JPS6145656Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はテレビジヨン受像機やCATV等に用い
られる電子同調チユーナを広帯域化して使用する
のに適した複同調回路に関する。

現在テレビジヨン受像機にあつてはVHF，
UHFのバンド受信が一般的であるが、それ以外
にCATV用のバンドが有る。CATV放送は米国に
おいて盛んに行われており、米国でのチヤンネル
配分の一例を第１図に概略的に示している。

第１図において第１バンドは約50〜120MHzの
領域であり、主にVHFローバンドが含まれてい
る。第２バンドは120〜215MHzの領域であり、ミ
ドルバンドとVHFハイバンドが含まれている。
また第３バンドは215〜300MHzの領域でありスー
パーバンドが含まれている。なおUHFバンドは
470〜900MHzの領域にある。

したがつて、このような広帯域（例えば０〜
300MHz）の信号を受信するための電子同調チユ
ーナは受信帯を例えば３つに分けて受信するよう
にされている。そして入力・段間同調回路及び局
発回路はスイツチング・ダイオードをオン・オフ
することにより、各インダクタンスを切換えて同
調をとり、各周波数帯で所定の動作ができるよう
に構成されている。

この広帯域チユーナにおいてはイメージ妨害が
生じた場合、混信等の不都合な現象が生じるが、
イメージ周波数は第１図に示される如く、受信周
波数帯域内に存在する。

周知の如くイメージ周波数は、希望チヤンネル
よりも中間周波数（米国では映像IF45.75MHz）
の２倍高い周波数付近にあり、第１図における点
線で示す部分_１，_２，_３は、そのイメージ
周波数帯を示している。ところで、従来の多バン
ド方式の電子同調チユーナは、イメージ妨害に対
処するため、第２図のブロツク図で示されるよう
に構成されている。

第２図において符号１はコイル及びコンデンサ
の並列共振回路によつて形成された固定イメー
ジ・トラツプで、その出力端は入力同調回路２の
入力端に接続されている。前記イメージ・トラツ
プ１はイメージ妨害波となるイメージ周波数にお
いてインピーダンスが無限大となり、この信号が
入力同調回路２側に伝達されるのを阻止するため
のものである。この入力同調回路２の出力端は高
周波増幅回路３および段間回路４を介して局発・
混合回路５の入力端に接続され、この回路５の出
力端から所定の中間周波信号（IF）を取り出す
ようにしている。このような電子同調チユーナに
あつてはバンドのイメージ周波数は固定イメー
ジ・トラツプ１で取り除かれて入力同調回路２に
伝達され、この同調回路２で選択された信号は高
周波増幅回路３で増幅され、かつ段間回路４を経
て局発・混合回路５の入力端に入力される。そし
て局発・混合回路５で中間周波数に変換されて出
力されることになる。

ところで、このように入力同調回路２の前段に
イメージ・トラツプ１を設けた場合、そのトラツ
プ周波数を例えば第１バンドのイメージ周波数
（第１図_１で示す）に設定すると、第１バンド
受信時のイメージ妨害は除去できるが、第２バン
ド受信時には必要な信号までがこのイメージ・ト
ラツプ１によつて伝達を阻止されてしまう。

このように第１、第２バンドのイメージ周波数
（第１図_１，_２）はそれぞれ受信帯域内に存
在しているため、各バンド受信時にイメージ妨害
を除去し、かつ必要な信号を確実に伝達できるよ
うにするには、トラツプ周波数をバンド切換毎に
変化させることが必要となる。このためトラツプ
１として複数のコイルやコンデンサを備え、かつ
それらを切換えるためのスイツチング・ダイオー
ド等を必要とし、回路構成が複雑化すると共に、
コスト的に不利である。

本考案は上述した点に鑑みてなされたもので、
段間回路を形成する複同調回路のバンド切換え用
のコイルに容量を接続することでバンド毎に適切
なイメージ・トラツプ用の同調回路を構成し、本
来の受信信号に影響を与えることなくイメージ妨
害を防止するようにした複同調回路を提供するこ
とを目的とする。

