JPS6149829B2 - - Google Patents

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JPS6149829B2
JPS6149829B2 JP51106302A JP10630276A JPS6149829B2 JP S6149829 B2 JPS6149829 B2 JP S6149829B2 JP 51106302 A JP51106302 A JP 51106302A JP 10630276 A JP10630276 A JP 10630276A JP S6149829 B2 JPS6149829 B2 JP S6149829B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
substrate
glass
alloy
chromium
Prior art date
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Expired
Application number
JP51106302A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5332376A (en
Inventor
Fumio Hase
Teruji Sekiba
Takashi Kuze
Shinzo Sugai
Shoji Makuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP10630276A priority Critical patent/JPS5332376A/ja
Publication of JPS5332376A publication Critical patent/JPS5332376A/ja
Publication of JPS6149829B2 publication Critical patent/JPS6149829B2/ja
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  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、たとえば集積回路装置などの半導体
装置や基板上に抵抗要素を形成した感熱基板など
種々の電気要素、回路要素を形成載置するための
電気装置用基板の改良に関する。 従来この種の基板にはセラミツクが主として使
用されてきた。その最大の理由は絶縁性にすぐれ
ている点である。しかし、セラミツク基板は機械
的強度、特に抗折力が弱く、また平坦度を必要と
するこの種基板においては焼成後研磨加工を施さ
ねばならない。 そこで、金属基体の使用が考えられるが、この
場合電気装置用基板としての絶縁性を付与するこ
とが必要である。このために金属基体上にガラス
層を形成する方法がある。この方法についてはた
とえば特公昭47−7396号には、ガラス粒子の流動
床に調節酸化させた基体を配置し、被覆された基
体を流動床の外側で焼成してガラス被膜を熟成さ
せる方法が開示されている。また、特公昭49−
33824号には無アルカリガラスと金属酸化物とか
ら構成される釉を金属板上に焼付けた琺瑯材料集
積回路基板が開示されている。これら公知技術は
主として絶縁層の形成技術について詳しく述べら
れているが、基体金属に対する考察はほとんど無
い。 本発明は金属基体上にガラス層を形成した電気
装置用基板において、特にその基体金属組成を中
心に改良を図ろうとするものである。 本発明基板は第1図に示すようにクロム10〜26
重量%とニツケル3.5〜25重量%とを含む鉄合金
で形成された基体1と、該基体表面に形成された
基体合金酸化層2と、該酸化層を被覆するガラス
層3とを具備するものである。 本発明基板の基体合金はオーステナイト組織で
あり、非磁性であるため、インダクタンスが小さ
く残留磁化が無いことから電気装置用として好適
である。また、加工性にすぐれているので様々な
形状に対応できる。さらに熱伝導性にすぐれてい
るので大規模な集積回路などの熱放散性を要求さ
れる分野での使用に好適する。この熱伝導性の良
好な点は基体合金層、酸化層、ガラス層のそれぞ
れの厚さを選択することにより熱放散性を調節す
ることができることを意味し、したがつて容易に
任意の熱的特性をももつた基板を製造できる。ま
た本発明基板の基体合金は耐食性及び耐熱性にす
ぐれているので電気装置の製造、使用等における
各種環境に耐えることができる。たとえば使用温
度は400℃以上にても可能であり、酸洗等の処理
もできる。基板の基体合金はロウ付性、溶接性に
もすぐれているので電気装置の組立てに都合がよ
い。さらに機械的強度も良いので、基板基体とし
て好適である。 本発明基板に使用する基本合金は前述のとおり
クロム10〜26重量%、ニツケル3.5〜25重量%を
含む鉄合金である。クロム及びニツケルの範囲
は、上述の本発明の各種特徴を保つための必要か
ら決定される。 この合金基体にガラスを被覆するには、合金基
体表面のガラス被覆を必要とする部分に酸化層を
形成する必要がある。このための一般的方法は合
金基体を高温酸化して、ガラスとの接着性に富ん
だ酸化層を形成する。前記の組成範囲にあるクロ
