｖｉ／△Ｌの
値に比例する形で改善することができる。前述のように
、Ｖｉがｖｂを越える制御電圧の領域においても、第３
図（ｂｌに示されるように、△Ｖｉ ／△Ｌの値が増大
傾向に移行はするものの、抵抗器Ｒ１，の抵抗値の選定
によシ、減衰量制御精度を大きく劣化させることなく、
制御電圧Ｖｉの有効範囲を拡大することができる。
なように、本発明のビンダイオード会ドライバー回路を
用いる場合には、制御電圧Ｖｉに対応する減衰量制御特
性が、Ｖｉ＝Ｏ〜ｖｂの領域においては、前述のように
抵抗器ａｌｌに規制されて低勾配の特性に改善され、ま
た、Ｖｉがｖｂを越える領域においては、抵抗器Ｒ１２
によシ規制されて比較的急勾配の特性に移行してゆくこ
とが分る。従って、制御電圧Ｖｉの入力に対応する減衰
量の変化が低勾配の特性に改善されるために、Ｖｉにお
ける変化量△Ｖｉに対応する減衰量の変化量△Ｌを相対
的に小さい量に抑制し、△Ｖｉ ／△Ｌの値を大きくす
ることができるため、制御電圧Ｖｉに対応する、可変減
衰回路に対する減衰量制御精度を、前記△Ｖｉ／△Ｌの
値に比例する形で改善することができる。前述のように
、Ｖｉがｖｂを越える制御電圧の領域においても、第３
図（ｂｌに示されるように、△Ｖｉ ／△Ｌの値が増大
傾向に移行はするものの、抵抗器Ｒ１，の抵抗値の選定
によシ、減衰量制御精度を大きく劣化させることなく、
制御電圧Ｖｉの有効範囲を拡大することができる。
また、前記ΔＶｉ／ΔＬの値の向上にともない、温度条
件に対する依存度嘴低減し、減衰量制御精度の温度特性
も改善される。
件に対する依存度嘴低減し、減衰量制御精度の温度特性
も改善される。
第２図（ｂａａ、本発明の他の一実施例と、対応する可
変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロック図であ
る。図において、本発明のピンダイオード・ドライバー
回路６は、差動増幅器４および５と、ダイオードＸ８お
よびＸ９と、ツェナー・ダイオードＸ１ｏおよびＸ、１
と、抵抗器Ｒ１６〜Ｒ３意とを備えており、対応する可
変減衰回路は、ピンダイオードＸ６およびＸテと、コン
デンサＣ７およびＣＩと、抵抗器Ｒ１４およびＲ１１１
とを備えているＯ 第２図（ｂｌに示される実施例と、第２図（ａｌに示さ
れる実施例との相異点は、ピンダイオード・ドライバー
回路については、制御電流制御回路の主要構成要素であ
るツェナー・ダイオードが、第２図（ｂ）の場合には相
互に逆極性の接続状態において２個用いられていること
でロシ、また、対応する可変減衰回路においても、第１
図（ｂ）の場合と同様に、２憫のピンダイオードが、逆
極性の状態において接続され、減衰用素子として用いら
れていることである。２個のピンダイオードを用いる可
変減衰回路の作用については、既に第１図（ｂ）の従来
例の説明において触れたとおシである。第２図（ｂ）に
示されるピンダイオード・ドライバー回路の動作につい
ては、制御電流制御回路を形成する、抵抗器Ｒ’ｔｔと
、ダイオ−、ドＸ８およびＸ・と、ツェナー・ダイオー
ドＸ１ｏおよびＸｌｌとによる回路構成が異なることに
起因する差異のみで、基本的のみで、基本的に減衰量制
御特性が第３図（ｂ）に示されるように改善される点に
ついては、第２図（ａ）の場合と全く同様である。第２
図（ｂ）において・ツェナー・ダイオードＸ１ｏおよび
Ｘｌｌを逆極性の状態にて、それぞれダイオードＸｓお
よびＸ９と直列に接続している理由は、端子１１２から
入力される制御電圧Ｖｉがプラスの領域におる場合には
、ダイオードＸｌｌとツェナー・ダイオードＸ１ｏよ〕
成るアームが制御電流 工０を制御するよりに作用し、
制 １・御電圧Ｖｉがマイナスの領域にあ
る場合には、ダイオードＸ・とツェナー・ダイオードＸ
１□よ形成るアームが制御電流Ｉｏを制御するよりに作
用する。勿論、制御電圧Ｖｉ４Ｃおけるプラス・マイナ
ス両極性が、可変減衰回路における２個のピンダイオー
ドＸ６およびＸマのそれぞれに対応していることは言う
までもない。なお、第２図（ｂ）の実施例の場合には、
第３図（ｂ）に示される減衰量制御特性は、減衰量を示
す縦軸に関して対象性を持つ、マイナスの制御電圧の領
域における制御特性をも併有する形で規定される口 （発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明は、可変減衰器の減
衰用素子を形成するピンダイオードに対する制御ドライ
ブを、電流モードによシ行い、且つ電流モードによる制
御電流を抑制し制御することによシ、制御電圧に対応す
る減衰量制御精度を著しく向上させ、且つ前記減衰量制
御精度の温度特性をも改善、することができるという効
果がある。
変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロック図であ
る。図において、本発明のピンダイオード・ドライバー
回路６は、差動増幅器４および５と、ダイオードＸ８お
よびＸ９と、ツェナー・ダイオードＸ１ｏおよびＸ、１
と、抵抗器Ｒ１６〜Ｒ３意とを備えており、対応する可
変減衰回路は、ピンダイオードＸ６およびＸテと、コン
デンサＣ７およびＣＩと、抵抗器Ｒ１４およびＲ１１１
とを備えているＯ 第２図（ｂｌに示される実施例と、第２図（ａｌに示さ
れる実施例との相異点は、ピンダイオード・ドライバー
回路については、制御電流制御回路の主要構成要素であ
るツェナー・ダイオードが、第２図（ｂ）の場合には相
互に逆極性の接続状態において２個用いられていること
でロシ、また、対応する可変減衰回路においても、第１
図（ｂ）の場合と同様に、２憫のピンダイオードが、逆
極性の状態において接続され、減衰用素子として用いら
れていることである。２個のピンダイオードを用いる可
変減衰回路の作用については、既に第１図（ｂ）の従来
例の説明において触れたとおシである。第２図（ｂ）に
示されるピンダイオード・ドライバー回路の動作につい
ては、制御電流制御回路を形成する、抵抗器Ｒ’ｔｔと
、ダイオ−、ドＸ８およびＸ・と、ツェナー・ダイオー
ドＸ１ｏおよびＸｌｌとによる回路構成が異なることに
起因する差異のみで、基本的のみで、基本的に減衰量制
御特性が第３図（ｂ）に示されるように改善される点に