以下、本考案を第３図乃至第５図を参照して説
明する。

第３図ａは電子同調チユーナの段間回路におけ
る本考案の複同調回路の一実施例を示すもので、
１次側の入力端１１は同調用のコンデンサ１２及
び可変容量ダイオード１３の直列回路を介してア
ースされると共に、コイル１４の１次側コイル１
４Ａ及びコイル１５の１次側コイル１５Ａの直列
回路を介してアースされている。又、前記入力端
１１はコイル１６の１次側コイル１６Ａの一端に
接続され、その他端は連動スイツチ１７の一方の
スイツチ１７Ａの一端に接続され、そのスイツチ
１７Ａの他端はアースされている。前記コイル１
４Ａ及び１５Ａの接続点は連動スイツチ１８の一
方のスイツチ１８Ａの一端に接続され、そのスイ
ツチ１８Ａの他端はアースされている。一方、２
次側の出力端１９はコンデンサ２０及び可変容量
ダイオード２１の直列回路を介してアースされる
と共に、コイル１４の２次側コイル１４Ｂ及びコ
イル１５の２次側コイル１５Ｂの直列回路を介し
てアースされている。又、前記出力端１９はコイ
ル１６の２次側コイル１６Ｂの一端に接続され、
その他端は連動スイツチ１７の他方のスイツチ１
７Ｂの一端に接続され、スイツチ１７Ｂの他端は
アースされている。前記コイル１４Ｂ及び１５Ｂ
の接続点は連動スイツチ１８の他方のスイツチ１
８Ｂの一端に接続され、スイツチ１８Ｂの他端は
アースされている。そして前記スイツチ１７Ａ，
１７Ｂの各一端間にはコンデンサ２２が接続され
ている。

図中連動スイツチ１７及び１８はスイツチング
ダイオード等で成るバンド切換えスイツチであ
り、このスイツチの切換えによつて複同調回路の
インダクタンスを変えて受信帯が変えられるよう
にしてある。また各可変容量ダイオード１３，２
１にはバンドに応じて所定の電圧が供給されるよ
うに接続してある（図示略）。

以上のように構成された本考案の複同調回路の
動作を第３図ｂ〜ｄおよび第４図を参照して説明
する。

先ず第１のバンドを受信する場合においては連
動スイツチ１７，１８の各スイツチ１７Ａ，１７
Ｂ，１８Ａ，１８Ｂをそれぞれ開く（オフす
る）。この場合の回路は第３図ｂの如く表わさ
れ、１次側の同調回路はコンデンサ１２及び可変
容量ダイオード１３の合成容量と、コイル１４Ａ
及び１５Ａの直列接続による合成インダクタンス
で形成され、２次側の同調回路は同様にコンデン
サ２０及び可変容量ダイオード２１の合成容量と
コイル１４Ｂ及び１５Ｂの直列接続による合成イ
ンダクタンスによつて形成される。

この場合、コイル１６Ａ，１６Ｂの各一端はア
ースされることなくコンデンサ２２を介して互い
に接続されることになる。このコンデンサ２２が
無い場合はコイル１６Ａ及び１６Ｂの各一端は開
放となり、１次側及び２次側にほとんど影響を与
えない。しかしコイル１６Ａと１６Ｂをコンデン
サ２２によつて接続すると、このコンデンサ２２
によつてトラツプ用の同調回路が形成されること
が実験で確かめられた。

即ち、第３図ｂの回路は等価的に第４図の如き
回路に近似するもので、１次側同調回路Ｃ，L₁
と２次側同調回路Ｃ，L₁との間にトラツプ用同
調回路Ｇが形成されると考えられる。

第４図において１次側の容量Ｃは、コンデンサ
１２と可変容量ダイオード１３の合成容量であ
り、２次側の容量Ｃは、コンデンサ２０と可変容
量ダイオード２１の合成容量である。また１次
側、２次側のインダクタンスL₁と同調回路Ｇの
インダクタンスL₂は、コイル１４Ａ，１５Ａと
コイル１４Ｂ，１５ＢとのＭ結合およびコイル１
６Ａと１６ＢとのＭ結合によつて決るインダクタ
ンスを示しており、インダクタンスL₂と並列に
コンデンサ２２が接続されてトラツプ用同調回路
Ｇを形成している。

そして同調回路Ｇのトラツプ周波数が第１図の
イメージ周波数_１となるようにコンデンサ２２
やコイル１４，１５，１６の値が選ばれている。
したがつて第１バンド受信時には、同調回路Ｇに
よつてイメージ周波数_１の伝達阻止され、イメ
ージ妨害を減少することができる。

