JPS615453A - 光デイスクメモリ媒体 - Google Patents
光デイスクメモリ媒体Info
- Publication number
- JPS615453A JPS615453A JP59126250A JP12625084A JPS615453A JP S615453 A JPS615453 A JP S615453A JP 59126250 A JP59126250 A JP 59126250A JP 12625084 A JP12625084 A JP 12625084A JP S615453 A JPS615453 A JP S615453A
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- JP
- Japan
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- guide grooves
- level
- error signal
- preformat
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24085—Pits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0938—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following servo format, e.g. guide tracks, pilot signals
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
この発明は、元ディスクメモリ媒体に関する。
(従来技術)
光ティスフメモリ媒体における情報トラックは。
トラッキング用の案内溝と、この案内溝の断続によるプ
レフォーマット部とにより構成される。記録さるべき情
報は、レーザー元によってトラ、キング用の案内溝((
書き込まれ、記録ビットとして形成される。従って、光
ティスフメモリ媒体の清報トラックに情報を書き込むと
、清報トラックは、矛2図(1)VC示すようになる。
レフォーマット部とにより構成される。記録さるべき情
報は、レーザー元によってトラ、キング用の案内溝((
書き込まれ、記録ビットとして形成される。従って、光
ティスフメモリ媒体の清報トラックに情報を書き込むと
、清報トラックは、矛2図(1)VC示すようになる。
即ち、3・2図(1)において、符号10は案内溝を示
す。符号10Aは未記録部分、符号10Bは記録ビット
部分、符号10Cはプレフォーマット部分を示す。プレ
フォーマット部分は、案内溝10の断続により形成され
ている。このプレフォーマット部分1occ関して、案
内溝10の断続の周期をA、案内溝10同志のこの場合
には(B/A ) X 100%の平均値で示される。
す。符号10Aは未記録部分、符号10Bは記録ビット
部分、符号10Cはプレフォーマット部分を示す。プレ
フォーマット部分は、案内溝10の断続により形成され
ている。このプレフォーマット部分1occ関して、案
内溝10の断続の周期をA、案内溝10同志のこの場合
には(B/A ) X 100%の平均値で示される。
・っ−゛ −キ1;矛
2図(1)に示すプレフォーマット部iocにおける、
案内溝のとぎれる割合は50%である。なお、案内溝の
深さは、元ピンクアップに用λであり、案内溝の幅は、
0.5μm〜1.51Xnであって、上記レーザー元の
集光スボント径の約1/2である。
2図(1)に示すプレフォーマット部iocにおける、
案内溝のとぎれる割合は50%である。なお、案内溝の
深さは、元ピンクアップに用λであり、案内溝の幅は、
0.5μm〜1.51Xnであって、上記レーザー元の
集光スボント径の約1/2である。
さて、」・2図(1)に示す如き情報トラックを。
レーザービームの集ゲ0スポットでトラッキングする場
合、反射光のレベルは、平端部のレベルをα。
合、反射光のレベルは、平端部のレベルをα。
案内溝のレベルをβ、記録部のレベルをγとすると、β
/α=1.5、γ/α=0,5である。従って、αな1
00として規格化すれば、情報トラック(矛2図(1〕
)を左方から右方ヘトラッキングする際の反射光の光強
度は、才・2図(I)K示す如きものとなる。
/α=1.5、γ/α=0,5である。従って、αな1
00として規格化すれば、情報トラック(矛2図(1〕
)を左方から右方ヘトラッキングする際の反射光の光強
度は、才・2図(I)K示す如きものとなる。
ところで、トラッキングに際しては、レーザービームの
スポットで、清・序トラックを正1.<追跡する必要が
ある。このため通常は、プノンユグル法と呼ばれろ方法
で、トラッキングエラー信号を1’(:) 、このトラ
ッキングエラー信号にもとづいて、レーザービームのス
ポットの位置す情報トラック上に位置させる、所謂トラ
