JPS61502434A - 埋込みへテロ構造を有する半導体デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 埋込みへテロ構造を有する半導体デバイス＾匪二！見 本発明は半導体デバイス、特にレーザおよびＬＥＤのような埋込みへテロ構造半 導体発光デバイスに係る。

Ｉ　ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｐ　／　Ｉ　ｎ　Ｐ材料系において、低閾値埋込みへ テロ構造（ＢＨ）レーザの製作に共通の問題は、漏れ電流（すなわち、デバイス の活性領域をバイパスする電流）の制御である。これらの電流は、高レーザ発振 閾値、低微分量子効率、閾値電流の異常な温度依存性、および光−電流（Ｌ−Ｉ ）特性の揺れを発生させる。これらのすべての要因は、ファイバ光通信システム 用の送信機にＢＨレーザを用いる上で、著しく負の影響をもたらす。

埋込みへテロ構造レーザ中の漏れ電流の問題に対する１つの可能な解は、デバイ ス構造中に高抵抗材料を制御良く導入することである。この高抵抗材料は、好ま しくない漏れ電流路を通しての電流を阻止するために用いることができる。以前 は、高抵抗液相エピタキシャル（ＬＰ　Ｅ）　Ａｌ　Ｏ，６５Ｇａ　Ｏ，３５Ａ ｓ　（低Ｇｏ−ドープ）材料が、Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ 埋込みへテロ構造レーザ中の電流閉じ込め用に用いられていたが、その後の目的 のために高抵抗ＬＰＥＩｎＰ材料を生成しようとする試みは成功しなかった。重 陽子照射もまたＰ形ＩｎＰから高抵抗材料を生成することが示されてきたが、こ の材料はその後の加工中高抵抗を保つとは期待されない、特に、高抵抗は重陽子 注入損傷に関連しているため、抵抗はその後のＬＰＥ成長に必要な温度（たとえ ば約６００℃以上）において焼きなまされてしまう。

加えて、二つに分かれた逆バイアスｐ−ｎ接合もまたＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレ ーザの活性領域を貫いて流れる電流を制限するためのものとして報告されている 。これらの阻止接合は、ｎ−ＩｎＰ基板にＢｅを注入すること、ｎ−ＩｎＰ基板 中にＣｄを拡散させること及びｎ−ＩｎＰ基板上にｐ−ＩｎＰ層をエピタキシャ ル成長させることにより製作されてきた。しかし、これらデバイスのすべては、 逆バイアス接合の不完全な阻止特性のため漏れ電流により成る程度そこなわれる 。

より最近、　Ｄ、Ｐ、　Ｗｉｌｔ　（ディー・ピー・ウイルト）らは、　Ａｐｐ ｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　（アプライド・フィジックス・レ ターズ）第４４巻、第３号、　２９０頁（１９８４年２月）に、比較的低漏れ電 流および低レーザ発振閾値を有するＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ、Ｃ３ＢＨレーザが 、活性領域を貫くポンピング電流を閉じ込める高抵抗Ｆｅ−イオン注入層を構造 中に導入することによって製作できることを報告した。高抵抗層は、ｎ形ＩｎＰ 基板中にＦｅ−イオンを注入し、それにつづきＬＰＥ成長前にアニーリング処理 を行なうことにより生成される。Ｆｅ−イオン−注入層の抵抗率は、ＬＰＥ成長 の高温特性を受けた後ですら安定であるが、Ｆｅ注入層の薄さく約０．４μｍ） のため、薄い活性層（約０．１−０．２μｍの厚さ）をそれに隣接して配置する ことは困難である。活性層がそのように配置されなかったとき分枝路が生成し、 それが活性層の周囲の漏れ電流を可能にする。

