JPS6148562A - 被接合体の製造法 - Google Patents

被接合体の製造法

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JPS6148562A
JPS6148562A JP16644084A JP16644084A JPS6148562A JP S6148562 A JPS6148562 A JP S6148562A JP 16644084 A JP16644084 A JP 16644084A JP 16644084 A JP16644084 A JP 16644084A JP S6148562 A JPS6148562 A JP S6148562A
Authority
JP
Japan
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bonding
alloy
joining
joined
compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP16644084A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Otaka
大高 清
Mitsuo Chikazaki
充夫 近崎
Akira Okayama
岡山 昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6148562A publication Critical patent/JPS6148562A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C10/00Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
    • C23C10/28Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using solids, e.g. powders, pastes
    • C23C10/34Embedding in a powder mixture, i.e. pack cementation
    • C23C10/36Embedding in a powder mixture, i.e. pack cementation only one element being diffused
    • C23C10/44Siliconising

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はNi基、Co基あるいはFe基の各合金の被接
合体及びその接合法に係るもので、特に接合部における
接合不良を著しく少なくでき、かつ複雑形状の接合部を
接合するに好適な被接合体の製造法に関するものである
〔発明の背景〕
Ni基、Co基あるいはFe基合金はガスタービン、ジ
ェットエンジン等の高温部分にしばしば使用される。
近年これらガスタービン、ジェットエンジンは燃焼ガス
温度を上昇させ、効率を増加することが行なわれている
。しかしながら、材料面から見ると、かならずしも高温
に充分使用に耐える材料の開発が先行していない。その
為に高温部分で使用される部相は時により空気導入によ
る冷却で部材の温度を低下させることが行なわれている
。ブレードの場合の冷却を例に取ると対流冷却、インピ
ージメント冷却、膜冷却及び浸出冷却などがあり、これ
らを単独または複数組合せて冷却効果を高めている。そ
のため冷却空気の流路である冷却孔は極めて複雑となる
。故にブレードを複数に分割して精鋳後、接合して1本
のブレードを製造することが行なわれている。
従来の接合法によれば接合面に中間層として合金箔ある
いは金属粉末をはさみこみ、加熱して中間層を接合面相
互に拡散させたり、中間層を溶融させて接合する方法が
ある。しかし、中間層を拡散させる方法は高温、長時間
の加熱が必要であり、かつその効果を最大限に発揮させ
るには大きな荷重が必要であるなどの欠点がある。また
合金箔を溶融させて接合する場合は、中間層とする金属
箔を接合面に密着させなければならず、そのためには、
この方法もまた比較的大きな荷重を加えなければならな
い。
一方、中間層に合金粉末を利用する方法は、接合面に均
一に粉末を置くことが困難なため、予め合金粉末とアク
リル樹脂のトルエン溶液を用いて合金粉末をスラリー化
して接合面にプレフォームを作り、接合面に置かなけれ
ばならないなどの欠点がある。
さらに、これらいずれの方法も、接合面が複雑形状にな
ると、それに合せて中間層としての合金箔や金属粉末と
アクリル接着剤とのプレフォームを接合面と十分合同に
し難いという欠点もある。
〔発明の目的〕
、         本発明の目的は、上記従来技術の
持つ欠点を補い接合面が複雑形状でも十分接合できる被
接合材の製造法を提供することにある。
〔発明の概要〕
接合部における接合不良の極めて少ない良好な接合面を
得るための被接合材として、N1基合金の場合はNiシ
リサイド、Co基合金の場合はC。
シリサイド、Fe基合金の場合はFeシリサイドの金属
間化合物を表面に形成させることが著しく効果的である
ことを見出した。
本発明は、Ni基、Co基及びFe基の各合金表面への
金属間化合物であるSi化合物の形成法は各種実験の結