ッキング制御を行っている。
スポットで、清・序トラックを正1.<追跡する必要が
ある。このため通常は、プノンユグル法と呼ばれろ方法
で、トラッキングエラー信号を1’(:) 、このトラ
ッキングエラー信号にもとづいて、レーザービームのス
ポットの位置す情報トラック上に位置させる、所謂トラ
ッキング制御を行っている。
そこで、j・2図(1)に示す如きt*報トラックから
、ブノンユグル法によって得られるトラッキングエラー
信号を見ると、これは、牙2図(■)に示す如きものと
なる。
、ブノンユグル法によって得られるトラッキングエラー
信号を見ると、これは、牙2図(■)に示す如きものと
なる。
なお、ジノ/ニブル法とは、情報トラックの進行方向に
対して左右方向の反射光量分布の非対称性を検出する方
式のトラツキフグエラー信刊検出方法であって、すでに
良く知られている(例えば、エレクトロニクス昭和57
年4月号683ページ以下)。
対して左右方向の反射光量分布の非対称性を検出する方
式のトラツキフグエラー信刊検出方法であって、すでに
良く知られている(例えば、エレクトロニクス昭和57
年4月号683ページ以下)。
なお、牙2図(I)において縦軸は、トラッキングエラ
ー信号のレベルであり、未記録部分10Aから得られる
レベルな100としている。この矛2図(III)から
明らかなように、トラッキングエラー信号のレベルは、
記録ビット部分10B、プレフォーマット部分10CI
/11:おいて低下する。
ー信号のレベルであり、未記録部分10Aから得られる
レベルな100としている。この矛2図(III)から
明らかなように、トラッキングエラー信号のレベルは、
記録ビット部分10B、プレフォーマット部分10CI
/11:おいて低下する。
記録ヒツト部分10Bでの、トラッキングエラー信号の
レベル低下は、次のようにして補正することができろ。
レベル低下は、次のようにして補正することができろ。
すなわち、未記録部分10A、記録ビット部分IDE、
プレフォーマット部分10cにおける平均反射光レベル
は、矛2図(IT)の如きものとなる。
プレフォーマット部分10cにおける平均反射光レベル
は、矛2図(IT)の如きものとなる。
ここでも、未記録部分10Aにおける平均反射光レベル
を100としている。そこで、トラッキングエラー信号
を、平均反射光で除して100をかけて見ると、換言す
れば、トラッキングエラー信号のレベル口・、平均反射
光レベルで規格化してみると、その結果は:A−2図(
V)の如きものとなる。このA・2 i:ン+ (V
)から明らかな↓うに、平均反射光し゛ベルによる規格
化に伴い、記録ビット部分でのトラッキングエラー信号
のレベル低下(矛2図Cm))は補正されて、未記録部
分のトラッキングエラー信号と同一の規格化レベルとな
るが、プレフォーマット部分10Cでのトラッキングエ
ラー信号の規格化されたレベルは一段と低いものとなっ
てしまい、プレフォーマット部分におけるトラッキング
制餌1に誤動作が発生する原因となる。平均反射光レベ
ルの規格化とは、トラッキングエラー信号ルベル?平均
反射光レベルで割算する自動利得調整回路を通すことを
意味するものである。
を100としている。そこで、トラッキングエラー信号
を、平均反射光で除して100をかけて見ると、換言す
れば、トラッキングエラー信号のレベル口・、平均反射
光レベルで規格化してみると、その結果は:A−2図(
V)の如きものとなる。このA・2 i:ン+ (V
)から明らかな↓うに、平均反射光し゛ベルによる規格
化に伴い、記録ビット部分でのトラッキングエラー信号
のレベル低下(矛2図Cm))は補正されて、未記録部
分のトラッキングエラー信号と同一の規格化レベルとな
るが、プレフォーマット部分10Cでのトラッキングエ
ラー信号の規格化されたレベルは一段と低いものとなっ
てしまい、プレフォーマット部分におけるトラッキング
制餌1に誤動作が発生する原因となる。平均反射光レベ
ルの規格化とは、トラッキングエラー信号ルベル?平均
反射光レベルで割算する自動利得調整回路を通すことを
意味するものである。
プレフォーマット部分で、トラッキング制御の誤動作を
防止するため、どのプレフォーマット部分でも光分なレ
ベルのトラッキングエラー信号が得られるように、プレ
フォーマット部分で案内溝の深さを、他の部分の深さと
異ならせるという方法が試みられているが、この方法は
、光デイスクメモリ媒体の製造工程が複雑となるという
問題がある。
防止するため、どのプレフォーマット部分でも光分なレ
ベルのトラッキングエラー信号が得られるように、プレ
フォーマット部分で案内溝の深さを、他の部分の深さと
異ならせるという方法が試みられているが、この方法は
、光デイスクメモリ媒体の製造工程が複雑となるという
問題がある。
(目 的)
本発明は、かかる問題に着目してなされたものであって