ついては、第２図（ａ）の場合と全く同様である。第２
図（ｂ）において・ツェナー・ダイオードＸ１ｏおよび
Ｘｌｌを逆極性の状態にて、それぞれダイオードＸｓお
よびＸ９と直列に接続している理由は、端子１１２から
入力される制御電圧Ｖｉがプラスの領域におる場合には
、ダイオードＸｌｌとツェナー・ダイオードＸ１ｏよ〕
成るアームが制御電流 工０を制御するよりに作用し、
制 １・御電圧Ｖｉがマイナスの領域にあ
る場合には、ダイオードＸ・とツェナー・ダイオードＸ
１□よ形成るアームが制御電流Ｉｏを制御するよりに作
用する。勿論、制御電圧Ｖｉ４Ｃおけるプラス・マイナ
ス両極性が、可変減衰回路における２個のピンダイオー
ドＸ６およびＸマのそれぞれに対応していることは言う
までもない。なお、第２図（ｂ）の実施例の場合には、
第３図（ｂ）に示される減衰量制御特性は、減衰量を示
す縦軸に関して対象性を持つ、マイナスの制御電圧の領
域における制御特性をも併有する形で規定される口 （発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明は、可変減衰器の減
衰用素子を形成するピンダイオードに対する制御ドライ
ブを、電流モードによシ行い、且つ電流モードによる制
御電流を抑制し制御することによシ、制御電圧に対応す
る減衰量制御精度を著しく向上させ、且つ前記減衰量制
御精度の温度特性をも改善、することができるという効
果がある。
第１図（ａ）および（ｂａａ、それぞれ可変減衰回路の
要部を示すブロック図、第２図（Ｊｌ）および（ｂ）は
、それぞれ本発明の実施例と対応する可変減衰回路との
二側の要部を示すブロック図、第３図（ａ）および（ｂ
）は、それぞれ減衰制御特性を示す図である。 図において、１，２．、ａ、ｓ・・・・・・差動増幅器
。
要部を示すブロック図、第２図（Ｊｌ）および（ｂ）は
、それぞれ本発明の実施例と対応する可変減衰回路との
二側の要部を示すブロック図、第３図（ａ）および（ｂ
）は、それぞれ減衰制御特性を示す図である。 図において、１，２．、ａ、ｓ・・・・・・差動増幅器
。
Claims (1)
- 所定の減衰量制御電圧に対応して、可変直流バイアス電
圧をピンダイオードに加えることにより、所定の信号に
対する伝送減衰量を制御調整するピンダイオード・ドラ
イバー回路において、前記減衰量制御電圧入力に対応し
て、前記ピンダイオードに対する制御ドライブを電流モ
ードによら行うための電圧電流変換回路と、前記減衰量
制御電圧入力における所定の制御電圧の範囲においては
、前記電圧電流変換回路から出力される制御電流を調整
し、前記所定の信号に対する伝送減衰量を制御するより
に作用する制御電流制御回路とを備えることを特徴とす
るピンダイオード・ドライバー回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12680184A JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12680184A JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615613A true JPS615613A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH046282B2 JPH046282B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=14944292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12680184A Granted JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615613A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19725993A1 (de) * | 1997-06-19 | 1998-12-24 | Bosch Gmbh Robert | PIN-Dioden Dämpfungsglied |
| US8299415B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-10-30 | Sony Corporation | Photodetector, electro-optical device, and electronic apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107711A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-27 | Nec Corp | 電圧制御減衰器 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12680184A patent/JPS615613A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107711A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-27 | Nec Corp | 電圧制御減衰器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19725993A1 (de) * | 1997-06-19 | 1998-12-24 | Bosch Gmbh Robert | PIN-Dioden Dämpfungsglied |
| US8299415B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-10-30 | Sony Corporation | Photodetector, electro-optical device, and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046282B2 (ja) | 1992-02-05 |
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