次に第２バンドを受信する場合は、スイツチ１
７Ａ，１７Ｂは開き（オフし）、スイツチ１８
Ａ，１８Ｂは閉じ（オンし）、コイル１５Ａ，１
５Ｂが短絡される。このときの回路は第３図ｃの
如く表わされ、このときもコンデンサ２２がコイ
ル１６Ａ，１６Ｂ間に接続される。

この第２バンド受信時の等価回路も第４図の如
く表わされるが、１次側、２次側のインダクタン
スL₁と同調回路ＧのインダクタンスL₂は、コイ
ル１４Ａと１４ＢとのＭ結合およびコイル１６Ａ
と１６ＢとのＭ結合によつて決り、第３図ｂに比
べコイル１５Ａと１５Ｂが存在しない分だけイン
ダクタンス値が異なつた値となる。したがつてこ
の第２バンド受信時には同調回路Ｇのトラツプ周
波数は第１図のイメージ周波数_２へ変化し、イ
メージ周波数_２の伝達が阻止される。

さらに第３バンドを受信する場合は、スイツチ
１７Ａ，１７Ｂおよびスイツチ１８Ａ，１８Ｂが
それぞれ閉じ（オンし）、コイル１５Ａ，１５Ｂ
が短絡され、かつコイル１６Ａ，１６Ｂの他端が
接地されるのでコンデンサ２２は回路から切離さ
れる。この場合の回路は第３図ｄの如く表わさ
れ、１次側同調回路のインダクタンスはコイル１
６Ａと１４Ａの並列合成インダクタンスで決り、
２次側同調回路のインダクタンスはコイル１６Ｂ
と１４Ｂの並列合成インダクタンスで決る。また
コンデンサ２２は切離されるためトラツプ用同調
回路Ｇは形成されないが、第３バンド受信時のイ
メージ周波数_３は第１図から分るように放送信
号の存在しない領域にあるから、イメージ妨害は
生じない。

このように本考案の複同調回路は、１次側およ
び２次側の通常の並列同調回路のほかに、バンド
に応じてトラツプ用の同調回路Ｇが形成されるた
め、いずれのバンドを受信する場合であつてもイ
メージ妨害を除去もしくは減少することができ
る。

またトラツプ用の同調回路Ｇが形成されること
に伴う、１次側と２次側間の結合度に与える影響
を考えてみるに、コンデンサ２２の値を非常に小
さな値にすれば、ほとんど影響はなくなる。即
ち、コンデンサ２２が存在する場合と存在しない
場合との上記結合度を比べてみると、コンデンサ
２２が挿入され、かつその容量値が大きい程、結
合度は大きくなる。したがつてコンデンサ２２の
値を極力小さな値にすれば、コンデンサ２２が存
在しない場合の結合度とほとんど同等にすること
ができる。

一方、トラツプ周波数について考えるに、上記
コンデンサ２２の値を小さくした場合、トラツプ
用同調回路Ｇを必要なイメージ周波数に同調させ
るには、インダクタンスL₂の値を大きくせねば
ならない。本考案ではこの点も考慮されている。

即ち、第３図ｂ，ｃ，ｄから分るように、１次
側同調回路のインダクタンスは、第１バンドでは
コイル１４Ａと１５Ａの直列接続で成り、第２バ
ンドでは１４Ａのみで成り、第３バンドではコイ
ル１４Ａと１６Ａの並列接続で成り、高いバンド
になるに従つて順次、合成インダクタンスを減少
するようにしている。このように第２バンドから
第３バンドへ移行したときには上記合成インダク
タンスはかなり小さくなつてしまう。ところが第
３バンド受信時の合成インダクタンスはコイル１
４Ａと１６Ａの並列回路によるインダクタンスで
決るため、コイル１４Ａと１６Ａの個々のインダ
クタンスはそれほど小さくしなくても良く、例え
ば200MHz（第２バンド）に同調させる場合と、
300MHz（第３バンド）に同調させる場合では、
１次側同調回路の容量Ｃを両バンドで共通とした
とき、コイル１４Ａの値を１とすればコイル１６
Ａの値は0.8程度で良く、それほど差はない。（こ
れは２次側についても言える。） したがつてバンド切換時に上記合成インダクタ
ンスの値がかなり小さくなる割りには各コイル１
４Ａ，１６Ａ自身のインダクタンスは、ある程度
大きく取れ、それらのＭ結合によつて決るインダ
クタンスも大きくでき、トラツプ用同調回路Ｇの
インダクタンスL₂の値を大きくすることができ
る。