、複雑な製造工程を要することなく製造でき、かつ、平
均反射光レベルで規格化されたトラッキングエラー信号
レベルを、プレフォーマット部分においても有効に向上
させうる、新規な光デイスクメモリ媒体の提供を目的と
する。
、複雑な製造工程を要することなく製造でき、かつ、平
均反射光レベルで規格化されたトラッキングエラー信号
レベルを、プレフォーマット部分においても有効に向上
させうる、新規な光デイスクメモリ媒体の提供を目的と
する。
(構 成)
以下、本発明を説明する。
本発明の特数とするところは、プレフォーマット部分に
おける、案内溝のとぎれる割合を、25%以下とした点
にある。
おける、案内溝のとぎれる割合を、25%以下とした点
にある。
トラッキング制御は、平均反射光のレベルで規格化され
たトラッキングエラー信号にもとづいて行なわれる。
たトラッキングエラー信号にもとづいて行なわれる。
平均反射光レベルで規格化されたトラッキングエラー信
号は、プレフォーマット部分において、著しく低下する
。この低下の原因は、以下の事実にある。矛1に、トラ
ッキングエラー信号自体、プレフォーマット部分では、
未記録部分のそれに比して低いことである。牙2K、平
均反射光レベルは、未記録部分のそれに比して、プレフ
ォーマット部分では高くなる。このような、トラツキ/
グエ2−信号自体の低下と、この信号を規格化するため
の平均反射光レベルの増大とがかさなって、規格化され
たトランキングエラー信号に、プレフォーマット部分に
おいて著しい低下をもたらすのである。
号は、プレフォーマット部分において、著しく低下する
。この低下の原因は、以下の事実にある。矛1に、トラ
ッキングエラー信号自体、プレフォーマット部分では、
未記録部分のそれに比して低いことである。牙2K、平
均反射光レベルは、未記録部分のそれに比して、プレフ
ォーマット部分では高くなる。このような、トラツキ/
グエ2−信号自体の低下と、この信号を規格化するため
の平均反射光レベルの増大とがかさなって、規格化され
たトランキングエラー信号に、プレフォーマット部分に
おいて著しい低下をもたらすのである。
プレフォーマット部分は、案内溝の断続、換言すれば、
案内溝と平坦部との交互のくり返しによって形成されて
おり、トラッキングエラー信号自体のレベルの、プレフ
ォーマット部分での低下、平均反射光レベルの、プレフ
ォーマット部分での増大は、いずれも、プレフォーマッ
ト部分を構成する平坦部に由来する。従って、この平坦
部の、プレフォーマット部分に占める割合、換言すれば
、案内溝のとぎれる割合を小さくすることによって、規
格化されたトラッキングエラー信号のレベルを有効に高
め、トラッキング制画の誤動作の発生を防止することが
できるようになる。
案内溝と平坦部との交互のくり返しによって形成されて
おり、トラッキングエラー信号自体のレベルの、プレフ
ォーマット部分での低下、平均反射光レベルの、プレフ
ォーマット部分での増大は、いずれも、プレフォーマッ
ト部分を構成する平坦部に由来する。従って、この平坦
部の、プレフォーマット部分に占める割合、換言すれば
、案内溝のとぎれる割合を小さくすることによって、規
格化されたトラッキングエラー信号のレベルを有効に高
め、トラッキング制画の誤動作の発生を防止することが
できるようになる。
以下、具体的な実殉例に即して説明する。
直径740 mwt、厚さ6朋のガラス板状に、1.0
0 DAのポジ型フォトレジストをスピンナー塗布し、
とのガラス円板を45Orpmで回転させ、波長457
9Aのアルゴンレーザー元を開口数0.9のレンズでス
ポット状に集光し、案内溝の部分は、連続的に、また、
プレフォーマット部分は、所定のチューティ比のパルス
列からなるパルス変調信号を用いて断続的に光照射を行
ない1世1象ベーキングを行ない、深さl0LIOAの
案内溝と、その断続によるプレフォーマット部分から形
成されるピッチ2μm のらせん状の情報トラックの原
型を得る。
0 DAのポジ型フォトレジストをスピンナー塗布し、
とのガラス円板を45Orpmで回転させ、波長457
9Aのアルゴンレーザー元を開口数0.9のレンズでス
ポット状に集光し、案内溝の部分は、連続的に、また、
プレフォーマット部分は、所定のチューティ比のパルス
列からなるパルス変調信号を用いて断続的に光照射を行
ない1世1象ベーキングを行ない、深さl0LIOAの
案内溝と、その断続によるプレフォーマット部分から形
成されるピッチ2μm のらせん状の情報トラックの原
型を得る。
続いて、クロム膜を表面にスパッター法により形成し、
導電性を付与したのちニッケルメッキなhr、clv゛
/ ′’FN%’&“6QJlゝIxly′’−に、□
得る。
導電性を付与したのちニッケルメッキなhr、clv゛
/ ′’FN%’&“6QJlゝIxly′’−に、□
得る。
このスタノパーと、直径200朋、厚さ1.1朋のアク