従って、高性能（低閾値、高効率）デバイスを再現性よく製作することは困難で ある。

＾匪夙ｉ鮭 低漏れ電流、低レーザ発振閾値、優れた高周波応答および良い信頼性を有する再 現性あるＢＨレーザが、フェロセンを基礎とした又は鉄ペンタカルボニルを基礎 としたドーパントプリカーサを用いた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）によ り成長させた比較的厚い高抵抗Ｆｅ−ドープのｒｎＰを基礎とした層を構造中に 導入することにより製作できる０重要なことは、比較的厚く（たとえば、１−４ μｍ）高抵抗（たとえば、１０″−１０″Ω−Ｃｓ　）のＩｎＰ：Ｆｅ層がこの プロセスにより実現され、その特性は漏れ電流を減らし、各種のデバイスの再現 性を増すのに重大である。

たとえば、室温（２３℃）で１１ｍＡもの低いパルス閾値電流を有するＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓＰ　Ｃ３ＢＨレーザが、本発明に従い実現された。これらのデバイ スはまた、２．４　ＧＨｚを越える小信号帯域により明らかな優れた高周波特性 と、２．ＯＧｂ／ｓもの高い変調速度を有した。

同様にして、後に述べるように、二重チャネルプレーナ埋込みへテロ構造レーザ （ＤＣ−ＤＢＨ）の電流阻止層としてＩ　ｎＰ　：　Ｆｅ　ＭＯＣＶＤ層を用い てもよい。

加えて１本発明は電流がデバイスの活性領域を貫くチャネル中に流れを限定する ＬＥＤ、フォトダイオード及び他のＩｎＰデバイスに用いるのにも適している。

図面の簡単な説明 本発明は、その各種の特徴および利点とともに、添付した図面と関連づけた以下 の詳細な説明から容易に理解できる。図において、明確にするため、図面の各部 の相対的な比率は実際と異なっている。

第１図は、本発明の一実施例に従うＣ３ＢＨ発光デバイスの透視図。

第２図は、本発明に従うＣ３ＢＨデバイスの別の実施例の側面図、 第３図は、本発明の更に別の実施例に従うＤＣ−ＰＢＨデバイスの側面図である 。

Ｗ置型Ｋｌ 第１図に示された半導体発光デバイスは、レーザまたは端面放射ＬＥＤとして使 用できる。いずれの場合も、デバイス（１０）は活性領域（１２）を含み、その 中での電子と正孔の再結合が、活性領域の半導体材料の禁制帯の波長特性（たと えば、混晶の具体的な組成に依存して、ＩｎＧａＡｓＰの場合は約１．、Ｏ−１ ，６５μｍ）で放出される放射を発生させる。放射は一般に軸（１４）に沿った 方向を向き、レーザの場合は基本的には刺激放射で、ＬＥＤの場合は基本的に自 然放射である。

この再結合放射は、活性領域中に注入される少数キャリヤを発生させる順方向バ イアスのｐ−ｎ接合により生じる。たとえば、電流を限定する抵抗器と直列にな った電池として描かれているような電源（１６）が、順方向バイアス電圧を供給 し、加えて所望の光出力パワーと同程度のレベルで、ポンピング電流を供給する 。レーザにおいては、ポンピング電流はレーザ発振電流閾値を越える。

一般に、デバイスはポンピング電流が活性領域（１２）を貫き、比較的狭いチャ ネル中を流れるよう限定する手段を含む。図示されているように、この限定手段 は二分割の高抵抗Ｆｅ−ドープＭＯＣＶＤ　ＩｎＰ層（２０）を含み、活性領域 （１２）は二分割層（２０）の長方形開口中にあるストライプの形を有する１表 面放射ＬＥＤの場合、層（２０）はに二分割ではなく、円筒またはメサ状活性領 域を囲む環の形をとってもよい。

第１図中に示された構造は、チャネル−基板埋込みへテロ構造（ＣＳ　Ｂ　）（ ）レーザとして知られ、それはｎ　−ＩｎＰ基板（２２）および溝（２０）によ り二分割されたＦｅ−ドープＭ、　ＯＣＶ　Ｄ高抵抗ＩｎＰ層（２０）を含む、 溝はエッチされるか、層（２０）を貫き基板（２２）中に形成される。■の形に 溝を制御よくエツチングする好ましい技術には（１００）　Ｉ　ｎ　Ｐ表面上に 形成されたそれ自身の薄い（たとえば１’、８−２．２ｎｍ）酸化物層と、それ 自身の酸化物上にプラズマ堆積させた　Ｓｉｎ。