果5〜20wt% 8i−0,5〜3wt%NH4Ct
−残部A At Osのパック剤中に被接合材を埋込み
700〜900℃でパック処理することで達成された。
Si化合物層の厚さは、薄すぎると接合が不十分となり
、厚すぎると過剰のSiが接合界面に含有され機械的性
質が劣化するなどの悪影響を及ばずため、Si化合物層
の厚さは10〜80μmが良く、好ましくは15〜30
μmが最適である。
このようにして金属間化合物層を表面に形成させた後、
Ni基合金の場合は1150℃以上、C0基合金の場合
は1190℃以上、またFe基合金の場合は1200℃
以上に加熱することで被接合材表面を溶融せしめ接合す
るものである。溶融後はNi。
Co及びFeに対するSiの親和力が大きく、また相互
の濡れ性も良好なため、接合不良の少ない良好な接合部
が得られる。また、接合面全体にNiシリサイド、co
シリサイドまたはFeシリサイドが存在し、加熱により
接合面全体が溶融するため、接合時に荷重を加えなくて
も十分接合するものである。もつとも、荷重を加えれば
より効果的に接合されることは言うまでもなく、その場
合は0、3 Ky / cd以下の僅かな荷重で十分で
ある。
接合時の温度はNi基合金の場合は1150℃以上、C
o基合金の場合は1190℃以上、またFe基合金の場
合は1200℃以上とする必要があるが、上限は接合さ
れるべきNi基、Co基あるいはFe基合金の融点以下
ならば可能である。
接合時の加熱雰囲気は、酸化を防止するため非酸化性雰
囲気で行なうことが必要であるが、特に真空中でなくと
も、Arガス雰囲気中で十分である。
〔発明の実施例〕
以下本発明の詳細を実施例を示して説明する。
実験に用いた材料はNi基合金のlN−738LCで第
1表に化学組成を示した。
第1表 (wt%) 被接合材はNi基あるいはCo基合金で、巾9簡、長さ
13晒、厚さ5朝の試験片を用いた。母材合金であるl
N−738LCにSiパック処理(Si拡散浸透処理)
を行なった。以下にSiパック処理の具体例を示す。
Siパック処理に用いたパック剤は200meshのS
i粉末、ハロゲン化活力剤として試薬1級のNH4C、
/、不活性耐火材として325meshのA AtOs
粉末である。これら粉末を5〜20 wlo S i 
−1,5w/。
N比Ct−残A tt Oaに配合し、攪拌捕潰機で4
0分間混合した。パック容器は5US316L(内径3
0胴)を用い、試料1ヶ肖り10gのパック剤を用い7
00〜900℃で4時間Ar雰囲気中で加熱した。その
後、1025〜1050℃で2時間の拡散処理を施した
。また、これらコーティング層はX線回折の結果Niシ
リサイドであるのが知れた。第1図に5W10S i−
1,5W10NH,Ct−残A40gのパック剤を用い
700〜900℃で4時間加熱のパック処理を行なった
場合の加熱温度とNiシリサイドのコーティング層厚さ
との関係を示す。
次にこれらの試料を用いて接合を行なった。接合におけ
る加熱条件は温度1200℃で1時間保持である。接合
雰囲気はArガス中である。接合時、試料は1−の接合
面積肖り0.176KPの荷重を加えたものと無荷重と
の条件で行なった。接合後試料を切断してパフ研摩し、
光学顕微鏡にて未接合部長さを測定し、接合率(チ)を
算出した。第2表にそれらの結果をまとめて示した。
第2表より明らかなように母材合金表面にSiパック処
理でNiシリサイドのコーティング層を形成させておく
と、極めて良好な接合状態を示した。また、接合率に及
ぼす荷重の影響については(a)と(C)あるいは(b
3と(d)との比較から知れるように荷重を加えた(C
)と(d)の場合に接合率が向上していることが解る。
しかし、荷重を0.3 N9 / crA以上加えても
接合率は改善されず、また被接合材の変形を壕ねくので
、0.3 Kp / cr1以上の荷重を加えることは
好ましぐない。
第2図に第2表の賦香aにおける接合部の断面組織の例
を示す。図から明らかのように接合部にはボイドも見ら
れず健全な接合状態を示している。
〔発明の効果〕
本発明によれば、接合面にSiパック処理法(Si拡散
浸透法)によII)Si化合物を形成させた接合材を合
わせて加熱するので、特に複雑形状のものの接合に効果
的である。また、ki化合物を形成させるのも容易であ
り、経済的にも効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はNiシリサイド形成時の加熱処理温度とN1シ
リサイド層の厚さとの関係線図、第2図は接合部の組織
を示す顕微鏡写真である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、Ni基、Co基またはFe基の各合金表面にNi、
    CoまたはFeとSiの金属間化合物を形成させた被接
    合体を用いて、Ni基、Co基またはFe基の各合金を
    接合する被接合体の製造法において、各合金表面におけ
    るSiの金属間化合物を形成させる方法としてSiパッ
    ク処理法を用いることを特徴とする被接合体の製造法。
JP16644084A 1984-08-10 1984-08-10 被接合体の製造法 Pending JPS6148562A (ja)

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