リル基板との間に、紫外線硬化樹脂を約50μmの厚さ
で注入し、固定した状態で、アクリル基板側から紫外線
を照射して樹脂を硬化させ、その後、スタンパ−を剥離
すると、幅0.8μm 、深さ10[JOA断面V字型
の案内溝と、プレフォーマット部とを有する情報トラッ
クが形成される。
リル基板との間に、紫外線硬化樹脂を約50μmの厚さ
で注入し、固定した状態で、アクリル基板側から紫外線
を照射して樹脂を硬化させ、その後、スタンパ−を剥離
すると、幅0.8μm 、深さ10[JOA断面V字型
の案内溝と、プレフォーマット部とを有する情報トラッ
クが形成される。
この上に、
H5CH5
なる構造のンアニノ色累をジクロルエタンに溶解したも
のな500A の厚さにスピンナー塗布して、光吸収
反射膜(反射率26%、吸収率58%。
のな500A の厚さにスピンナー塗布して、光吸収
反射膜(反射率26%、吸収率58%。
790μm のytiC対して)を形成すると、光ティ
スフメモリ媒体が得られる、 上記方法で、プレフォーマット部分における案内溝のと
ぎれる割合が、5%、10%、20%。
スフメモリ媒体が得られる、 上記方法で、プレフォーマット部分における案内溝のと
ぎれる割合が、5%、10%、20%。
25%、50%である5租の光デイスクメモリ媒体な作
製し、平均反射光レベル、トラッキングエラー信号レベ
ル、平均反射光レベルで規格化されたトラッキングエラ
ー信号レベルをしもべだ結果、第1表の如き結果を得た
。なお、トラッキングは、790 nm の成長の光
な0.9 lin 半値ビーム径のスポットに集束さ
せて行ない、之・1表において、各レベルは、案内溝の
未記録部分におけるレベルを100としている。
製し、平均反射光レベル、トラッキングエラー信号レベ
ル、平均反射光レベルで規格化されたトラッキングエラ
ー信号レベルをしもべだ結果、第1表の如き結果を得た
。なお、トラッキングは、790 nm の成長の光
な0.9 lin 半値ビーム径のスポットに集束さ
せて行ない、之・1表において、各レベルは、案内溝の
未記録部分におけるレベルを100としている。
′A−1表
この矛1表から明らかなように、プレフォーマット部に
おける案内逼のとぎれる割合か25%以下ともなると、
トラッキングエラー信号レベルは、平均反射光レベルで
規格化されたのちも、プレフォーマット部分においても
、十分に高いレベルな保有している。案内溝のとぎれる
割合が25チ である場合の例を、瑚・1図に示す。(
B1/A)X10D = 25 である。〕・22図
I)は反射光レベル、同図(III)はトラツキフグエ
ラー信号のレベル、同図1)は平均反射光のレベル、同
図(V、)は、規格化されたトラノキノグエラー信号の
レベルな示す。
おける案内逼のとぎれる割合か25%以下ともなると、
トラッキングエラー信号レベルは、平均反射光レベルで
規格化されたのちも、プレフォーマット部分においても
、十分に高いレベルな保有している。案内溝のとぎれる
割合が25チ である場合の例を、瑚・1図に示す。(
B1/A)X10D = 25 である。〕・22図
I)は反射光レベル、同図(III)はトラツキフグエ
ラー信号のレベル、同図1)は平均反射光のレベル、同
図(V、)は、規格化されたトラノキノグエラー信号の
レベルな示す。
(効 果)
以上、本発明によれば、新規な元ディスクメモリ媒体を
提供できる。この発明による光デイスクメモリ媒体で(
ll、プレフォーマット部におけるトラツキフグエラー
信号が、平均反射光レベルで規格化されたのちも十分な
高レベルを有しており、従って、プレフォーマット部に
おいて従来問題となっていたトラッキング制御におけろ
誤動作の発生な完全に防止することができる。これまで
、平均反射光レベルで規格化したトラッキングエラー信
号レベルの安定化を中、13ic説明してきたが、規格
化されないトラツキフグエラー信号レベルモ女4.(が
化されることは、矛1表により明らかである。
提供できる。この発明による光デイスクメモリ媒体で(
ll、プレフォーマット部におけるトラツキフグエラー
信号が、平均反射光レベルで規格化されたのちも十分な
高レベルを有しており、従って、プレフォーマット部に
おいて従来問題となっていたトラッキング制御におけろ
誤動作の発生な完全に防止することができる。これまで
、平均反射光レベルで規格化したトラッキングエラー信
号レベルの安定化を中、13ic説明してきたが、規格
化されないトラツキフグエラー信号レベルモ女4.(が
化されることは、矛1表により明らかである。
なお、この発8J4vc↓る光デイスクメモリ媒体では
、ダレフォーマット部においても、案内溝の深さを変え
ないので、その製造工程が複雑化することはない。
、ダレフォーマット部においても、案内溝の深さを変え
ないので、その製造工程が複雑化することはない。
なお、案内溝のとぎれる割合の下限値は1チ程度である
。
。
