JPS6145549A - 荷電粒子線装置 - Google Patents

荷電粒子線装置

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JPS6145549A
JPS6145549A JP15221885A JP15221885A JPS6145549A JP S6145549 A JPS6145549 A JP S6145549A JP 15221885 A JP15221885 A JP 15221885A JP 15221885 A JP15221885 A JP 15221885A JP S6145549 A JPS6145549 A JP S6145549A
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JP
Japan
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sample
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charged particle
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held
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JP15221885A
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English (en)
Inventor
Masahide Okumura
正秀 奥村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6145549A publication Critical patent/JPS6145549A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は走査型電子顕vI鏡およびその類似装置等の荷
電粒子線装置に係り、特に試料の傾斜あるいは回転をし
ても、視野位置を正確に一定に保ち得る新規な装置に関
する。
〔発明の背景〕
試料微動装置に望まれる条件1よ、理想的には視野中心
で試料が回転し、あるいは、傾斜することであるが、機
構的に実現困難である。従来、特開昭51−11756
9号公報に記載の如く1位置ずれの検出や補正をアナロ
グ的に、例えば、試料の傾斜前後の像における位相差を
検出し、その位相差を電圧に変換して、荷電粒子線の位
置を補正し・ているが、高精度な位置ずれの補正には限
度があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、試料の傾斜あるいは、回転したことに
よる視野位置のずれを検出し、このずれが最小となるよ
うに、試料と荷電子線との相対的位置関係を高精度に補
正し得る荷電粒子線装置を提供することにある。
〔発明の概要および実施例〕
上記目的を達成するためには、先ず試料像を観良しなが
ら、その中の何処を固定しようとするのかを決めなけれ
ばならない。
試料の観察装置の一例として走査型電子顕微鏡(以下、
SEMと記す)があり、その動作は周知なので詳細は省
略するが、以下、SEMを例にとって説明する。
第1図にはSEM像の一例を示している。すなわち、C
RT画面Aには、試料を同期して電子ビーl、で二次元
走査することによって、例えば、試けることを仮定する
。したがって、この場合においては試料像■3をカバー
する範囲の限定された走査(第2図参照)が必要である
。この結果、目的の試A′、1像が抽出された訳である
から、この試料像■3をそのまま記憶しても良いが、当
然予想されるように、試料を傾けると、その結果の試料
像は異なったものとなってしまうため、目的とする位置
ずれの検出が困難になる。
この欠点を無くするため、本発明においては少なくとも
1本以上の線走査をした時化じる、試料像の明るさの変
化する部分(エツジ部分)を検出対象とする。たとえば
、第3図に示しているように又軸方向についてX、で示
す線走査を実施すると、その結果生じる映像信号は波形
dとして出力される。この波形dをスライスレベル悲で
比較し。
2値化すると、波形Fが得られる6そして、波形Fのた
とえば、立上り迄の時間tXを求めれば、走査の開始点
からの距離Qxは、 QX=□・tx(μm) として求めることができる(ここで、−はビームの走査
速度である。)。すなわち、試料機工。
のX方向の座標が求められる。
次に走査をylで示す方向に切り換え、同様にして1y
を求める。これらの操作によって試料像■3の座標検出
が行なわれる。
以上によって座標検出をした後1例えば、試料をわずか
に傾けたらば、第4図の工、′で示しているように13
に対して位置がずれたことを仮定する。 ここで、再度
、前述した如く、電子ビー11を第3図に示しているよ
うにX軸方向についてX、で示す線走査をし、走査の開
始点からエツジ部名の時間txnを求めると、試料を傾
ける前の座標からのずれ量へX11はΔXn=K (t
x  txn)どして求められる。したかって、ΔXn
が最小になるような方向、量を試料微動台のX軸徹動機
講にンイードバソタすれば良い。しかし、実際的には(
t”ja 4’J部のガタにより、所望の精度が得られ
ない場合も有り得る。このような場合には、電子ビーム
をX軸にシフトしても同様が結果が得られる。
具体的には、電子ビームのX線偏向器にΔXに相当する
偏向感度の直流バイアスを供給すれば良い。
以−ヒの操作の終了後、Y軸方向についても同様のこと
を実施する。そして、Y軸方向についても位置ずれの補
正が終了したらば、再び、目的の方向に試料をわずかに
傾け、さらに同様のことを行ないながら、これらを繰返
せば、ついには目的の傾斜迄、傾けたにも拘らず試料機
工、は視野から逃げていないことになり、すなわち1本
発明の目的である視野位置中心での試料傾斜が実現され
たことになる。
以上詳述した操作は一見PHAtで、めんどうなことの
ようであるが、これらは自動的に行なわれるものであり
、一連の動作が終了する迄の時間は僅かである。たとえ
ば、座標位置検出のために望ましい1回の傾斜による位
置のずれ量を0.5μmと仮定し、目的の傾斜まで傾け
た時の全ずれ量を1000μmと仮定すると、現状での
SEMの最高走査速度の一例としては1m s / 1
ライン程度であから概略所要時間は約4秒である。
以下、゛本発明をSEMに適用した場合の一実施例を第
5図により説明する。同図にて、ブロック1が本発明の
一実施例を示している。
先ず偏向信号発生器2の出力が偏向器3を駆動すること
により、電子ビー1% 4は試料5を照射しながら走査
、偏向する。この結果、試料5から発生する二次電子信
号6は検出器7にて検出され、増幅器8を経由してCR
T 9の輝度変調信号となる。一方、偏向信号発生器2
はCRT 、9の偏向器jOにλJしても偏向信号を出
力するため、CRT9には試料5の映像が映し出される
。例えば、第1図の例のような結果が得られる。
次いで、偏向制御部11で、偏向信号発生器2のLM幅
、直流レベルを制御すると、例えば、第2図が実現され
る。
以」二の操作の後、偏向制御部11を試料固定のモート
にすると、偏向制御部11は約1 m sの周期でX方
向、Y方向に交互に線走査するように偏向信号発生器2
を制御する。先ず、第1回目のX方向の走査が開始され
ると、このタイミングでカウンタ13はリセットされ、
同時に発振器12が起動し、約17z s周期のクロッ
クを発生し、カウンタ13はこれを訓数する。走査が進
み、増幅器8の出力での試料像信号が第3図波形dの如
く生じると、その信号は2値化回路14で2値化され、
波形Fが出力線15に出現する。出力線15の一部はX
レジスタに加えられ、この時のカウンタ13の内容がX
レジスタに保持される。更に出力線15は発振器12の
発振を止める作用もある。
以上の動作によって1ラインの線走査が終了すると、偏
向制御部11は、Y軸方向1の線走査をするよう偏向信
号発生器2を制御する。この結果の作用はX軸の場合と
全く同じである。ただし。
カウンタ13の内容はYレジスタに保持される。
これら動作は約2 m sの間に行なわれる。
以上の動作によって、X、Y各しジスタには、例えば第
3図の試料機工、のエツジ部の座標が、保持されること
になる。この後、試料微動台16を手動またはモーター
等を使って傾けると、前記したと同様の過程を経て、試
料像のエツジ部の座標データが、ΔXあるいはΔYレジ
スタに保持される。(X、Yレジスタの内容は書き変ら
ない。
一方、ΔX、ΔYレジスタは、同一方向の線走査が行な
われる毎、内容が更新される。)このようにして、保持
されたXとΔXレジスタあるいは、YとΔYレジスタの
内容に差が生じると、すなわち、位置ずれが検知される
と、その差分が減醇器17.18に綴って取り出され、
後続するティシタルーアナログコンバーター9.20力
する。この結果、電子ビーム4の試料上における位置が
シフトし、 4A’i果として、視野位置がずれない、
二とになる。
〔発明の効果〕
以−ヒ、詳述した如く1本発明によれば、位置すれの検
出や補正をディジタル的に行なっているため、試料と荷
電粒子線との相対的位置関係を常に正確に一定に保つこ
とができる。その結果、従来のアナログ的に位相差を求
め2位置を補正する場合に比べて、 [、試料の(す1斜、回転機構をもった試料微動機構に
適用すれば、視野位置中心での高精度な微動が可能とな
り、 2、長時間同一地点に荷電粒子線を止めておきたい場合
、たとえばXMA装置などに適用すれば、試料のドリフ
トや、電子ビームのドリフトが高精度に補正されるので
、分析精度が向上する。
和 な〃1本発明は、走査、偏向機能をもった荷電粒子線装
置について説明したが、たとえば透過型電子顕微鏡の場
合、静止している試料像をテレビカメラなどで撮影すれ
ば実施可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図はSEM像の一例を示す図、第2図は視野制限し
た時、CRTで(131mされる試料像を示す図、第3
図は線走査をした結果の試料像信号波形の一例を示す図
、第4図は試料を傾けた場合に視野位置がずれることを
説明する図、第5図は本発明をSEMに実施した場合の
一実施例を示す図である。 1・・・本発明の全体ブロック図、2・・・偏向信号発
生器、3,10・・・偏向器、4・・・″こ子ビーt1
.5・・・試料、6・・・二次電子、7・・・検出器、
8・・・増Φば器、9・・・CRT、11・・・偏向制
御部、12・・・発振器、・・・13・・・カウンタ、
14・・・2値化回路、16・・・試料微動台、17.
18・・・l成算器、19.20・・・ディジタル−ア
ナログコンバータ。 lど−1− 代理人弁理士 小 川 勝 男 、3.゛。 ■う゛ yJJlo     第2図 ■。 工2 %3 図 一時P5