層から成る合成エッチマスクの使用を含む。それ自身の酸化層は、プラズマ補助 または熱的方法を用いて成長させてよい。マスクは標準的なフォトリソグラフィ とプラズマエツチングを用い、マスク開口（０１１）に平行になる（幅はく２． ２μｍ）ように、パターン形成される。

（１１１）Ｂ方向の側壁のみを有する３、０μｍの深さのＶ溝が、３　：　ＩＨ ＣＱ　：　Ｈ，ＰＯ，（７）ようなＨＣＱ過剰エッチャント中での室温エツチン グにより形成される。

以下の本質的に格子整合されたエピタキシャル層を、エッチされたウェハ上にＬ ＰＥにより成長させる５ｎ−ＩｎＰの第１のクラッド層（２６）（溝（２４）の 少なくとも底面部分を満たす中心部分）；故意にはドープしてないＩｎＧａＡｓ Ｐ層（２８）；　ｐ−ＩｎＰの第２のクラッドＭ　（３０）；　（２８）はクレ セント形活性領域（１２）を含み、それは溝（２４）の最上部の端部に沿っては エピタキシャル成長が起こらないため、Ｍ　（２８）の残りの部分から分離され る。高抵抗層（２０）との界面における非発光再結合が著しくない限り、漏れ電 流を減らすため、活性層は高抵抗層（２０）の厚さ内に垂直方向に配置するのが 好ましい、しかし、活性層が層（２０）以下で、十分それに近い（すなわち、離 れた距離はく１μｍ）ならば、漏れ電流は著しく減少し５層（２０）界面におけ る非発光再結合は、問題になる値よりはるかに小さくなる。

高抵抗ＩｎＰＣＦｅ層（２ｏ）は、基板（２２）上に直接形成されるが、基板上 に成長させた（図示されていない）エビタキシャルバソファ層上に形成してもよ い。

いずれの場合も、層（２０）の高抵抗率はＭＯＣＶＤプロセスにより、最もよく 得られ、そのプロセスはフェロセンを基礎とした、あるいは鉄ペンタカルボニル を基礎としたドーパントプリカーサ（または、そのようなプリカーサの組合せ） を、アルキルインジウムのような有機インジウム材料と組み合わせて用いること を含む、有機インジウムとアルキルホスフィンとの間で、最初に付加体が形成さ れると有利である。付加体は、それを含むバブラを通して、ガス（たとえば水素 または不活性ガス）を流すことにより、ガス流として導入される。リンの原料（ たとえばフォスフイン）もガス流に導入される。ガス流中のインジウムに対する 鉄のモル比が１．２Ｘ１０−’ないしｌＸｌ０−ｓの範囲になるよう、ビーパン ｌ−プリカーサが導入される。

ｌ　Ｘ　Ｉ　Ｑ’Ω−１もの高い抵抗率を有する比較的厚い（たとえば１−４μ ｍ）ＩｎＰｊＦｅ層がこのプロセスにより得られ、このプロセスは他のＩｎＰを 基礎とした組成（たとえばＩｎＧａＰ、ＩｎＡｓＰ＋　ＩｎＧａＡｓＰ。

ＩｎＧａＡＩＰ）にも適用される。　しかし、Ｃ３ＢＨＩ　ｎ　Ｐ　／　Ｉ　ｎ 　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｐレーザの場合、約Ｉ　Ｘ　１０’Ω−１を越える抵抗率が 望ましい。

そのように作られた高抵抗層は、その後のＬＰＥプロセス工程の高温を経た後で すら、その高い抵抗率を保つ。

それぞれ１層（３２）および基板（２２）上の金属電極（３４）および（３６） を通して、デバイスへの電気的接触が作られる。電源（１６）が電極（３４）お よび（３６）間に接続される。