こうして本考案ではコンデンサ２２の値を小さ
くして結合度に及ぼす影響をなくすとともに、イ
ンダクタンスL₂の値を大きくとつてイメージ周
波数に同調させることができる。

なお、同調回路Ｇは、所定のイメージ周波数に
完全に同調させなくても、その付近に同調できれ
ばイメージ周波数の伝達をかなり阻止することが
でき、十分にイメージ妨害の防止効果はある。

第５図は第３図のコンデンサ２２を特に付設す
ることなく静電容量を利用した一実施例を示す図
である。一般に段間回路に用いられるスイツチ１
７，１８としては、スイツチング・ダイオードが
使われ、コイル１６とともに基板に取付けられ
る。したがつて第５図に示されるように、スイツ
チ１７Ａ，１７Ｂとしてのスイツチング・ダイオ
ード２３Ａ，２３Ｂの本体を基板２４と略垂直に
互に近接して取り付け、そのリード部分を長くす
ることによりこのリード間で静電容量２２を形成
することができる。この実施例のようにすれば、
コンデンサを接続することなくイメージ・トラツ
プを構成できることになる。

尚、上述の本考案の複同調回路は複数の段間回
路に対して、応用すればより効果があることは当
然であるし、段間回路に限らず複同調回路であれ
ば入力同調回路に対して設けても有効である。

以上述べたように本考案によれば複同調回路に
おいて、容量２２を付加するという簡単な構成で
イメージ周波数除去用の同調回路が形成されるよ
うにしてあるので、イメージ妨害を改善できると
いう利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は多バンドの放送波を受信する場合の各
バンドにおける受信周波数帯とそのイメージ周波
数帯の一例を示す図、第２図は従来のイメージ妨
害を除去する回路の一例を示す構成図、第３図ａ
は本考案の複同調回路の一実施例を示す回路図、
第３図ｂ〜ｄは、第３図ａの動作説明用の回路
図、第４図は第３図の第１及び第２バンド受信時
における等価回路を示す回路図、第５図は本考案
に係る複同調回路を構成する部品の配置例を示す
斜視図である。 １２，２０……コンデンサ、１３，２１……可
変容量ダイオード、１４，１５，１６……コイ
ル、１７，１８……バンド切換用の連動スイツ
チ、２２……容量、２３……スイツチングダイオ
ード、２４……基板。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 入力端と接地点間に第１、第２のコイルを直列
   に接続し、前記入力端に第３のコイルの一端を接
   続し、この第３のコイルの他端を第１のスイツチ
   手段を介して接地するとともに前記第１のコイル
   と第２のコイルとの接続点を第２のスイツチ手段
   を介して接地し、前記入力端と接地点間に可変容
   量ダイオードを含む第１の容量可変手段を接続し
   て成る１次側同調回路と、 出力端と接地点間に前記第１、第２のコイルと
   対を成す第４、第５のコイルを直列に接続し、前
   記出力端に前記第３のコイルと対を成す第６のコ
   イルの一端を接続し、この第６のコイルの他端を
   第３のスイツチ手段を介して接地するとともに前
   記第４のコイルと第５のコイルとの接続点を第４
   のスイツチ手段を介して接地し、前記出力端と接
   地点間に可変容量ダイオードを含む第２の容量可
   変手段を接続して成る２次側同調回路と、 前記第３のコイルの他端と前記第６のコイルの
   他端との間を結合するように設けられた微少容量
   とを具備し、 前記第１と第３のスイツチ手段、および第２と
   第４のスイツチ手段はそれぞれ互に連動して開閉
   し、これらスイツチ手段を選択的に開閉制御する
   ことによつて所定バンドの信号に同調可能であつ
   て、かつ前記各スイツチ手段の開・閉状態に応じ
   て前記微少容量がイメージトラツプ用の同調回路
   を形成するようにしたことを特徴とする複同調回
   路。