ム−ニツケル−鉄合金はガラスとの接着可能な酸
化層を形成するものである。即ち、前記クロム−
ニツケル−鉄合金を高温酸化するとCr2O3を主体
とする酸化層が形成され、ガラスと良好に接着す
る。 基本合金と酸化物層との接着性も重要である。
この点で、前記クロム−ニツケル−鉄合金にアル
ミニウム及びチタンを含有させる手段は好まし
い。 即ち、本発明基体合金として次の(1)〜(3)の各種
合金は特に好適である。 (1) クロム10〜26重量%、ニツケル3.5〜25重量
%、アルミニウム0.05〜7重量%、残部実質的
に鉄よりなる合金。 (2) クロム10〜26重量%、ニツケル3.5〜25重量
%、チタン0.1〜5重量%、残部実質的に鉄よ
りなる合金。 (3) クロム10〜26重量%、ニツケル3.5〜25重量
%、アルミニウム0.05〜7重量%、チタン0.1
〜5重量%、残部実質的に鉄よりなる合金。 上記(1)〜(3)の各組成の合金において、アルミニ
ウム及びチタンの含有量は基体と酸化層との接着
性の良好な点から決定される。 クロム、ニツケル、アルミニウム、チタンのさ
らに好ましい範囲及び最も好ましい範囲は次の第
1表のとおりである。
【表】 たとえば16Cr−14Ni−Fe系合金、18Cr−8Ni
−Fe系合金及びこれらにAl、Tiを含有するもの
は最良である。 基体とガラスとの熱膨張係数についての関係は
本発明においては使用するガラスを軟質ガラスに
することが好ましい。なぜなら基体合金の熱膨張
係数が12〜17×10-6cm/cm/℃であるからである。
使用する軟質ガラスの熱膨張係数は9〜17×10-6
cm/cm/℃であるので熱的影響下においても基体と
ガラスとの間で不必要な応力が働くことがなく、
基板として良好に作動する。 ガラス層の厚さは0.01mm以上が絶縁性の点から
好ましい。さらに好ましくは0.1〜0.5mmである。 本発明基板はガラス層を表面に有するので平坦
性は良好である。 また、金やアルミニウムの蒸着が可能であり、
有機接着剤、結晶化ガラス、ハンダガラスの使用
も可能である。 さらに、第2図に示すごとく多層構造を得るこ
とも容易である。第2図において4は金属層、5
は酸化層、6はガラス層である。 また、基体表面に対し局部的、部分的にガラス
被覆を行うこともできる。 実施例 クロム16重量%、ニツケル14重量%、残部鉄
よりなる合金、クロム16重量%、ニツケル14重
量%、アルミニウム1.5重量%、残部鉄よりなる
合金、クロム16重量%、ニツケル14重量%、ア
ルミニウム1.5重量%、チタン0.8重量%、残部鉄
よりなる合金。上記〜の各合金を基体とし、
これらに高温酸化処理として湿潤水素中で1000℃
にて30分間加熱して酸化膜を付着させる。次に軟
質ガラス粉末を沈積させ加熱し、基体酸化膜にガ
ラスを付着させる。このようにして得た基板はい
ずれも絶縁性にすぐれたガラス面を有していた。 及びの合金を基体とするものはとくに酸化
膜と基体との付着性にすぐれていた。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明基板の実施例を示す
断面である。 1……基体、2,5……酸化層、3,6……ガ
ラス層、4……金属層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 クロム10〜26重量%及びニツケル3.5〜25重
    量%を含む鉄合金で形成された基体と、該基体表
    面に高温酸化により形成されたCr2O3を主体とす
    る基体合金酸化層と、該酸化層を被覆するガラス
    層とを具備してなる電気装置用基板。 2 特許請求の範囲第1項に記載の電気装置用基
    板において、基体がクロム10〜26重量%、ニツケ
    ル3.5〜25重量%、アルミニウム0.05〜7重量
    %、残部実質的に鉄よりなる合金である電気装置
    用基板。 3 特許請求の範囲第1項に記載の電気装置用基
    板において、基体がクロム10〜26重量%、ニツケ
    ル3.5〜25重量%、チタン0.1〜5重量%、残部実
    質的に鉄よりなる合金である電気装置用基板。 4 特許請求の範囲第1項に記載の電気装置用基
    板において、基体がクロム10〜26重量%、ニツケ
    ル3.5〜25重量%、アルミニウム0.05〜7重量
    %、チタン0.1〜5重量%、残部実質的に鉄より
    なる合金である電気装置用基板。 5 特許請求の範囲第1項、第2項、第3項及び
    第4項に記載の電気装置用基板において、ガラス
    層が軟質ガラスである電気装置用基板。
JP10630276A 1976-09-07 1976-09-07 Electric device substrate Granted JPS5332376A (en)

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JPS5332376A JPS5332376A (en) 1978-03-27
JPS6149829B2 true JPS6149829B2 (ja) 1986-10-31

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