第１図中には、層（３２）および（３４）による広い面積の電極が描かれている が、第２図中に示されるようなストライプ状の電極にすることも可能である。こ こで。

第２図中でプライムをつけて示した要素は、第１図中の同じ参照数字に対応する 。従って、電極補助層（３２’）はストライプを形成するようエッチされ、Ｓｉ ｏ、層（３３）のストライプ状開口と位置合わせされる。ストライプ状の金属電 極（３５）は、Ｓｉ、０２層（３３）の開口中の層（３２’）上に形成され、次 に大面積電極（３４’　）がデバイスの最上部上に形成される。この形の電極形 状はデバイス容量を減らし、従って高速特性を増す。

Ｃ３ＢＨレーザは、刺激放射の光帰還を起こす手段を含む。典型的な場合、それ は一対の分離された平行なへき開ファセット（３８）および（４０）で、それら は第１図に示されるような光空胴共振器を形成する。共振器の光学軸およびスト ライプ状活性領域（１２）の長い方の方向は、一般に相互に平行である。しかし 、たとえば周知の分布帰還回折格子を含む他の帰還技術も適してい以下の例では １本発明の一実施例にしたがうＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ　Ｃ３ＢＨレーザの製作 について述べる。特にことわらなければ、各種の材料、大きさ、濃度、動作パラ メータ等が例を示すという目的のみ示されるが５本発明の視野を限定するもので はない。

この例では＋　ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ　Ｃ３ＢＨレーザのベース構造として、 ＭＯＣＶＤにより成長させた高抵抗Ｆｅ−ドープＩｎＰ層を使用することを、初 めて示す、】、１ｍＡもの低い閾値電流と１００＋ａＡの電流で１４ｍＷもの高 いパルス光出力が、良好な歩留りとデバイスの均一性とともに、この構造で得ら れた。半絶縁性ベース構造を有するデバイスに期待される優れた高周波応答が、 ２．４ＧＨ２を越える小信号帯域で実証された。加えて、２．ＯＧｂ／ｓもの高 い変調速度が得られた。

第２図に示される形のＣ３ＢＨレーザが、以下のように製作された。ＭＯＣＶＤ エピタキシャル反応装置を用い、　Ｆｅ−ドープＩｎＰの単一層（２０）を、　 名目上（１００）面に沿った（故意に方向をずらすことはしなかった）ｎ形Ｉｎ Ｐ基板（２２）（Ｓ−ドープＬＥＣ材料）上に成長させた。

Ｆｅ−ドープ層は１ないし４μｍの厚さで、抵抗率は少なくともｌＸ１０″′Ω −１であった０次に、それ自身の酸化物／Ｓｉｎ、合成エツチングマスクを、層 （２０）上に堆積させた。マスクは、２．０μｍ幅の窓にパターン形成され、３ ：ＩＨＣＱ：Ｈ，ＰＯ４混合液中で、その後のＬＰＥ成長のため、■溝（２４） をエッチした。次に、マスクはＨＦ中で除去され、ウェハをＬＰＥ反応装置中に セットした。ＬＰＥ成長に先だち、ウェハは飽和５ｎ−Ｉｎ−Ｐ溶液を含む外部 容器中で保護された１次に、約６３０℃におけるＬＰＨにより、ＤＨ［層（２６ ゜２８）および（３０）］を成長させた。これらの層には、ｎ形ＩｎＰ（Ｓｎ− ドープ）層（２６）、名目上ドープしてないＩｎＧａＡｓＰ　（λｇｚ１．３μ ｍ）層（２８）およびｐ形ＩｎＰ（Ｚｎ−ドープ）層（３０）が含まれた。ＤＨ 上には、電極補助ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ（λｇ≧１．２μｍ＋Ｚｎμｍ−プ）層を 成長させ、後に以下に述べるようにエッチした。クレセント形活性領域（１２） の幅および厚さは、典型的な場合、それぞれ２．５μｍおよび０．２μｍであっ た。漏れ電流と分枝容量を減らすため、チャネル中と高抵抗層（２０）の厚さの 範囲内で、活性領域を成長させるように注意を払った。しかし。