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、試料に荷電粒子線を照射する手段、該粒子線を該試
    料上で偏向する手段、上記照射の結果の試料情報信号を
    検出する手段、該情報信号にもとづいて映像表示する表
    示手段、および上記試料の微動装置からなる荷電粒子線
    装置において、映像として表示されている試料像の中の
    少なくとも明るさの変化が生じている部分が含まれる一
    部分を選定し、選定された一部分までの走査の開始点か
    らの荷電粒子線の移動量を検出し、保持する手段と、上
    記保持した後において生じた走査の開始点からの上記一
    部分迄の移動量を検出し、上記保持された移動量に対す
    る差分を求める手段と、該差分に対応して荷電粒子線と
    試料との相対的位置関係を補正する手段とを具備したこ
    とを特徴とする荷電粒子線装置。
JP15221885A 1985-07-12 1985-07-12 荷電粒子線装置 Pending JPS6145549A (ja)

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JP (1) JPS6145549A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284483A (ja) * 1985-06-11 1986-12-15 Dainippon Ink & Chem Inc 感熱記録体
WO2001069643A1 (fr) * 2000-03-13 2001-09-20 Hitachi, Ltd. Dispositif de balayage a faisceau de particules chargees
KR20150088202A (ko) * 2014-01-23 2015-07-31 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 하전 입자빔 장치, 하전 입자빔 장치의 제어 방법 및 단면 가공 관찰 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61284483A (ja) * 1985-06-11 1986-12-15 Dainippon Ink & Chem Inc 感熱記録体
WO2001069643A1 (fr) * 2000-03-13 2001-09-20 Hitachi, Ltd. Dispositif de balayage a faisceau de particules chargees
KR20150088202A (ko) * 2014-01-23 2015-07-31 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 하전 입자빔 장치, 하전 입자빔 장치의 제어 방법 및 단면 가공 관찰 장치

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