矛1図は、本発明の1実強例を説明するための図、珂・
2図は、本発明により解決しようとする問題点を説明す
るための図である。 10−・案内溝、10A−・未記録部分、10B・・記
録ビット部分、IDC・・プレフォーマット部分θL□
□−−□−□〜□ 手続補正書 特iT庁長官 志賀 学 殿 1 事件の表示 昭111 R!1イ[・特許願第1.26250号2発
明の名称 光ティスフメモリ媒体 3 補正をする昔 事件との関係 特許出願人 名 称 (674)株式会社リコー4 代
理 人 住 所 東京都世田谷区経堂4丁目5番4号明細書の「
発明の詳細な説明」の欄 6 補正の内容 (1)明細書第3頁第3行中の「レベルは、」の次から
同頁第4行中の「記録部」の前までを、[平坦部のレベ
ルをβ、案内溝のレベルをα、」と補正する。 (2)同第9頁第8行の下の構造式を、1 c
Qn41 Cl13 CI+3と補止する
。 (3)同第i00頁第1中の「5積」を「5種」と補正
する。
2図は、本発明により解決しようとする問題点を説明す
るための図である。 10−・案内溝、10A−・未記録部分、10B・・記
録ビット部分、IDC・・プレフォーマット部分θL□
□−−□−□〜□ 手続補正書 特iT庁長官 志賀 学 殿 1 事件の表示 昭111 R!1イ[・特許願第1.26250号2発
明の名称 光ティスフメモリ媒体 3 補正をする昔 事件との関係 特許出願人 名 称 (674)株式会社リコー4 代
理 人 住 所 東京都世田谷区経堂4丁目5番4号明細書の「
発明の詳細な説明」の欄 6 補正の内容 (1)明細書第3頁第3行中の「レベルは、」の次から
同頁第4行中の「記録部」の前までを、[平坦部のレベ
ルをβ、案内溝のレベルをα、」と補正する。 (2)同第9頁第8行の下の構造式を、1 c
Qn41 Cl13 CI+3と補止する
。 (3)同第i00頁第1中の「5積」を「5種」と補正
する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 トラッキングのための案内溝と、この案内溝の断続に
より形成されるプレフォーマット部分とにより構成され
る情報トラックを有し、 上記プレフォーマット部分における、案内溝のとぎれる
割合を、25%以下としたことを特徴とする、光ディス
クメモリ媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59126250A JPS615453A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 光デイスクメモリ媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59126250A JPS615453A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 光デイスクメモリ媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS615453A true JPS615453A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14930518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59126250A Pending JPS615453A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 光デイスクメモリ媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS615453A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01181134U (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-27 | ||
JPH0386923A (ja) * | 1988-08-31 | 1991-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59126250A patent/JPS615453A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01181134U (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-27 | ||
JPH0386923A (ja) * | 1988-08-31 | 1991-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
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