活性層が層（２０）の下にあり、その約１μｍ以内にあるときですら、レーザ特 性は従来の設計（すなわち、Ｃｄ−拡散ベース構造またはＦａ−イオン注入ベー ス構造を有するもの）によるものより優れていた。

ＬＰＥ成長が完了した後、＃Ａ準的なチャネル基板埋込みへテロ構造レーザ加工 工程を行なった。最初ＳｉＯ□をウェハの表面全体上に堆積させ、埋込み活性領 域上に直接ストライプをパターン形成させ、埋込み構造を明らかにするため、ウ ェハエツジのエツチングにより、位置合わせを行なった。次に、　Ｉ　ｎ　Ｇ　 ａ　Ａ　ｓ　Ｐストライプ（３２’）　を第２図に示すように残すため、構造の 電極補助層を１０：１：１　（Ｈ２ＳＯ４：Ｈ，Ｏ□：Ｈ，Ｏ）　中でエッチし 、ＨＦ中でＳｉＯ□エッチマスクを除去した。

次にもう一つのＳｉＯ□層（３３）を堆積させ１層（３２’）のストライプ上に 窓を形成するためパターン形成した。

５ｉ０２層（３３）のパターン形成に使用したフォトレジストは、蒸着したＡ　 ｕ　Ｚ　ｎ　Ａ　ｕ電極（３５）用のリフトオフマスクとして用いた。ＡｕＺｎ Ａｕ電極（３５）を合金化した後、ウェハ（基板）を研磨し、Ａ　ｕ　Ｇ　ｅの 裏面（ｎ側）電極を堆積させ、同様のりフトオフ技術を用いて合金化した。前面 （ｐ側）　ＴｉＰｔ金属部（図示されていない）を堆積させ、シンターし、ウェ ハの前面および裏面の両方に、電極およびポンディングパッドとして勤＜　Ａ、 　ｕ層（３４’　）および（３６）をメッキした。

最後にウェハに切断し、長さ２５０μｍ１幅５０ｏＩＬｍの各チップにへき開し た。

レーザのパルス光−電流（Ｌ＝Ｉ）および東特性をＩ 測定した。レーザの一つは、３０℃で２１　ｍ　Ａの閾値電流を有し、８５ｍＡ の電流で１０ｍＷの出力パワーを達成した。１００ｍＡにおける光出力は１１． ８ｍＷであった。ピーク傾斜効率は０．１８ｍＷ／ｍＡで、良好な電流閉じ込め を有する他のレーザについての最善の結果に等しい。ピーク効率はこの範囲を通 して良く保たれ。

恐らく活性領域の端部周囲を流れる電流または刺激放射に寄与しない活性層の領 域（たとえばブレセント形活性領域のパウイング″）中に流れる電流により、よ り高いＶ パワーレベルでわずかに落ちた。このデバイスの１丁飽和は、閾値において理想 に近く、良好な電流閉じ込めであること髪示した。

この形のデバイスで得られる良好なウェハ内の均一性が、閾値電流の小さなばら つきと、パルス条件下での１００ｍＡにおける光出力で示された。このウェハか らの２５個のボンディングしていない任意の試料の場合。

平均閾値電流は２０．１ｍＡで、中間閾値電流は１９．２ｍＡ、分布の標準偏差 は４　、６　ｍ　Ａであった。１００ｍＷにおける平均光出力は９．９３ｍＷで 、中間値は１１．４ｍＷ、標準偏差は１．８ｍＷであった。

６０℃、３ｍＷの自動パワー制御バーン−イン条件下における、この構造を有す る一連のレーザのバーン−イン特性は、それらの良好な安定性を示した。ボンデ ィングし、浄化したレーザで測定された劣化速度は、６０℃−３ｍＷのバーン− インの条件下において、１０００時間当り１ｍＡと低かった。この劣化速度は、 光通信システムで用いるべき、これらのレーザとしては十分低い。

３ａ＋Ｗ　ＣＷ出力パワーにおいて、遠視野放射パターンを測定した。測定した パワーのビームの半値幅は、接合面に平行および垂直な方向で、それぞれ１７１ および２８′であった。光放射スペクトルは、１．２９２５μ−の波長に中心を おく、数個の縦モードに示した。

このレーザの変調応答は、特に良好であった。高速ドライバで測定した立上りお よび立下り時間は、約０．３ｎ、　ｓで、良好なアイパターンで２　Ｇ　ｂ　／ 　ｓもの高い速度の高速変調が得られた。小信号応答を、光パワー出力の関数と してプロットした。３ｄＢ遮断周波数はレーザ閾値における２゜ＩＧＨｚから、 １ｍＷの光パワーにおける２、４ＧＨｚ　以上の最大値まで変化した。その後、 この遮断周波数は２ｍＷにおける２゜ＱＧＨｚおよび３ｍＷにおける１　、　８ 　Ｇ　Ｈｚまで落ちた。

上で述べた構成は、本発明の原理の応用を表わすために考えられる多くの可能な 具体例の単なる例にすぎないことを理解すべきである。多くの、かつ各種の他の 構成が５本発明の精神および視野を離れることなく、これらの原理に従い当業者 には考案できる。特に、本発明について、レーザおよびＬＥＤを参照して述べて きたが、電流が活性領域を貫くチャネル中を流れるよう限定される他の半導体デ バイス（たとえばフォトダイオード）にも適用できることが当業者には認識され よう。

本発明の一つの別のレーザについての実施例には、ダブルチャネル・プレーナ埋 込みへテロ構造（ＤＣＰＢＨ）が含まれる６通常のＤＣＰＢＨレーザについては 、　Ｉ。

Ｍｉｔｏ　（アイ、ミド）らにより、　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　７Ｔｅｃｈｎｏ ｌｏ■（ジャーナル・オブ・ライトウェーブ・テクノロジー）第ＬＴ−１巻、第 １号、１９５頁（１９８３）中に、一般的に述べられている。それは活性層を含 む長いメサを貫いて流れるよう電流を制限する逆バイアス阻止接合を形成するた め、チャネル中へのＬＰＥ再成長を用いる。しかし、第３図に示した本発明のＤ ＣＰＢＨ実施例に従うと、阻止接合のＬＰＥ再生長はメサの各側の上のＩｎＰ： Ｆｅ領域（４０）のＭＯＣＶＤ成長に置きかえられる。限定された（たとえばス トライプ状の）電極（４２）が、パターン形成された誘電体層（４４）（たとえ ばＳｉＯ□）により、メサの最上部に規定され、電ｆｆ１（４６）がデバイスの 最上部にある。このようにして、電流はＩｎＰ：Ｆｅ領域（４０）および誘電体 層（４４）により１本質的にメサのみを通るように、したがって活性層（５０） のみを通るように制約される。

最後に、上で述べたデバイスの活性領域は、単一の活性層か、少なくとも一つが （発光という意味で）活性である合成されたいくつかの層を含むことは、よく知 られている。従って、１．５５μｍ　ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰレーザにおいて、 活性領域・はＩ　ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｐ層を含み、それはＬＰＥ成長中メルト バック防止の働きをする別のＩｎＧａＡｓＰｆｆ１（λ＝１．３ｐｍ）の付近で 、　１．５５μｍにおいて発光する。さらに、異なる波長で発光するいくつかの 活性層もまた、活性領域の規定の中に含まれる。

ＦＩＧ、　／ ＦＩＧ　２ ＦＩＧ、ｊ 国際調査報告 一一智電１１−−−−−ド１−鴫ｐ−ＡＨｋ＃ｐ−鴫一；＝）Ｃ？／ｖＳ８５１ ００９１７ＡＮＮＥＸτＯ、ｘｆＥ　ＩＮＴＥ虹ＩＡＴＩＯＮＡＬ　５ＥＡＲＣ Ｅ（ＲＥＰＯＲＴ　ＯＮ嗜−一一師一―＋＋−―φ―＋＋曙昏−――――−一呻 −響−――−−―曽＋＋轡−・＋＋＋ｔＰａｔａｎｔ　ｄｏｃｕｍｅｎｔ　Ｐｕ ｂｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｐａｔａｎｔ　ｆｆａｍｉｌｙ　Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ ｃｉｔａｄ　ｉｎ　５ｅａｒｃｈ　ｄａｔｅ　ｍｅｍｂｅｒ（ｓ）　ｄａｔａ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．活性領域および 前記電流を前記活性領域を貫くチャネル中を流れるよう限定する手段 を含む半導体デバイスにおいて、 前記限定手段は前記チャネルがそれを貫いで延びる開口を有する高抵抗Ｆｅ−ド ープＭＯＣＶＤＩｎＰベース層を含むことを特徴とする半導体デバイス。 ２．請求の範囲第１項に記載された半導体チバイスにおいて、 半導体デバイスはＩｎＰ基体、ＩｎＰ及びＩｎＧａＡｓＰ層を含み、その限定さ れた領域で、前記活性領域が光放射を生ずるようポンピング電流を受けるヘテロ 構造、前記ポンピング電流を前記デバイスに供給するための電極手段を含み、 前記限定手段は前記ポンピング電流を、前記活性領域を貫くチャネル中を流れる よう限定する手段であることを特徴とする半導体デバイス。 ３．請求の範囲第２項に記載されたデバイスにおいて、 ＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓＰ層の前記ヘテロ構造は相対する側がチャネルで区切 られた細長いメサの形に形成され、チャネルのそれぞれはポンピング電流に応答 して光放射を発生する前記活性層を含み、 前記限定手段は、前記チャネル中に形成された高抵抗Ｆｅ−ドープＭＯＣＶＤＩ ｎＰ−べ一ス層を含むことを特徴とするデバイス。 ４．請求の範囲第２または第３項に記載されたデバイスにおいて、 レーザとして用いるため、前記活性領域は細長いストライプの形を有し、光学軸 が前記ストライプの細長い方向と本質的に平行な光空胴共振器を形成する手段を 含むことを特徴とするデバイス。 ５．請求の範囲第４項に記載されたデバイスにおいて、 前記活性領域のその細長い方向に直角な方向の断面は、三日月の形をもつことを 特徴とするデバイス。 ６．請求の範囲第５項に記載されたデバイスにおいて、 前記Ｆｅ−ドープＭＯＣＶＤＩｎＰ−べ一ス層は、本質的に長方形の開口により 二分割され、その中に前記ストライプ状の活性領域があることを特徴とするデバ イス． ７．請求の範囲第６項に記載されたデバイスにおいて、 前記開口は前記Ｆｅ−ドープＭＯＣＶＤ層を貫き、前記基体中に延びる溝により 形成され、前記ヘテロ構造の一部は前記溝を満たし、前記ストライプ状の活性領 域は前記溝の中、前記Ｆｅ−ドープ層下約１μｍ以上にはならない位置におかれ ることを特徴とするデバイス。 ８．請求の範囲第７項に記載されたデバイスにおいて、 前記活性領域は前記Ｆｅ−ドープ層の厚さの範囲内にあることを特徴とするデバ イス。 ９．請求の範囲第１−８項のいずれかに記載されたデバイスにおいて。 前記Ｆｅ−ドープＭＯＣＶＤ層は、フェロセンを基礎とした組成および鉄ペンタ カルボニルを基礎とした組成から選択されたドーパントプリカーサと、有機イン ジウム化合物とリンの原料を含む合成物質により生じる堆積ガスを用いてエピタ キシャル成長させることを特徴とするデバイス。 ８．請求の範囲第７項に記載されたデバイスにおいて、 前記Ｆｅ−ドープ層はＩｎＰから成り、その抵抗率は約１０■Ω−ｃｍを越える ことを特徴とするデバイス。